Claims (54)
1. อุปกรณ์ที่ใช้ในการก่อตัวของผลึกสารกึ่งตัวนำ ประกอบด้วย อย่างน้อยที่สุดหนึ่ง1. The device used in the formation of semiconductor crystals consists of at least one
ส่วนประกอบคอมโพสิตคาร์บอน/คาร์บอนที่มีความบริสุทธิ์สูง คอมโพสิตความบริสุทธิ์สูงดังกล่าวHigh-purity carbon/carbon composite components; such high-purity composites.
รวมถึงเมทริกซ์คาร์บอนที่ถูกเสริมด้วยเส้นใยคาร์บอนที่มีระดับของสิ่งเจือปนที่เป็นโลหะต่ำกว่าขอบเขตThis includes carbon matrices reinforced with carbon fibers that have levels of metallic impurities below the acceptable limit.
การตรวจจับของกรตรวจสอบสเปคตรับของพลาสมาที่ถูกเชื่อมต่อแบบเหนี่ยวนำสำหรับโลหะ Ag, Al,Detection by induction-coupled plasma spectroscopy for Ag, Al metals.
Ba, Be, Ca, Cd, Co, Cr, Cu, K, Mg, Mn, Mo, Na, Ni, P, Pb, Sr, และ ZnBa, Be, Ca, Cd, Co, Cr, Cu, K, Mg, Mn, Mo, Na, Ni, P, Pb, Sr, and Zn.
ที่ซึ่งเส้นใยคาร์บอนถูกเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วยเส้นใย เสื้อผ้า ผ้าที่ถูกทอWhere carbon fibers are selected from a group of fibers that make up clothing and woven fabrics.
เส้นด้ายและเทปThreads and tapes
คอมโพสิตความบริสุทธิ์สูงที่มีความต้านทานแรงดึงสูงสุดประมาณ 25 ถึงประมาณ 100High-purity composites with a maximum tensile strength of approximately 25 to approximately 100.
ksi และแรงดึงมอดุลัสประมาณ 3 ถึงประมาณ 30 ksi และความแข็งแรงต่อการโค้งงอประมาณ 15 ถึงThe tensile modulus is approximately 3 to 30 ksi, and the bending strength is approximately 15 to 15 ksi.
ประมาณ 60 ksi และความทนทานต่อการอัดประมาณ 10 ถึงประมาณ 50 ksiApproximately 60 ksi in compressive strength and about 10 to 50 ksi in compressive strength.
2. อุปกรณ์ตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ยังคงประกอบต่อไปด้วย อย่างน้อยที่สุดหนึ่ง2. The equipment as specified in Claim 1 shall continue to be included, at least one of which shall remain.
ส่วนประกอบให้ความร้อนและบริเวณที่มีการก่อตัวของผลึกสำหรับดึงผลึกสารกึ่งตัวนำขึ้นจากสิ่งที่The heating element and crystal formation area are used to extract the semiconductor crystal from the substrate.
หลอมเหลววัสดุสารกึ่งตัวนำ ที่ซึ่งส่วนประกอบคอมโพสิตความบริสุทธิ์สูงดังกล่าวเป็นเกราะกำบังความMelting semiconductor materials where such high-purity composite components act as a shield.
ร้อนที่ถูกติดตั้งระหว่างอย่างน้อยที่สุดหนึ่งส่วนประกอบให้ความร้อนดังกล่าว และบริเวณที่มีการก่อตัวA heat source is installed between at least one of the heating elements and the area where the heat is forming.
ของผลึกดังกล่าวof the said crystals
3. อุปกรณ์ตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ยังคงประกอบต่อไปด้วย อย่างน้อยที่สุดหนึ่ง3. The equipment as specified in Claim 1 shall continue to be included, at least one of which shall remain.
ส่วนประกอบให้ความร้อนและบริเวณที่มีการก่อตัวของผลึกสำหรับดึงผลึกสารกึ่งตัวนำขึ้นจากสิ่งที่The heating element and crystal formation area are used to extract the semiconductor crystal from the substrate.
หลอมแหลววัสดุสารกึ่งตัวนำ ที่ซึ่งสิ่งที่หลอมเหลวดังกล่าวถูกบรรจุอยู่ในเบ้าหลอมภายในบริเวณที่มีการThe process of melting semiconductor materials, where the molten material is contained in a crucible within a controlled area.
ก่อตัวของผลึก และส่วนประกอบคอมโพสิตความบริสุทธิ์สูงดังกล่าวเป็นตัวกันกระเทือนเบ้าหลอมที่The formation of crystals and such high-purity composite components acts as a crucible shock absorber.
รองรับเบ้าหลอมดังกล่าวอย่างใกล้ชิดกันThe crucible is supported in close proximity to the metal.
4. อุปกรณ์ตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ยังคงประกอบต่อไปด้วย อย่างน้อยที่สุดหนึ่ง4. The equipment as specified in Claim 1 shall continue to be included, at least one of which is present.
ส่วนประกอบให้ความร้อนและบริเวณที่มีการก่อตัวของผลึกสำหรับดึงผลึกสารกึ่งตัวนำขึ้นจากสิ่งที่The heating element and crystal formation area are used to extract the semiconductor crystal from the substrate.
หลอมเหลววัสดุสารกึ่งตัวนำ สิ่งที่หลอมเหลวดังกล่าวถูกบรรจุอยู่ในเบ้าหลอมภายในบริเวณที่มีการก่อThe semiconductor material is melted, and the molten material is contained in a crucible within the formation area.
ตัวของผลึก ที่ซึ่งอย่างน้อยหนึ่งส่วนประกอบโพสิตความบริสุทธิ์สูงดังกล่าวเป็นเกราะกำบังความThe crystal itself, in which at least one of the high-purity positivity components acts as a shield.
ร้อนที่ถูกติดตั้งไว้ระหว่างอย่างน้อยที่สุดหนึ่งส่วนประกอบให้ความร้อนดังกล่าว และบริเวณที่มีการก่อA heater is installed between at least one of these heating components and the area where the heating is occurring.
ตัวของผลึกดังกล่าวและอย่างน้อยที่สุดส่วนประกอบคอมโพสิตความบริสุทธิ์สูงที่สองเป็นตัวกันThe crystal itself, and at least a second high-purity composite component, act as a barrier.
กระเทือนเบ้าหลอมที่รองรับเบ้าหลอมดังกล่าวอย่างใกล้ชิดกันThe impact affected the crucible that was closely supporting it.
5. อุปกรณ์ตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ยังคงประกอบต่อด้วย อย่างน้อยที่สุดหนึ่ง5. The equipment as specified in Claim 1 shall continue to be assembled with at least one
ส่วนปะกอบให้ความร้อนในความร้อนที่ใกล้กับบริเวณที่มีการก่อตัวของผลึกสำหรับดึงผลึกสารกึ่งThe heating element operates in a temperature range near the crystal formation region for drawing semiconductor crystals.
ตัวนำขึ้นจากสิ่งที่หลอมเหลววัสดุสารกึ่งตัวนำ ที่ซึ่งส่วนประกอบคอมโพสิตความบริสุทธิ์สูงดังกล่าวConductors are made from molten semiconductor material, where such high-purity composite components are located.
เป็นเกราะกำบังความร้อนที่ถูกติดตั้งโดยแผ่รัศมีไปทางนอกของอย่างน้อยที่สุดหนึ่งส่วนประกอบให้It is a heat shield installed by radiating heat outwards towards at least one component.
