TH34646C3 - Semiconductors with optical elements Optical device And methods for manufacturing semiconductors with optical elements - Google Patents

Semiconductors with optical elements Optical device And methods for manufacturing semiconductors with optical elements

Info

Publication number
TH34646C3
TH34646C3 TH9901000809A TH9901000809A TH34646C3 TH 34646 C3 TH34646 C3 TH 34646C3 TH 9901000809 A TH9901000809 A TH 9901000809A TH 9901000809 A TH9901000809 A TH 9901000809A TH 34646 C3 TH34646 C3 TH 34646C3
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
semiconductor
optical
segment
semiconductor device
molded
Prior art date
Application number
TH9901000809A
Other languages
Thai (th)
Other versions
TH38986A3 (en
Inventor
อาไร นายชิฮิโร
Original Assignee
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
นายบุญมา เตชะวณิช
นายต่อพงศ์ โทณะวณิก
นายวิรัช ศรีเอนกราธา
Filing date
Publication date
Application filed by นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์, นายบุญมา เตชะวณิช, นายต่อพงศ์ โทณะวณิก, นายวิรัช ศรีเอนกราธา filed Critical นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
Publication of TH38986A3 publication Critical patent/TH38986A3/en
Publication of TH34646C3 publication Critical patent/TH34646C3/en

Links

Abstract

DC60 (17/07/55) เมื่อส่องแสงลงบนหรือใกล้กับส่วนที่ได้แบ่งแยกขององค์ประกอบรับแสง ลักษณะเฉพาะทาง ความถี่จะเลวลง ตามการประดิษฐ์นี้ จะมีการทำองค์ประกอบรับแสงบนชั้นรองกึ่งตัวนำด้วยการทำ ส่วนรอยเชื่อมต่อของส่วนกึ่งตัวนำที่หนึ่งที่มีคุณสมบัตินำไฟฟ้าชนิดที่หนึ่ง และส่วนกึ่งตัวนำที่สอง ที่มีคุณสมบัตินำไฟฟ้าชนิดที่สอง กล่าวคือ รอยเชื่อมต่อ p-n จากนั้นจะมีการทำบริเวณแบ่งแยกที่มี คุณสมบัตินำไฟฟ้าชนิดที่สองบนส่วนกึ่งตัวนำที่หนึ่งส่วนหนึ่ง เมื่อจ่ายแรงดันไฟฟ้าโน้มกลับซึ่งต่ำ กว่าที่ใช้ขับเคลื่อนองค์ประกอบรับแสงไปยังส่วนเชื่อมต่อการแพร่กระจายของชั้นปลอดพาหะออก จากส่วนรอยเชื่อมต่อที่ประกอบรวมด้วยองค์ประกอบรับแสงและส่วนเชื่อมต่อที่ประกอบรวมขึ้นด้วย บริเวณแบ่งแยก จะแบ่งแยกส่วนกึ่งตัวนำที่หนึ่งออกเป็นส่วนต่างๆ จำนวนหนึ่ง ทำให้ลักษณะเฉพาะ ทางความถี่ดีขึ้น เมื่อส่องแสงลงบนหรือใกล้กับส่วนที่ได้แบ่งแยกขององค์ประกอบรับแสง ลักษณะเฉพาะทาง ความถี่จะเลวลง ตามการประดิษฐ์นี้ จะมีการทำองค์ประกอบรับแสงบนชั้นรองกึ่งตัวนำด้วยการทำ ส่วนรอยเชื่อมต่อของส่วนกึ่งตัวนำที่หนึ่งที่มีคุณสมบัตินำไฟฟ้าชนิดที่หนึ่ง และส่วนกึ่งตัวนำที่สอง ที่มีคุณสมบัตินำไฟฟ้าชนิดที่สอง กล่าวคือ รอยเชื่อมต่อ p-n จากนั้นจะมีการทำบริเวณแบ่งแยกที่มี คุณสมบัตินำไฟฟ้าชนิดที่สองบนส่วนกึ่งตัวนำที่หนึ่งส่วนหนึ่ง เมื่อจ่ายแรงดันไฟฟ้าโน้มกลับซึ่งต่ำ กว่าที่ใช้ขับเคลื่อนองค์ประกอบรับแสงไปยังส่วนเชื่อมต่อการแพร่กระจายของชั้นปลอดพาหะออก จากส่วนรอยเชื่อมต่อที่ประกอบรวมด้วยองค์ประกอบรับแสงและส่วนเชื่อมต่อที่ประกอบรวมขึ้นด้วย บริเวณแบ่งแยก จะแบ่งแยกส่วนกึ่งตัวนำที่หนึ่งออกเป็นส่วนต่างๆ จำนวนหนึ่ง ทำให้ลักษณะเฉพาะ ทางความถี่ดีขึ้น DC60 (17/07/55) When light is illuminated on or near the discriminated part of the light-receiving element. Specialty Frequency will worsen According to this invention Light-receiving elements are performed on the semiconductor sub layer by doing The junction of the first semiconductor with the first conductive properties. And the second semiconductor With a second type of conductive property, that is, p-n junctions. A second type of conductive property on one semiconductor part. When supplying reverse voltage which is low Than used to drive the optical element to the propagation interface of the carrier-free layer. From a welded joint made of optical-receiving elements and a connection that is made up of Partition Will divide the first semiconductor into a number of segments, giving the characteristics The way the frequency improved When the light is shining on or near the divided part of the light-receiving element Specialty Frequency will worsen According to this invention Light-receiving elements are performed on the semiconductor sub layer by doing The junction of the first semiconductor with the first conductive properties. And the second semiconductor With a second type of conductive property, that is, p-n junctions. A second type of conductive property on one semiconductor part. When supplying reverse voltage which is low Than used to drive the optical element to the propagation interface of the carrier-free layer. From a welded joint made of optical-receiving elements and a connection that is made up of Partition Will divide the first semiconductor into a number of segments, giving the characteristics The way the frequency improved

