TH34646C3 - อุปกรณ์กึ่งตัวนำที่มีองค์ประกอบรับแสง อุปกรณ์รับแสง และวิธีการผลิตอุปกรณ์กึ่งตัวนำที่มีองค์ประกอบรับแสง - Google Patents

Abstract

DC60 (17/07/55) เมื่อส่องแสงลงบนหรือใกล้กับส่วนที่ได้แบ่งแยกขององค์ประกอบรับแสง ลักษณะเฉพาะทาง ความถี่จะเลวลง ตามการประดิษฐ์นี้ จะมีการทำองค์ประกอบรับแสงบนชั้นรองกึ่งตัวนำด้วยการทำ ส่วนรอยเชื่อมต่อของส่วนกึ่งตัวนำที่หนึ่งที่มีคุณสมบัตินำไฟฟ้าชนิดที่หนึ่ง และส่วนกึ่งตัวนำที่สอง ที่มีคุณสมบัตินำไฟฟ้าชนิดที่สอง กล่าวคือ รอยเชื่อมต่อ p-n จากนั้นจะมีการทำบริเวณแบ่งแยกที่มี คุณสมบัตินำไฟฟ้าชนิดที่สองบนส่วนกึ่งตัวนำที่หนึ่งส่วนหนึ่ง เมื่อจ่ายแรงดันไฟฟ้าโน้มกลับซึ่งต่ำ กว่าที่ใช้ขับเคลื่อนองค์ประกอบรับแสงไปยังส่วนเชื่อมต่อการแพร่กระจายของชั้นปลอดพาหะออก จากส่วนรอยเชื่อมต่อที่ประกอบรวมด้วยองค์ประกอบรับแสงและส่วนเชื่อมต่อที่ประกอบรวมขึ้นด้วย บริเวณแบ่งแยก จะแบ่งแยกส่วนกึ่งตัวนำที่หนึ่งออกเป็นส่วนต่างๆ จำนวนหนึ่ง ทำให้ลักษณะเฉพาะ ทางความถี่ดีขึ้น เมื่อส่องแสงลงบนหรือใกล้กับส่วนที่ได้แบ่งแยกขององค์ประกอบรับแสง ลักษณะเฉพาะทาง ความถี่จะเลวลง ตามการประดิษฐ์นี้ จะมีการทำองค์ประกอบรับแสงบนชั้นรองกึ่งตัวนำด้วยการทำ ส่วนรอยเชื่อมต่อของส่วนกึ่งตัวนำที่หนึ่งที่มีคุณสมบัตินำไฟฟ้าชนิดที่หนึ่ง และส่วนกึ่งตัวนำที่สอง ที่มีคุณสมบัตินำไฟฟ้าชนิดที่สอง กล่าวคือ รอยเชื่อมต่อ p-n จากนั้นจะมีการทำบริเวณแบ่งแยกที่มี คุณสมบัตินำไฟฟ้าชนิดที่สองบนส่วนกึ่งตัวนำที่หนึ่งส่วนหนึ่ง เมื่อจ่ายแรงดันไฟฟ้าโน้มกลับซึ่งต่ำ กว่าที่ใช้ขับเคลื่อนองค์ประกอบรับแสงไปยังส่วนเชื่อมต่อการแพร่กระจายของชั้นปลอดพาหะออก จากส่วนรอยเชื่อมต่อที่ประกอบรวมด้วยองค์ประกอบรับแสงและส่วนเชื่อมต่อที่ประกอบรวมขึ้นด้วย บริเวณแบ่งแยก จะแบ่งแยกส่วนกึ่งตัวนำที่หนึ่งออกเป็นส่วนต่างๆ จำนวนหนึ่ง ทำให้ลักษณะเฉพาะ ทางความถี่ดีขึ้น

Claims (9)

1. อุปกรณ์กึ่งตัวนำที่ประกอบด้วย องค์ประกอบรับแสงได้รับการขึ้นรูปไว้บนชั้นรองกึ่งตัวนำด้วยการทำส่วนรอยเชื่อมต่อที่ หนึ่งซึ่งประกอบด้วยส่วนกึ่งตัวนำที่หนึ่งที่มีคุณสมบัตินำไฟฟ้าชนิดที่หนึ่งและส่วนกึ่งตัวนำที่ สองที่มีคุณสมบัตินำไฟฟ้าชนิดที่สอง, ส่วนรอยเชื่อมต่อที่สองซึ่งประกอบรวมด้วยบริเวณแบ่งแยก ที่มีคุณสมบัตินำไฟฟ้าชนิดที่สองที่ได้รับการขึ้นรูปไว้บนส่วนกึ่งตัวที่หนึ่งดังกล่าวส่วนหนึ่ง, มีการแบ่งแยกส่วนกึ่งตัวนำที่หนึ่งดังกล่าวออกเป็นส่วนต่างๆ จำนวนหนึ่งด้วยการแผ่กระจาย ของชั้นปลอดพาหะออกจากส่วนรอยเชื่อมต่อที่หนึ่งดังกล่าวและจากส่วนรอยเชื่อมต่อที่สองดังกล่าว เมื่อจ่ายแรงดันไฟฟ้าโน้มกลับซึ่งต่ำกว่าแรงดันไฟฟ้าโน้มกลับที่ใช้จ่ายให้ส่วนรอยต่อที่หนึ่งดังกล่าว ในขณะที่องค์ประกอบรับแสงดังกล่าวทำงาน ส่วนกึ่งตัวนำที่สามที่มีคุณสมบัตินำไฟฟ้าชนิดที่หนึ่งซึ่งมีความเข้มข้นของสิ่งเจือปนสูงเมื่อ เปรียบเทียบกับความเข้มข้นของส่วนกึ่งตัวนำที่หนึ่งดังกล่าวได้รับการขึ้นรูปไว้บนผิวหน้าของชั้นรอง กึ่งตัวนำดังกล่าวที่ส่วนต่างๆ ซึ่งถูกแบ่งแยกโดยชั้นปลอดพาหะที่ได้รับการขึ้นรูปไว้บนส่วนกึ่งตัวนำ ที่มีคุณสมบัตินำไฟฟ้าชนิดที่หนึ่งดังกล่าว

