TH21358B - การไบแอสตัวเซ็นเซอร์ความต้านทานแม่เหล็กแบบอิเลคทรอนิคส์ - Google Patents

การไบแอสตัวเซ็นเซอร์ความต้านทานแม่เหล็กแบบอิเลคทรอนิคส์

Info

Publication number
TH21358B
TH21358B TH9701002304A TH9701002304A TH21358B TH 21358 B TH21358 B TH 21358B TH 9701002304 A TH9701002304 A TH 9701002304A TH 9701002304 A TH9701002304 A TH 9701002304A TH 21358 B TH21358 B TH 21358B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
transistor
node
current
circuit
transducer
Prior art date
Application number
TH9701002304A
Other languages
English (en)
Other versions
TH28785A (th
Inventor
เบอร์อิน คลาสเซน นายคลาส
แวน เพ็พเพน นายจาโคบัส
Original Assignee
นางวรนุช เปเรร่า
นางสาวจุรีรัตน์ ตระการศรีสกุล
นางสาววิภา ชื่นใจพาณิชย์
นายธเนศ เปเรร่า
นายธเนศ เปเรร่า นางสาววิภา ชื่นใจพาณิชย์ นางวรนุช เปเรร่า นางสาวจุรีรัตน์ ตระการศรีสกุล
Filing date
Publication date
Application filed by นางวรนุช เปเรร่า, นางสาวจุรีรัตน์ ตระการศรีสกุล, นางสาววิภา ชื่นใจพาณิชย์, นายธเนศ เปเรร่า, นายธเนศ เปเรร่า นางสาววิภา ชื่นใจพาณิชย์ นางวรนุช เปเรร่า นางสาวจุรีรัตน์ ตระการศรีสกุล filed Critical นางวรนุช เปเรร่า
Publication of TH28785A publication Critical patent/TH28785A/th
Publication of TH21358B publication Critical patent/TH21358B/th

Links

Abstract

DC60 (30/01/41) เทคนิคของการไบแอสทรานส์ดิวเซอร์ต้านแม่เหล็กที่จัดให้มีการไบแอสทรานส์ ดิวเซอร์แบบเท่ากันในผลคูณ เทคนิคจะจัดให้มีการไบแอสสำหรับการกระจายพลังงานคงที่ ของทรานส์ดิวเซอร์ การไบแอสที่มีความหนาแน่นของกระแสของเซ็นเซอร์คงที่ แรงดัน ไบแอสของเซ็นเซอร์คงที่ การไบแอสโดยให้มีการเพิ่มของอุณหภูมิคงที่ และการไบแอส ด้วยค่าประสิทธิผลแม่เหล็กคงที่ของทรานส์ดิวเซอร์ เทคนิคของการไบแอสทรานส์ดิวเซอร์ต้านแม่เหล็กที่จัดให้มีการไบแอสทรานส์ ดิวเซอร์แบบเท่ากันในผลคูณ เทคนิคจะจัดให้มีการไบแอสสำหรับการกระจายพลังงานคงที่ ของทรานส์ดิวเซอร์ การไบแอสที่มีความหนาแน่นของกระแสของเซ็นเซอร์คงที่ แรงดัน ไบแอสของเซ็นเซอร์คงที่ การไบแอสโดยให้มีการเพิ่มของอุณหภูมิคงที่ และการไบแอส ด้วยค่าประสิทธิผลแม่เหล็กคงที่ของทรานส์ดิวเซอร์

Claims (2)

1. วงจรไบแอสสำหรับทรานส์ดิวเซอร์ต้านทานแม่เหล็ก (MR) ที่มีความต้านทานทั้งหมด RH, ความต้านทานของทรานส์ดิวเซอร์ MR ทั้งหมด RH ที่รวมถึงความต้านทานของเซ็นเซอร์ RS ความต้านทานของสาย RI และความต้านทานของด้านสายด้านหน้า Rf โดยวงจรไบแอส ประกอบด้วย วงจรสมมูลของทรานส์ดิวเซอร์ที่รวมถึงแหล่งของแรงดัน และความต้านทานของสัญญาณ ขาเข้า โดยแหล่งของแรงดันจะมีแรงดันตามที่กำหนด และความต้านทานของสัญญาณขาเข้าจะมี ความต้านทานที่สัมพันธ์กับความต้านทานของสาย RI ของทรานส์ดิวเซอร์ MR วงจรตรวจวัดความต่างที่มีสัญญาณขาเข้าที่หนึ่ง และที่สอง โดยสัญญาณขาเข้าที่หนึ่งจะ เชื่อมต่อกับทรานส์ดิวเซอร์ MR และสัญญาณขาเข้าที่สองจะเชื่อมต่อกับวงจรสมมูลของ ทรานส์ดิวเซอร์ โดยวงจรวัดความต่างจะตรวจวัดความต่างศักย์ของแรงดันระหว่างสัญญาณขาเข้า ที่หนึ่ง และที่สอง แหล่งของกระแสที่หนึ่งสนองตอบต่อวงจรตรวจวัดความต่างโดยให้กำเนิดกระแสไบแอส IB สำหรับทรานส์ดิวเซอร์ MR โดยแหล่งของกระแสที่หนึ่งเป็นแหล่งเดียวของกระแสไบแอส IB สำหรับทรานส์ดิวเซอร์ MR และ แหล่งของกระแสที่หนึ่งสนองตอบต่อวงจรตรวจวัดความต่างโดยให้กำเนิดกระแสควบคุมที่ เชื่อมต่อกับวงจรสมมูลของทรานส์ดิวเซอร์ โดยกระแสควบคุมจะเป็นสัดส่วนกับกระแสไบแอส IB ของทรานส์ดิวเซอร์ MR เพื่อว่าแรงดันที่กำหนดของแหล่งของแรงดันเท่ากับแรงดันตามที่กำหนด VB ที่ตกคร่อมความต้านทานของเซ็นเซอร์ Rs 2. วงจรไบแอสตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งวงจรไบแอสเป็นส่วนของวงจร อิเลคทรอนิคส์ของหัว MR /แขน (AE) 3. วงจรไบแอสตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 2 ที่ซึ่งวงจรหัว MR /AE เป็นส่วนของดิสค์ ไดร์ฟ 4. วงจรไบแอสตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งวงจรตรวจวัดความต่างจะรวมถึง ทรานซิสเตอร์ที่หนึ่ง และที่สองโดยแต่ละตัวจะมีโหนดที่หนึ่ง, ที่สอง และที่สาม โดยโหนดที่หนึ่ง ของทรานซิสเตอร์ที่หนึ่งจะเชื่อมต่อกับโหนดที่หนึ่ง และที่สามของทรานซิสเตอร์ที่สอง, โหนดที่ สองของทรานซิสเตอร์ที่หนึ่งจะเชื่อมต่อกับทรานส์ดิวเซอร์ MR และโหนดที่สองของทรานซิสเตอร์ ที่สองจะเชื่อมต่อกับวงจรสมมูลของทรานส์ดิวเซอร์ และ ที่ซึ่งแหล่งของกระแสที่หนึ่งจะรวมถึงทรานซิสเตอร์ที่สามที่มีโหนดที่หนึ่ง, ที่สอง และที่ สาม และแหล่งของกระแสที่สองจะรวมถึงทรานซิสเตอร์ที่สี่ที่มีโหนดที่หนึ่ง, ที่สอง และที่สาม โดย โหนดที่หนึ่ง และที่สามของทรานซิสเตอร์ที่สามจะเชื่อมต่อกับโหนดที่หนึ่งของทรานซิสเตอร์ที่สี่ เพื่อสร้างตัวสะท้อนกระแส, โหนดที่สามของทรานซิสเตอร์ที่สามจะเชื่อมต่อกับโหนดที่สามของ ทรานซิสเตอร์ที่หนึ่ง และโหนดที่สามของทรานซิสเตอร์ที่สี่จะเชื่อมต่อกับโหนดที่สามของ ทรานซิสเตอร์ที่สอง 5. วงจรไบแอสตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 4 ที่ซึ่งอัตราส่วนโดยพื้นที่ของทรานซิสเตอร์ ที่หนึ่งต่อทรานซิสเตอร์ที่สอง คือ N:1 และอัตราส่วนโดยพื้นที่ของทรานซิสเตอร์ที่สามต่อ ทรานซิสเตอร์ที่สี่ คือ N:1 6. วงจรไบแอสตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งวงจรตรวจวัดความต่างจะรวมต่อไป ถึงเอาท์พุท ที่ซึ่งแหล่งของกระแสที่หนึ่งจะรวมถึงทรานซิสเตอร์ที่หนึ่งที่มีโหนดที่หนึ่ง, ที่สอง และที่ สาม และแหล่งของกระแสที่สองจะรวมถึงทรานซิสเตอร์ที่สองที่มีโหนดที่หนึ่ง, ที่สอง และที่สาม โหนดที่หนึ่งของทรานซิสเตอร์ที่หนึ่ง และโหนดที่หนึ่งของทรานซิสเตอร์ที่สองแต่ละตัวจะ เชื่อมต่อกับเอาท์พุทของวงจรตรวจวัดความต่าง โดยโหนดที่สามของทรานซิสเตอร์ที่หนึ่งจะ เชื่อมต่อกับทรานส์ดิวเซอร์ MR และโหนดที่สามของทรานซิสเตอร์ที่สองจะเชื่อมต่อกับวงจรสมมูล ของทรานส์ดิวเซอร์ MR วงจรไบแอสยังประกอบต่อไปด้วย วงจรเอาท์พุทที่มีโหนดของสัญญาณขาเข้าที่หนึ่ง และที่สอง และโหนดเอาท์พุท โดย โหนดของสัญญาณขาเข้าที่หนึ่งของวงจรเอาท์พุทจะเชื่อมต่อกับโหนดที่สามของทรานซิสเตอร์ที่ หนึ่ง และโหนดของสัญญาณขาเข้าที่สองของวงจรเอาท์พุทจะเชื่อมต่อกับโหนดที่สามของ ทรานซิสเตอร์ที่สอง 7. วงจรไบแอสตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งวงจรตรวจวัดความต่างจะรวมถึง ทรานซิสเตอร์ที่หนึ่ง และที่สองโดยแต่ละตัวมีโหนดที่หนึ่ง, ที่สอง และที่สาม, โดยโหนดที่หนึ่งของ ทรานซิสเตอร์ที่หนึ่งจะเชื่อมต่อกับโหนดที่หนึ่ง และที่สามของทรานซิสเตอร์ที่สอง, โดยโหนดที่ สองของทรานซิสเตอร์ที่หนึ่งจะเชื่อมต่อกับทรานส์ดิวเซอร์ MR และโหนดที่สองของทรานซิสเตอร์ ที่สองจะเชื่อมต่อกับวงจรสมมูลของทรานส์ดิวเซอร์ ที่ซึ่งแหล่งของกระแสที่หนึ่งจะรวมถึงทรานซิสเตอร์ที่สาม และที่สี่โดยแต่ละตัวจะมีโหนดที่ หนึ่ง, ที่สอง และที่สาม, โดยโหนดที่สองของทรานซิสเตอร์ที่สาม และที่สี่แต่ละตัวจะเชื่อมต่อกับ โหนดที่สามของทรานซิสเตอร์ที่หนึ่ง