Claims (27)
1. ตัวยึดส่งผ่านความร้อนเข้าหลอมสำหรับกระบวนการสร้างคริสตัล เพื่อดึงแท่ง คริสตัลออกจากวัสดุ คริสตัลเหลว ในเบ้าหลอม ที่ซึ่งประกอบด้วย ส่วนประกอบที่บริสุทธิ์สูงที่ประกอบด้วย เมทริกซ์ของ คาร์บอนเสริมด้วยผืนเส้นใย ของคาร์บอน ที่ทออย่างต่อเนื่อง กันแบบสองมิติ ส่วนประกอบที่บริสุทธิสูงดังกล่าว จะมีการเจือของโลหะ ทั้งหมดน้อยกว่าประมาณ 10 ส่วนในหนึ่งล้านส่วน ตัวยึดส่งผ่านความร้อนเบ้าหลอมดังกล่าว ที่เป็นโครงสร้าง สานไขว้ชิ้นเดียว ด้วย ส่วนประกอบที่บริสุทธิ์สูงดังกล่าว ที่มี แหวนด้านข้าง และฐาน โดยแหวนด้านข้างดังกล่าว และ ฐานดังกล่าวจะมีความหนาเท่ากันตลอด1. The heat transfer holder for the crystal formation process is used to extract crystal rods from the liquid crystal material in a crucible. This crucible is constructed from a highly pure material consisting of a carbon matrix reinforced with continuously woven, two-dimensional carbon fibers. The total metal content of this highly pure material is less than approximately 10 parts per million. The crucible heat transfer holder is a single, interwoven structure made of this highly pure material, with side rings and a base of uniform thickness.
2. ตัวยึดส่งผ่านความร้อนเบ้าหลอม ตามที่ระบุ ไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่ง ฐานจะยึด โดยตรงกับ ฐานของเตาเผา ที่ใช้สร้างคริสตัล2. The heat transfer crucible holder, as specified in Claim 1, whose base is directly attached to the base of the furnace used for crystal formation.
3. ตัวยึดส่งผ่านความร้อนเบ้าหลอม ตามที่ระบุไว้ ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่ง ความ หนาของฐาน และแหวน ด้านข้างจะอยู่ระหว่างประมาณ 0.12 นิ้ว และประมาณ 0.35 นิ้ว3. Heat transfer crucible holder as specified in claim 1, where the thickness of the base and side ring shall be between approximately 0.12 inches and approximately 0.35 inches.
4. ตัวยึดส่งผ่านความร้อนเบ้าหลอม ตามที่ระบุไว้ในข้อ ถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่ง ส่วน ประกอบที่บริสุทธิ์สูงจะจัด ให้มีการส่งผ่านความร้อนอย่างสม่ำเสมอ จากด้าน นอกของตัวยึดส่ง ผ่านความร้อนดังกล่าว ไปยังเบ้า หลอมที่รองรับส่วนหลอมเหลว4. The crucible heat transfer holder, as specified in Reputation 1, whereby a highly pure component shall be provided to uniformly transfer heat from the outside of such heat transfer holder to the crucible holding the molten material.
5. ตัวยึดส่งผ่านความร้อน ตามที่ระบุไว้ในข้อถือ สิทธิข้อ 1 ที่ซึ่ง เคลือบทนไฟ เลือกจากกลุ่มที่ประกอบ ด้วย คาร์ไบด์, บอไรด์ และไนไทร์ด5. Heat transfer medium as specified in Patent 1, whereby refractory coatings are selected from groups consisting of carbides, borides and nitrides.
6. ตัวยึดส่งผ่านความร้อน ตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิ์ ข้อ 1 ที่มีส่วนเคลือบทนไฟ เลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วย ซิลิคอน คาร์ไบด์, ซิลิคอน ไนไทรด์, โบรอน ไนไทรด์, ไพโรโลติก โบรอน ไนไทรด์ และซิลิคอน คาร์ไบด์6. Heat transfer binders, as specified in Claim 1, with refractory coatings, shall be selected from a group consisting of silicon carbide, silicon nitride, boron nitride, pyrolytic boron nitride, and silicon carbide.
