TH8024B - " วิธีการผลิตส่วนประกอบซีโซอิเล็กตริกแบบเรโซแนนซ์ " - Google Patents
" วิธีการผลิตส่วนประกอบซีโซอิเล็กตริกแบบเรโซแนนซ์ "Info
- Publication number
- TH8024B TH8024B TH9501001789A TH9501001789A TH8024B TH 8024 B TH8024 B TH 8024B TH 9501001789 A TH9501001789 A TH 9501001789A TH 9501001789 A TH9501001789 A TH 9501001789A TH 8024 B TH8024 B TH 8024B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- around
- film
- outer coating
- resonant
- production method
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract 7
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims abstract 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract 5
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims abstract 4
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims abstract 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract 3
- ICSWLKDKQBNKAY-UHFFFAOYSA-N 1,1,3,3,5,5-hexamethyl-1,3,5-trisilinane Chemical compound C[Si]1(C)C[Si](C)(C)C[Si](C)(C)C1 ICSWLKDKQBNKAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 claims abstract 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 4
- HBGPNLPABVUVKZ-POTXQNELSA-N (1r,3as,4s,5ar,5br,7r,7ar,11ar,11br,13as,13br)-4,7-dihydroxy-3a,5a,5b,8,8,11a-hexamethyl-1-prop-1-en-2-yl-2,3,4,5,6,7,7a,10,11,11b,12,13,13a,13b-tetradecahydro-1h-cyclopenta[a]chrysen-9-one Chemical compound C([C@@]12C)CC(=O)C(C)(C)[C@@H]1[C@H](O)C[C@]([C@]1(C)C[C@@H]3O)(C)[C@@H]2CC[C@H]1[C@@H]1[C@]3(C)CC[C@H]1C(=C)C HBGPNLPABVUVKZ-POTXQNELSA-N 0.000 abstract 1
- PFRGGOIBYLYVKM-UHFFFAOYSA-N 15alpha-hydroxylup-20(29)-en-3-one Natural products CC(=C)C1CCC2(C)CC(O)C3(C)C(CCC4C5(C)CCC(=O)C(C)(C)C5CCC34C)C12 PFRGGOIBYLYVKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- SOKRNBGSNZXYIO-UHFFFAOYSA-N Resinone Natural products CC(=C)C1CCC2(C)C(O)CC3(C)C(CCC4C5(C)CCC(=O)C(C)(C)C5CCC34C)C12 SOKRNBGSNZXYIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
Abstract
ของผสมซิลิคอนที่เป็นสารอินทรีย์ 10 ตัวหนึ่งจะถูกป้อนรอบขั้วไฟฟ้าสั่นสะเทือน 3a และ 3b ขององค์ประกอบเรโซแนนซ์แบบพีโซอิเล็กตริก 1 อันของผสมชนิดหนึ่ง อาทิเช่น ซิเลน คลอโรซิเลน ซิลาเซน ซิลเธียม ซิล็อกเซน ไซโคลซิเลน ไซโคลซิลาเซนไซโคลซิลเธียน ไซโคลซิลอกเซน ซิลานอน หรือเมตัลโลซิลิโคนจะถูกใช้ในรปขอผสมซิลิคอนที่เป็นสารอินทรีย์ 10 ตัวอย่างเช่น รอบองค์ประกอบเรโซแนนซ์แบบพีโซอิเล็กตริก 1 และของผสมซิลิคอนที่เป็นสารอินทรีย์ 10 ยางเรซินที่แข็งตัวด้วยรังสีอุลตราไวโอเล็ท ชนิดหนึ่งจะถูกป้อน และยางเรซินที่แข็งตัวด้วยรังสีอุลตร้าไวเล็ท จะถูกบ่ม โดยส่วนนั้น แผ่นฟิล์มที่ของไหลซึมผ่านได้ 11 แผ่นหนึ่งจะถูกสร้างขึ้นโพรง 12 จะถูกสร้างขึ้นรอบขั้วไฟฟ้าสั่นสะเทือน 3a และ 3b โดยการทำให้ของผสมซิลิคอนที่เป็นสารอินทรีย์ 10 กระจายผ่านแผ่นฟิล์ม 11 ไปยังด้านนอก ตัวอย่างเช่นยางเรซินสังเคราะห์สำหรับเคลือบด้านนอก ชนิดหนึ่งจะถูกรอบแผ่นฟิล์ม 11 และยางเรซินสังเคราะห์ สำหรับเคลือบด้านนอก จะถูกบ่ม โดยส่วนนั้น วัสดุเคลือบด้านนอก 13 ชนิดหนึ่งจะถูกสร้างขึ้น
Claims (5)
1. วิธีการผลิต ส่วนประกอบพีโซอิเล็กตริกแบบเรโซแนนซ์ ซึ่งมีโพรงที่ถูกสร้างขึ้นรอบขั้วไฟฟ้า สั่นสะเทือน ขั้วหนึ่งขององค์ประกอบเรโซแนนซ์แบบพีโซอิเล็กตริก ซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของ การใส่สารประกอบซิลิคอนที่เป็นสารอินทรีย์ตัวหนึ่ง รอบขั้วไฟฟ้าสั่นสะเทือนดังกล่าว ขององค์ประกอบเรโซแนนซ์แบบมีพีโซอิเล็กตริก ดังกล่าว การสร้างแผ่นฟิล์มแผ่นหนึ่งรอบองค์ประกอบเรโซแนนซ์แบบมีพิโซอิเล็กตริกดังกล่าว และสารประกอบซิลิคอนที่เป็นสารอินทรีย์ดังกล่าว สร้างโพรงดังกล่าว โดยการกระจายสารประกอบซิลิคอนที่เป็นสารอินทรีย์ดังกล่าว ผ่านแผ่นฟิล์มดังกล่าวไปยังด้านนอก และสร้างสารเคลือบด้านนอกชนิดหนึ่งรอบแผ่นฟิล์มดังกล่าว