และ ที่ซึ่งแหล่งของกระแสที่สองจะรวมถึงทรานซิสเตอร์ที่ห้าที่มีโหนดที่หนึ่ง, ที่สอง และที่สาม โหนดที่หนึ่งของทรานซิสเตอร์ที่สามจะเชื่อมต่อกับโหนดที่หนึ่ง และที่สามของ ทรานซิสเตอร์ที่ห้าเพื่อสร้างเป็นตัวสะท้อนกระแส และโหนดที่สองของทรานซิสเตอร์ที่ห้าจะ เชื่อมต่อกับโหนดที่สามของทรานซิสเตอร์ที่สอง 8. วงจรไบแอสตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 7 ที่ซึ่งอัตราส่วนโดยพื้นที่ของทรานซิสเตอร์ ที่หนึ่งต่อทรานซิสเตอร์ที่สอง คือ N:1 และอัตราส่วนกระแสของกระแสที่ไหลในโหนดที่สองของ ทรานซิสเตอร์ที่สี่ต่อกระแสที่ไหลในโหนดที่สองของทรานซิสเตอร์ที่สามต่อกระแสที่ไหลในโหนดที่ สองของทรานซิสเตอร์ที่ห้า คือ K:L:1 โดย K+L เท่ากับ N 9. วงจรไบแอสตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ยังประกอบต่อไปด้วย วงจรตรวจวัดกระแสที่ตรวจวัดกระแสไบแอส IB ที่ให้กำเนิดโดยแหล่งของกระแสที่หนึ่ง สำหรับแรงดันไบแอสตามที่กำหนด Vs คร่อมความต้านทานของเซ็นเซอร์ Rs และ แหล่งของกระแสที่สามที่สนองตอบต่อวงจรตรวจวัดกระแส โดยให้กำเนิดกระแสเอาท์พุท เมื่อกระแสไบแอส IB ที่ให้กำเนิดโดยแหล่งของกระแสที่หนึ่งสำหรับแรงดันไบแอสที่กำหนด Vs น้อยกว่ากระแสไบแอสของตัวเซ็นเซอร์ที่กำหนด โดยกระแสเอาท์พุทที่ให้กำเนิดโดยแหล่งของ กระแสที่สามจะเชื่อมต่อกับวงจรสมมูลของทรานส์ดิวเซอร์ และรวมกับกระแสควบคุมที่ให้กำเนิด โดยแหล่งของกระแสที่สองเพื่อสร้างเป็นกระแสควบคุมรวม โดยกระแสควบคุมรวมจะสัมพันธ์กับ กระแสไบแอส IB ของทรานส์ดิวเซอร์ MR เพื่อว่ากระแสไบแอส IB ของทรานส์ดิวเซอร์ MR ที่ กำหนด จะไหลผ่านความต้านทานของเซ็นเซอร์ Rs เป็นการสร้างการไบแอสด้วยแม่เหล็กตามที่ กำหนดของความต้านทานของเซ็นเซอร์ Rs 1 0. วงจรไบแอสตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 9 ที่ซึ่งวงจรตรวจวัดความต่างจะรวมถึง ทรานซิสเตอร์ที่หนึ่ง และที่สองโดยแต่ละตัวมีโหนดที่หนึ่ง, ที่สอง และที่สาม, โดยโหนดที่หนึ่งของ ทรานซิสเตอร์ที่หนึ่งจะเชื่อมต่อกับโหนดที่หนึ่ง และที่สามของทรานซิสเตอร์ที่สอง, โดยโหนดที่ สองของทรานซิสเตอร์ที่หนึ่งจะเชื่อมต่อกับทรานส์ดิวเซอร์ MR และโหนดที่สองของทรานซิสเตอร์ ที่สองจะเชื่อมต่อกับวงจรสมมูลของทรานส์ดิวเซอร์ และ ที่ซึ่งแหล่งของกระแสที่หนึ่งจะรวมถึงทรานซิสเตอร์ที่สามที่มีโหนดที่หนึ่ง, ที่สอง และที่สาม และแหล่งของกระแสที่สองจะรวมถึงทรานซิสเตอร์ที่สี่ที่มีโหนดที่หนึ่ง, ที่สอง และที่สาม, โดย โหนดที่หนึ่ง และที่สามของทรานซิสเตอร์ที่สามจะเชื่อมต่อกับโหนดที่หนึ่งของทรานซิสเตอร์ที่สี่ เพื่อสร้างเป็นตัวสะท้อนกระแส, โหนดที่สามของทรานซิสเตอร์ที่สามจะเชื่อมต่อกับโหนดที่สาม ของทรานซิสเตอร์ที่หนึ่ง และโหนดที่สามของทรานซิสเตอร์ที่สี่จะเชื่อมต่อกับโหนดที่สามของ ทรานซิสเตอร์ที่สอง 1 1. วงจรไบแอสตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 10 ที่ซึ่งวงจรตรวจวัดกระแสจะรวมถึง ทรานซิสเตอร์ที่ห้าที่มีโหนดที่หนึ่ง, ที่สอง และที่สาม โดยโหนดที่หนึ่งจะเชื่อมต่อกับโหนด ที่สาม แหล่งของกระแสที่สี่จะเชื่อมต่อกับโหนดที่สามของทรานซิสเตอร์ที่ห้า และ วงจรตัวขยายที่มีสัญญาณขาเข้าที่หนึ่ง, สัญญาณขาเข้าที่สอง และเอาท์พุท โดยสัญญาณ ขาเข้าที่หนึ่งจะเชื่อมต่อกับโหนดที่สามของทรานซิสเตอร์ที่สาม, สัญญาณขาเข้าที่สองจะเชื่อมต่อ กับโหนดที่สามของทรานซิสเตอร์ที่ห้า และเอาท์พุทจะเชื่อมต่อกับแหล่งของกระแสที่สาม 1 2. วงจรสำหรับการไบแอสด้วยแม่เหล็กกับทรานส์ดิวเซอร์ต้านทานแม่เหล็ก (MR) โดย ทรานส์ดิวเซอร์ MR