Claims (30)
1. องค์ประกอบความบริสุทธิ์สูงที่ประกอบด้วยเส้นใยคาร์บอนเสริมแรงด้วยแม่แบบคาร์บอนที่มีระดับของสิ่งเจือปนที่เป็น โลหะต่ำกว่าระดับขีดจำกัดที่ตรวจวัดได้จากเครื่อง พลาสมาสเปคโคสโกปี แบบเหนี่ยวนำคู่ควบสำหรับโลหะ Ag, Al, Ba, Bb, Ca, Cd, Co, Cr, Cu, K, Mg, Mn, Mo, Na, Ni, P, Pb, Sr และ Zn1. High-purity compositions consisting of carbon fiber reinforced carbon templates with levels of metallic impurities below the detectable limit of coupled induction plasma spectroscopy for the metals Ag, Al, Ba, Bb, Ca, Cd, Co, Cr, Cu, K, Mg, Mn, Mo, Na, Ni, P, Pb, Sr, and Zn.
2. องค์ประกอบความบริสุทธิ์สูงตามที่กล่าวไว้ในข้อถือสิทธิ ที่ 1 ซึ่งเส้นใยคาร์บอนถูกเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วย เส้นใย เส้นใยที่ถูกตัด เสื้อผ้า ผ้าถักทอ เสื้อผ้าที่ถูก ตัด ผ้าที่ถูกตัด เส้นด้าย เส้นด้ายที่ถูกตัดและเทป2. High purity composition as stated in Claim 1, in which carbon fibers are selected from a pool of fibers, cut fibers, garments, knitted fabrics, cut garments, cut fabrics, yarns, cut yarns and tapes.
3. องค์ประกอบความบริสุทธิ์สูงตามที่กล่าวไว้ในข้อถือสิทธิ ที่ 1 ซึ่งแม่แบบคาร์บอนประกอบด้วย การเคลือบคาร์บอนของ วัตถุดิบที่ใช้ทำแม่แบบคาร์บอนความบริสุทธิ์สูง ที่ซึ่ง วัตถุดิบนี้มีโลหะเจือปนอยู่ต่ำกว่าประมาณ 50 ppm และวัตถุ ดิบนี้ถูกเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วยแก๊ส ไฮโดรคาร์บอน ฟีนอลลิค เรซินที่มีความบริสุทธิ์สูงและน้ำมันดินที่มีความ บริสุทธิ์สูง3. High-purity composition as stated in Claim 1, whereby the carbon template consists of a carbon coating of high-purity carbon template raw materials in which these materials contain less than approximately 50 ppm of impurities and are selected from a pool of gases, hydrocarbons, phenolic resins, high-purity tar.
4. องค์ประกอบความบริสุทธิ์สูงตามที่กล่าวไว้ในข้อถือสิทธิ ที่ 1 ซึ่งมีความทนต่อแรงดึง ณ จุดขาดประมาณ 25 ถึงประมาณ 100 ksi และความทนต่อแรงดึงโมดูลัสประมาณ 3 ถึงประมาณ 30 msi4. High purity composition as stated in Claim 1, with a tensile strength at break of approximately 25 to approximately 100 ksi and a tensile modulus of approximately 3 to approximately 30 msi.
5. องค์ประกอบความบริสุทธิ์สูงตามที่กล่าวไว้ในข้อถือสิทธิ ที่ 1 ซึ่งมีความแข็งแรงต่อการหักงอประมาณ 15 ถึงประมาณ 60 ksi และความแข็งแรงต่อการกดอัดประมาณ 10 ถึงประมาณ 50 ksi5. High purity elements as stated in Claim 1, with a flexural strength of approximately 15 to approximately 60 ksi and a compressive strength of approximately 10 to approximately 50 ksi.
6. องค์ประกอบความบริสุทธิ์สูงตามที่กล่าวไว้ในข้อถือสิทธิ ที่ 1 ซึ่งมีความทนทานต่อการแตกหักซึ่งตรวจวัดโดย Izod impact ประมาณ 5 ถึงประมาณ 25 ftlb/in6. A high-purity element as described in Claim 1, with a fracture strength measured by Izod impact of approximately 5 to approximately 25 ftlb/in.
