TH22671A - องค์ประกอบความบริสุทธิ์สูงที่ใช้เป็นชิ้นส่วนประกอบของเตา?หลอม - Google Patents
องค์ประกอบความบริสุทธิ์สูงที่ใช้เป็นชิ้นส่วนประกอบของเตา?หลอมInfo
- Publication number
- TH22671A TH22671A TH9601000362A TH9601000362A TH22671A TH 22671 A TH22671 A TH 22671A TH 9601000362 A TH9601000362 A TH 9601000362A TH 9601000362 A TH9601000362 A TH 9601000362A TH 22671 A TH22671 A TH 22671A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- approximately
- purity
- carbon
- crucible
- stated
- Prior art date
Links
Abstract
ชิ้นส่วนประกอบที่ใช้กับเตาหลอมตามกรรมวิธีแบบโซลซาลสกีประกอบด้วย องค์ประกอบความบริสุทธิ์สูง ได้มาตรฐานวัสดุ กึ่งตัวนำอันประกอบด้วย เส้นใยคาร์บอนเสริมแรงด้วยแม่แบบ คาร์บอนที่มีระดับของโลหะเจือปนต่ำกว่าขีดจำกัดที่ตรวจวัด ได้จากเครื่องพลาสมาสเปคโตรสโกปีแบบเหนี่ยวนำคู่ควบ กรรม วิธีในการประดิษฐ์ชิ้นส่วนนั้นซึ่งประกอบด้วยการให้ความ ร้อนแก่เส้นใยคาร์บอนและชิ้นส่วนดังกล่าว
Claims (30)
1. องค์ประกอบความบริสุทธิ์สูงที่ประกอบด้วยเส้นใยคาร์บอนเสริมแรงด้วยแม่แบบคาร์บอนที่มีระดับของสิ่งเจือปนที่เป็น โลหะต่ำกว่าระดับขีดจำกัดที่ตรวจวัดได้จากเครื่อง พลาสมาสเปคโคสโกปี แบบเหนี่ยวนำคู่ควบสำหรับโลหะ Ag, Al, Ba, Bb, Ca, Cd, Co, Cr, Cu, K, Mg, Mn, Mo, Na, Ni, P, Pb, Sr และ Zn
2. องค์ประกอบความบริสุทธิ์สูงตามที่กล่าวไว้ในข้อถือสิทธิ ที่ 1 ซึ่งเส้นใยคาร์บอนถูกเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วย เส้นใย เส้นใยที่ถูกตัด เสื้อผ้า ผ้าถักทอ เสื้อผ้าที่ถูก ตัด ผ้าที่ถูกตัด เส้นด้าย เส้นด้ายที่ถูกตัดและเทป
3. องค์ประกอบความบริสุทธิ์สูงตามที่กล่าวไว้ในข้อถือสิทธิ ที่ 1 ซึ่งแม่แบบคาร์บอนประกอบด้วย การเคลือบคาร์บอนของ วัตถุดิบที่ใช้ทำแม่แบบคาร์บอนความบริสุทธิ์สูง ที่ซึ่ง วัตถุดิบนี้มีโลหะเจือปนอยู่ต่ำกว่าประมาณ 50 ppm และวัตถุ ดิบนี้ถูกเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วยแก๊ส ไฮโดรคาร์บอน ฟีนอลลิค เรซินที่มีความบริสุทธิ์สูงและน้ำมันดินที่มีความ บริสุทธิ์สูง
4. องค์ประกอบความบริสุทธิ์สูงตามที่กล่าวไว้ในข้อถือสิทธิ ที่ 1 ซึ่งมีความทนต่อแรงดึง ณ จุดขาดประมาณ 25 ถึงประมาณ 100 ksi และความทนต่อแรงดึงโมดูลัสประมาณ 3 ถึงประมาณ 30 msi