2. อุปกรณ์กึ่งตัวนำที่มีองค์ประกอบรับแสงตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ซึ่งมีลักษณะเฉพาะคือ ชั้นปลอดพาหะดังกล่าวจะไม่แบ่งแยกส่วนกึ่งตัวนำที่หนึ่งดังกล่าวออกเป็นส่วนต่างๆ จำนวนหนึ่ง ภายใต้สภาวะที่ไม่ได้จ่ายแรงดันไฟฟ้าโน้มกลับไปยังส่วนเชื่อมต่อที่หนึ่งดังกล่าว

3. อุปกรณ์กึ่งตัวนำที่มีองค์ประกอบรับแสงตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ซึ่งมีลักษณะเฉพาะคือ บริเวณการแยกดังกล่าวได้รับการขึ้นรูปไว้บนส่วนกึ่งตัวนำที่หนึ่งดังกล่าวที่ตำแหน่งซึ่งห่างจากส่วน กึ่งตัวนำที่สองดังกล่าวเป็นช่วงระยะที่ได้กำหนดไว้ล่วงหน้า

4. อุปกรณ์กึ่งตัวนำที่มีองค์ประกอบรับแสงตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ซึ่งมีลักษณะเฉพาะคือ บริเวณการแบ่งแยกดังกล่าวได้รับการขึ้นรูปไว้บนส่วนกึ่งตัวนำที่หนึ่งดังกล่าวโดยมีระยะ (displacement) เคลื่อนไปทางด้านของส่วนกึ่งตัวนำที่สองดังกล่าว

5. อุปกรณ์กึ่งตัวนำที่มีองค์ประกอบรับแสงตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ซึ่งมีลักษณะเฉพาะ คือ มีการทำบริเวณแบ่งแยกดังกล่าวได้รับการขึ้นรูปไว้บนส่วนกึ่งตัวนำที่หนึ่งดังกล่าวที่ส่วนซึ่งอยู่ระหว่างกลาง (intermediate portion)ในทิศทางความหนาของส่วนกึ่งตัวนำที่หนึ่งดังกล่าว

6. อุปกรณ์กึ่งตัวนำที่มีองค์ประกอบรับแสงตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ซึ่งมีลักษณะเฉพาะโดย การประกอบรวมเพิ่มเติมด้วยส่วนกึ่งตัวนำที่สี่ที่มีความเข้มข้นของสิ่งเจือปนสูงเมื่อเปรียบเทียบกับ ความเข้มข้นของส่วนกึ่งตัวนำที่สองดังกล่าวซึ่งได้รับการขึ้นรูปไว้บนชั้นรองกึ่งตัวนำดังกล่าวที่ ด้านข้างของส่วนนั้น ซึ่งอยู่ตรงข้ามกับส่วนรอยเชื่อมต่อที่ประกอบรวมด้วยองค์ประกอบรับแสง ดังกล่าวของส่วนกึ่งตัวนำตัวที่สองที่มีคุณสมบัตินำไฟฟ้าที่สองดังกล่าวในลักษณะที่ชิดกับส่วนกึ่งตัวนำ ที่สองดังกล่าว

7. อุปกรณ์กึ่งตัวนำที่มีองค์ประกอบรับแสงตามข้อถือสิทธิข้อที่ 4 ซึ่งมีลักษณะเฉพาะคือ ระยะจากผิวหน้าของชั้นรองกึ่งตัวนำดังกล่าวถึงส่วนกึ่งตัวนำที่สี่ดังกล่าวซึ่งได้รับการขึ้นรูปไว้ข้างใต้ ส่วนกึ่งตัวนำที่สองดังกล่าวจะถูกเลือกให้มากกว่าระยะดูดซับแสงที่ตกกระทบบนองค์ประกอบรับ แสงดังกล่าว

8. อุปกรณ์กึ่งตัวนำที่มีองค์ประกอบรับแสงตามข้อถือสิทธิข้อที่ 3 ซึ่งมีลักษณะเฉพาะคือ ส่วนกึ่งตัวนำที่สามซึ่งได้รับการขึ้นรุปไว้บนหรือภายในส่วนกึ่งตัวนำที่หนึ่งดังกล่าวจะถูกเลือกให้มี ความหนาในพิสัยตั้งแต่ 0.01 ถึง 0.2 ไมโครเมตร

9. อุปกรณ์กึ่งตัวนำที่มีองค์ประกอบรับแสงตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ซึ่งมีลักษณะเฉพาะ คือ ส่วนกึ่งตัวนำที่สองดังกล่าวที่ประกอบรวมด้วยองค์ประกอบรับแสงดังกล่าวมีความเข้มข้นของ สิ่งเจือปนในพิสัยตั้งแต่ 1 x 1011 ถึง 1 x 1016 อะตอม/ซม3 1

0. อุปกรณ์กึ่งตัวนำที่มีองค์ประกอบรับแสงตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ซึ่งมีลักษณะเฉพาะคือ ส่วนกึ่งตัวนำที่หนึ่งและที่สองดังกล่าวที่ประกอบรวมด้วยองค์ประกอบรับแสงดังกล่าวมีความเข้มข้น ของสิ่งเจือปนในพิสัยตั้งแต่ 1 x 1011 ถึง 1 x 1016 อะตอม/ซม3.