ความร้อนดังกล่าวและบริเวณที่มีการก่อตัวของผลึกดังกล่าวSuch heat and the areas where such crystals form.
6. อุปกรณ์ตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ยังคงประกอบต่อไปด้วย อย่างน้อยที่สุดหนึ่ง6. The equipment as specified in Claim 1 shall continue to be included, at least one of which shall remain.
ส่วนประกอบให้ความร้อนที่ใกล้กับบริเวณที่มีการก่อตัวของผลึกสำหรับดึงผลึกสารกึ่งตัวนำขึ้นจากสิ่งที่A heating element located near the crystal formation region is used to extract the semiconductor crystal from the substrate.
หลอมเหลววัสดุสารกึ่งตัวนำ สิ่งที่หลอมเหลวดังกล่าวถูกบรรจุอยู่ในเบ้าหลอมภายในบริเวณที่มีการก่อThe semiconductor material is melted, and the molten material is contained in a crucible within the formation area.
ตัวของผลึก ที่ซึ่งอย่างน้อยที่สุดหนึ่งส่วนประกอบคอมโพสิตความบริสุทธิ์สูงดังกล่าวเป็นเกราะกำบังThe crystal itself, in which at least one of the high-purity composite components acts as a shield.
ความร้อนที่ถูกติดตั้งโดยแผ่รัศมีไปทางข้างนอกของอย่างน้อยหนึ่งส่วนประกอบให้ความร้อนดังกล่าวThe heat is installed by radiating outwards towards at least one component, providing such heat.
และบริเวณที่มีการก่อตัวของผลึกดังกล่าว และอย่างน้อยที่สุดส่วนประกอบคอม โพสิตความบริสุทธิ์สูงAnd in areas where such crystals form, and at least high-purity composite components.
ดังกล่าวที่สองเป็นตัวกันกระเทือนเบ้าหลอมที่รองรับเบ้าหลอมดังกล่าวอย่างใกล้ชิดกันThe second aforementioned component is a shock absorber that closely supports the aforementioned crucible.
7. กรรมวิธีในการก่อตัวของผลึกแบบโซลชาลสกีเพื่อดึงแท่งโลหะสารกึ่งตัวนำขึ้นจากสิ่งที่7. The Solzhalsky crystal formation process for drawing semiconductor rods from a substrate.
หลอมเหลววัสดุสารกึ่งตัวนำ รวมถึงMelting semiconductor materials, including...
การจัดให้มีสิ่งที่หลอมเหลววัสดุสารกึ่งตัวนำในเบ้าหลอมที่ทำจากแร่ควอท์ซ และThe process involves placing molten semiconductor material in a crucible made of quartz, and...
ยึดจับเบ้าหลอมอย่างใกล้ชิดกันด้วยตัวกันกระเทือนเบ้าหลอมที่ประกอบด้วยThe crucible is held tightly together by a crucible vibration damping device consisting of...
คอมโพสิตมาตรฐานของสารกึ่งตัวนำที่มีความบริสุทธิ์สูงของเมทริกซ์คาร์บอนที่ถูกเสริมด้วยเส้ยใยA standard high-purity semiconductor composite of a carbon matrix reinforced with fibers.
คาร์บอนที่มีระดับของสิ่งเจือปนที่เป็นโลหะต่ำกว่าขอบเขตการตรวจจับของการตรวจสอบสเปคตรัมของCarbon with levels of metallic impurities below the detection range of the spectral analysis.
พลาสมาที่ถูกเชื่อมต่อแบบเหนี่ยวนำสำหรับโลหะ Ag,,Al, Ba, Be, Ca, Cd, Co, Cr, Cu, K, Mg, Mn, Mo,Induction-coordinated plasma for metals Ag, Al, Ba, Be, Ca, Cd, Co, Cr, Cu, K, Mg, Mn, Mo.
Na, Ni, P, Pb, Sr, และ ZnNa, Ni, P, Pb, Sr, and Zn
ที่ซึ่งเส้นใยคาร์บอนถูกเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วยเส้นใย เสื้อผ้า ผ้าที่ถูกทอWhere carbon fibers are selected from a group of fibers that make up clothing and woven fabrics.
เส้นด้าย และเทปThread and tape.
คอมโพสิตความบริสุทธิ์สูงมีความต้านทานแรงดึงสูงสุดประมาณ 25 ถึงประมาณ 100High-purity composites have a maximum tensile strength of approximately 25 to approximately 100.
ksi และแรงดึงมอดุลัสประมาณ 3 ถึงประมาณ 30 msi และมีความแข็งแรงต่อการโค้งงอประมาณ 15 ถึงThe ksi and tensile modulus are approximately 3 to approximately 30 msi, and the flexural strength is approximately 15 to
ประมาณ 60 ksi และความทนทานต่อการอัดประมาณ 10 ถึงประมาณ 50 ksiApproximately 60 ksi in compressive strength and about 10 to 50 ksi in compressive strength.
8. กรรมวิธีตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 7 ที่ซึ่งแท่งโลหะสารกึ่งตัวนำคือ แท่งซิลิคอน รวมถึง8. The processes specified in Claim 7 where the semiconductor ingot is a silicon ingot, including:
การตัดแท่งซิลิคอนให้เป็นซิลิคอนเวเฟอร์ และยังคงรวมถึงการจัดให้ซิลิคอนเวเฟอร์ดังกล่าวมีเวลาเบรคThe process of cutting a silicon ingot into silicon wafers, and still including giving those silicon wafers a break time.
ดาวน์ทางไฟฟ้ามากกว่า 300 ไมโครเซกันAn electrical outage of more than 300 microseconds.
9. กรรมวิธีตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 7 ที่ซึ่งสารกึ่งตัวนำถูกเลือกมาจากหมู่ที่ประกอบด้วย9. The process specified in claim 7, in which the semiconductor material is selected from a group composed of...
ซิลิคอน และแกลเลียมอาร์เซไนด์Silicon and gallium arsenide
10. กรรมวิธีในการก่อตัวของผลึกแบบโซลชาลสกีเพื่อดึงแท่งโลหะสารกึ่งตัวนำขึ้นจากสิ่งที่10. The Solzhalsky crystal formation process for drawing semiconductor rods from a substrate.
หลอมเหลววัสดุสารกึ่งตัวนำที่รวมถึงMelting semiconductor materials including:
การจัดให้มีสิ่งที่หลอมเหลววัสดุสารกึ่งตัวนำในบริเวณที่มีการดึงผลึกขึ้นซึ่งติดตั้งThe placement of molten semiconductor material in the crystal-pulling area where the material is installed.
สัมผัสความร้อนกับอย่างน้อยที่สุดหนึ่งส่วนประกอบให้ความร้อนและติดตั้งอยู่โดยแผ่รัศมีไปทางข้างHeat is in contact with at least one heating component and is mounted there, radiating outwards to the sides.
นอกของบริเวณที่มีการดึงผลึกดังกล่าวและอย่างน้อยที่สุดหนึ่งส่วนประกอบให้ความร้อนดังกล่าว เกราะOutside the area where such crystals are drawn and at least one such heating component is present, the armor.
กำบังความร้อนประกอบด้วยคอมโพสิตมาตรฐานของสารกึ่งตัวนำที่มีความบริสุทธิ์สูงของเมทริกซ์The thermal shield consists of a standard composite of high-purity semiconductor matrix.