7. องค์ประกอบความบริสุทธิ์สูงตามที่กล่าวไว้ในข้อถือสิทธิ ที่ 1 ที่มีค่าสัมประสิทธิการแผ่กระจายความร้อนในระนาบที่ ศูนย์ประมาณ 2 x 10-6 และค่าสัมประสิทธิการแผ่กระจายความ ร้อน cross-ply ประมาณ 6 ถึงประมาณ 10 x 10-67. High purity elements as described in Claim 1, with a zero planar heat dissipation coefficient of approximately 2 x 10-6 and a cross-ply heat dissipation coefficient of approximately 6 to approximately 10 x 10-6.
8. องค์ประกอบความบริสุทธิ์สูงตามที่กล่าวไว้ในข้อถือสิทธิ ที่ 1 ที่มีค่าการนำความร้อนในระนาบประมาณ 20 ถึงประมาณ 500 W/mk และค่าการนำความร้อน cross-ply ประมาณ 5 ถึง ประมาณ 200 W/mk8. High-purity elements as described in Claim 1, with planar thermal conductivity of approximately 20 to approximately 500 W/mk and cross-ply thermal conductivity of approximately 5 to approximately 200 W/mk.
9. องค์ประกอบความบริสุทธิ์สูงตามที่กล่าวไว้ในข้อถือสิทธิ ที่ 1 ที่มีการนำความร้อนประมาณ 100 W/mk9. A high-purity element as stated in Claim 1 with a thermal conductivity of approximately 100 W/mk.
10. องค์ประกอบความบริสุทธิ์สูงตามที่กล่าวไว้ในข้อถือ สิทธิที่ 1 ที่ค่าการคาบความร้อนประมาณ 0.4 ถึงประมาณ 0.810. High purity elements as specified in Patent 1 with a thermal period of approximately 0.4 to approximately 0.8.
11. องค์ประกอบความบริสุทธิ์สูงตามที่กล่าวไว้ในข้อถือ สิทธิที่ 1 ที่มีสารเคลือบทนความร้อนที่ถูกเลือกจากกลุ่ม ที่ประกอบด้วย คาร์ไบด์ไนไตร์ดและโบไรด์11. High-purity components as stated in Patent 1 containing a heat-resistant coating selected from a group of carbides, nitrides, and borides.
12. องค์ประกอบความบริสุทธิ์สูงตามที่กล่าวไว้ในข้อถือ สิทธิที่ 1 ที่มีสารเคลือบทนความร้อนเป็นซิลิกอนคาร์ไบด์12. High-purity components as stated in Patent 1, with a heat-resistant silicon carbide coating.
13. องค์ประกอบความบริสุทธิ์สูงตามที่กล่าวไว้ในข้อถือ สิทธิที่ 1 ที่มีค่าความต้านทานไฟฟ้าประมาณ 1 x 10-4 ถึง ประมาณ 1 x 10-2 ohm-cm13. A high-purity element as described in Patent 1 with an electrical resistivity of approximately 1 x 10-4 to approximately 1 x 10-2 ohm-cm.
14. กรรมวิธีในการประดิษฐ์องค์ประกอบความบริสุทธิสูงตามที่ กล่าวไว้ในข้อถือสิทธิที่ 1-13 ข้อหนึ่งข้อใดประกอบด้วย ให้ความร้อนกับเส้นใยคาร์บอนเสริมแรงอย่างต่อประมาณ 2400 องศา ซ จุ่มหรือชุบเส้นใยคาร์บอนด้วยวัตถุดิบที่ทำแม่แบบคาร์บอน ที่มีคาร์บอนความบริสุทธิ์สูง เคลือบคาร์บอนผ้าที่ผ่านการจุ่มหรือชุบเพื่อสร้างชิ้นส่วน ที่ผ่านการเคลือบคาร์บอน และ ให้ความร้อนกับชิ้นส่วนนั้นที่อุณหภูมิอย่างต่ำประมาณ 2400 องศา ซ เพื่อให้ได้ชิ้นส่วนที่ผ่านการกระทำด้วยความร้อน และ ให้ความร้อนกับชิ้นส่วนที่ผ่านการกระทำด้วยความร้อนนั้นที่ อุณหภูมิอย่างต่ำประมาณ 2400 องศา ซ ในบรรยากาศของแก๊ส เฉื่อยเพื่อให้ได้องค์ประกอบที่มีความบริสุทธิ์สูง14. The process for fabricating any of the high-purity components described in Claims 1-13 consists of: heating reinforced carbon fibers to approximately 2400°C; immersing or impregnating carbon fibers with a carbon molding material containing high-purity carbon; coating the immersed or impregnated carbon fabric to create a carbon-coated part; and heating that part to a minimum temperature of approximately 2400°C to obtain a heat-treated part; and heating that heat-treated part to a minimum temperature of approximately 2400°C in an inert gas atmosphere to obtain a high-purity component.
