TH30299B

TH30299B - วิธีสำหรับเคลือบซับสเตรต

Info

Publication number: TH30299B
Application number: TH9701002411A
Authority: TH
Inventors: มิน นายดักลาส; การ์เบนสเต็ดเตอร์ นายพอล; โรซีนสกี นายวิคเตอร์
Original assignee: นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์; นายดำเนิน การเด่น; นายต่อพงศ์ โทณะวณิก; นายวิรัช ศรีเอนกราธา
Filing date: 1997-06-19
Publication date: 2011-07-21

Abstract

DC60 วิธีสำหรับเคลือบซับสเตรตที่มีช่องที่มีตัวกลางเคลือบจำนวนมากมาย ซึ่งซับสเตรต บางส่วนจะจุ่มอยู่ในเวสเซลที่มีอ่างของตัวกลางเคลือบโดยปริมาตรของตัวกลางเคลือบจะอยู่ เหนือปลายของซับสเตรตที่จุ่มอยู่ที่เพียงพอต่อการเคลือบซับสเตรตถึงระดับที่ต้องการ จาก นั้นสุญญากาศจะให้กับซับสเตรตที่จุ่มอยู่บางส่วนที่ความเข้มและเวลาเพียงพอที่จะดึงตัว กลางเคลือบขึ้นจากอ่างเข้าสู่ช่องต่างๆเพื่อทำให้ได้ผิวการเคลือบที่เท่ากัน วิธีสำหรับเคลือบซับสเตทที่มีช่องที่มีตัวกลางเคลือบจำนวนมากมาย ซึ่งซับสเตทบางส่วนจะจุ่มอยู่ในเวสเซลที่มีอ่างของตัวกลางเคลือบโดยปริมาตรของตัวกลางเคลือบจะอยู่เหนือปลายของซับสเตทที่จุ่มอยู่ที่เพียงพอต่อการเคลือบซับสเตทถึงระดับที่ต้องการ จากนั้นสูญญากาศ จะให้กับซับสเตทที่จุ่มอยู่บางส่วนที่ความเข้มและเวลาเพียงพอที่จะดึงตัวกลางเคลือบขึ้นจากอ่างเข้าสู่ช่องต่าง ๆ เพื่อทำให้ได้ผิวการเคลือบที่เท่ากัน

Claims

1. วิธีสำหรับเคลือซับสเตท (substrate) ที่มีช่องที่มีตัวกลางเคลือบจำนวนมากมายประกอบด้วย a) การจุ่มซับสเตทบางส่วนในเวสเซลที่มีอ่าง (bath) ของตัวกลางเคลือบซึ่งเวสเซลที่ได้กล่าวมาแล้ว มีปริมาณของตัวกลาง เคลือบเพียงพอที่จะเคลือบซับสเตทถึงระดับที่ต้องการ b) การให้สุญญากาศกับซับสเตทที่จุ่มอยู่บางส่วนที่ความเข้มและเวลาเพียงพอที่จะดึงตัวกลางเคลือบขึ้นจากอ่างเข้าสู่ช่องแต่ละช่องเป็นระยะทาง ซึ่งน้อยกว่าความยาวของช่องเพื่อสร้างโพรไฟล์เคลือบที่สม่ำเสมออยู่ภายใน ; และ c) การนำซับสเตทอยู่จากอ่าง 2. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ยังประกอบด้วยการทำให้ซับสเตทที่เคลือบแล้วแห้ง 3. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อที่ 2 ประกอบด้วยหลังจากการนำซับสเตทออกจากอ่างยังคงให้สูญญากาศกับซับสเตทอย่างต่อเนื่อง 4. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อที่ 3 ซึ่งความเข้มของสูญญากาศที่ใช้หลังจากการนำซับสเตทออกจากอ่างคืออย่างน้อยเท่ากับความเข้มของสูญญากาศที่ให้กับซับสเตทในขณะที่จุ่มอยู่ในอ่าง 5. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ยังประกอบด้วยการเติมตัวกลางเคลือบปริมาณหนึ่ง ซึ่งได้ใช้ไปเพื่อเคลือบซับสเตรตในขณะที่ซับสเตรตกำลังถูกเคลือบลงในอ่างให้เต็มอีกครั้ง 6. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ประกอบด้วยการให้สูญญากาศกับซับสเตทที่จุ่มอยู่บางส่วนเป็นเวลาตั้งแต่ประมาณ 1 ถึง 3 วินาที 7. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ซึ่งความเข้มของสูญญากาศจะมากถึง 1 นิ้งของน้ำ 8. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อที่ 4 ซึ่งความเข้มของสูญญากาศที่ใช้หลังจากนำซับสเตทออกจากอ่างคือจากประมาณ 5 ถึง 15 นิ้วของน้ำ 9. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อที่ 4 ประกอบด้วยการให้สุญญากาศหลังจากนำซับสเตรตออกจากอ่าง คือ จากประมาณ 2 ถึง 4 วินาที 1 0. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ประกอบด้วยการจุ่มซับสเตรตลงในตัวกลางเคลือบถึงความลึกจากประมาณ 0.25 ถึง 0.5 นิ้ว 1 1. ซับสเตรตโมโนลิธิคที่เคลือบแล้วที่มีโพรไฟล์การเคลือบสม่ำเสมอที่ผลิตตามวิธีตามข้อถือสิทธิขอที่ 1 ซึ่งความเข้มของสูญญากาศ ที่ใช้หลังจากนำซับสเตทออกจากอ่างคือจากประมาณ 2 ถึง 4 นิ้วของน้ำ 1

1. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ประกอบด้วยการจุ่มซับสเตท ลงในตัวกลางเคลือบถึงความลึกจากประมาณ 0.25 ถึง 0.5 นิ้ว 1

2. ซับสเตทโมโนลิธิคที่เคลือบแล้วที่มีผิวการเคลือบเท่า กันที่ผลิตตามวิธีตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 (ข้อถือสิทธิ 12 ข้อ, 2 หน้า, 4 รูป)