คาร์บอนที่ถูกเสริมด้วยเส้นใยคาร์บอนที่มีระดับของสิ่งเจือปนที่เป็นโลหะต่ำกว่าขอบเขตการตรวจจับCarbon reinforced with carbon fibers having levels of metallic impurities below the detection limit.
ของสารตรวจสอบสเปคตรัมของพลาสมาที่ถูกเชื่อมต่อแบบเหนี่ยวนำสำหรับโลหะ Ag,,Al, Ba, Be, Ca,The spectral analysis of inductively bound plasma samples for metals Ag, Al, Ba, Be, Ca,
Cd, Co, Cr, Cu, K, Mg, Mn, Mo, Na, Ni, P, Pb, Sr, และ ZnCd, Co, Cr, Cu, K, Mg, Mn, Mo, Na, Ni, P, Pb, Sr, and Zn.
ที่ซึ่งเส้นใยคาร์บอนถูกเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วยเส้นใย เสื้อผ้า ผ้าที่ถูกทอWhere carbon fibers are selected from a group of fibers that make up clothing and woven fabrics.
เส้นด้าย และเทปThread and tape.
คอมโพสิตความบริสุทธิ์สูงมีความต้านทานแรงดึงสูงสุดประมาณ 25 ถึงประมาณ 100High-purity composites have a maximum tensile strength of approximately 25 to approximately 100.
ksi และแรงดึงมอดุลัสประมาณ 3 ถึงประมาณ 30 msi และมีความแข็งแรงต่อการโค้งงอประมาณ 15 ถึงThe ksi and tensile modulus are approximately 3 to approximately 30 msi, and the flexural strength is approximately 15 to
ประมาณ 60 ksi และความทนทานต่อการกดอัดประมาณ 10 ถึงประมาณ 50 ksiApproximately 60 ksi in compressive strength and approximately 10 to 50 ksi in compressive strength.
11. กรรมวิธีตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 10 ที่ซึ่งแท่งโลหะสารกึ่งตัวนำคือ แท่งซิลิคอน11. The process as specified in Claim 10, where the semiconductor ingot is a silicon ingot.
รวมถึงการตัดแท่งซิลิคอนให้เป็นซิลิคอนเวเฟอร์ และยังคงรวมถึงการจัดให้ซิลิคอนเวเฟอร์ดังกล่าวมีThis includes cutting the silicon ingot into silicon wafers, and still includes arranging those silicon wafers to...
เวลาเบรคดาวน์ไฟฟ้ามากกว่า 300 ไมโครเซกันElectrical breakdown time is greater than 300 microseconds.
12. กรรมวิธีตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 10 ที่ซึ่งสารกึ่งตัวนำถูกเลือกมาจากหมู่ที่ประกอบด้วย12. The process specified in claim 10 in which the semiconductor material is selected from a group composed of...
ซิลิคอน และแกลเลียนอาร์เซไนด์Silicon and gallian arsenide
13. กรรมวิธีในการก่อตัวของผลึกแบบโซลชาลสกีเพื่อดึงแท่งโลหะสารกึ่งตัวนำขึ้นจากสิ่งที่13. The Solzhalsky crystal formation process for drawing semiconductor rods from a substrate.
หลอมเหลววัสดุสารกึ่งตัวนำ รวมถึงการจัดให้มีสิ่งหลอมเหลววัสดุสารกึ่งตัวนำในเบ้าหลอมที่ทำจากMelting semiconductor materials, including arranging the molten semiconductor material in a crucible made of...
แร่แควอท์ซ ที่ซึ่งเบ้าหลอมที่ทำจากแร่ควอท์ซอยู่แยกออกจากแหล่งสิ่งปนเปื้อนโดยอย่างน้อยที่สุดหนึ่งQuartz ore, where a crucible made of quartz is separated from the source of contaminants by at least one factor.
ส่วนประกอบคอมโพสิตคาร์บอน/คาร์บอนที่มีความบริสุทธิ์สูงประกอบด้วย คอมโพสิตมาตรฐานของHigh-purity carbon/carbon composite components consist of standard composites of...
สารกึ่งตัวนำที่มีความบริสุทธิ์สูงของเมทริกซ์คาร์บอนที่ถูกเสริมด้วยเส้นใยคาร์บอนที่มีระดับของHigh-purity semiconductor made of a carbon matrix reinforced with carbon fibers of a certain level.
สิ่งเจือปนที่เป็นโลหะต่ำกว่าขอบเขตการตรวจจับสเปคตรัมของพลาสมาที่ถูกเชื่อมต่อแบบMetallic impurities are below the detection limit of the coupled plasma spectrum.
เหนียวนำสำหรับโลหะ Ag,,Al, Ba, Be, Ca, Cd, Co, Cr, Cu, K, Mg, Mn, Na, Ni, P, Pb, Sr, และ ZnInductors for metals Ag, Al, Ba, Be, Ca, Cd, Co, Cr, Cu, K, Mg, Mn, Na, Ni, P, Pb, Sr, and Zn.
ที่ซึ่งเส้นใยคาร์บอนถูกเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วยเส้นใย เสื้อผ้า ผ้าที่ถูกทอWhere carbon fibers are selected from a group of fibers that make up clothing and woven fabrics.
เส้นด้าย และเทปThread and tape.
คอมโพสิตความบริสุทธิ์สูงมีความต้านทานแรงดึงสูงสุดประมาณ 25 ถึงประมาณ 100High-purity composites have a maximum tensile strength of approximately 25 to approximately 100.
ksi และแรงดึงมอดุลัสประมาณ 3 ถึงประมาณ 30 msi และมีความแข็งแรงต่อการโค้งงอประมาณ 15 ถึงThe ksi and tensile modulus are approximately 3 to approximately 30 msi, and the flexural strength is approximately 15 to
ประมาณ 60 ksi และความทนทานต่อการอัดประมาณ 10 ถึงประมาณ 50 ksiApproximately 60 ksi in compressive strength and about 10 to 50 ksi in compressive strength.
14. กรรมวิธีตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 13 ที่ซึ่งส่วนประกอบถูกเลือกมาจากกลุ่มที่14. The process as specified in claim 13, in which the components are selected from the group.
ประกอบด้วย ตัวกันกระเทือนเบ้าหลอม เกราะกำบังความร้อนในเตาหลอม และ ท่อบุในเตาหลอมIt consists of a crucible vibration damper, a heat shield in the furnace, and a furnace lining.
15. กรรมวิธีตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 14 ที่ซึ่งสารกึ่งตัวนำถูกเลือกมาจากหมู่ที่ประกอบด้วย15. The process specified in Claim 14 in which the semiconductor material is selected from a group composed of...
ซิลิคอน และแกลเลียมอาร์เซไนด์Silicon and gallium arsenide
16. กรรมวิธีตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 15 ที่ซึ่งส่วนประกอบรวมถึงอย่างน้อยที่สุดหนึ่งตัว16. The process as specified in Claim 15, in which the components include at least one.
กันกระเทือนเบ้าหลอมดังกล่าว และอย่างน้อยที่สุดหนึ่งอย่างของเกราะกำบังความร้อนในเตาหลอมThis provides protection for the crucible and, at the very least, a heat shield within the furnace.
ดังกล่าวและท่อบุในเตาหลอมดังกล่าวAs mentioned, and the pipes lining the furnace.