15. กรรมวิธีตามที่กล่าวในข้อถือสิทธิที่ 14 ที่การเพิ่ม ความหนาแน่นให้กับชิ้นส่วนที่ผ่านการเคลือบคาร์บอนประกอบ ด้วยการชะล้างเตาหลอม CVD ด้วยแก๊สเฉื่อยที่อุณหภูมิอย่าง ต่อประมาณ 2400 องศา ซ และเพิ่มความหนาแน่นของชิ้นส่วนที่ ผ่านการเคลือบคาร์บอนด้วย CVD คาร์บอนในเตาหลอม CVD ที่ถูก ชะล้างเพื่อให้ได้ชิ้นส่วนที่ต้องการ15. The process described in Claim 14, which involves increasing the density of carbon-coated parts, involves flushing the CVD furnace with inert gas at a temperature of approximately 2400 °C and increasing the density of the carbon-coated parts with CVD carbon in the flushed CVD furnace to obtain the desired parts.
16. กรรมวิธีตามที่กล่าวในข้อถือสิทธิที่ 14 ที่ประกอบด้วย การเคลือบองค์ประกอบความบริสุทธิ์สูงด้วยสารประกอบทนความ ร้อนที่เลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วย คาร์ไบด์ ไนไตร์ด และ โบไรด์16. The process described in Claim 14, which involves coating high-purity components with heat-resistant compounds selected from a group containing carbides, nitrides, and borides.
17. กรรมวิธีตามที่กล่าวในข้อถือสิทธิที่ 14 ที่ซึ่งวัตถุ ดิบของแม่แบบคาร์บอนถูกเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบไปด้วยแก๊ส ไฮโดรคาร์บอน ฟีนอลลิค เรซินที่มีความบริสุทธิ์สูงและน้ำ มันดิบที่มีความบริสุทธิ์สูง17. The process described in Claim 14, in which the carbon template raw materials are selected from a pool consisting of gaseous hydrocarbons, phenolic resins of high purity, and crude oil of high purity.
18. กรรมวิธีที่กล่าวในข้อถือสิทธิที่ 14 ที่ซึ่งองค์ ประกอบความบริสุทธิ์สูงนี้มีความหนาแน่นประมาณ 1.6 ถึง ประมาณ 2 g/cc18. The process described in claim 14 results in a high-purity compound with a density of approximately 1.6 to approximately 2 g/cc.
19. อุปกรณ์ที่ใช้ในการก่อตัวของผลึกวัสดุกึ่งตัวนำประกอบ ด้วยอย่างน้อยหนึ่งขององค์ประกอบความบริสุทธิ์สูงตามที่ กล่าวในข้อถือสิทธิ 1-13 ข้อหนึ่งข้อใด19. The device used in the formation of semiconductor crystals contains at least one of the high-purity elements as stated in one of the claims 1-13.
