TH8024B - "Method for manufacturing resonance dielectric components" - Google Patents
"Method for manufacturing resonance dielectric components"Info
- Publication number
- TH8024B TH8024B TH9501001789A TH9501001789A TH8024B TH 8024 B TH8024 B TH 8024B TH 9501001789 A TH9501001789 A TH 9501001789A TH 9501001789 A TH9501001789 A TH 9501001789A TH 8024 B TH8024 B TH 8024B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- around
- film
- outer coating
- resonant
- production method
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract 7
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims abstract 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract 5
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims abstract 4
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims abstract 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract 3
- ICSWLKDKQBNKAY-UHFFFAOYSA-N 1,1,3,3,5,5-hexamethyl-1,3,5-trisilinane Chemical compound C[Si]1(C)C[Si](C)(C)C[Si](C)(C)C1 ICSWLKDKQBNKAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 claims abstract 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 4
- HBGPNLPABVUVKZ-POTXQNELSA-N (1r,3as,4s,5ar,5br,7r,7ar,11ar,11br,13as,13br)-4,7-dihydroxy-3a,5a,5b,8,8,11a-hexamethyl-1-prop-1-en-2-yl-2,3,4,5,6,7,7a,10,11,11b,12,13,13a,13b-tetradecahydro-1h-cyclopenta[a]chrysen-9-one Chemical compound C([C@@]12C)CC(=O)C(C)(C)[C@@H]1[C@H](O)C[C@]([C@]1(C)C[C@@H]3O)(C)[C@@H]2CC[C@H]1[C@@H]1[C@]3(C)CC[C@H]1C(=C)C HBGPNLPABVUVKZ-POTXQNELSA-N 0.000 abstract 1
- PFRGGOIBYLYVKM-UHFFFAOYSA-N 15alpha-hydroxylup-20(29)-en-3-one Natural products CC(=C)C1CCC2(C)CC(O)C3(C)C(CCC4C5(C)CCC(=O)C(C)(C)C5CCC34C)C12 PFRGGOIBYLYVKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- SOKRNBGSNZXYIO-UHFFFAOYSA-N Resinone Natural products CC(=C)C1CCC2(C)C(O)CC3(C)C(CCC4C5(C)CCC(=O)C(C)(C)C5CCC34C)C12 SOKRNBGSNZXYIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
Abstract
ของผสมซิลิคอนที่เป็นสารอินทรีย์ 10 ตัวหนึ่งจะถูกป้อนรอบขั้วไฟฟ้าสั่นสะเทือน 3a และ 3b ขององค์ประกอบเรโซแนนซ์แบบพีโซอิเล็กตริก 1 อันของผสมชนิดหนึ่ง อาทิเช่น ซิเลน คลอโรซิเลน ซิลาเซน ซิลเธียม ซิล็อกเซน ไซโคลซิเลน ไซโคลซิลาเซนไซโคลซิลเธียน ไซโคลซิลอกเซน ซิลานอน หรือเมตัลโลซิลิโคนจะถูกใช้ในรปขอผสมซิลิคอนที่เป็นสารอินทรีย์ 10 ตัวอย่างเช่น รอบองค์ประกอบเรโซแนนซ์แบบพีโซอิเล็กตริก 1 และของผสมซิลิคอนที่เป็นสารอินทรีย์ 10 ยางเรซินที่แข็งตัวด้วยรังสีอุลตราไวโอเล็ท ชนิดหนึ่งจะถูกป้อน และยางเรซินที่แข็งตัวด้วยรังสีอุลตร้าไวเล็ท จะถูกบ่ม โดยส่วนนั้น แผ่นฟิล์มที่ของไหลซึมผ่านได้ 11 แผ่นหนึ่งจะถูกสร้างขึ้นโพรง 12 จะถูกสร้างขึ้นรอบขั้วไฟฟ้าสั่นสะเทือน 3a และ 3b โดยการทำให้ของผสมซิลิคอนที่เป็นสารอินทรีย์ 10 กระจายผ่านแผ่นฟิล์ม 11 ไปยังด้านนอก ตัวอย่างเช่นยางเรซินสังเคราะห์สำหรับเคลือบด้านนอก ชนิดหนึ่งจะถูกรอบแผ่นฟิล์ม 11 และยางเรซินสังเคราะห์ สำหรับเคลือบด้านนอก จะถูกบ่ม โดยส่วนนั้น วัสดุเคลือบด้านนอก 13 ชนิดหนึ่งจะถูกสร้างขึ้น One of the 10 organic silicon mixtures is fed around the vibrating electrodes 3a and 3b of one piezoelectric resonant element of a mixture, e.g. silane, chlorosilane. Lassen siltium siloxane cyclosilane cyclosilasencyclosylthian Cyclosiloxane, silicon or