17. คอมโพสิตความบริสุทธิ์สูงอย่างน้อยประกอบด้วยเมทริกซ์คาร์บอนที่ถูกเสริมด้วยเส้นใย17. A high-purity composite contains at least a carbon matrix reinforced with fibers.
คาร์บอนที่มีระดับของสิ่งเจือปนที่เป็นโลหะทั้งหมดต่ำกว่าประมาณ 5 ส่วนต่อล้าน สำหรับโลหะ Ag,,Al,Carbon with a total metallic impurity level below approximately 5 parts per million for metals Ag, Al, etc.
Ba, Be, Ca, Cd, Co, Cr, Cu, Fe, K, Mg, Mn, Mo, Na, Ni, P, Pb, Sr, V และ ZnBa, Be, Ca, Cd, Co, Cr, Cu, Fe, K, Mg, Mn, Mo, Na, Ni, P, Pb, Sr, V and Zn.
ที่ซึ่งเส้นใยคาร์บอนถูกเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วย เส้นใย เสื้อผ้า ผ้าที่ถูกทอWhere carbon fibers are selected from a group of materials consisting of fibers, clothing, and woven fabrics.
เส้นด้าย และเทปThread and tape.
คอมโพสิตความบริสุทธิ์สูงมีความต้านทานแรงดึงสูงสุด ประมาณ 25 ถึงประมาณ 100High-purity composites have a maximum tensile strength of approximately 25 to approximately 100.
ksi และแรงดึงมอดุลัสประมาณ 3 ถึงประมาณ 30 msi และมีความแข็งแรงต่อการโค้งงอประมาณ 15 ถึงThe ksi and tensile modulus are approximately 3 to approximately 30 msi, and the flexural strength is approximately 15 to
ประมาณ 60 ksi และความทนทานต่อการกดอัดประมาณ 10 ถึงประมาณ 50 ksiApproximately 60 ksi in compressive strength and approximately 10 to 50 ksi in compressive strength.
18. คอมโพสิตความบริสุทธิ์สูงตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 17 ที่ซึ่งเมทริกซ์คาร์บอนคือผ้าที่18. High-purity composites as defined in claim 17, where the carbon matrix is the fabric.
ถูกทอWoven
19. คอมโพสิตความบริสุทธิ์สูงตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 17 ที่ซึ่งเมทริกซ์คาร์บอน19. High-purity composite as specified in claim 17, in which the carbon matrix...
ประกอบด้วย พรีเคอเซอร์เมทริกซ์คาร์บอนที่มีความบริสุทธิ์สูงที่ถูกคาร์บอนไนซ์ ที่ซึ่งพรีเคอเซอร์นี้มีIt consists of a high-purity, carbonized carbon precursor matrix, in which this precursor...
โลหะอยู่ต่ำกว่าประมาณ 50 ppmMetal levels were below approximately 50 ppm.
20. คอมโพสิตความบริสุทธิ์สูงตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 19 ที่ซึ่งพรีเคอเซอร์เมทริกซ์20. High-purity composite as specified in claim 19, in which case the precursor matrix.
คาร์บอนคือ แก๊ส ไฮโรคาร์บอนCarbon is a hydrocarbon gas.
21. คอมโพสิตความบริสุทธิ์สูงตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 17 ที่ซึ่งเมทริกซ์คาร์บอน21. High-purity composite as specified in claim 17, in which the carbon matrix...
ประกอบด้วยเรซินฟีนอลลิกที่มีความบริสุทธิ์สูงที่คาร์บอไนซ์It consists of high-purity, carbonized phenolic resin.
22. คอมโพสิตความบริสุทธิ์สูงตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 17 ที่ซึ่งเมทริกซ์คาร์บอน22. High-purity composite as specified in claim 17, in which the carbon matrix...
ประกอยด้วย น้ำมันดินที่มีความบริสุทธิ์สูงตามที่ถูกคาร์บอนไนซ์It consists of highly purified tar that has been carbonized.
23. คอมโพสิตความบริสุทธิ์สูงตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 17 มีความต้านทานแรงดึงสูงสุด23. The high-purity composite as specified in claim 17 has the highest tensile strength.
ประมาณ 35 ถึงประมาณ 50 ksi และดึงมอดุลัสประมาณ 3.5 ถึงปประมาณ 16 msiApproximately 35 to 50 ksi and a pull modulus of around 3.5 to 16 msi.
24. คอมโพสิตความบริสุทธิ์สูงตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 17 มีความแข็งแรงต่อการโค้งงอ24. The high-purity composite as specified in claim 17 has high flexural strength.
ประมาณ 16 ถึงประมาณ 42 ksi และความทนทานต่อการอัดประมาณ 11 ถึงประมาณ 30 ksiThe compressive strength is approximately 16 to 42 ksi, and the compressive strength is approximately 11 to 30 ksi.
25. คอมโพสิตความบริสุทธิ์สูงตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 17 มีความทนทานต่อการแตกร้าว25. The high-purity composite as specified in claim 17 exhibits crack resistance.
ดังที่ถูกวัดโดย Izod impact ประมาณ 5 ถึงประมาณ 25 ft Ib/inAs measured by the Izod impact, it is approximately 5 to approximately 25 ft lb/in.
26. คอมโพสิตความบริสุทธิ์สูงตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 17 มีสัมประสิทธิ์การขยายตัวความ26. The high-purity composite as specified in claim 17 has a coefficient of thermal expansion.
ร้อนในระนาบที่ศูนย์ถึงประมาณ 2x106 และสัมประสิทธิ์การขยายตัวความร้อน cross-ply ประมาณ 6 ถึงThe thermal expansion coefficient at zero is approximately 2x10⁶, and the cross-ply thermal expansion coefficient is approximately 6.
ประมาณ 10x106Approximately 10x106
27. คอมโพสิตความบริสุทธิ์สูงตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 17 มีอัตราส่วนส่งผ่านความร้อนใน27. The high-purity composite as specified in claim 17 has a heat transfer ratio of
ระนาบประมาณ 20 ถึงประมาณ 500 W/mK และอัตราการส่งผ่านความร้อน cross-ply ประมาณ 5 ถึงThe plane is approximately 20 to approximately 500 W/mK and the cross-ply heat transfer rate is approximately 5 to
ประมาณ 200 W/mKApproximately 200 W/mK
28. คอมโพสิตความบริสุทธิ์สูงตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 17 มีค่าการคายความร้อนประมาณ28. The high-purity composite as specified in claim 17 has an approximate exothermic value.
0.4 ถึงประมาณ 0.80.4 to approximately 0.8
29. คอมโพสิตความบริสุทธิ์สูงตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 17 มีสารเคลือบผิวทนความร้อนที่29. The high-purity composite as specified in claim 17 has a heat-resistant coating that...
ถูกเลือกจากหมู่ที่ประกอบด้วย คาร์ไบด์ ไนไตรด์ และโบไรด์Selected from groups composed of carbides, nitrides, and borides.
30. คอมโพสิตความบริสุทธิ์สูงตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 17 มีสารเคลือบผิวทนความร้อน30. High-purity composites as specified in claim 17 have a heat-resistant coating.
ของซิลิคอน คาร์ไบด์Silicon carbide.
31. คอมโพสิตความบริสุทธิ์สูงตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 17 มีความต้านทานไฟฟ้าประมาณ31. The high-purity composite as specified in claim 17 has an electrical resistance of approximately...
1x10-4 ถึงประมาณ 1x10-2 โอห์ม-ซม.1x10-4 to approximately 1x10-2 ohm-cm.