Claims (9)

1. อุปกรณ์กึ่งตัวนำที่ประกอบด้วย องค์ประกอบรับแสงได้รับการขึ้นรูปไว้บนชั้นรองกึ่งตัวนำด้วยการทำส่วนรอยเชื่อมต่อที่ หนึ่งซึ่งประกอบด้วยส่วนกึ่งตัวนำที่หนึ่งที่มีคุณสมบัตินำไฟฟ้าชนิดที่หนึ่งและส่วนกึ่งตัวนำที่ สองที่มีคุณสมบัตินำไฟฟ้าชนิดที่สอง, ส่วนรอยเชื่อมต่อที่สองซึ่งประกอบรวมด้วยบริเวณแบ่งแยก ที่มีคุณสมบัตินำไฟฟ้าชนิดที่สองที่ได้รับการขึ้นรูปไว้บนส่วนกึ่งตัวที่หนึ่งดังกล่าวส่วนหนึ่ง, มีการแบ่งแยกส่วนกึ่งตัวนำที่หนึ่งดังกล่าวออกเป็นส่วนต่างๆ จำนวนหนึ่งด้วยการแผ่กระจาย ของชั้นปลอดพาหะออกจากส่วนรอยเชื่อมต่อที่หนึ่งดังกล่าวและจากส่วนรอยเชื่อมต่อที่สองดังกล่าว เมื่อจ่ายแรงดันไฟฟ้าโน้มกลับซึ่งต่ำกว่าแรงดันไฟฟ้าโน้มกลับที่ใช้จ่ายให้ส่วนรอยต่อที่หนึ่งดังกล่าว ในขณะที่องค์ประกอบรับแสงดังกล่าวทำงาน ส่วนกึ่งตัวนำที่สามที่มีคุณสมบัตินำไฟฟ้าชนิดที่หนึ่งซึ่งมีความเข้มข้นของสิ่งเจือปนสูงเมื่อ เปรียบเทียบกับความเข้มข้นของส่วนกึ่งตัวนำที่หนึ่งดังกล่าวได้รับการขึ้นรูปไว้บนผิวหน้าของชั้นรอง กึ่งตัวนำดังกล่าวที่ส่วนต่างๆ ซึ่งถูกแบ่งแยกโดยชั้นปลอดพาหะที่ได้รับการขึ้นรูปไว้บนส่วนกึ่งตัวนำ ที่มีคุณสมบัตินำไฟฟ้าชนิดที่หนึ่งดังกล่าว1. a semiconductor device consisting of The light-receiving element is molded on the semiconductor substrate by making a welded joint that One consisting of a semiconductor part with one conductive type and one that is Two with conductive properties of the second type, the second junction section comprising the separation area. With the second semiconductor molded on the first semiconductor part, the first semiconductor is separated into sections. A certain number with spread Of the carrier-free layer from the first such connection and from the second connection When applying the inversion voltage which is lower than the applied inversion voltage to the first such junction While the exposure element is active A third semiconductor segment with conductive properties of the first type with high impurity concentrations when Compared with the concentration of the first semiconductor part, it has been molded on the surface of the secondary layer. Such semiconductors at different sections Which is separated by a molded carrier-free layer on the semi-conductor With the first type of conductive properties 2. อุปกรณ์กึ่งตัวนำที่มีองค์ประกอบรับแสงตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ซึ่งมีลักษณะเฉพาะคือ ชั้นปลอดพาหะดังกล่าวจะไม่แบ่งแยกส่วนกึ่งตัวนำที่หนึ่งดังกล่าวออกเป็นส่วนต่างๆ จำนวนหนึ่ง ภายใต้สภาวะที่ไม่ได้จ่ายแรงดันไฟฟ้าโน้มกลับไปยังส่วนเชื่อมต่อที่หนึ่งดังกล่าว2. A semiconductor device with an optical element according to claim 1, which has its characteristics: The carrier-free class does not divide the first semiconductor into a number of segments under the condition that the voltage is not supplied to the first such connection. 3. อุปกรณ์กึ่งตัวนำที่มีองค์ประกอบรับแสงตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ซึ่งมีลักษณะเฉพาะคือ บริเวณการแยกดังกล่าวได้รับการขึ้นรูปไว้บนส่วนกึ่งตัวนำที่หนึ่งดังกล่าวที่ตำแหน่งซึ่งห่างจากส่วน กึ่งตัวนำที่สองดังกล่าวเป็นช่วงระยะที่ได้กำหนดไว้ล่วงหน้า3. A semiconductor device with an optical component according to claim 1, which has its characteristics: The separation area is formed on the first half of the semiconductor segment at a location further from the segment. The second semiconductor is a predetermined interval. 4. อุปกรณ์กึ่งตัวนำที่มีองค์ประกอบรับแสงตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ซึ่งมีลักษณะเฉพาะคือ บริเวณการแบ่งแยกดังกล่าวได้รับการขึ้นรูปไว้บนส่วนกึ่งตัวนำที่หนึ่งดังกล่าวโดยมีระยะ (displacement) เคลื่อนไปทางด้านของส่วนกึ่งตัวนำที่สองดังกล่าว4. A semiconductor device with an optical component according to claim 1, which has its characteristics: The separation area is formed on the first semiconductor segment with a (displacement) moves to the side of the second semiconductor. 