TH20660B - วิธีการผลิตเวเฟอร์หรือแว่นผลึกของสารกึ่งตัวนำ - Google Patents

Abstract

DC60 (30/06/42) การประดิษฐ์นี้ ได้เสนอวิธีการผลิตเวเฟอร์ของสารกึ่งตัวนำ ซึ่งสามารถป้องกันการแตกหัก ของเวเฟอร์ และยังสามารถลดเวลาในการปฏิบัติงานในลักษณะของการปฏิบัติงานที่เรียงลำดับ ต่อเนื่องกันได้ โดยการบดพื้นผิวด้านหลังของเวเฟอร์ของสารกึ่งตัวนำ การประดิษฐ์นี้ ได้เปิดเผยถึงวิธีการผลิตเวเฟอร์ของสารกึ่งตัวนำ โดยที่เทปกาวถูกติดอยู่ บนพื้นผิวของเวเฟอร์ของสารกึ่งตัวนำ และภายหลังการบดพื้นผิวด้านหลังของเวเฟอร์ของสารกึ่ง ตัวนำโดยใช้เครื่องบดแล้ว เทปกาวดังกล่าวจะถูกลอกออก กรรมวิธีดังกล่าวประกอบด้วยการใช้ เทปกาวที่สามารถหดตัวได้เมื่อถูกความร้อนเป็นเทปกาว, การบดพื้นผิวด้านหลังของเวเฟอร์ของ สารกึ่งตัวนำ และการให้ความร้อนเทปกาวดังกล่าวในเครื่องบด ซึ่งดังนั้น จะทำให้สามารถลอก เทปกาวออกจากพื้นผิวของเวเฟอร์ของสารกึ่งตัวนำได้ การประดิษฐ์นี้ ได้เสนอวิธีการผลิตเวเฟอร์ของสารกึ่งตัวนำ ซึ่งสามารถป้องกันการแตกหัก ของเวเฟอร์ และยังสามารถลดเวลาในการปฏิบัติงานในลักษณะการปฏิบัติงานที่เรียงลำดับ ต่อเนื่องกันได้ ด้วยการบดพื้นผิวด้านหลังของเวเฟอร์สารกึ่งตัวนำ การประดิษฐ์นี้ ได้เปิดเผยถึงการผลิตเวเฟอร์ของสารกึ่งตัวนำ โดยที่เทปกาวถูกติดอยู่ บนพื้นผิวของเวเฟอร์ของสารกึ่งตัวนำ และภายหลังการบดพื้นผิวด้านหลังของเวเฟอร์ของสารกึ่ง ตัวนำโดยใช้เครื่องบดแล้ว เทปกาวดังกล่าวจะถูกลอกออก กรรมวิธีดังกล่าวประกอบด้วยการใช้ เทปกาวที่สามารถหดตัวได้เมื่อถูกความร้อนเป็นเทปกาว, การบดพื้นผิวด้านหลังของเวเฟอร์ของ สารกึ่งตัวนำ และการให้ความร้อนเทปกาวดังกล่าวในเครื่องบด ซึ่งดังนั้น จะทำให้สามารถลอก เทปกาวออกจากพื้นผิวของเวเฟอร์ของสารกึ่งตัวนำได้

Claims (2)