จะรวมถึงส่วนของเซ็นเซอร์ที่มีความต้านทานของเซ็นเซอร์ Rs, ส่วนของตัว สายที่มีความต้านทานของสาย RI และส่วนของสายด้านหน้าที่มีความต้านทานของสายด้านหน้า Rf โดยวงจรไบแอสประกอบด้วย วงจรสมมูลของทรานส์ดิวเซอร์ วงจรตรวจวัดความต่างที่มีสัญญาณขาเข้าที่หนึ่ง และที่สอง โดยสัญญาณขาเข้าที่หนึ่งจะ เชื่อมต่อกับทรานส์ดิวเซอร์ MR และสัญญาณขาเข้าที่สองจะเชื่อมต่อกับวงจรสมมูลของ ทรานส์ดิวเซอร์ โดยวงจรวัดความต่างจะตรวจวัดความต่างศักย์ของแรงดันระหว่างสัญญาณขาเข้า ที่หนึ่ง และที่สอง แหล่งของกระแสที่หนึ่งสนองตอบต่อวงจรตรวจวัดความต่างโดยให้กำเนิดกระแสไบแอส IB สำหรับทรานส์ดิวเซอร์ MR โดยแหล่งของกระแสที่หนึ่งเป็นแหล่งเดียวของกระแสไบแอส IB สำหรับทรานส์ดิวเซอร์ MR และ แหล่งของกระแสที่สองสนองตอบต่อวงจรตรวจวัดความต่างโดยให้กำเนิดกระแสควบคุมที่ เชื่อมต่อกับวงจรสมมูลของทรานส์ดิวเซอร์ โดยกระแสควบคุมจะเป็นสัดส่วนกับกระแสไบแอส IB ของทรานส์ดิวเซอร์ MR เพื่อว่ากระแสไบแอส IB ผ่านทรานส์ดิวเซอร์ MR จะสร้างการไบแอสด้วย แม่เหล็กตามที่กำหนดของส่วนเซ็นเซอร์ของทรานส์ดิวเซอร์ MR 1 3. วงจรตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 12 ที่ซึ่งวงจรเป็นส่วนของวงจรอิเลคทรอนิคส์ของ หัว MR / แขน(AE) 1 4. วงจรตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 13 ที่ซึ่งวงจรหัว MR /AE เป็นส่วนของดิสค์ไดร์ฟ 1 5. วงจรตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 12 ยังประกอบต่อไปด้วย วงจรตรวจวัดกระแสที่ตรวจวัดกระแสไบแอส IB ที่ให้กำเนิดโดยแหล่งของกระแสที่หนึ่ง สำหรับการไบแอสด้วยแม่เหล็กตามที่กำหนดของส่วนเซ็นเซอร์ของทรานส์ดิวเซอร์ MR และ แหล่งของกระแสที่สามที่สนองตอบต่อวงจรตรวจวัดกระแส โดยให้กำเนิดกระแสเอาท์พุท เมื่อกระแสไบแอส IB ที่ให้กำเนิดโดยแหล่งของกระแสที่หนึ่งสำหรับการไบแอสด้วยแม่เหล็กตามที่ กำหนดของส่วนเซ็นเซอร์ของทรานส์ดิวเซอร์ MR น้อยกว่ากระแสไบแอสของตัวเซ็นเซอร์ที่ กำหนด โดยกระแสเอาท์พุทที่ให้กำเนิดโดยแหล่งของกระแสที่สามจะเชื่อมต่อกับวงจรสมมูลของ ทรานส์ดิวเซอร์ และรวมกับกระแสควบคุมที่ให้กำเนิดโดยแหล่งของกระแสที่สองเพื่อสร้างเป็น กระแสควบคุมรวม โดยกระแสควบคุมรวมจะสัมพันธ์กับกระแสไบแอส IB ของทรานส์ดิวเซอร์ MR เพื่อว่ากระแสไบแอส IB ของทรานส์ดิวเซอร์ MR ที่กำหนดจะไหลผ่านทรานส์ดิวเซอร์ MR ที่สร้าง การไบแอสด้วยแม่เหล็กตามที่กำหนดของส่วนเซ็นเซอร์ของทรานส์ดิวเซอร์ MR 1 6. วงจรตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 15 ที่ซึ่งวงจรตรวจวัดความต่างจะรวมถึง ทรานซิสเตอร์ที่หนึ่ง และที่สองโดยแต่ละตัวจะมีโหนดที่หนึ่ง, ที่สอง และที่สาม, โดยโหนดที่หนึ่ง ของทรานซิสเตอร์ที่หนึ่งจะเชื่อมต่อกับโหนดที่หนึ่ง และที่สามของทรานซิสเตอร์ที่สอง, โหนดที่ สองของทรานซิสเตอร์ที่หนึ่งจะเชื่อมต่อกับทรานส์ดิวเซอร์ MR และโหนดที่สองของทรานซิสเตอร์ ที่สองจะเชื่อมต่อกับวงจรสมมูลของทรานส์ดิวเซอร์ และ ที่ซึ่งแหล่งของกระแสที่หนึ่งจะรวมถึงทรานซิสเตอร์ที่สามที่มีโหนดที่หนึ่ง, ที่สอง และที่ สาม และแหล่งของกระแสที่สองจะรวมถึงทรานซิสเตอร์ที่สี่ที่มีโหนดที่หนึ่ง, ที่สอง และที่สาม โดย โหนดที่หนึ่ง และที่สามของทรานซิสเตอร์ที่สามจะเชื่อมต่อกับโหนดที่หนึ่งของทรานซิสเตอร์ที่สี่ เพื่อสร้างตัวสะท้อนกระแส, โหนดที่สามของทรานซิสเตอร์ที่สามจะเชื่อมต่อกับโหนดที่สามของ ทรานซิสเตอร์ที่หนึ่ง และโหนดที่สามของทรานซิสเตอร์ที่สี่จะเชื่อมต่อกับโหนดที่สามของ ทรานซิสเตอร์ที่สอง 1 7. วงจรตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 16 ที่ซึ่งวงจรตรวจวัดกระแสจะรวมถึง ทรานซิสเตอร์ที่ห้าที่มีโหนดที่หนึ่ง, ที่สอง และที่สาม โดยโหนดที่หนึ่งจะเชื่อมต่อกับโหนด ที่สาม แหล่งของกระแสที่สี่จะเชื่อมต่อกับโหนดที่สามของทรานซิสเตอร์ที่ห้า และ วงจรตัวขยายที่มีสัญญาณขาเข้าที่หนึ่ง, สัญญาณขาเข้าที่สอง และเอาท์พุท โดยสัญญาณ ขาเข้าที่หนึ่งจะเชื่อมต่อกับโหนดที่สามของทรานซิสเตอร์ที่สาม, สัญญาณขาเข้าที่สองจะเชื่อมต่อ กับโหนดที่สามของทรานซิสเตอร์ที่ห้า และเอาท์พุทจะเชื่อมต่อกับแหล่งของกระแสที่สาม 1 8. วงจรอิเล็คทรอนิกส์ของหัว (MR) /แขน (AE) ที่ต้านทานแม่เหล็กที่ซึ่งประกอบด้วย ทรานส์ดิวเซอร์ต้านทานแม่เหล็ก โดยทรานส์ดิวเซอร์ต้านทานแม่เหล็กที่มีความต้านทาน ทั้งหมด RH, ความต้านทานของทรานส์ดิวเซอร์ MR ทั้งหมด RH ที่รวมถึงความต้านทานของ เซ็นเซอร์ Rs, ความต้านทานของสาย Ri และความต้านทานของด้านสายด้านหน้า Rf วงจรสมมูลของทรานส์ดิวเซอร์ที่รวมถึงแหล่งของแรงดัน และความต้านทานของสัญญาณ ขาเข้า โดยแหล่งของแรงดันจะมีแรงดันตามที่กำหนด และความต้านทานของสัญญาณขาเข้าจะมี ความต้านทานที่สัมพันธ์กับความต้านทานของสาย Ri ของทรานส์ดิวเซอร์ MR วงจรตรวจวัดความต่างที่มีสัญญาณขาเข้าที่หนึ่ง และที่สอง โดยสัญญาณขาเข้าที่หนึ่งจะ เชื่อมต่อกับทรานส์ดิวเซอร์ MR และสัญญาณขาเข้าที่สองจะเชื่อมต่อกับวงจรสมมูลของ ทรานส์ดิวเซอร์ โดยวงจรวัดความต่างจะตรวจวัดความต่างศักย์ของแรงดันระหว่างสัญญาณขาเข้า ที่หนึ่ง และที่สอง แหล่งของกระแสที่หนึ่งสนองตอบต่อวงจรตรวจวัดความต่างโดยให้กำเนิดกระแสไบแอส IB สำหรับทรานส์ดิวเซอร์ MR และ แหล่งของกระแสที่สองสนองตอบต่อวงจรตรวจวัดความต่างโดยให้กำเนิดกระแสควบคุมที่ เชื่อมต่อกับวงจรสมมูลของทรานส์ดิวเซอร์ โดยกระแสควบคุมจะเป็นสัดส่วนกับกระแสไบแอส IB ของทรานส์ดิวเซอร์ MR เพื่อว่าแรงดันที่กำหนดของแหล่งของแรงดันเท่ากับแรงดันตามที่กำหนด VB ที่ตกคร่อมความต้านทานของเซ็นเซอร์ Rs 1 9. วงจรตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 18 ที่ซึ่งวงจรหัว MR /AE เป็นส่วนของดิสค์ไดร์ฟ 2 0. วงจรตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 18 ที่ซึ่งวงจรตรวจวัดความต่างจะรวมถึง ทรานซิสเตอร์ที่หนึ่ง และที่สองโดยแต่ละตัวจะมีโหนดที่หนึ่ง, ที่สอง และที่สาม, โดยโหนดที่หนึ่ง ของทรานซิสเตอร์ที่หนึ่งจะเชื่อมต่อกับโหนดที่หนึ่ง และที่สามของทรานซิสเตอร์ที่สอง, โหนด ที่สองของทรานซิสเตอร์ที่หนึ่งจะเชื่อมต่อกับทรานส์ดิวเซอร์ MR และโหนดที่สองของทรานซิสเตอร์ ที่สองจะเชื่อมต่อกับวงจรสมมูลของทรานส์ดิวเซอร์ และ ที่ซึ่งแหล่งของกระแสที่หนึ่งจะรวมถึงทรานซิสเตอร์ที่สามที่มีโหนดที่หนึ่ง, ที่สอง และที่ สาม และแหล่งของกระแสที่สองจะรวมถึงทรานซิสเตอร์ที่สี่ที่มีโหนดที่หนึ่ง, ที่สอง และที่สาม โดย โหนดที่หนึ่ง และที่สามของทรานซิสเตอร์ที่สามจะเชื่อมต่อกับโหนดที่หนึ่งของทรานซิสเตอร์ที่สี่ เพื่อสร้างตัวสะท้อนกระแส, โหนดที่สามของทรานซิสเตอร์ที่สามจะเชื่อมต่อกับโหนดที่สามของ ทรานซิสเตอร์ที่หนึ่ง และโหนดที่สามของทรานซิสเตอร์ที่สี่จะเชื่อมต่อกับโหนดที่สามของ ทรานซิสเตอร์ที่สอง 2 1. วงจรตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 20 ที่ซึ่งอัตราส่วนโดยพื้นที่ของทรานซิสเตอร์ที่ หนึ่งต่อทรานซิสเตอร์ที่สอง คือ N:1 และอัตราส่วนโดยพื้นที่ของทรานซิสเตอร์ที่สามต่อ ทรานซิสเตอร์ที่สี คือ N:1 2 2. วงจรตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 18 ที่ซึ่งวงจรตรวจวัดความต่างจะรวมต่อไปถึง