20. อุปกรณ์ตามที่กล่าวในข้อถือสิทธิที่ 19 ยังประกอบไป ด้วยอย่างน้อยหนึ่งของส่วนให้ความร้อนและบริเวณที่มีการก่อ ตัวของผลึกสำหรับดึงยกผลึกวัสดุกึ่งตัวนำขึ้นจากวัสดุกึ่ง ตัวนำที่หลอมเหลว ที่ซึ่งองค์ประกอบความบริสุทธิ์สูงดัง กล่าวเป็นเกราะกำบังความร้อนที่ติดตั้งระหว่างอย่างน้อย หนึ่งของส่วนที่ให้ความร้อนที่กล่าวมาและบริเวณที่มีการก่อ ตัวของผลึกที่ได้กล่าวไว้แล้ว20. The device referred to in claim 19 also includes at least one heating element and a crystal formation region for extracting semiconductor crystals from the molten semiconductor material, where such high-purity element acts as a thermal shield installed between at least one of the aforementioned heating elements and the aforementioned crystal formation region.
21. อุปกรณ์ตามที่กล่าวในข้อถือสิทธิที่ 19 ยังประกอบไป ด้วยอย่างน้อยหนึ่งของส่วนให้ความร้อนและบริเวณที่มีการก่อ ตัวของผลึกสำหรับดึงยกผลึกวัสดุกึ่งตัวนำขึ้นจากวัสดุกึ่ง ตัวนำที่หลอมเหลวที่ซึ่งวัสดุที่หลอมเหลวที่กล่าวมานั้น บรรจุอยู่ในเบ้าหลอมที่ซึ่งบริเวณที่มีการก่อตัวของ ผลึกและชิ้นส่วนที่เป็นองค์ประกอบความบริสุทธิ์สูงที่กล่ าวมานั้นเป็นตัวจับยึดเบ้าหลอมที่ได้กล่าวมาแล้วข้างต้น21. The device referred to in claim 19 also includes at least one heating element and a crystallization region for extracting the semiconductor crystal from the molten semiconductor material, which is contained in a crucible, where the crystallization region and the high-purity component parts are held in the aforementioned crucible.
22. อุปกรณ์ตามที่กล่าวในข้อถือสิทธิที่ 19 ยังประกอบไป ด้วยอย่างน้อยหนึ่งของส่วนให้ความร้อนซึ่งอยู่อย่างใกล้ชิด กับบริเวณที่มีการก่อตัวของผลึกสำหรับตึงยกผลึกวัสดุกึ่ง ตัวนำขึ้นจากวัสดุกึ่งตัวนำที่หลอมเหลว ที่ซึ่งชิ้นส่วนที่ เป็นองค์ประกอบความบริสุทธิ์สูงดังกล่าวเป็นเกราะกำบังความ ร้อนติดตั้งอยู่ภายนอกของอย่างน้อยหนึ่งของส่วนที่ให้ความ ร้อนที่กล่าวมาและบริเวณที่มีการก่อตัวของผลึกตามที่ได้ กล่าวไว้ข้างต้น22. The device referred to in claim 19 also consists of at least one heating element located in close proximity to the crystal formation region for lifting the semiconductor crystals from the molten semiconductor material, where a high-purity component is installed as a thermal shield outside at least one of the aforementioned heating elements and the crystal formation region.
23. ชิ้นส่วนที่เป็นส่วนประกอบเตาหลอมในกรรมวิธีของโซลซาล สกีประกอบด้วยองค์ประกอบความบริสุทธิ์สูงตามที่กล่าวไว้ใน ข้อถือสิทธิ 1-1323. The components of the blast furnaces in the Solzalsky process consist of high-purity elements as described in Claims 1-13.
24. ชิ้นส่วนองค์ประกอบของเตาหลอมในข้อถือสิทธิที่ 23 ถูก เลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วยเบ้าหลอม ตัวจับยึดเบ้าหลอม เกราะกำบังความร้อนในเตาหลอมและท่อภายในเตาหลอม24. The furnace components in claim 23 are selected from a group comprising the crucible, crucible holder, furnace heat shield, and furnace inner tubes.