32. คอมโพสิตความบริสุทธิ์สูงตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 17 มีไอรอนประมาณ 0.18 ppm32. The high-purity composite as specified in claim 17 contains approximately 0.18 ppm of iron.
หรือน้อยกว่าOr less
34. ส่วนประกอบของเตาหลอมที่มีกรรมวิธีแบบโซชาลสกีที่ประกอบด้วย คอมโพสิตมาตรฐาน34. Components of a Sochalski-type furnace consisting of standard composites.
ของสารกึ่งตัวนำที่มีความบริสุทธิ์สูงที่ประกอบด้วย เมทริกซ์คาร์บอนที่ถูกเสริมด้วยเส้นใยคาร์บอนของA high-purity semiconductor material consisting of a carbon matrix reinforced with carbon fibers.
ข้อถือสิทธิข้อ 17 ถึงข้อ 33 ข้อใดข้อหนึ่งAny one of the claims under Articles 17 through 33.
35. ส่วนประกอบของเตาหลอมตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 34 ที่ถูกเลือกมาจากกลุ่มที่35. The furnace components as specified in Claim 34, selected from the group that...
ประกอบด้วย ตัวกระเทือนเบ้าหลอม เกราะกำบังความร้อนในเตาหลอม และ ท่อในเตาหลอมIt consists of a crucible vibrator, a heat shield in the furnace, and pipes in the furnace.
36. อุปกรณ์ที่ใช้ในการก่อตัวของผลึกสารกึ่งตัวนำที่ประกอบด้วย อย่างน้อยที่สุดหนึ่ง36. An apparatus used in the formation of semiconductor crystals containing at least one
ส่วนประกอบคอมโพสิตคาร์บอน/คาร์บอนที่มีความบริสุทธิ์สูง คอมโพสิตความบริสุทธิสูงดังกล่าวHigh-purity carbon/carbon composite components; such high-purity composites.
รวมถึง เมทริกซ์คาร์บอนที่ถูกเสริมด้วยเส้นใยคาร์บอนที่มีระดับของสิ่งจือปนที่เป็นโลหะทั้งหมดต่ำกว่าThis includes carbon matrices reinforced with carbon fibers that have lower levels of total metallic impurities.
ประมาณ 5 ส่วนต่อล้านสำหรับโลหะ Ag,,Al, Ba, Be, Ca, Cd, Co, Cr, Cu, Fe, K, Mg, Mn, Mo, Na, Ni,Approximately 5 parts per million for the metals Ag, Al, Ba, Be, Ca, Cd, Co, Cr, Cu, Fe, K, Mg, Mn, Mo, Na, Ni.
P, Pb, Sr, V และ ZnP, Pb, Sr, V, and Zn
ที่ซึ่งเส้นใยคาร์บอนถูกเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วย เส้นใย เสื้อผ้า ผ้าที่ถูกทอWhere carbon fibers are selected from a group of materials consisting of fibers, clothing, and woven fabrics.
เส้นด้าย และเทปThread and tape.
คอมโพสิตความบริสุทธิ์สูงมีความต้านทานแรงดึงสูงสุดประมาณ 25 ถึงประมาณ 100High-purity composites have a maximum tensile strength of approximately 25 to approximately 100.
ksi และแรงดึงมอดุลัสประมาณ 3 ถึงประมาณ 30 msi และมีความแข็งแรงต่อการโค้งงอประมาณ 15 ถึงThe ksi and tensile modulus are approximately 3 to approximately 30 msi, and the flexural strength is approximately 15 to
ประมาณ 60 ksi และความทนทานต่อการอัดประมาณ 10 ถึงประมาณ 50 ksiApproximately 60 ksi in compressive strength and about 10 to 50 ksi in compressive strength.
37. อุปกรณ์ตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 36 ยังคงประกอบต่อไปด้วย อย่างน้อยที่สุดหนึ่ง37. The equipment specified in claim 36 shall continue to be included, at least one of which is present.
ส่วนประกอบให้ความร้อนและบริเวณที่มีการต่อตัวของผลึกสำหรับดึงยกผลึกสารกึ่งตัวนำขึ้นจากสิ่งที่Heating elements and crystal junction areas are used to lift the semiconductor crystal from the substrate.
หลอมเหลววัสดุสารกึ่งตัวนำ ที่ซึ่งประกอบด้วยคอมโพสิตความบริสุทธิ์สูงดังกล่าวเป็นเกราะกำบังความThe molten semiconductor material, composed of such a high-purity composite, forms a shield.
ร้อนที่ติดตั้งระหว่างอย่างน้อยที่สุดหนึ่งส่วนประกอบให้ความร้อนดังกล่าวและบริเวณที่มีการก่อตัวของThe heater is installed between at least one of the heating elements and the area where the heat is formed.
ผลึกดังกล่าวThe crystal
38. อุปกรณ์ตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 36 ยังคงประกอบต่อไปด้วย อย่างน้อยที่สุดดหนึ่ง38. The equipment specified in claim 36 shall continue to be included, at least one of which shall remain.
ส่วนประกอบให้ความร้อนและบริเวณที่มีการก่อตัวของผลึกสำหรับดึงยกผลึกสารกึ่งตัวนำออกจากสิ่งที่The heating element and crystal formation area are used to extract the semiconductor crystal from the substrate.
หลอมเหลววัสดุสารกึ่งตัวนำ ที่ซึ่งหลอมเหลวดังกล่าวถูกบรรจุในเบ้าหลอมภายในบริเวณที่มีการก่อThe semiconductor material is melted, and this molten material is then contained in a crucible within a construction zone.
ตัวของผลึกและส่วนประกอบคอมโพสิตความบริสุทธิ์สูงดังกล่าวเป็นตัวกันกระเทือนเบ้าหลอมที่รองรับThe high-purity crystal and composite components act as shock absorbers for the supporting crucible.
เบ้าหลอมอย่างใกล้ชิดกันClosely matched melting pots.
39. อุปกรณ์ตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 36 ยังคงประกอบต่อไปด้วย อย่างน้อยที่สุดหนึ่ง39. The equipment specified in claim 36 shall continue to be included, at least one of which is included.
ส่วนประกอบให้ความร้อนและบริเวณที่มีการก่อตัวของผลึกสำหรับดึงยกผลึกสารกึ่งนำออกจากสิ่งที่The heating element and crystal formation area are used to extract the semiconductor crystals from the substrate.
หลอมเหลววัสดุสารกึ่งตัวนำ สิ่งที่หลอมเหลวดังกล่าวถูกบรรจุอยู่ในเบ้าหลอมภายในบริเวณที่มีการก่อThe semiconductor material is melted, and the molten material is contained in a crucible within the formation area.
ตัวของผลึกที่ซึ่งอย่างน้อยที่สุดหนึ่งส่วนประกอบคอมโพสิตความบริสุทธิ์สูงดังกล่าวเป็นเกราะกำบังThe crystal itself, in which at least one of the high-purity composite components serves as a shield.
ความร้อนที่ติดตั้งระหว่างอย่างน้อยที่สุดหนึ่งส่วนประกอบให้ความร้อนและบริเวณที่มีการก่อตัวของThe heat sink is installed between at least one heating element and the area where the heat is forming.
ผลึกดังกล่าว และอย่างน้อยที่สุดส่วนประกอบคอมโพสิตความบริสุทธิ์สูงที่สองดังกล่าวเป็นตัวกันThe crystals, and at least the second, high-purity composite component, act as a buffer.