เอาท์พุท ที่ซึ่งแหล่งของกระแสที่หนึ่งจะรวมถึงทรานซิสเตอร์ที่หนึ่งที่มีโหนดที่หนึ่ง, ที่สอง และที่ สาม และแหล่งของกระแสที่สองจะรวมถึงทรานซิสเตอร์ที่สองที่มีโหนดที่หนึ่ง, ที่สอง และที่สาม โหนดที่หนึ่งของทรานซิสเตอร์ที่หนึ่ง และโหนดที่หนึ่งของทรานซิสเตอร์ที่สองแต่ละตัวจะ เชื่อมต่อกับเอาท์พุทของวงจรตรวจวัดความต่าง, โดยโหนดที่สามของทรานซิสเตอร์ที่หนึ่งจะ เชื่อมต่อกับทรานส์ดิวเซอร์ MR และโหนดที่สามของทรานซิสเตอร์ที่สองจะเชื่อมต่อกับวงจรสมมูล ของทรานส์ดิวเซอร์ MR วงจรยังประกอบต่อไปด้วย วงจรเอาท์พุทที่มีโหนดของสัญญาณขาเข้าที่หนึ่ง และที่สอง และโหนดเอาท์พุท โดย โหนดของสัญญาณขาเข้าที่หนึ่งของวงจรเอาท์พุทจะเชื่อมต่อกับโหนดที่สามของทรานซิสเตอร์ที่ หนึ่ง และโหนดของสัญญาณขาเข้าที่สองของวงจรเอาท์พุทจะเชื่อมต่อกับโหนดที่สามของ ทรานซิสเตอร์ที่สอง 2 3. วงจรตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 18 ที่ซึ่งวงจรตรวจวัดความต่างจะรวมถึง ทรานซิสเตอร์ที่หนึ่ง และที่สองโดยแต่ละตัวจะมีโหนดที่หนึ่ง, ที่สอง และที่สาม, โดยโหนดที่หนึ่ง ของทรานซิสเตอร์ที่หนึ่งจะเชื่อมต่อกับโหนดที่หนึ่ง และที่สามของทรานซิสเตอร์ที่สอง, โหนดที่ สองของทรานซิสเตอร์ที่หนึ่งจะเชื่อมต่อกับทรานส์ดิวเซอร์ MR และโหนดที่สองของทรานซิสเตอร์ ที่สองจะเชื่อมต่อกับวงจรสมมูลของทรานส์ดิวเซอร์ ที่ซึ่งแหล่งของกระแสที่หนึ่งจะรวมถึงทรานซิสเตอร์ที่สาม และที่สี่โดยแต่ละตัวจะมีโหนดที่ หนึ่ง, ที่สอง และที่สาม, โหนดที่สองของทรานซิสเตอร์ที่สาม และที่สี่แต่ละตัวจะเชื่อมต่อกับโหนด ที่สามของทรานซิสเตอร์ที่หนึ่ง และ ที่ซึ่งแหล่งของกระแสที่สองจะรวมถึงทรานซิสเตอร์ที่ห้าที่มีโหนดที่หนึ่ง, ที่สอง และที่สาม, โดยโหนดที่หนึ่งของทรานซิสเตอร์ที่สามจะเชื่อมต่อกับโหนดที่หนึ่ง และที่สามของ ทรานซิสเตอร์ที่ห้าเพื่อสร้างตัวสะท้อนกระแส และโหนดที่สองของทรานซิสเตอร์ที่ห้าจะเชื่อมต่อ กับโหนดที่สามของทรานซิสเตอร์ที่สอง 2 4. วงจรตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 23 ที่ซึ่งอัตราส่วนโดยพื้นที่ของทรานซิสเตอร์ที่ หนึ่งต่อทรานซิสเตอร์ที่สอง คือ N:1 และอัตราส่วนกระแสของกระแสที่ไหลในโหนดที่สองของ ทรานซิสเตอร์ที่สี่ต่อกระแสที่ไหลในโหนดที่สองของทรานซิสเตอร์ที่สามต่อกระแสที่ไหลในโหนดที่ สองของทรานซิสเตอร์ที่ห้า คือ K:L:1, โดย K+L เท่ากับ N 2 5. วงจรตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 18 ยังประกอบต่อไปด้วย วงจรตรวจวัดกระแสที่ตรวจวัดกระแสไบแอส LB ที่ให้กำเนิดโดยแหล่งของกระแสที่หนึ่ง สำหรับแรงดันไบแอสตามที่กำหนด Vs คร่อมความต้านทานของเซ็นเซอร์ Rs และ แหล่งของกระแสที่สามที่สนองตอบต่อวงจรตรวจวัดกระแส โดยให้กำเนิดกระแสเอาท์พุท เมื่อกระแสไบแอส IB ที่ให้กำเนิดโดยแหล่งของกระแสที่หนึ่งสำหรับแรงดันไบแอสที่กำหนด Vs น้อยกว่ากระแสไบแอสของตัวเซ็นเซอร์ที่กำหนด โดยกระแสเอาท์พุทที่ให้กำเนิดโดยแหล่งของ กระแสที่สามจะเชื่อมต่อกับวงจรสมมูลของทรานส์ดิวเซอร์ และรวมกับกระแสควบคุมที่ให้กำเนิด โดยแหล่งของกระแสที่สองเพื่อสร้างเป็นกระแสควบคุมรวม โดยกระแสควบคุมรวมจะสัมพันธ์กับ กระแสไบแอส IB ของทรานส์ดิวเซอร์ MR เพื่อว่ากระแสไบแอส IB ของทรานส์ดิวเซอร์ MR ที่ กำหนด จะไหลผ่านความต้านทานของเซ็นเซอร์ Rs เป็นการสร้างการไบแอสด้วยแม่เหล็กตามที่ กำหนดของความต้านทานของเซ็นเซอร์ Rs 2 6. วงจรตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 25 ที่ซึ่งวงจรตรวจวัดความต่างจะรวมถึง ทรานซิสเตอร์ที่หนึ่ง