5. องค์ประกอบความบริสุทธิ์สูงตามที่กล่าวไว้ในข้อถือสิทธิ ที่ 1 ซึ่งมีความแข็งแรงต่อการหักงอประมาณ 15 ถึงประมาณ 60 ksi และความแข็งแรงต่อการกดอัดประมาณ 10 ถึงประมาณ 50 ksi
6. องค์ประกอบความบริสุทธิ์สูงตามที่กล่าวไว้ในข้อถือสิทธิ ที่ 1 ซึ่งมีความทนทานต่อการแตกหักซึ่งตรวจวัดโดย Izod impact ประมาณ 5 ถึงประมาณ 25 ftlb/in
7. องค์ประกอบความบริสุทธิ์สูงตามที่กล่าวไว้ในข้อถือสิทธิ ที่ 1 ที่มีค่าสัมประสิทธิการแผ่กระจายความร้อนในระนาบที่ ศูนย์ประมาณ 2 x 10-6 และค่าสัมประสิทธิการแผ่กระจายความ ร้อน cross-ply ประมาณ 6 ถึงประมาณ 10 x 10-6
8. องค์ประกอบความบริสุทธิ์สูงตามที่กล่าวไว้ในข้อถือสิทธิ ที่ 1 ที่มีค่าการนำความร้อนในระนาบประมาณ 20 ถึงประมาณ 500 W/mk และค่าการนำความร้อน cross-ply ประมาณ 5 ถึง ประมาณ 200 W/mk
9. องค์ประกอบความบริสุทธิ์สูงตามที่กล่าวไว้ในข้อถือสิทธิ ที่ 1 ที่มีการนำความร้อนประมาณ 100 W/mk
10. องค์ประกอบความบริสุทธิ์สูงตามที่กล่าวไว้ในข้อถือ สิทธิที่ 1 ที่ค่าการคาบความร้อนประมาณ 0.4 ถึงประมาณ 0.8
11. องค์ประกอบความบริสุทธิ์สูงตามที่กล่าวไว้ในข้อถือ สิทธิที่ 1 ที่มีสารเคลือบทนความร้อนที่ถูกเลือกจากกลุ่ม ที่ประกอบด้วย คาร์ไบด์ไนไตร์ดและโบไรด์
12. องค์ประกอบความบริสุทธิ์สูงตามที่กล่าวไว้ในข้อถือ สิทธิที่ 1 ที่มีสารเคลือบทนความร้อนเป็นซิลิกอนคาร์ไบด์
13. องค์ประกอบความบริสุทธิ์สูงตามที่กล่าวไว้ในข้อถือ สิทธิที่ 1 ที่มีค่าความต้านทานไฟฟ้าประมาณ 1 x 10-4 ถึง ประมาณ 1 x 10-2 ohm-cm
14. กรรมวิธีในการประดิษฐ์องค์ประกอบความบริสุทธิสูงตามที่ กล่าวไว้ในข้อถือสิทธิที่ 1-13 ข้อหนึ่งข้อใดประกอบด้วย ให้ความร้อนกับเส้นใยคาร์บอนเสริมแรงอย่างต่อประมาณ 2400 องศา ซ จุ่มหรือชุบเส้นใยคาร์บอนด้วยวัตถุดิบที่ทำแม่แบบคาร์บอน ที่มีคาร์บอนความบริสุทธิ์สูง เคลือบคาร์บอนผ้าที่ผ่านการจุ่มหรือชุบเพื่อสร้างชิ้นส่วน ที่ผ่านการเคลือบคาร์บอน และ ให้ความร้อนกับชิ้นส่วนนั้นที่อุณหภูมิอย่างต่ำประมาณ 2400 องศา ซ เพื่อให้ได้ชิ้นส่วนที่ผ่านการกระทำด้วยความร้อน และ ให้ความร้อนกับชิ้นส่วนที่ผ่านการกระทำด้วยความร้อนนั้นที่ อุณหภูมิอย่างต่ำประมาณ 2400 องศา ซ ในบรรยากาศของแก๊ส เฉื่อยเพื่อให้ได้องค์ประกอบที่มีความบริสุทธิ์สูง