กระเทือนเบ้าหลอมที่รองรับเบ้าหลอมดังกล่าวอย่างใกล้ชิดกันThe impact affected the crucible that was closely supporting it.
40. อุปกรณ์ตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 36 ยังคงประกอบต่อไปด้วย อย่างน้อยที่สุดหนึ่งส่วน40. The equipment as specified in Claim 36 shall continue to consist of at least one part.
ส่วนประกอบให้ความร้อนในความร้อนที่ใกล้กับบริเวณที่มีการก่อตัวของผลึกสำหรับดึงยกผลึกสารกึ่งHeating elements are located near the crystal formation region for pulling and lifting semiconductor crystals.
ตัวนำขึ้นจากสิ่งที่หลอมเหลววัสดุสารกึ่งตัวนำ ที่ซึ่งส่วนประกอบคอมโพสิตความบริสุทธิ์สูงดังกล่าวConductors are made from molten semiconductor material, where such high-purity composite components are located.
เป็นเกราะกำบังความร้อนที่ติดตั้งโดยแผ่รัศมีไปทางข้างนอกของอย่างน้อยที่สุดหนึ่งส่วนประกอบให้It is a heat shield installed by radiating heat outwards towards at least one component.
ความร้อนดังกล่าวและบริเวณที่มีการก่อตัวของผลึกดังกล่าวSuch heat and the areas where such crystals form.
41. อุปกรณ์ตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 36 ยังคงประกอบต่อไปด้วย อย่างน้อยที่สุดหนึ่ง41. The equipment specified in Claim 36 shall continue to be included, at least one of which is included.
ส่วนประกอบให้ความร้อนที่ใกล้กับบริเวณที่มีการก่อตัวของผลึกสำหรับดึงยกผลึกสารกึ่งตัวนั้นจากสิ่งที่A heating element located near the crystal formation region is used to pull the semiconductor crystal away from the substrate.
หลอมเหลววัสดุสารกึ่งตัวนำ สิ่งที่หลอมเหลวดังกล่าวถูกบรรจุอยู่ในเบ้าหลอมภายในบริเวณที่มีการก่อThe semiconductor material is melted, and the molten material is contained in a crucible within the formation area.
ตัวของผลึก ที่ซึ่งอย่างน้อยที่สุดหนึ่งส่วนประกอบคอมโพสิตความบริสุทธิ์สูงดังกล่าวเป็นเกราะกำบังThe crystal itself, in which at least one of the high-purity composite components acts as a shield.
ความร้อนติดตั้ง โดยแผ่รัศมีไปทางข้างนอกของอย่างน้อยที่สุดหนึ่งส่วนประกอบให้ความร้อนและHeat is installed by radiating heat outwards from at least one heating component.
บริเวณที่มีการก่อตัวของผลึกดังกล่าว และอย่างน้อยที่สุดส่วนประกบคอมโพสิตความบริสุทธิ์สูงที่สองThe area where such crystals form, and at least the second high-purity composite sandwich.
เป็นตัวกันกระเทือนเบ้าหลอมที่รองรับเบ้าหลอมดังกล่าวอย่างใกล้ชิดกันIt acts as a shock absorber that closely supports the crucible.
42. กรรมวิธีในการก่อตัวของผลึกแบบโซลชาลสกีเพื่อดึงแท่งโลหะสารกึ่งตัวนำจากสิ่งที่42. The Solzhalsky crystal formation process for extracting semiconductor rods from a substrate.
หลอมเหลวสารกึ่งตัวนำ ซึ่งรวมถึงMelting semiconductor materials, which include...
การจัดให้มีสิ่งที่หลอมเหลววัสดุสารกึ่งตัวนำในเบ้าหลอมที่ทำจากแร่ควอท์ซ และThe process involves placing molten semiconductor material in a crucible made of quartz, and...
การรองรับเบ้าหลอมอย่างใกล้ชิดกันด้วยตัวกันกระเทือนเบ้าหลอมที่ประกอบด้วยคอมThe crucible is closely supported by a crucible vibration damper consisting of a computer.
โพสิตมาตรฐานของสารกึ่งตัวนำที่มีความบริสุทธิ์สูงของเมทริกซ์คาร์บอนที่ถูกเสริมด้วยเส้นใยคาร์บอนA standard positive (POS) for high-purity semiconductor materials made from a carbon matrix reinforced with carbon fibers.
ที่มีระดับของสิ่งเจือปนที่เป็นโลหะทั้งหมดต่ำกว่าประมาณ 5 ส่วนต่อล้านสำหรับโลหะ Ag,,Al, Ba, Be,Having a total metallic impurity level below approximately 5 parts per million for the metals Ag, Al, Ba, Be.
Ca, Cd, Co, Cr, Cu, K, Mg, Mn, Mo, Na, Ni, P, Pb, Sr, V และ ZnCa, Cd, Co, Cr, Cu, K, Mg, Mn, Mo, Na, Ni, P, Pb, Sr, V and Zn.
ที่ซึ่งเส้นใยคาร์บอนถูกเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วยเส้นใย เสื้อผ้า ผ้าที่ถูกทอWhere carbon fibers are selected from a group of fibers that make up clothing and woven fabrics.
เส้นด้าน และเทปSide lines and tape.
คอมโพสิตความบริสุทธิ์สูงมีความต้านทานแรงดึงสูงสุดประมาณ 25 ถึงประมาณ 100High-purity composites have a maximum tensile strength of approximately 25 to approximately 100.
ksi และแรงดึงมอดุลัสประมาณ 3 ถึงประมาณ 30 msi และมีความแข็งแรงต่อการโค้งงอประมาณ 15 ถึงThe ksi and tensile modulus are approximately 3 to approximately 30 msi, and the flexural strength is approximately 15 to
ประมาณ 60 ksi และความทนทานต่อการอักประมาณ 10 ถึงประมาณ 50 ksiApproximately 60 ksi in strength and a toughness of approximately 10 to 50 ksi.
43. กรรมวิธีตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 42 ที่ซึ่งแท่งโลหะสารกึ่งตัวนำคือ แท่งซิลิคอน43. The process as specified in claim 42, where the semiconductor ingot is a silicon ingot.
รวมถึงการตัดแท่งซิลิคอนให้เป็นซิลิคอนเวเฟอร์ และยังคงรวมถึงการจัดให้ซิลิคอนเวเฟอร์ดังกล่าวมีThis includes cutting the silicon ingot into silicon wafers, and still includes arranging those silicon wafers to...
เวลาเบรคดาว์นทางไฟฟ้ามากกว่า 300 ไมโครเซกันElectrical breakdown time greater than 300 microseconds.
44. กรรมวิธีตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 42 ที่ซึ่งสารกึ่งตัวนำถูกเลือกมาจากหมู่ที่ประกอบด้วย44. The process specified in claim 42 in which the semiconductor is selected from a group composed of
ซิลิคอน และแกลเลียมอาร์เซไนด์Silicon and gallium arsenide
45. กรรมวิธีในการก่อตัวของผลึกแบบโซชาลสกีเพื่อดึงแท่งโลหะสารกึ่งตัวนำขึ้นจากสิ่งที่45. The Sochalsky crystal formation process for drawing semiconductor rods from a substrate.
หลอมเหลววัสดุสารกึ่งตัวนำซึ่งรวมถึงMelting semiconductor materials, including...
