TH8024B - "Method for manufacturing resonance dielectric components" - Google Patents

"Method for manufacturing resonance dielectric components"

Info

Publication number
TH8024B
TH8024B TH9501001789A TH9501001789A TH8024B TH 8024 B TH8024 B TH 8024B TH 9501001789 A TH9501001789 A TH 9501001789A TH 9501001789 A TH9501001789 A TH 9501001789A TH 8024 B TH8024 B TH 8024B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
around
film
outer coating
resonant
production method
Prior art date
Application number
TH9501001789A
Other languages
Thai (th)
Other versions
TH21633A (en
Inventor
มานาบูซูมิทา นาย
มูเนยูกิไดได นาย
Original Assignee
นาย โรจน์วิทย์เปเรร่า
นาย ธเนศเปเรร่า
นายธเนศ เปเรร่า
นายธเนศ เปเรร่า นาย ธเนศเปเรร่า นาย โรจน์วิทย์เปเรร่า
Filing date
Publication date
Application filed by นาย โรจน์วิทย์เปเรร่า, นาย ธเนศเปเรร่า, นายธเนศ เปเรร่า, นายธเนศ เปเรร่า นาย ธเนศเปเรร่า นาย โรจน์วิทย์เปเรร่า filed Critical นาย โรจน์วิทย์เปเรร่า
Publication of TH21633A publication Critical patent/TH21633A/en
Publication of TH8024B publication Critical patent/TH8024B/en

Links

Abstract

ของผสมซิลิคอนที่เป็นสารอินทรีย์ 10 ตัวหนึ่งจะถูกป้อนรอบขั้วไฟฟ้าสั่นสะเทือน 3a และ 3b ขององค์ประกอบเรโซแนนซ์แบบพีโซอิเล็กตริก 1 อันของผสมชนิดหนึ่ง อาทิเช่น ซิเลน คลอโรซิเลน ซิลาเซน ซิลเธียม ซิล็อกเซน ไซโคลซิเลน ไซโคลซิลาเซนไซโคลซิลเธียน ไซโคลซิลอกเซน ซิลานอน หรือเมตัลโลซิลิโคนจะถูกใช้ในรปขอผสมซิลิคอนที่เป็นสารอินทรีย์ 10 ตัวอย่างเช่น รอบองค์ประกอบเรโซแนนซ์แบบพีโซอิเล็กตริก 1 และของผสมซิลิคอนที่เป็นสารอินทรีย์ 10 ยางเรซินที่แข็งตัวด้วยรังสีอุลตราไวโอเล็ท ชนิดหนึ่งจะถูกป้อน และยางเรซินที่แข็งตัวด้วยรังสีอุลตร้าไวเล็ท จะถูกบ่ม โดยส่วนนั้น แผ่นฟิล์มที่ของไหลซึมผ่านได้ 11 แผ่นหนึ่งจะถูกสร้างขึ้นโพรง 12 จะถูกสร้างขึ้นรอบขั้วไฟฟ้าสั่นสะเทือน 3a และ 3b โดยการทำให้ของผสมซิลิคอนที่เป็นสารอินทรีย์ 10 กระจายผ่านแผ่นฟิล์ม 11 ไปยังด้านนอก ตัวอย่างเช่นยางเรซินสังเคราะห์สำหรับเคลือบด้านนอก ชนิดหนึ่งจะถูกรอบแผ่นฟิล์ม 11 และยางเรซินสังเคราะห์ สำหรับเคลือบด้านนอก จะถูกบ่ม โดยส่วนนั้น วัสดุเคลือบด้านนอก 13 ชนิดหนึ่งจะถูกสร้างขึ้น One of the 10 organic silicon mixtures is fed around the vibrating electrodes 3a and 3b of one piezoelectric resonant element of a mixture, e.g. silane, chlorosilane. Lassen siltium siloxane cyclosilane cyclosilasencyclosylthian Cyclosiloxane, silicon or metallosilicon are used in organic silicon compounds 10, for example around piezoelectric resonant elements 1 and mixtures. Organic Silicon 10 Ultraviolet Cured Resin one type will be entered The ultraviolet-cured resin is cured. In that section, a 11-wall fluid-permeable film is formed, cavity 12 is formed around the vibration electrodes 3a and 3b. This causes the organic silicon mixture 10 to diffuse through the film 11 to the outside, for example, synthetic resin for the outer coating. One type is round film 11 and synthetic resin rubber. For the outer coating is cured, by which part 13 types of outer coating are created.