2. วิธีการผลิต ส่วนประกอบพีโซอิเล็กตริกแบบเรโซแนนซ์ตัวหนึ่ง ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 โดยที่ขั้นตอนการใส่สารประกอบซิลิคอนที่เป็นสารอินทรีย์ดังกล่าว รวมถึงขั้นตอนของการใส่สารประกอบอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่เลือกได้จากหมู่ที่ประกอบด้วย ซิเลน คลอโรซิเลน ซิลาเชน ซิลเธียน ซิล็อกเซน ไซโคลซิเลน ไซโคลวิลาเชน ไซโคลซิลเธียน ไซโคลซิลอกเซน ชิลานอนและเมตัลโลซิลิโคน
3. วิธีการผลิต ส่วนประกอบพีโซอิเล็กตริกแบบเรโซแนนซ์ตัวหนึ่ง ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 โดยที่ขั้นตอนการก่อรูปของฟิล์มดังกล่าวรวมถึงขั้นตอนของการใส่ยางเรซินที่แข็งตัวด้วยรังสีอุลตร้าไวโอเล็มชนิดหนึ่งรอบองค์ประกอบเรโซแนนซ์แบบมีพีโซอิเล็กตริกดังกล่าว และสารประกอบซิลิคอนที่เป็นสาร อินทรีย์ดังกล่าว และการบ่มยางเรซินที่แข็งตัวด้วยรังสีอุลตร้าไวโอเล็ทดังกล่าว
4. วิธีการผลิต ส่วนประกอบพีโซอิเล็กตริกแบบเรโซแนนซ์ตัวหนึ่ง ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 โดยที่ขั้นตอนของการก่อรูปโพรงดังกล่าว รวมถึงขั้นตอนของการระเหยสารประกอบซิลิคอนที่เป็นสารอินทรีย์ดังกล่าว
5. วิธีการผลิต ส่วนประกอบพีโซอิเล็กตริกแบบเรโซแนนซ์ตัวหนึ่ง ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 โดยที่ขั้นตอนการก่อรูปสารเคลือบต้านนอกดังกล่าว รวมถึงขั้นตอนของการยางเรซินสังเคราะห์สำหรับเคลือบด้านนอก ชนิดหนึ่งรอบแผ่นฟิล์มดังกล่าว และการบ่มเรซินสังเคราะห์สำหรับเคลือบด้านนอกดังกล่าว
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH21633A TH21633A (th) | 1996-11-05 |
| TH8024B true TH8024B (th) | 1998-05-13 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4526805A (en) | Film-fabricating method and apparatus for the same | |
| FR2787350B1 (fr) | Vitrage a revetement mesoporeux fonctionnel, notamment hydrophobe | |
| ID21779A (id) | Bahan-bahan komposit | |
| DE3170422D1 (en) | Method of manufacturing amorphous silicon films | |
| WO1997002270A1 (de) | Thiolsilane, verfahren zu deren herstellung und deren verwendung | |
| ATE268735T1 (de) | Herstellung von kombinatorischen arrays von materialen durch methoden der synthese in lösung | |
| NO175865C (no) | Fremgangsmåte for fremstilling av ripefaste overtrekk | |
| KR920004291A (ko) | 실리카 유리 기재의 제조방법 | |
| KR930017844A (ko) | 무늬를 넣은 성형체의 제조방법 | |
| TH8024B (th) | " วิธีการผลิตส่วนประกอบซีโซอิเล็กตริกแบบเรโซแนนซ์ " | |
| EP0740143B1 (de) | Schwingquarzsensor | |
| PT84030B (pt) | Processo de preparacao de novos materiais compositos formados por um conjunto fibras-matriz de fibras estritamente posicionadas e orientadas | |
| TH21633A (th) | " วิธีการผลิตส่วนประกอบซีโซอิเล็กตริกแบบเรโซแนนซ์ " | |
| AU2497600A (en) | Dielectric films from organohydridosiloxane resins | |
| DE69919036D1 (de) | Herstellungsverfahren eines vibrationsstrukturkreisels | |
| FI103267B (fi) | Menetelmä putkiyhteen valmistamiseksi ja putkiyhde | |
| DE2818036A1 (de) | Gegen werkstoffermuedung geschuetzter lichtleiter | |
| EP0802218B1 (de) | Verwendung eines Verbundsystems mit einer Aromabarriere- oder einer Riechstoffbarriereschicht | |
| EP0717451A3 (en) | Photovoltaic element | |
| IT1202536B (it) | Fosfiti organici resistenti all'idrolisi e procedimento per la loro preparazione | |
| KR960032103A (ko) | 전자 사진 광수용체용 기체 및 그의 제조 방법 | |
| BR9307749A (pt) | Material para embalagem processo e aparelho para produzir material para embalagem | |
| US4910111A (en) | Electrophotographic photoreceptor comprising amorphous silicon layer coated with amorphous inorganic material | |
| JPS5762613A (en) | Electronic parts and their production | |
| JPS55124244A (en) | Method of fabricating chip component |