TH21633A - " วิธีการผลิตส่วนประกอบซีโซอิเล็กตริกแบบเรโซแนนซ์ " - Google Patents
" วิธีการผลิตส่วนประกอบซีโซอิเล็กตริกแบบเรโซแนนซ์ "Info
- Publication number
- TH21633A TH21633A TH9501001789A TH9501001789A TH21633A TH 21633 A TH21633 A TH 21633A TH 9501001789 A TH9501001789 A TH 9501001789A TH 9501001789 A TH9501001789 A TH 9501001789A TH 21633 A TH21633 A TH 21633A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- around
- film
- production method
- organic
- organic silicon
- Prior art date
Links
Abstract
ของผสมซิลิคอนที่เป็นสารอินทรีย์ 10 ตัวหนึ่งจะถูกป้อนรอบขั้วไฟฟ้าสั่นสะเทือน 3a และ 3b ขององค์ประกอบเรโซแนนซ์แบบพีโซอิเล็กตริก 1 อันของผสมชนิดหนึ่ง อาทิเช่น ซิเลน คลอโรซิเลน ซิลาเซน ซิลเธียม ซิล็อกเซน ไซโคลซิเลน ไซโคลซิลาเซนไซโคลซิลเธียน ไซโคลซิลอกเซน ซิลานอน หรือเมตัลโลซิลิโคนจะถูกใช้ในรปขอผสมซิลิคอนที่เป็นสารอินทรีย์ 10 ตัวอย่างเช่น รอบองค์ประกอบเรโซแนนซ์แบบพีโซอิเล็กตริก 1 และของผสมซิลิคอนที่เป็นสารอินทรีย์ 10 ยางเรซินที่แข็งตัวด้วยรังสีอุลตราไวโอเล็ท ชนิดหนึ่งจะถูกป้อน และยางเรซินที่แข็งตัวด้วยรังสีอุลตร้าไวเล็ท จะถูกบ่ม โดยส่วนนั้น แผ่นฟิล์มที่ของไหลซึมผ่านได้ 11 แผ่นหนึ่งจะถูกสร้างขึ้นโพรง 12 จะถูกสร้างขึ้นรอบขั้วไฟฟ้าสั่นสะเทือน 3a และ 3b โดยการทำให้ของผสมซิลิคอนที่เป็นสารอินทรีย์ 10 กระจายผ่านแผ่นฟิล์ม 11 ไปยังด้านนอก ตัวอย่างเช่นยางเรซินสังเคราะห์สำหรับเคลือบด้านนอก ชนิดหนึ่งจะถูกรอบแผ่นฟิล์ม 11 และยางเรซินสังเคราะห์ สำหรับเคลือบด้านนอก จะถูกบ่ม โดยส่วนนั้น วัสดุเคลือบด้านนอก 13 ชนิดหนึ่งจะถูกสร้างขึ้น
Claims (5)
1. วิธีการผลิต ส่วนประกอบพีโซอิเล็กตริกแบบเรโซแนนซ์ ซึ่งมีโพรงที่ถูกสร้างขึ้นรอบขั้วไฟฟ้า สั่นสะเทือน ขั้วหนึ่งขององค์ประกอบเรโซแนนซ์แบบพีโซอิเล็กตริก ซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของ การใส่สารประกอบซิลิคอนที่เป็นสารอินทรีย์ตัวหนึ่ง รอบขั้วไฟฟ้าสั่นสะเทือนดังกล่าว ขององค์ประกอบเรโซแนนซ์แบบมีพีโซอิเล็กตริก ดังกล่าว การสร้างแผ่นฟิล์มแผ่นหนึ่งรอบองค์ประกอบเรโซแนนซ์แบบมีพิโซอิเล็กตริกดังกล่าว และสารประกอบซิลิคอนที่เป็นสารอินทรีย์ดังกล่าว สร้างโพรงดังกล่าว โดยการกระจายสารประกอบซิลิคอนที่เป็นสารอินทรีย์ดังกล่าว ผ่านแผ่นฟิล์มดังกล่าวไปยังด้านนอก และสร้างสารเคลือบด้านนอกชนิดหนึ่งรอบแผ่นฟิล์มดังกล่าว
2. วิธีการผลิต ส่วนประกอบพีโซอิเล็กตริกแบบเรโซแนนซ์ตัวหนึ่ง ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 โดยที่ขั้นตอนการใส่สารประกอบซิลิคอนที่เป็นสารอินทรีย์ดังกล่าว รวมถึงขั้นตอนของการใส่สารประกอบอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่เลือกได้จากหมู่ที่ประกอบด้วย ซิเลน คลอโรซิเลน ซิลาเชน ซิลเธียน ซิล็อกเซน ไซโคลซิเลน ไซโคลวิลาเชน ไซโคลซิลเธียน ไซโคลซิลอกเซน ชิลานอนและเมตัลโลซิลิโคน
3. วิธีการผลิต ส่วนประกอบพีโซอิเล็กตริกแบบเรโซแนนซ์ตัวหนึ่ง ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 โดยที่ขั้นตอนการก่อรูปของฟิล์มดังกล่าวรวมถึงขั้นตอนของการใส่ยางเรซินที่แข็งตัวด้วยรังสีอุลตร้าไวโอเล็มชนิดหนึ่งรอบองค์ประกอบเรโซแนนซ์แบบมีพีโซอิเล็กตริกดังกล่าว และสารประกอบซิลิคอนที่เป็นสาร อินทรีย์ดังกล่าว และการบ่มยางเรซินที่แข็งตัวด้วยรังสีอุลตร้าไวโอเล็ทดังกล่าว