5. อุปกรณ์กึ่งตัวนำที่มีองค์ประกอบรับแสงตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ซึ่งมีลักษณะเฉพาะ คือ มีการทำบริเวณแบ่งแยกดังกล่าวได้รับการขึ้นรูปไว้บนส่วนกึ่งตัวนำที่หนึ่งดังกล่าวที่ส่วนซึ่งอยู่ระหว่างกลาง (intermediate portion)ในทิศทางความหนาของส่วนกึ่งตัวนำที่หนึ่งดังกล่าว5. A semiconductor device with an optical element according to claim 1, which is unique in that such separation area is formed on the first semiconductor segment at the intermediate segment. (intermediate portion) in the thickness direction of the first semiconductor portion. 6. อุปกรณ์กึ่งตัวนำที่มีองค์ประกอบรับแสงตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ซึ่งมีลักษณะเฉพาะโดย การประกอบรวมเพิ่มเติมด้วยส่วนกึ่งตัวนำที่สี่ที่มีความเข้มข้นของสิ่งเจือปนสูงเมื่อเปรียบเทียบกับ ความเข้มข้นของส่วนกึ่งตัวนำที่สองดังกล่าวซึ่งได้รับการขึ้นรูปไว้บนชั้นรองกึ่งตัวนำดังกล่าวที่ ด้านข้างของส่วนนั้น ซึ่งอยู่ตรงข้ามกับส่วนรอยเชื่อมต่อที่ประกอบรวมด้วยองค์ประกอบรับแสง ดังกล่าวของส่วนกึ่งตัวนำตัวที่สองที่มีคุณสมบัตินำไฟฟ้าที่สองดังกล่าวในลักษณะที่ชิดกับส่วนกึ่งตัวนำ ที่สองดังกล่าว6. A semiconductor device with an optical component according to claim 1, which is characterized by Further assembly with a fourth semiconductor section with a high impurity concentration compared to The concentration of the aforementioned second semiconductor, which is molded on the said substrate at Side of that section Which is opposite to the connection that is made up of optical-receiving elements As a result of the second semiconductor segment having such a second conductive characteristic in such a way that it is closer to the semiconductor segment. Second such 7. อุปกรณ์กึ่งตัวนำที่มีองค์ประกอบรับแสงตามข้อถือสิทธิข้อที่ 4 ซึ่งมีลักษณะเฉพาะคือ ระยะจากผิวหน้าของชั้นรองกึ่งตัวนำดังกล่าวถึงส่วนกึ่งตัวนำที่สี่ดังกล่าวซึ่งได้รับการขึ้นรูปไว้ข้างใต้ ส่วนกึ่งตัวนำที่สองดังกล่าวจะถูกเลือกให้มากกว่าระยะดูดซับแสงที่ตกกระทบบนองค์ประกอบรับ แสงดังกล่าว7.A semiconductor device with an optical element according to claim 4, which has its characteristics: The distance from the surface of the aforementioned semi-conductor to the fourth semiconductor part, which has been formed underneath. Such a second semiconductor is selected greater than the incident light absorption distance on the receiving element. 8. อุปกรณ์กึ่งตัวนำที่มีองค์ประกอบรับแสงตามข้อถือสิทธิข้อที่ 3 ซึ่งมีลักษณะเฉพาะคือ ส่วนกึ่งตัวนำที่สามซึ่งได้รับการขึ้นรุปไว้บนหรือภายในส่วนกึ่งตัวนำที่หนึ่งดังกล่าวจะถูกเลือกให้มี ความหนาในพิสัยตั้งแต่ 0.01 ถึง 0.2 ไมโครเมตร8.A semiconductor device with an optical element according to claim 3, which has its characteristics: A third semiconductor that is molded on or within that first semiconductor segment is selected to have Thickness in the range from 0.01 to 0.2 μm. 9. อุปกรณ์กึ่งตัวนำที่มีองค์ประกอบรับแสงตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ซึ่งมีลักษณะเฉพาะ คือ ส่วนกึ่งตัวนำที่สองดังกล่าวที่ประกอบรวมด้วยองค์ประกอบรับแสงดังกล่าวมีความเข้มข้นของ สิ่งเจือปนในพิสัยตั้งแต่ 1 x 1011 ถึง 1 x 1016 อะตอม/ซม3 19. A semiconductor device having an optical-receiving element according to claim 1, which is unique, is that the second semiconductor part comprising the said optical element has a Impurities in the range from 1 x 1011 to 1 x 1016 atoms / cm 3 1 0. อุปกรณ์กึ่งตัวนำที่มีองค์ประกอบรับแสงตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ซึ่งมีลักษณะเฉพาะคือ ส่วนกึ่งตัวนำที่หนึ่งและที่สองดังกล่าวที่ประกอบรวมด้วยองค์ประกอบรับแสงดังกล่าวมีความเข้มข้น ของสิ่งเจือปนในพิสัยตั้งแต่ 1 x 1011 ถึง 1 x 1016 อะตอม/ซม3.0. A semiconductor device with an optical element according to claim 1, which is characterized by: The first and second semiconductor segments that comprise the aforementioned optical elements are concentrated. Of impurities in the range 1 x 1011 to 1 x 1016 atoms / cm 3.
TH9901000809A 1999-03-12 Semiconductors with optical elements Optical device And methods for manufacturing semiconductors with optical elements TH34646C3 (en)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH38986A3 TH38986A3 (en) 2000-06-26
TH34646C3 true TH34646C3 (en) 2012-12-24