15. กรรมวิธีตามที่กล่าวในข้อถือสิทธิที่ 14 ที่การเพิ่ม ความหนาแน่นให้กับชิ้นส่วนที่ผ่านการเคลือบคาร์บอนประกอบ ด้วยการชะล้างเตาหลอม CVD ด้วยแก๊สเฉื่อยที่อุณหภูมิอย่าง ต่อประมาณ 2400 องศา ซ และเพิ่มความหนาแน่นของชิ้นส่วนที่ ผ่านการเคลือบคาร์บอนด้วย CVD คาร์บอนในเตาหลอม CVD ที่ถูก ชะล้างเพื่อให้ได้ชิ้นส่วนที่ต้องการ
16. กรรมวิธีตามที่กล่าวในข้อถือสิทธิที่ 14 ที่ประกอบด้วย การเคลือบองค์ประกอบความบริสุทธิ์สูงด้วยสารประกอบทนความ ร้อนที่เลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วย คาร์ไบด์ ไนไตร์ด และ โบไรด์
17. กรรมวิธีตามที่กล่าวในข้อถือสิทธิที่ 14 ที่ซึ่งวัตถุ ดิบของแม่แบบคาร์บอนถูกเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบไปด้วยแก๊ส ไฮโดรคาร์บอน ฟีนอลลิค เรซินที่มีความบริสุทธิ์สูงและน้ำ มันดิบที่มีความบริสุทธิ์สูง
18. กรรมวิธีที่กล่าวในข้อถือสิทธิที่ 14 ที่ซึ่งองค์ ประกอบความบริสุทธิ์สูงนี้มีความหนาแน่นประมาณ 1.6 ถึง ประมาณ 2 g/cc
19. อุปกรณ์ที่ใช้ในการก่อตัวของผลึกวัสดุกึ่งตัวนำประกอบ ด้วยอย่างน้อยหนึ่งขององค์ประกอบความบริสุทธิ์สูงตามที่ กล่าวในข้อถือสิทธิ 1-13 ข้อหนึ่งข้อใด
20. อุปกรณ์ตามที่กล่าวในข้อถือสิทธิที่ 19 ยังประกอบไป ด้วยอย่างน้อยหนึ่งของส่วนให้ความร้อนและบริเวณที่มีการก่อ ตัวของผลึกสำหรับดึงยกผลึกวัสดุกึ่งตัวนำขึ้นจากวัสดุกึ่ง ตัวนำที่หลอมเหลว ที่ซึ่งองค์ประกอบความบริสุทธิ์สูงดัง กล่าวเป็นเกราะกำบังความร้อนที่ติดตั้งระหว่างอย่างน้อย หนึ่งของส่วนที่ให้ความร้อนที่กล่าวมาและบริเวณที่มีการก่อ ตัวของผลึกที่ได้กล่าวไว้แล้ว
21. อุปกรณ์ตามที่กล่าวในข้อถือสิทธิที่ 19 ยังประกอบไป ด้วยอย่างน้อยหนึ่งของส่วนให้ความร้อนและบริเวณที่มีการก่อ ตัวของผลึกสำหรับดึงยกผลึกวัสดุกึ่งตัวนำขึ้นจากวัสดุกึ่ง ตัวนำที่หลอมเหลวที่ซึ่งวัสดุที่หลอมเหลวที่กล่าวมานั้น บรรจุอยู่ในเบ้าหลอมที่ซึ่งบริเวณที่มีการก่อตัวของ ผลึกและชิ้นส่วนที่เป็นองค์ประกอบความบริสุทธิ์สูงที่กล่ าวมานั้นเป็นตัวจับยึดเบ้าหลอมที่ได้กล่าวมาแล้วข้างต้น
22. อุปกรณ์ตามที่กล่าวในข้อถือสิทธิที่ 19 ยังประกอบไป ด้วยอย่างน้อยหนึ่งของส่วนให้ความร้อนซึ่งอยู่อย่างใกล้ชิด กับบริเวณที่มีการก่อตัวของผลึกสำหรับตึงยกผลึกวัสดุกึ่ง ตัวนำขึ้นจากวัสดุกึ่งตัวนำที่หลอมเหลว ที่ซึ่งชิ้นส่วนที่ เป็นองค์ประกอบความบริสุทธิ์สูงดังกล่าวเป็นเกราะกำบังความ ร้อนติดตั้งอยู่ภายนอกของอย่างน้อยหนึ่งของส่วนที่ให้ความ ร้อนที่กล่าวมาและบริเวณที่มีการก่อตัวของผลึกตามที่ได้ กล่าวไว้ข้างต้น