4. วิธีการผลิต ส่วนประกอบพีโซอิเล็กตริกแบบเรโซแนนซ์ตัวหนึ่ง ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 โดยที่ขั้นตอนของการก่อรูปโพรงดังกล่าว รวมถึงขั้นตอนของการระเหยสารประกอบซิลิคอนที่เป็นสารอินทรีย์ดังกล่าว
5. วิธีการผลิต ส่วนประกอบพีโซอิเล็กตริกแบบเรโซแนนซ์ตัวหนึ่ง ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 โดยที่ขั้นตอนการก่อรูปสารเคลือบต้านนอกดังกล่าว รวมถึงขั้นตอนของการยางเรซินสังเคราะห์สำหรับเคลือบด้านนอก ชนิดหนึ่งรอบแผ่นฟิล์มดังกล่าว และการบ่มเรซินสังเคราะห์สำหรับเคลือบด้านนอกดังกล่าว
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH21633A true TH21633A (th) | 1996-11-05 |
| TH8024B TH8024B (th) | 1998-05-13 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE19627220C2 (de) | Thiolsilane, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung | |
| US6068801A (en) | Method for making elastic bumps from a wafer mold having grooves | |
| EP1003210A3 (en) | A method of forming coatings | |
| DE3780416T2 (de) | Platin- und rhodiumkatalysierte bildung von keramischen multischichten bei niedriger temperatur. | |
| KR920001620A (ko) | 반도체장치 및 그의 제조방법 | |
| FR2787350B1 (fr) | Vitrage a revetement mesoporeux fonctionnel, notamment hydrophobe | |
| DE69007938T2 (de) | Aluminiumnitrid enthaltende einzelne und mehrlagige Beschichtungen. | |
| WO2001062400A3 (en) | Precision fabrication of diverse polymer microstructures by use of the hydrophobic effect | |
| KR940012533A (ko) | 박막형성장치 | |
| DE59904340D1 (de) | Verfahren zur herstellung optischer mehrschichtsysteme | |
| CA2293356A1 (en) | Method of forming hydrophilic inorganic coating film and inorganic coating composition | |
| WO1998050599A3 (de) | Quarzglas-bauteil für ein reaktorgehäuse sowie herstellungsverfahren und anwendung dafür | |
| ATE268735T1 (de) | Herstellung von kombinatorischen arrays von materialen durch methoden der synthese in lösung | |
| KR970027019A (ko) | 전자장치 보호용 피복물 | |
| KR940010342A (ko) | 실린더형 전극을 가지는 반도체 장치의 제조 방법 | |
| CN1065692C (zh) | 压电共振部件的制造方法 | |
| TH21633A (th) | " วิธีการผลิตส่วนประกอบซีโซอิเล็กตริกแบบเรโซแนนซ์ " | |
| EP0740143B1 (de) | Schwingquarzsensor | |
| TH8024B (th) | " วิธีการผลิตส่วนประกอบซีโซอิเล็กตริกแบบเรโซแนนซ์ " | |
| WO2003031499A3 (de) | Photochemisch und/oder thermisch strukturierbare harze auf silanbasis, einstufiges verfahren zu deren herstellung, dabei einsetzbare ausgangsverbindungen und herstellungsverfahren für diese | |
| JP2008203831A (ja) | 光学マイクロ技術化合物内のキャビティを流体材料で充填する方法 | |
| ATE362651T1 (de) | Dielektrische filme von organohydridosiloxan- harzen | |
| DE69919036D1 (de) | Herstellungsverfahren eines vibrationsstrukturkreisels | |
| DE69227437D1 (de) | Verfahren zur Herstellung von anorganischen Membranen durch chemische Infiltration von metallorganischen Verbindungen aus der Dampfphase | |
| DE19736090B4 (de) | Bauelement mit Schutzschicht und Verfahren zur Herstellung einer Schutzschicht für ein Bauelement |