7. ตัวยึดส่งผ่านความร้อน ตามที่ระบุไว้ในข้อถือ สิทธิข้อ 1 ที่ซึ่ง โลหะที่เจืออยู่ เป็นโลหะประเภท Ag, Al, Ba, Be, Ca, Cd, Co, Cr, Cu, Fe, K, Mg, Mn, Mo, Na, N, P, Pb, Sr, V และ Zn7. Heat transfer media as defined in Reputation 1, where the alloy is of the following types: Ag, Al, Ba, Be, Ca, Cd, Co, Cr, Cu, Fe, K, Mg, Mn, Mo, Na, N, P, Pb, Sr, V, and Zn.
8. ตัวยึดส่งผ่านความร้อนเบ้าหลอม ตามที่ระบุไว้ใน ข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่ง ส่วน ประกอบที่บริสุทธิ์สูงดังกล่าว จะมีส่วนเจือของโลหะน้อยกว่าประมาณ 5 ส่วนในหนึ่ง ล้านส่วน8. Heat transfer crucible holder as specified in Claim 1, where such high-purity components contain less than approximately 5 parts per million of metallic impurities.
9. ตัวยึดส่งผ่านความร้อน ตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิ ข้อ 1 ที่ซึ่ง ส่วนประกอบ ที่บริสุทธิ์สูงดังกล่าว มีการ เจือของโลหะต่ำกว่าจุดจำกัดของการตรวจพบด้วย เครื่องพลาสมา สเปคโตรสโคปี้ ที่เชื่อมต่อแบบเหนี่ยว นำสำหรับโลหะ Ag ,Al, Ba, Be, Ca, Cd, Co, Cr, Cu, K, Mg, Mn,Mo, Na, Ni,P, Pb, Sr และ Zn9. Heat transfer media as specified in Claim 1, where such high-purity components have metal alloying below the undetectable limit by induction-coordinated plasma spectroscopy for the metals Ag, Al, Ba, Be, Ca, Cd, Co, Cr, Cu, K, Mg, Mn, Mo, Na, Ni, P, Pb, Sr, and Zn.
10. ตัวยึดส่งผ่านความร้อนเบ้าหลอม ตามที่ระบุ ไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่ง ส่วน ประกอบที่บริสุทธิ์สูจะมี แรงยึดต้านแรงดึงขาดประมาณ 25 ถึงประมาณ 100 ksi และค่ามอดูลัส ของแรงดึงประมาณ 3 ถึงประมาณ 30 msi10. Heat transfer crucible holders, as specified in Reputation 1, where the pure components have a tensile strength of approximately 25 to approximately 100 ksi and a tensile modulus of approximately 3 to approximately 30 msi.
11. ตัวยึดส่งผ่านความร้อนเบ้าหลอม ตามที่ระบุไว้ใน ข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่ง ส่วน ประกอบที่บริสุทธิ์สูง จะมีแรง ยึดต้านการบิดตัว ที่ประมาณ 15 ถึงประมาณ 60 ksi และแรงยึด ต้านการบีบอัดประมาณ 10 ถึงประมาณ 50 ksi11. Heat transfer crucible holders, as specified in Claim 1, where the high-purity components will have torsional strength of approximately 15 to approximately 60 ksi and compressive strength of approximately 10 to approximately 50 ksi.
12. ตัวยึดส่งผ่านความร้อนเบ้าหลอม ตามที่ระบุไว้ ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่ง ส่วน ประกอบที่บริสุทธิ์สูง จะมี ความเหนียวต้านการแตกหักที่วัดด้วยวิธีใช้แรงแบบไฮ ซอค ที่ประมาณ 5 ถึงประมาณ 25 ฟุต ปอนด์/นิ้ว12. Heat transfer crucible holders, as specified in Reputation 1, whereby the high-purity components shall have fracture toughness measured by the high shock method of approximately 5 to approximately 25 foot-pounds/inch.