23. ชิ้นส่วนที่เป็นส่วนประกอบเตาหลอมในกรรมวิธีของโซลซาล สกีประกอบด้วยองค์ประกอบความบริสุทธิ์สูงตามที่กล่าวไว้ใน ข้อถือสิทธิ 1-13
24. ชิ้นส่วนองค์ประกอบของเตาหลอมในข้อถือสิทธิที่ 23 ถูก เลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วยเบ้าหลอม ตัวจับยึดเบ้าหลอม เกราะกำบังความร้อนในเตาหลอมและท่อภายในเตาหลอม
25. กรรมวิธีในการก่อตัวของผลึกแบบโซลซาลสกีเพื่อดึงแท่ง วัสดุกึ่งตัวนำขึ้นจากวัสดุกึ่งตัวนำที่หลอมเหล่ว ประกอบ ด้วยการให้วัสดุกึ่งตัวนำหลอมเหลวในเบ้าหลอมที่ทำจากครอท์ซ ที่ซึ่งเบ้าหลอมควอท์ซนั้นได้แยกตัวออกมาจากแหล่งสิ่งปน เปื้อนโดยอย่างน้อยหนึ่งของชิ้นส่วนที่เป็นองค์ประกอบความ บริสุทธิ์สูงของข้อถือสิทธิที่ 23
26. กรรมวิธีตามที่กล่าวในข้อถือสิทธิ 25 ที่ซึ่งชิ้นส่วน นั้นถูกเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วยตัวจับยึดเบ้าหลอม เกราะกำบังความร้อนของเตาหลอม ท่อภายในเตาหลอมและการใช้ผสม ร่วมกันของมัน
27. กรรมวิธีตามที่กล่าวในข้อถือสิทธิ 25 ที่ซึ่งวัสดุกึ่ง ตัวนำถูกเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วยซิลิกอนและแกลเลียม อาร์เซไนด์
28. กรรมวิธีตามที่กล่าวในข้อถือสิทธิ 25 ที่ซึ่งแท่งวัสดุ กึ่งตัวนำคือแท่งซิลิกอนประกอบด้วยการตัดแท่งซิลิกอนให้ เป็นแผ่นซิลิกอนและยังประกอบด้วยการให้แผ่ซิลิกอนดังกล่าว มีช่วงเวลาการไหลของกระแสไฟฟ้ามากกว่า 300 ไมโครเซกัน
29. กรรมวิธีในการก่อตัวของผลึกแบบโซลซาลสกีเพื่อดึงแท่ง วัสดุกึ่งตัวนำขึ้นจากวัสดุกึ่งตัวนำที่หลอมเหลว ประกอบ ด้วย ให้วัสดุกึ่งตัวนำนั้นหลอมเหลวอยู่ในเบ้าหลอมควอท์ซ และ ยึดจับเบ้าหลอมนั้นด้วยตัวยึดจับเบ้าหลอมดังที่กล่าวในข้อ ถือสิทธิที่ 24
30. กรรมวิธีในการก่อตัวของผลึกแบบโซลซาลสกีเพื่อดึงแท่ง ผลึกวัสดุกึ่งตัวนำขึ้นจากวัสดุกึ่งตัวนำที่หลอมเหลวประกอบ ด้วย ให้วัสดุกึ่งตัวนำหลอมเหลวอยู่ในบริเวณที่มีการยกดึงผลึก ขึ้นซึ่งอยู่ใกล้ชิดกับอย่างน้อยหนึ่งของส่วนที่ให้ความ ร้อนและติดตั้งอยู่ด้านนอกของบริเวณที่มีการดึงผลึกที่ กล่าวมาด้วยอย่างน้อยหนึ่งของส่วนที่ให้ความร้อนที่กล่าวมา เกราะกำบังความร้อนของข้อถือสิทธิที่ 24 (ข้อถือสิทธิ 30 ข้อ, 5 หน้า, 9 รูป)