metallosilicon are used in organic silicon compounds 10, for example around piezoelectric resonant elements 1 and mixtures. Organic Silicon 10 Ultraviolet Cured Resin one type will be entered The ultraviolet-cured resin is cured. In that section, a 11-wall fluid-permeable film is formed, cavity 12 is formed around the vibration electrodes 3a and 3b. This causes the organic silicon mixture 10 to diffuse through the film 11 to the outside, for example, synthetic resin for the outer coating. One type is round film 11 and synthetic resin rubber. For the outer coating is cured, by which part 13 types of outer coating are created.
Claims (5)
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH21633A TH21633A (en) | 1996-11-05 |
| TH8024B true TH8024B (en) | 1998-05-13 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| MY118450A (en) | A method for manufacturing a piezoelectric resonant component | |
| ATE454365T1 (en) | GLAZING WITH MESOPOROUS FUNCTIONAL, ESPECIALLY WATER-REPELLENT COATING | |
| DE3170422D1 (en) | Method of manufacturing amorphous silicon films | |
| WO1997002270A1 (en) | Thiosilanes, process for their preparation, and their use | |
| ATE268735T1 (en) | PRODUCTION OF COMBINATORY ARRAYS OF MATERIALS BY METHODS OF SYNTHESIS IN SOLUTION | |
| KR920004291A (en) | Method for producing silica glass base | |
| DE3336064A1 (en) | METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING A LAYER ON A SUBSTRATE | |
| GR3035009T3 (en) | Composite materials | |
| KR930017844A (en) | Manufacturing method of patterned molded body | |
| WO1998050599A3 (en) | Quartz glass component for a reactor housing and method for its production and application | |
| ES482288A1 (en) | Reinforcing fibers and method of producing same corona treatment of thermoplastic fibers | |
| KR950007023A (en) | Semiconductor device and manufacturing method | |
| SE9903176L (en) | Process for the production of a laminated packaging material, packaging material produced according to this process, and packaging made from this packaging material | |
| BR8004333A (en) | COATING MASS FOR THE FORMATION OF SURFACE LAYERS, PROCESS FOR THE PRODUCTION OF CONNECTED LAYER MATERIAL | |
| TH8024B (en) | "Method for manufacturing resonance dielectric components" | |
| JPS558026A (en) | Semi-conductor device manufacturing method | |
| EP0740143B1 (en) | Quartz oscillator sensor | |
| TH21633A (en) | "Method for manufacturing resonance dielectric components" | |
| IE863406L (en) | Preparation of fibre-matrix composite materials | |
| FI963386A0 (en) | Process for modifying mass production polymers by metal-catalyzed ion polymerization | |
| AU2497600A (en) | Dielectric films from organohydridosiloxane resins | |
| PL348418A1 (en) | Method of manufacturing a vibrating structure gyroscope | |
| KR850003366A (en) | Method of forming a single laminated polarizing fiber | |
| EP0802218B1 (en) | Use of a composite with an aroma or a flavours barrier layer | |
| Lampert et al. | Nonlinear poisson-boltzmann theory for polyelectrolyte solutions: The counterion condensate around a line charge as a δ-function |