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970054565A (en) Photodiode and its manufacturing method
KR840006872A (en) Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method thereof
FR2738394B1 (en) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
KR960002909A (en) Semiconductor light-receiving device and semiconductor device
KR20090105951A (en) Electronic device and manufacturing method thereof
KR940022885A (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
EP1551060A4 (en) PHOTODIODE ARRAY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
KR100984542B1 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
KR950021804A (en) Semiconductor device manufacturing method
KR950021462A (en) Semiconductor integrated device having a temperature detection circuit and its operating method
RU96119670A (en) Avalanche Photodiode
KR940006395A (en) Solid state imaging device and manufacturing method thereof
EP0905789A4 (en) SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING SILICON-ON-INSULATION STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME
TH34646C3 (en) Semiconductors with optical elements Optical device And methods for manufacturing semiconductors with optical elements
TH38986A3 (en) Semiconductors with optical elements Optical device And methods for manufacturing semiconductors with optical elements
US5600173A (en) Semiconductor device capable of detecting a light position
KR900008658A (en) Semiconductor devices
KR870009506A (en) Semiconductor laser device and manufacturing method thereof
IE822570L (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
KR20020005990A (en) Semiconductor device
KR950004616A (en) Optoelectronic integrated circuits and manufacturing method
KR970063502A (en) Body-contact structure of semiconductor devices
US6677207B1 (en) Vanishingly small integrated circuit diode
US10431697B2 (en) Bi-directional Zener diode having a first and second impurity regions groups formed in surface portion of a substrate and a first electrode electrically connected to at least one first impurity regions, and not connected from at least another one
KR100671614B1 (en) High Voltage Transistors in Flash Memory Devices