25. กรรมวิธีในการก่อตัวของผลึกแบบโซลซาลสกีเพื่อดึงแท่ง วัสดุกึ่งตัวนำขึ้นจากวัสดุกึ่งตัวนำที่หลอมเหล่ว ประกอบ ด้วยการให้วัสดุกึ่งตัวนำหลอมเหลวในเบ้าหลอมที่ทำจากครอท์ซ ที่ซึ่งเบ้าหลอมควอท์ซนั้นได้แยกตัวออกมาจากแหล่งสิ่งปน เปื้อนโดยอย่างน้อยหนึ่งของชิ้นส่วนที่เป็นองค์ประกอบความ บริสุทธิ์สูงของข้อถือสิทธิที่ 2325. The Solzalsky crystal formation procedure for drawing semiconductor ingots from molten semiconductor material involves placing the molten semiconductor in a quartz crucible, where the quartz crucible is isolated from the source of impurities by at least one of the high-purity components of claim 23.
26. กรรมวิธีตามที่กล่าวในข้อถือสิทธิ 25 ที่ซึ่งชิ้นส่วน นั้นถูกเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วยตัวจับยึดเบ้าหลอม เกราะกำบังความร้อนของเตาหลอม ท่อภายในเตาหลอมและการใช้ผสม ร่วมกันของมัน26. The process described in Response 25, in which the component is selected from a group comprising the crucible holder, the furnace heat shield, the furnace inner tube, and its combination.
27. กรรมวิธีตามที่กล่าวในข้อถือสิทธิ 25 ที่ซึ่งวัสดุกึ่ง ตัวนำถูกเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วยซิลิกอนและแกลเลียม อาร์เซไนด์27. The process described in claim 25 in which the semiconductor material is selected from a group consisting of silicon and gallium arsenide.
28. กรรมวิธีตามที่กล่าวในข้อถือสิทธิ 25 ที่ซึ่งแท่งวัสดุ กึ่งตัวนำคือแท่งซิลิกอนประกอบด้วยการตัดแท่งซิลิกอนให้ เป็นแผ่นซิลิกอนและยังประกอบด้วยการให้แผ่ซิลิกอนดังกล่าว มีช่วงเวลาการไหลของกระแสไฟฟ้ามากกว่า 300 ไมโครเซกัน28. The process described in claim 25, in which a semiconductor material, a silicon ingot, is cut into silicon wafers and also involves the spreading of such silicon, has a current flow time greater than 300 microseconds.
29. กรรมวิธีในการก่อตัวของผลึกแบบโซลซาลสกีเพื่อดึงแท่ง วัสดุกึ่งตัวนำขึ้นจากวัสดุกึ่งตัวนำที่หลอมเหลว ประกอบ ด้วย ให้วัสดุกึ่งตัวนำนั้นหลอมเหลวอยู่ในเบ้าหลอมควอท์ซ และ ยึดจับเบ้าหลอมนั้นด้วยตัวยึดจับเบ้าหลอมดังที่กล่าวในข้อ ถือสิทธิที่ 2429. The Solzalsky crystal formation procedure for drawing a semiconductor ingot from molten semiconductor material consists of placing the molten semiconductor material in a quartz crucible and securing the crucible with crucible clamps as described in Reputation 24.
30. กรรมวิธีในการก่อตัวของผลึกแบบโซลซาลสกีเพื่อดึงแท่ง ผลึกวัสดุกึ่งตัวนำขึ้นจากวัสดุกึ่งตัวนำที่หลอมเหลวประกอบ ด้วย ให้วัสดุกึ่งตัวนำหลอมเหลวอยู่ในบริเวณที่มีการยกดึงผลึก ขึ้นซึ่งอยู่ใกล้ชิดกับอย่างน้อยหนึ่งของส่วนที่ให้ความ ร้อนและติดตั้งอยู่ด้านนอกของบริเวณที่มีการดึงผลึกที่ กล่าวมาด้วยอย่างน้อยหนึ่งของส่วนที่ให้ความร้อนที่กล่าวมา เกราะกำบังความร้อนของข้อถือสิทธิที่ 24 (ข้อถือสิทธิ 30 ข้อ, 5 หน้า, 9 รูป)30. The Solzalsky crystal formation process for drawing a semiconductor crystal rod from a molten semiconductor consists of the molten semiconductor placed in a crystal-lifting region adjacent to at least one of the heating elements and mounted outside the said crystal-lifting region by at least one of the heating elements. Thermal shield of claim 24 (Clause 30, page 5, figure 9).