1. วิธีการผลิตเวเฟอร์ของสารกึ่งตัวนำ โดยใช้เทปกาวสำหรับป้องกันที่มีความสามารถใน การหดตัวได้เมื่อถูกความร้อน ซึ่งประกอบด้วย (a) การติดเทปกาวกับพื้นผิวของเวเฟอร์ของสารกึ่งตัวนำ ซึ่งวงจรรวมถูกติดตั้งอยู่บนนั้น (b) การบดพื้นผิวด้านหลังของเวเฟอร์ของสารกึ่งตัวนำโดยใช้เครื่องบด, และ (c) การให้ความร้อนอย่างต่อเนื่อง และการลอดออกของเทปกาวจากพื้นผิวของเวเฟอร์ของ สารกึ่งตัวนำในเครื่องบด 2. วิธีการผลิตเวเฟอร์ของสารกึ่งตัวนำ ตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ พื้นผิวด้านหลังของเว เฟอร์ของสารกึ่งตัวนำ ซึ่งมีเส้นผ่าศูนย์กลางในช่วง 6 ถึง 16 นิ้ว ถูกบด ซึ่งดังนั้น จะลดความ หนาของเวเฟอร์ให้อยู่ในช่วง 80 ถึง 400 ไมครอน (มิวm) 3. วิธีการผลิตเวเฟอร์ของสารกึ่งตัวนำ ตามข้อถือสิทธิที่ 2 โดยที่ พื้นผิวด้านหลังของเว เฟอร์ของสารกึ่งตัวนำ ซึ่งมีเส้นผ่านศูนย์กลางในช่วง 6 ถึง 16 นิ้ว ถูกบด ซึ่งดังนั้น จะลดความ หนาของเวเฟอร์อยู่ในช่วง 80-200 ไมครอน 4. วิธีการผลิตเวเฟอร์ของสารกึ่งตัวนำ ตามข้อถือสิทธิที่ 3 โดยที่ พื้นผิวด้านหลังของเว เฟอร์ของสารกึ่งตัวนำ ซึ่งมีเส้นผ่าศูนกลางในช่วง 6 ถึง 12 นิ้ว ถูกบด ซึ่งดังนั้น จะลดความ หนาของเวเฟอร์ให้อยู่ในช่วง 80 ถึง 200 ไมครอน 5. วิธีการผลิตเวเฟอร์ของสารกึ่งตัวนำ ตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ เทปกาวถูกทำให้ร้อน จนมีอุณหภูมิอยู่ในช่วง 50 ถึง 99 ํซ. โดยใช้ตัวกลางให้ความร้อนตัวใดตัวหนึ่งเป็นอย่างน้อย ซึ่ง ถูกเลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วยน้ำอุ่นและอากาศอุ่น 6. วิธีการผลิตเวเฟอร์ของสารกึ่งตัวนำ ตามข้อถือสิทธิที่ 5 โดยที่ อุณหภูมิของตัวกลาง ให้ความร้อนมีค่าตั้งแต่ 50 ถึง 80 ํซ. 7. วิธีการผลิตของเวเฟอร์ของสารกึ่งตัวนำ ตามข้อถือสิทธิที่ 5 โดยที่ เทปกาวถูกทำให้ร้อน จนมีอุณหภูมิอยู่ในช่วงตั้งแต่ 50 ถึง 99 ํซ. โดยใช้น้ำอุ่น 8. วิธีการผลิตเวเฟอร์ของสารกึ่งตัวนำ ตามข้อถือสิทธิที่ 7 โดยที่ เทปกาวถูกทำให้ร้อน จนมีอุณหภุมิอยู่ในช่วงตั้งแต่ 50 ถึง 80 ํซ. โดยใช้น้ำอุ่น 9. วิธีการผลิตเวเฟอร์ของสารกึ่งตัวนำ ตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ เวเฟอร์ของสารกึ่งตัว นำถูกทำให้ร้อน ด้วยการทำให้หมุนด้วยความเร็๋วรอบหมุนในช่วง 5 ถึง 500 รอบต่อนาที 1 0. วิธีการผลิตเวเฟอร์ของสารกึ่งตัวนำ ตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ แฟคเตอร์การหดตัว ด้วยความร้อนของเทปกาวมีค่าตั้งแต่ 5 ถึง 50 % ในช่วงอุณหภูมิ 50 ถึง 99 ํซ. 1

1. วิธีการผลิตเวเฟอร์ของสารกึ่งตัวนำ ตามข้อถือสิทธิที่ 10 โดยที่ แฟคเตอร์การหดตัว ด้วยความร้อนของเทปกาวมีค่าตั้งแต่ 5 ถึง 50 % ที่อุณหภูมิในช่วง 50 ถึง 80 ํซ. 1

2. วิธีการผลิตเวเฟอร์ของสารกึ่งตัวนำ ตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ เทปกาวถูกลอกออก จากพื้นผิวของเวเฟอร์ของสารกึ่งตัวนำ และนอกจากนั้น พื้นผิวของเวเฟอร์ของสารกึ่งตัวนำจะถูก ล้างด้วยของเหลวที่ใช้ล้าง