TH23497A - ทรานซิสเตอร์ชนิดมอสและระเบียบวิธีสำหรับการทำทรานซิสเตอร์ชนิดนี้ - Google Patents

Abstract

อุปกรณ์ทรานซิสเตอร์ประกอบด้วยอิเล็กโทรดของเกต บริเวณ แซนเนลที่ก่อรูปข้างใต้อิเล็กโทรดของเกต บริเวณซอร์สที่ อยู่ในลักษณะสัมผัสกับด้าน หนึ่งของบริเวณแซนเนล บริเวณนำ ไฟฟ้าบริเวณที่หนึ่งซึ่งก่อรูปในชั้นสารกึ่งตัวนำ ณ ด้าน นอกของบริเวณซอร์สและทำขึ้นมาจากโลหะหรือสารประกอบโลหะ บริเวณเครน ที่ก่อรูปในลักษณะสัมผัสกับอีกด้านหนึ่งของ บริเวณแซนเนล และบริเวณนำไฟฟ้าบริเวณ ที่สองซึ่งก่อรูปใน ชั้นสารกึ่งตัวนำ ณ ด้านนอกของบริเวณเครนและประกอบด้วยโลหะ หรือสารประกอบโลหะ ทรานซิสเตอร์นี้จะมีโครงสร้างแบบเอสโอไอ ซึ่งมีแรงดันเบรค ดาวน์ที่ได้รับการปรับปรุงให้ดีขึ้น ระหว่างบริเวณซอร์สและบริเวณเครน พร้อมด้วยความ ต้านทานแบบ แผ่นบางที่ต่ำของบริเวณซอร์สและเครน จะบรรยายถึงระเบียบวิธี สำหรับ ทำอุปกรณ์ทรานซิสเตอร์เช่นเดียวกัน

Claims (1)

1. ทรานซิสเตอร์ที่เป็นแบบชนิดซึ่งประกอบด้วยชั้นฉนวนและ ชั้นสารกึ่งตัวนำที่ก่อรูปบนชั้นฉนวนดังกล่าวและก่อรูป พร้อมด้วยบริเวณแชนเนล บริเวณ ชอร์ส และบริเวณเครนในนั้น ทรานซิสเตอร์ดังกล่าวประกอบด้วย : (เอ) อิเล็กโทรคของเกต (บี) บริเวณแชนเนลที่ก่อรูปข้างใต้อิเล็กโทรคของเกตดัง กล่าว (ซี) บริเวณซอร์สที่ก่อรูปในลักษณะสัมผัสกับด้านหนึ่งของ บริเวณ แชนเนลดังกล่าว (ดี) บริเวณนำไฟฟ้าบริเวณที่หนึ่งซึ่งก่อรูป ณ ด้านนอกขอแท็ก :