13. ตัวส่งผ่านความร้อนเบ้าหลอม ตามที่ระบุไว้ใน ข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่ง ส่วน ประกอบที่บริสุทธิ์สูง จะมีค่า สัมประสิทธิ์ของการขยายตัวด้วยมวลความร้อนแบบระนาบ เดียว จากศูนย์ถึงประมาณ 2x106 และค่าสัมประสิทธิ์ของ การขยายตัวด้วยมวลความร้อนแบบสานไขว้ จากประมาณ 6 ถึงประมารณ 10x10613. The crucible heat transfer medium, as specified in Claim 1, shall have a high purity component with a soleplanar thermal expansion coefficient ranging from zero to approximately 2x10⁶ and a cross-linked thermal expansion coefficient ranging from approximately 6 to approximately 10x10⁶.
14. ตัวยึดส่งผ่านความร้อนเบ้าหลอม ตามที่ระบุไว้ใน ข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่ง ส่วน ประกอบที่บริสุทธิ์สูงมีค่าสัม ประสิทธิ์ ของการขยายตัวด้วยมวลความร้อน แบบระนาบ เดียว ประมาณ 1.4x10614. Heat transfer crucible holder as specified in Claim 1, where the highly pure component has a planar thermal expansion coefficient of approximately 1.4 x 10⁶.
15. ตัวยึดส่งผ่านความร้อนเบ้าหลอม ตามที่ระบุไว้ใน ข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่ง ส่วน ประกอบที่บริสุทธิ์สูงมีการ นำมวลความร้อนแบบระนาบเดี่ยวประมาณ 20 ถึง ประมาณ 500 w/mk และการนำมวลความร้อนแบบ สานไขว้ประมาณ 5 ถึงประมาณ 200 W/mk15. Heat transfer crucible holders as specified in Claim 1, where the highly pure components exhibit uniplanar thermal conductivity of approximately 20 to approximately 500 W/mk and crisscross thermal conductivity of approximately 5 to approximately 200 W/mk.
16. ตัวยึดส่งผ่านความร้อนเบ้าหลอม ตามที่ระบุ ไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่ง ส่วน ประกอบที่บริสุทธิ์ สูงจะมีการนำมวลความร้อนประมาณ 100 W/mk16. Heat transfer crucible holder as specified in claim 1, where the highly pure component will have a thermal conductivity of approximately 100 W/mk.
17. ตัวยึดส่งผ่านความร้อน ตามที่ระบุไว้ในข้อถือ สิทธิข้อ 1 ที่ซึ่ง ส่วนประกอบที่ บริสุทธิ์สูง จะมีการ ปล่อยมวลความร้อนที่ประมาณ 0.4 ถึงประมาณ 0.817. Heat transfer media as specified in Complaint 1, whereby a highly pure component will release a thermal mass of approximately 0.4 to approximately 0.8.
18. ตัวยึดส่งผ่านความร้อน ตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิ ข้อ 1 ที่ซึ่ง ส่วนประกอบที่ บริสุทธิ์สูง มีการปล่อยมวล ความร้อนประมาณ 0.5218. Heat transfer medium as specified in Claim 1, where a highly pure component releases a thermal mass of approximately 0.52.
19. ตัวยึดส่งผ่านความร้อน ตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิ ข้อ 1 ที่ซึ่ง ความต้านทาน ทางไฟฟ้าประมาณ 1x10-4 ถึงประมาณ 1x10-2 โอห์ม-ซม.19. Heat transfer fixture as specified in Claim 1, where electrical resistance is approximately 1x10-4 to approximately 1x10-2 ohm-cm.
20. กระบวนการสร้างคริสตัลแบบชิ้นเดียว เพื่อใช้ ดึงแท่งคริสตัลเดี่ยวออกจากวัสดุ คริสตัลเหลว ที่รวมถึง การจัดให้มีวัสดุคริสตัลเหลวในเบ้าหลอม และ การยึดเบ้าหลอมแนบกับตัวยึดส่งผ่านความร้อน เบ้าหลอม ตามที่ระบุไว้ใน ข้อถือสิทธิข้อ 120. A single-piece crystal fabrication process for extracting individual crystal rods from liquid crystal material, including the placement of liquid crystal material in a crucible and the attachment of the crucible to a heat transfer holder as specified in Claim 1.