Claims (5)

1. วิธีการผลิต ส่วนประกอบพีโซอิเล็กตริกแบบเรโซแนนซ์ ซึ่งมีโพรงที่ถูกสร้างขึ้นรอบขั้วไฟฟ้า สั่นสะเทือน ขั้วหนึ่งขององค์ประกอบเรโซแนนซ์แบบพีโซอิเล็กตริก ซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของ การใส่สารประกอบซิลิคอนที่เป็นสารอินทรีย์ตัวหนึ่ง รอบขั้วไฟฟ้าสั่นสะเทือนดังกล่าว ขององค์ประกอบเรโซแนนซ์แบบมีพีโซอิเล็กตริก ดังกล่าว การสร้างแผ่นฟิล์มแผ่นหนึ่งรอบองค์ประกอบเรโซแนนซ์แบบมีพิโซอิเล็กตริกดังกล่าว และสารประกอบซิลิคอนที่เป็นสารอินทรีย์ดังกล่าว สร้างโพรงดังกล่าว โดยการกระจายสารประกอบซิลิคอนที่เป็นสารอินทรีย์ดังกล่าว ผ่านแผ่นฟิล์มดังกล่าวไปยังด้านนอก และสร้างสารเคลือบด้านนอกชนิดหนึ่งรอบแผ่นฟิล์มดังกล่าว1.Production method of resonant piezoelectric components In which there is a cavity created around the electrode vibrating, one of the electrodes of the pieelectric resonance element. Which consists of steps of Adding a silicon compound that is organic one Around the electrodes such a vibration. The construction of a sheet of film around the piezoelectric resonant element is shown in the following figure. And such organic silicon compounds Create such a niche By distributing such organic silicon compounds Through the film to the outside. And creates a kind of outer coating around the film. 2. วิธีการผลิต ส่วนประกอบพีโซอิเล็กตริกแบบเรโซแนนซ์ตัวหนึ่ง ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 โดยที่ขั้นตอนการใส่สารประกอบซิลิคอนที่เป็นสารอินทรีย์ดังกล่าว รวมถึงขั้นตอนของการใส่สารประกอบอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่เลือกได้จากหมู่ที่ประกอบด้วย ซิเลน คลอโรซิเลน ซิลาเชน ซิลเธียน ซิล็อกเซน ไซโคลซิเลน ไซโคลวิลาเชน ไซโคลซิลเธียน ไซโคลซิลอกเซน ชิลานอนและเมตัลโลซิลิโคน2.Production method of one resonant piezoelectric element According to claim No. 1, where the process of adding organic silicon compounds to This includes the process of adding at least one of the compounds selected from the group containing silane, chlorosilane, silachentilthia, siloxane, cyclosilane, cycloilacheno, cyclochhydia. Yon Cyclosiloxane Shilanon and Metallosilicone 3. วิธีการผลิต ส่วนประกอบพีโซอิเล็กตริกแบบเรโซแนนซ์ตัวหนึ่ง ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 โดยที่ขั้นตอนการก่อรูปของฟิล์มดังกล่าวรวมถึงขั้นตอนของการใส่ยางเรซินที่แข็งตัวด้วยรังสีอุลตร้าไวโอเล็มชนิดหนึ่งรอบองค์ประกอบเรโซแนนซ์แบบมีพีโซอิเล็กตริกดังกล่าว และสารประกอบซิลิคอนที่เป็นสาร อินทรีย์ดังกล่าว และการบ่มยางเรซินที่แข็งตัวด้วยรังสีอุลตร้าไวโอเล็ทดังกล่าว3.Production method of one resonant piezoelectric element According to claim 1, where the film-forming process includes the process of inserting a type of ultraviolet-cured resin around a piezoelectric resonant element. Such dielectric And compound silicon Such organic And curing resin cured with ultraviolet radiation. 4. วิธีการผลิต ส่วนประกอบพีโซอิเล็กตริกแบบเรโซแนนซ์ตัวหนึ่ง ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 โดยที่ขั้นตอนของการก่อรูปโพรงดังกล่าว รวมถึงขั้นตอนของการระเหยสารประกอบซิลิคอนที่เป็นสารอินทรีย์ดังกล่าว4.Production method of one resonant piezoelectric element According to claim No. 1, whereby the process of forming such a cavity Including the process of evaporation of silicon compounds that are organic substances 5. วิธีการผลิต ส่วนประกอบพีโซอิเล็กตริกแบบเรโซแนนซ์ตัวหนึ่ง ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 โดยที่ขั้นตอนการก่อรูปสารเคลือบต้านนอกดังกล่าว รวมถึงขั้นตอนของการยางเรซินสังเคราะห์สำหรับเคลือบด้านนอก ชนิดหนึ่งรอบแผ่นฟิล์มดังกล่าว และการบ่มเรซินสังเคราะห์สำหรับเคลือบด้านนอกดังกล่าว5.Production method of one resonant piezoelectric element According to claim No. 1, where the formation of the anti-outer coating Including the process of synthetic resin for outer coating One kind around the film And curing synthetic resin for such outer coating.
TH9501001789A 1995-07-25 "Method for manufacturing resonance dielectric components" TH8024B (en)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH21633A TH21633A (en) 1996-11-05
TH8024B true TH8024B (en) 1998-05-13