การจัดให้สิ่งที่หลอมเหลววัสดุสารกึ่งตัวนำในบริเวณที่มีการดึงยกผลึกซึ่งซึ่งสัมผัสทางความร้อนThe process of placing molten semiconductor material in a region where the crystal is pulled up and is in thermal contact.
กับอย่างน้อยหนึ่งส่วนประกอบให้ความร้อน และติดตั้งโดยแผ่รัศมีไปทางข้างนอกของบริเวณที่ดึงยกWith at least one heating element, and mounted radially outwards towards the outside of the lifting area.
ผลึกดังกล่าว และอย่างน้อยที่สุดหนึ่งส่วนประกอบให้ความร้อนดังกล่าว เกราะกำบังความร้อนSuch crystals, and at least one of their heating components, form a heat shield.
ประกอบด้วยคอมโพสิตมาตรฐานของสารกึ่งตัวนำที่มีความบริสุทธิสูงของเมทริกซ์คาร์บอนที่ถูกเสริมIt consists of a standard composite of high-purity semiconductor materials with a reinforced carbon matrix.
ด้วยเส้นใยคาร์บอนที่มีระดับของสิ่งเจือปนที่เป็นโลหะทั้งหมดต่ำกว่าประมาณ 5 ส่วนต่อล้านสำหรับWith carbon fibers having a total metallic impurity level of less than approximately 5 parts per million.
โลหะ Ag,,Al, Ba, Be, Ca, Cd, Co, Cr, Cu, Fe, K, Mg, Mn, Mo, Na, Ni, P, Pb, Sr, V และ ZnThe metals Ag, Al, Ba, Be, Ca, Cd, Co, Cr, Cu, Fe, K, Mg, Mn, Mo, Na, Ni, P, Pb, Sr, V, and Zn.
ที่ซึ่งเส้นใยคาร์บอนถูกเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วย เส้นใย เสื้อผ้า ผ้าที่ถูกทอWhere carbon fibers are selected from a group of materials consisting of fibers, clothing, and woven fabrics.
เส้นด้าย และเทปThread and tape.
คอมโพสิตความบริสุทธิ์สูงมีความต้านทานแรงดึงสูงสุดประมาณ 25 ถึงประมาณ 100High-purity composites have a maximum tensile strength of approximately 25 to approximately 100.
ksi และแรงดึงมอดุลัสประมาณ 3 ถึงประมาณ 30 msi และมีความแข็งแรงต่อการโค้งงอประมาณ 15 ถึงThe ksi and tensile modulus are approximately 3 to approximately 30 msi, and the flexural strength is approximately 15 to
ประมาณ 60 ksi และความทนทานต่อการอัดประมาณ 10 ถึงประมาณ 50 ksiApproximately 60 ksi in compressive strength and about 10 to 50 ksi in compressive strength.
46. กรรมวิธีตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 45 ที่ซึ่งแท่งโลหะสารกึ่งตัวนำคือ แท่งซิลิคอน46. The process as specified in Claim 45, where the semiconductor ingot is a silicon ingot.
รวมถึงการตัดแท่งซิลิคอนให้เป็นซิลิคอนเวเฟอร์ และยังคงรวมถึงการจัดให้ซิลิคอนเวเฟอร์ดังกล่าวมีThis includes cutting the silicon ingot into silicon wafers, and still includes arranging those silicon wafers to...
เวลาเบรคดาว์นทางไฟฟ้ามากกว่า 300 ไมโครเซกันElectrical breakdown time greater than 300 microseconds.
47. กรรมวิธีตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 45 ที่ซึ่งสารกึ่งตัวนำถูกเลือกมาจากหมู่ที่ประกอบด้วย47. The process specified in Claim 45 in which the semiconductor material is selected from a group composed of
ซิลิคอน และแกลเลียมอาร์เซไนด์Silicon and gallium arsenide
48. กรรมวิธีในการก่อตัวของผลึกแบบโซลชาลสกีเพื่อดึงแท่งโลหะสารกึ่งตัวนำขึ้นจากสิ่งที่48. The Solzhalsky crystal formation process for drawing semiconductor rods from a substrate.
หลอมเหลววัสดุสารกึ่งตัวนำ รวมถึงการจัดให้มีสิ่งที่หลอมเหลววัสดุกึ่งตัวนำในเบ้าหลอมที่ทำจากMelting semiconductor materials, including arranging the molten semiconductor material in a crucible made of...
แร่ควอท์ซ ที่ซึ่งเบ้าหลอมที่ทำจากแร่ควอท์ซถูกแยกออกจากแหล่งสิ่งปนเปื้อนโดยอย่างน้อยที่สุดหนึ่งQuartz ore, where crucibles made of quartz ore have been isolated from the source of contaminants by at least one factor.
ส่วนประกอบคอมโพสิตคาร์บอน/คาร์บอนที่มีความบริสุทธิ์สูงประกอบด้วยคอมโพสิตมาตรฐานของHigh-purity carbon/carbon composite components consist of standard composites of...
สารกึ่งตัวนำที่มีความบริสุทธิสูงของเมทริกซ์คาร์บอนที่ถูกเสริมด้วยเส้นใยคาร์บอนที่มีระดับของHigh-purity semiconductor made of a carbon matrix reinforced with carbon fibers of a certain level.
สิ่งเจือปนที่เป็นโลหะทั้งหมดต่ำกว่าประมาณ 5 ส่วนต่อล้านสำหรับโลหะ Ag,,Al, Ba, Be, Ca, Cd, Co,Total metallic impurities were below approximately 5 parts per million for the metals Ag, Al, Ba, Be, Ca, Cd, and Co.
Cr, Cu, Fe, K, Mg, Mn, Na, Ni, P, Pb, Sr, Vและ ZnCr, Cu, Fe, K, Mg, Mn, Na, Ni, P, Pb, Sr, V, and Zn
ที่ซึ่งเส้นใยคาร์บอนถูกเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วยเส้นใย เสื้อผ้า ผ้าที่ถูกทอWhere carbon fibers are selected from a group of fibers that make up clothing and woven fabrics.
เส้นด้าย และเทปThread and tape.
คอมโพสิตความบริสุทธิ์สูงมีความต้านทานแรงดึงสูงสุดประมาณ 25 ถึงประมาณ 100High-purity composites have a maximum tensile strength of approximately 25 to approximately 100.
ksi และแรงดึงมอดุลัสประมาณ 3 ถึงประมาณ 30 msi และมีความแข็งแรงต่อการโค้งงอประมาณ 15 ถึงThe ksi and tensile modulus are approximately 3 to approximately 30 msi, and the flexural strength is approximately 15 to
ประมาณ 60 ksi และความทนทานต่อการอัดประมาณ 10 ถึงประมาณ 50 ksiApproximately 60 ksi in compressive strength and about 10 to 50 ksi in compressive strength.
49. กรรมวิธีตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 48 ที่ซึ่งส่วนประกอบถูกเลือกมาจากกลุ่มที่49. The process as specified in Claim 48, in which components are selected from the group.
ประกอบด้วย ตัวกันกระเทือนเบ้าหลอม เกราะกำบังความร้อนในเตาหลอม และ ท่อบุในเตาหลอมIt consists of a crucible vibration damper, a heat shield in the furnace, and a furnace lining.
50. กรรมวิธีตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 49 ที่ซึ่งสารกึ่งตัวนำถูกเลือกมาจากหมู่ที่ประกอบด้วย50. The process specified in Claim 49 in which the semiconductor material is selected from a group composed of...
ซิลิคอน และแกลเลียมอาร์เซไนด์Silicon and gallium arsenide
51. กรรมวิธีตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 50 ที่ซึ่งส่วนประกอบรวมถึง อย่างน้อยที่สุดหนึ่งตัว51. The process as specified in claim 50, in which the components include at least one.
กันกระเทือนเบ้าหลอมดังกล่าว และอย่างน้อยที่สุดหนึ่งอย่างของเกราะกำบังความร้อนในเตาหลอมThis provides protection for the crucible and, at the very least, a heat shield within the furnace.
ดังกล่าว และ ท่อบุในเตาหลอมดังกล่าวAs mentioned, and the pipe lining in the furnace.
52. กรรมวิธีในการก่อตัวของผลึกแบบโซลชาลสกีเพื่อดึงแท่งโลหะสารกึ่งตัวนำขึ้นจากสิ่งที่52. The Solzhalsky crystal formation process for drawing semiconductor rods from a substrate.
หลอมเหลววัสดุซิลิคอนสารกึ่งตัวนำรวมถึงการจัดให้มีสิ่งที่หลอมเหลววัสดุสารกึ่งตัวนำในเบ้าหลอมที่Melting silicon semiconductor material includes arranging the molten semiconductor material in a crucible.
ทำจากแร่ควอท์ซ ที่ซึ่งเบ้าหลอมที่ทำจากแร่คอวท์ซถูกแยกออกจากแหล่งสิ่งปนเปื้อน โดยอย่างน้อยที่สุดMade from quartz, where the quartz crucible is separated from the source of contaminants, at least to some extent.
ส่วนประกอบคอมโพสิตมาตรฐานของสารกึ่งตัวนำที่มีความบริสุทธิ์สูงของเมทริกซ์คาร์บอนที่ถูกStandard composite components of high-purity semiconductor materials with a carbon matrix.
เสริมแรงด้วยเส้นใยคาร์บอนที่มีระดับของสิ่งเจือปนที่เป็น โลหะทั้งหมดต่ำกว่าประมาณ 5 ส่วนต่อล้านReinforced with carbon fibers containing total metallic impurities of less than approximately 5 parts per million.
สำหรับโลหะ Ag,,Al, Ba, Be, Ca, Cd, Co, Cr, Cu, Fe, K, Mg, Mn, Mo, Na, Ni, P, Pb, Sr, V และ Zn ที่For the metals Ag, Al, Ba, Be, Ca, Cd, Co, Cr, Cu, Fe, K, Mg, Mn, Mo, Na, Ni, P, Pb, Sr, V, and Zn:
สามารถให้ผลได้มากกว่า 68 เปอร์เซ็นต์ของซิลิคอนสารกึ่งตัวนำเฟอร์ที่มีโครงสร้างที่ดีIt can yield over 68 percent of the best structured silicon semiconductor material.
ที่ซึ่งเส้นใยคาร์บอนถูกเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วยเส้นใย เสื้อผ้า ผ้าที่ถูกทอWhere carbon fibers are selected from a group of fibers that make up clothing and woven fabrics.
เส้นด้าย และเทปThread and tape.
คอมโพสิตความบริสุทธิ์สูงมีความต้านทานแรงดึงสูงสุดประมาณ 25 ถึงประมาณ 100High-purity composites have a maximum tensile strength of approximately 25 to approximately 100.
ksi และแรงดึงมอดุลัสประมาณ 3 ถึงประมาณ 30 msi และมีความแข็งแรงต่อการโค้งงอประมาณ 15 ถึงThe ksi and tensile modulus are approximately 3 to approximately 30 msi, and the flexural strength is approximately 15 to
ประมาณ 60 ksi และความทนทานต่อการอัดประมาณ 10 ถึงประมาณ 50 ksiApproximately 60 ksi in compressive strength and about 10 to 50 ksi in compressive strength.
53. กรรมวิธีตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 52 ที่ซึ่งส่วนประกอบถูกเลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วย53. The process as specified in Claim 52, in which the components are selected from a group of components.
ตัวกันกระเทือนเบ้าหลอม เกราะกำบังความร้อนในเตาหลอม และ ท่อบุในเตาหลอมCrucible vibration dampers, furnace heat shields, and furnace linings.
54. ส่วนประกอบของเตาหลอมที่มีกรรมวิธีแบบโซลชาลสกีที่ประกอบด้วย คอมโพสิตมาตรฐาน54. Components of a Solzhalski-type furnace consisting of standard composites.
ของสารกึ่งตัวนำที่มีความบริสุทธิ์สูงที่ประกอบด้วย เมทริกซ์คาร์บอนที่ถูกเสริมด้วยเส้นใยคาร์บอนที่มีA high-purity semiconductor material consisting of a carbon matrix reinforced with carbon fibers.
ความบริสุทธิ์สูงที่มีระดับของสิ่งเจือปนที่เป็นโลหะทั้งหมดต่ำกว่าประมาณ 5 ส่วนต่ำล้านสำหรับโลหะHigh purity with a total metallic impurity level below approximately 5 parts per million for the metal.
Ag,,Al, Ba, Be, Ca, Cd, Co, Cr, Cu, Fe, K, Mg, Mn, Mo, Na, Ni, P, Pb, Sr, Vและ Zn และแสดงการAg, Al, Ba, Be, Ca, Cd, Co, Cr, Cu, Fe, K, Mg, Mn, Mo, Na, Ni, P, Pb, Sr, V, and Zn, and show the
เคลื่อนย้ายสิ่งเจือปนของโลหะที่ถูกเลือก Al, Ca, Cr, Cu, Fe, K, Mg, Mn, Mo, Na, Ni, P และ V ไปยังMove selected metallic impurities Al, Ca, Cr, Cu, Fe, K, Mg, Mn, Mo, Na, Ni, P, and V to...
ซิลิคอนที่อุณหภูมิ 550 ํC ของการเคลื่อนย้ายสิ่งเจือปนน้อยกว่าประมาณหนึ่งเปอร์เซ็นต์ของโลหะที่ถูกAt 550°C, silicon experiences less than one percent of impurity migration compared to the metal itself.
เลือกดังกล่าวสำหรับส่วนประกอบกราไฟต์ที่ตรงกันซิลิคอนThe selection is for the graphite component that matches the silicon.
ที่ซึ่งเส้นใยคาร์บอนถูกเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วยเส้นใย เสื้อผ้า ผ้าที่ถูกทอWhere carbon fibers are selected from a group of fibers that make up clothing and woven fabrics.
เส้นด้าย และเทปThread and tape.
คอมโพสิตความบริสุทธิ์สูงมีความต้านทานแรงดึงสูงสุดประมาณ 25 ถึงประมาณ 100High-purity composites have a maximum tensile strength of approximately 25 to approximately 100.
ksi และแรงดึงมอดุลัสประมาณ 3 ถึงประมาณ 30 msi และมีความแข็งแรงต่อการโค้งงอประมาณ 15 ถึงThe ksi and tensile modulus are approximately 3 to approximately 30 msi, and the flexural strength is approximately 15 to
ประมาณ 60 ksi และความทนทานต่อการอัดประมาณ 10 ถึง 50 ksiApproximately 60 ksi in compressive strength and about 10 to 50 ksi in compressive strength.