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH22671A true TH22671A (th) | 1996-12-27 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100334324B1 (ko) | 고순도복합재료,이고순도복합재료를갖는쵸크랄스키공정로구성요소와반도체결정성장장치및,이결정성장장치를이용한쵸크랄스키결정성장방법 | |
| KR100388835B1 (ko) | 서셉터로서 유용한 고순도 합성물 | |
| KR101472330B1 (ko) | 결정 제조 | |
| US20020166503A1 (en) | Hybrid crucible susceptor | |
| US6211496B1 (en) | Molybdenum disilicide heating element and its production method | |
| KR20100100971A (ko) | 탄화규소 단결정의 성장방법 | |
| JP4998488B2 (ja) | 溶液法によるSiC単結晶製造装置 | |
| EP0294066A2 (en) | Furnace for sintering ceramics and process for sintering ceramics | |
| RU2160790C2 (ru) | Композиционный жаропрочный и жаростойкий материал | |
| US6395203B1 (en) | Process for producing low impurity level ceramic | |
| US6554897B2 (en) | Method of producing silicon carbide | |
| Kim | Thermal shock resistance of the Al2O3-metal composites made by reactive infiltration of Al into oxide fiber board | |
| JP2010208939A (ja) | シリコン単結晶引上用黒鉛ルツボ | |
| TH78906A (th) | คอมโพสิตความบริสุทธิ์สูงที่ใช้เป็นส่วนประกอบของเตาหลอม | |
| US6497829B2 (en) | Method of producing silicon carbide: heating and lighting elements | |
| JPH11292685A (ja) | シリコンナイトライド被覆により単結晶シリコン成長用のグラファイトサセプタの寿命を延長するための装置および方法 | |
| KR910009131B1 (ko) | 실리콘 단결정 성장(Pull-up)장치 | |
| KR101108884B1 (ko) | 탄화물 합성 방법 | |
| TH10061B (th) | ส่วนประกอบที่มีความบริสุทธิ์สูง ที่ใช้เป็นตัวยึดส่งผ่านความร้อนได้ดี | |
| TH35553A (th) | ส่วนประกอบที่มีความบริสุทธิ์สูง ที่ใช้เป็นตัวยึดส่งผ่านความร้อนได้ดี | |
| Zhang et al. | A redetermination of the La-Ni phase diagram from LaNi to LaNi5 (50 to 83.3 at.% Ni) | |
| Wenckus et al. | Growth of High Purity Oxygen-Free Silicon by Cold Crucible Techniques. | |
| Brekhovskikh et al. | Strength of filamentary crystals in a mullite-corundum matrix | |
| Orehotsky | A Determination of the Ductile or Brittle Behavior of Pure Polycrystalline Tungsten at Room Temperature by Evaluating Quantitatively the Effect of Purity on the Ductile-Brittle Transition Temperature | |
| JPH07149593A (ja) | 半導体単結晶育成装置 |