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
MY118450A (en) A method for manufacturing a piezoelectric resonant component
US4526805A (en) Film-fabricating method and apparatus for the same
ID21779A (en) COMPOSITE MATERIALS
DE3170422D1 (en) Method of manufacturing amorphous silicon films
WO1997002270A1 (en) Thiosilanes, process for their preparation, and their use
NO175865C (en) Process for making scratch-resistant coatings
DE69917914D1 (en) PRODUCTION OF COMBINATIONAL ARRAYS OF MATERIALS BY METHODS OF SYNTHESIS IN SOLUTION
EP1003210A3 (en) A method of forming coatings
KR930017844A (en) Manufacturing method of patterned molded body
KR950007023A (en) Semiconductor device and manufacturing method
TH8024B (en) "Method for manufacturing resonance dielectric components"
EP0740143B1 (en) Quartz oscillator sensor
PT84030B (en) PROCESS OF PREPARATION OF NEW COMPOSITE MATERIALS FORMED BY A FIBER MATRIX ASSEMBLY OF STRICTLY POSITIONED AND ORIENTED FIBERS
TH21633A (en) "Method for manufacturing resonance dielectric components"
FI963386A0 (en) Process for modifying mass production polymers by metal-catalyzed ion polymerization
AU2497600A (en) Dielectric films from organohydridosiloxane resins
PL348418A1 (en) Method of manufacturing a vibrating structure gyroscope
FI103267B (en) Process for making a pipe socket and pipe socket
KR830006827A (en) Process of manufacturing silicon-containing layer
DE2818036A1 (en) LIGHT GUIDE PROTECTED AGAINST MATERIAL CONDITIONS
EP0802218B1 (en) Use of a composite with an aroma or a flavours barrier layer
EP0717451A3 (en) Photovoltaic element
IT1202536B (en) ORGANIC PHOSPHITES RESISTANT TO HYDROLYSIS AND PROCEDURE FOR THEIR PREPARATION
EP0296702A3 (en) Method of forming semiconducting amorphous silicon films from the thermal decompositon of fluorohydridodisilanes
KR960032103A (en) Gases for electrophotographic photoreceptors and methods of making the same