และที่สองโดยแต่ละตัวมีโหนดที่หนึ่ง, ที่สอง และที่สาม, โดยโหนดที่หนึ่งของ ทรานซิสเตอร์ที่หนึ่งจะเชื่อมต่อกับโหนดที่หนึ่ง และที่สามของทรานซิสเตอร์ที่สอง, โดยโหนดที่ สองของทรานซิสเตอร์ที่หนึ่งจะเชื่อมต่อกับทรานส์ดิวเซอร์ MR และโหนดที่สองของทรานซิสเตอร์ ที่สองจะเชื่อมต่อกับวงจรสมมูลของทรานส์ดิวเซอร์ และ ที่ซึ่งแหล่งของกระแสที่หนึ่งจะรวมถึงทรานซิสเตอร์ที่สามที่มีโหนดที่หนึ่ง, ที่สอง และที่ สาม และแหล่งของกระแสที่สองจะรวมถึงทรานซิสเตอร์ที่สีที่มีโหนดที่หนึ่ง, ที่สอง และที่สาม, โดย โหนดที่หนึ่ง และที่สามของทรานซิสเตอร์ที่สามจะเชื่อมต่อกับโหนดที่หนึ่ง ของทรานซิสเตอร์ที่สี เพื่อสร้างเป็นตัวสะท้อนกระแส, โหนดที่สามของทรานซิสเตอร์ที่สามจะเชื่อมต่อกับโหนดที่สาม ของทรานซิสเตอร์ที่หนึ่ง และโหนดที่สามของทรานซิสเตอร์ที่สี่จะเชื่อมต่อกับโหนดที่สามของ ทรานซิสเตอร์ที่สอง 2 7. วงจรตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 26 ที่ซึ่งวงจรตรวจวัดกระแสจะรวมถึง ทรานซิสเตอร์ที่ห้าที่มีโหนดที่หนึ่ง, ที่สอง และที่สาม โดยโหนดที่หนึ่งจะเชื่อมต่อกับโหนด ที่สาม แหล่งของกระแสที่สีจะเชื่อมต่อกับโหนดที่สามของทรานซิสเตอร์ที่ห้า และ วงจรตัวขยายที่มีสัญญาณขาเข้าที่หนึ่ง, สัญญาณขาเข้าที่สอง และเอาท์พุท โดยสัญญาณ ขาเข้าที่หนึ่งจะเชื่อมต่อกับโหนดที่สามของทรานซิสเตอร์ที่สาม, สัญญาณขาเข้าที่สองจะเชื่อมต่อ กับโหนดที่สามของทรานซิสเตอร์ที่ห้า และเอาท์พุทจะเชื่อมต่อกับแหล่งของกระแสที่สาม 2 8. วงจรอิเลคทรอนิคส์ของหัว (MR) /แขน (AE) ที่ต้านทานแม่เหล็กที่ซึ่งประกอบด้วย ทรานส์ดิวเซอร์ต้านทานแม่เหล็ก โดยทรานส์ดิวเซอร์ต้านทานแม่เหล็กที่มีความต้านทาน ทั้งหมด RH, ความต้านทานของทรานส์ดิวเซอร์ MR ทั้งหมด RH ที่รวมถึงความต้านทานของ เซ็นเซอร์ Rs, ความต้านทานของสาย RI และความต้านทานของด้านสายด้านหน้า Rf วงจรสมมูลของทรานส์ดิวเซอร์ วงจรตรวจวัดความต่างที่มีสัญญาณขาเข้าที่หนึ่ง และที่สอง โดยสัญญาณขาเข้าที่หนึ่งจะ เชื่อมต่อกับทรานส์ดิวเซอร์ MR และสัญญาณขาเข้าที่สองจะเชื่อมต่อกับวงจรสมมูลของ ทรานส์ดิวเซอร์ โดยวงจรวัดความต่างจะตรวจวัดความต่างศักย์ของแรงดันระหว่างสัญญาณขาเข้า ที่หนึ่ง และที่สอง แหล่งของกระแสที่หนึ่งสนองตอบต่อวงจรตรวจวัดความต่างโดยให้กำเนิดกระแสไบแอส IB สำหรับทรานส์ดิวเซอร์ MR โดยแหล่งของกระแสที่หนึ่งเป็นแหล่งเดียวของกระแสไบแอส IB สำหรับทรานส์ดิวเซอร์ MR และ แหล่งของกระแสที่สองสนองตอบต่อวงจรตรวจวัดความต่างโดยให้กำเนิดกระแสควบคุมที่ เชื่อมต่อกับวงจรสมมูลของทรานส์ดิวเซอร์ โดยกระแสควบคุมจะเป็นสัดส่วนกับกระแสไบแอส IB ของทรานส์ดิวเซอร์ MR เพื่อว่ากระแสไบแอส IB ผ่านทรานส์ดิวเซอร์ MR จะสร้างการไบแอสด้วย แม่เหล็กตามที่กำหนดของส่วนเซ็นเซอร์ของทรานส์ดิวเซอร์ MR 2 9. วงจรตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 28 ที่ซึ่งวงจรหัว MR /AE เป็นส่วนของดิสค์ไดร์ฟ 3 0. วงจรตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 28 ยังประกอบต่อไปด้วย วงจรตรวจวัดกระแสที่ตรวจวัดกระแสไบแอส IB ที่ให้กำเนิดโดยแหล่งของกระแสที่หนึ่ง สำหรับการไบแอสด้วยแม่เหล็กตามที่กำหนดของส่วนเซ็นเซอร์ของทรานส์ดิวเซอร์ MR และ แหล่งของกระแสที่สามที่สนองตอบต่อวงจรตรวจวัดกระแส โดยให้กำเนิดกระแสเอาท์พุท เมื่อกระแสไบแอส IB ที่ให้กำเนิดโดยแหล่งของกระแสที่หนึ่งสำหรับการไบแอสด้วยแม่เหล็กตามที่ กำหนดของส่วนเซ็นเซอร์ของทรานส์ดิวเซอร์ MR น้อยกว่ากระแสไบแอสของตัวเซ็นเซอร์ที่ กำหนด โดยกระแสเอาท์พุทที่ให้กำเนิดโดยแหล่งของกระแสที่สามจะเชื่อมต่อกับวงจรสมมูลของ ทรานส์ดิวเซอร์ และรวมกับกระแสควบคุมที่ให้กำเนิดโดยแหล่งของกระแสที่สองเพื่อสร้างเป็น กระแสควบคุมรวม โดยกระแสควบคุมรวมจะสัมพันธ์กับกระแสไบแอส IB ของทรานส์ดิวเซอร์ MR เพื่อว่ากระแสไบแอส IB ของทรานส์ดิวเซอร์ MR ที่กำหนด จะไหลผ่านทรานส์ดิวเซอร์ MR ที่สร้าง การไบแอสด้วยแม่เหล็กตามที่กำหนดของส่วนเซ็นเซอร์ของทรานส์ดิวเซอร์ MR 3
1. วงจรตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 30 ที่ซึ่งวงจรตรวจวัดความต่างจะรวมถึง ทรานซิสเตอร์ที่หนึ่ง และที่สองโดยแต่ละตัวมีโหนดที่หนึ่ง, ที่สอง และที่สาม, โดยโหนดที่หนึ่งของ ทรานซิสเตอร์ที่หนึ่งจะเชื่อมต่อกับโหนดที่หนึ่ง และที่สามของทรานซิสเตอร์ที่สอง, โดยโหนดที่ สองของทรานซิสเตอร์ที่หนึ่งจะเชื่อมต่อกับทรานส์ดิวเซอร์ MR และโหนดที่สองของทรานซิสเตอร์ ที่สองจะเชื่อมต่อกับวงจรสมมูลของทรานส์ดิวเซอร์ และ ที่ซึ่งแหล่งของกระแสที่หนึ่งจะรวมถึงทรานซิสเตอร์ที่สามที่มีโหนดที่หนึ่ง, ที่สอง และที่ สาม และแหล่งของกระแสที่สองจะรวมถึงทรานซิสเตอร์ที่สี่ที่มีโหนดที่หนึ่ง, ที่สอง และที่สาม, โดย โหนดที่หนึ่ง และที่สามของทรานซิสเตอร์ที่สามจะเชื่อมต่อกับโหนดที่หนึ่งของทรานซิสเตอร์ที่สี่ เพื่อสร้างเป็นตัวสะท้อนกระแส, โหนดที่สามของทรานซิสเตอร์ที่สามจะเชื่อมต่อกับโหนดที่สาม ของทรานซิสเตอร์ที่หนึ่ง และโหนดที่สามของทรานซิสเตอร์ที่สี่จะเชื่อมต่อกับโหนดที่สามของ ทรานซิสเตอร์ที่สอง 3
2. วงจรตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 31 ที่ซึ่งวงจรตรวจวัดกระแสจะรวมถึง ทรานซิสเตอร์ที่ห้าที่มีโหนดที่หนึ่ง, ที่สอง และที่สาม โดยโหนดที่หนึ่งจะเชื่อมต่อกับโหนด ที่สาม แหล่งของกระแสที่สี่จะเชื่อมต่อกับโหนดที่สามของทรานซิสเตอร์ที่ห้า และ วงจรตัวขยายที่มีสัญญาณขาเข้าที่หนึ่ง, สัญญาณขาเข้าที่สอง และเอาท์พุท โดยสัญญาณ ขาเข้าที่หนึ่งจะเชื่อมต่อกับโหนดที่สามของทรานซิสเตอร์ที่สาม, สัญญาณขาเข้าที่สองจะเชื่อมต่อ กับโหนดที่สามของทรานซิสเตอร์ที่ห้า และเอาท์พุทจะเชื่อมต่อกับแหล่งของกระแสที่สาม
TH9701002304A 1997-06-12 การไบแอสตัวเซ็นเซอร์ความต้านทานแม่เหล็กแบบอิเลคทรอนิคส์ TH21358B (th)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH28785A TH28785A (th) 1998-05-25
TH21358B true TH21358B (th) 2007-02-08

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100259425B1 (ko) 전자적 자기저항 센서 바이어싱
EP0173942A2 (en) Magnetoresistance effect type magnetic head apparatus
DE69821474D1 (de) Magnetisch-induktiver durchflussmesser
JPS61502783A (ja) 電気信号送出用磁気抵抗効果形センサ
JPH09178828A (ja) センサ装置
TH21358B (th) การไบแอสตัวเซ็นเซอร์ความต้านทานแม่เหล็กแบบอิเลคทรอนิคส์
TH28785A (th) การไบแอสตัวเซ็นเซอร์ความต้านทานแม่เหล็กแบบอิเลคทรอนิคส์
JP2001511892A (ja) 補償原理による電流センサ
JPH0943327A (ja) 磁気抵抗効果電流センサ
EP1327967A2 (en) Supply current regulator for two-wire sensors
JP4035773B2 (ja) 電流センサ
EP0990919A2 (en) Magneto-Impedance effect element driving circuit
JPH03255915A (ja) 流量検出装置
JPH0211022B2 (th)
JPS61264772A (ja) 磁気抵抗効果素子
JP2002006016A (ja) 磁気センサ
US20250264552A1 (en) Magnetic sensor
JP2841199B2 (ja) マスフローメータ
US6703822B2 (en) Circuit for detecting a current passing through a consumer
JPS6046386B2 (ja) 電流検出器
JP2938657B2 (ja) 電流検出回路
JPH0334826B2 (th)
JPH0122400Y2 (th)
JPH03103711A (ja) 漏洩磁界型ポジショナ
JPS6142194Y2 (th)