21. กระบวนการ ตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 20 ที่ซึ่งรวมถึง การตั้งตัวยึดส่ง ผ่านความร้อนเบ้า หลอมไว้บนฐานของเตาเผาสร้างคริสตัลโดยตรง21. The process as specified in Claim 20, which includes setting the heat transfer crucible directly on the base of the crystallization furnace.
22. กระบวนการ ตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 20 ที่ซึ่ง วัสดุคริสตัลจะเลือกจาก กลุ่มที่ประกอบด้วย แซฟไฟร์, ซิลิคอน, แกลเลียม อาร์เซไนด์ และแคดเมียม ซิงค์ เทลเลอไรด์22. The process as specified in claim 20, whereby the crystal material shall be selected from a group comprising sapphire, silicon, gallium arsenide, and cadmium zinc telluride.
23. กระบวนการสร้างคริสตัลแบบซอคราลสตี้ เพื่อใช้ ดึงแท่งกึ่งตัวนำออกวัสดุ เหลวกึ่งตัวนำ ที่รวมถึง การจัดให้มีวัสดุกึ่งตัวนำหลอมเหลวในเบ้าหลอม ควอร์ท และ การยึ ดเบ้าหลอมแนบกับตัวยึดส่งผ่านความร้อน เบ้าหลอม ตามที่ระบุไว้ใน ข้อถือสิทธิข้อ 123. A socratic crystallization process for drawing semiconductor rods from molten semiconductor material, including the provision of molten semiconductor material in a quartz crucible and the attachment of the crucible to a heat transfer crucible holder as specified in Claim 1.
24. กระบวนการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 23 ที่ซึ่ง รวมถึงการตั้งตัวยึดส่งผ่าน ความร้อนเบ้าหลอม ไว้บนฐานของเตาเผาสร้างคริสตัล แบบซอคราลสตี้24. The process as specified in claim 23, which includes the placement of a heat transfer crucible holder on the base of a Socrasty crystallization furnace.
25. กระบวนการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 23 ที่ซึ่ง แท่งกึ่งตัวนำเป็นแท่ง ซิลิคอน ที่รวมถึงการตัด แท่งซิลิคอนเป็นเวเฟอร์ของซิลิคอน และรวมต่อไป ถึงการจัดให้มีเวเฟอร์ ของซิลิคอนดังกล่าว โดยมีช่วง เวลาการหยุดผ่านกระแสไฟฟ้ามากกว่า 300 ไมโคร เซคกั้น25. The process specified in claim 23, in which the semiconductor ingot is a silicon ingot, includes cutting the silicon ingot into silicon wafers and further includes providing such silicon wafers with a current interruption time greater than 300 microseconds.
26. กระบวนการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 23 ที่ซึ่ง แท่งกึ่งตัวนำเป็นแท่ง ซิลิคอนที่รวมถึงการตัดแท่ง ซิลิคอนออกเป็นเวเฟอร์ของซิลิคอน และรวมต่อไป ถึงการจัดให้มีผล ผลิตมากกว่า 68% ของเวเฟอร์กึ่ง ตัวนำซิลิคอนที่ดีสำหรับทำเป็นโครงสร้าง26. The process specified in claim 23, in which the silicon semiconductor ingot is cut into silicon wafers, and further includes the production of more than 68% of silicon semiconductor wafers suitable for structural use.
27. กระบวนการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 23 ที่ซึ่ง สารกึ่งตัวนำจะเลือกจาก กลุ่มที่ประกอบด้วย ซิลิคอน, แกลเลียม อาร์เซไนด์ และแคดเมียม ซิงค์ เทลเลอไรด์27. The process specified in claim 23, in which a semiconductor is selected from a group consisting of silicon, gallium arsenide, and cadmium zinc telluride.