TH173676A - กรรมวิธีการสร้างฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์ ชนิดโครงสร้างแท่งรูพรุน - Google Patents

Abstract

แก้ไข 13/01/2560 การประดิษฐ์นี้เสนอกรรมวิธีการสร้างฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์ ชนิดโครงสร้างแท่งรูพรุน ซึ่งประกอบด้วย: การ จัดให้มีแผ่นรองรับ (substrate) เป้าสารเคลือบ (target) ในห้องปฏิกิริยา (chamber); การจ่ายก๊าซอาร์กอน (Ar) เข้า สู่ห้องปฏิกิริยาดังกล่าว; และการควบคุมให้เกิดพลาสมาก๊าซไวปฏิกิริยา (reactive gas plasma) ในห้องปฏิกิริยา ดังกล่าวด้วยระบบแมกนีตรอน สปัตเตอร์ริง (magnetron sputtering) เพื่อการสปัต (sputtering) เป้าสารเคลือบ ดังกล่าวในรูปแบบที่กำหนดไว้ล่วงหน้าให้เกิดเป็นฟิล์มบางชนิดโครงสร้างแท่งรูพรุนบนแผ่นรองรับดังกล่าว; โดยที่ ควบคุมการเกิดฟิล์มบางชนิดโครงสร้างแท่งรูพรุนด้วยการปรับมุมของส่วนแผ่นรองรับดังกล่าวให้มีค่าเป็นค่ามุม ประสิทธิผล (6) (effective deposition angle)ร่วมกับการควบคุมสัดส่วนของเวลาการจ่ายพลาสมาก๊าซไวปฏิกิริยา (reactive gas timing)ชนิดก๊าซอาร์กอนกับก๊าซออกซิเจนเข้าไปในห้องปฏิกิริยาดังกล่าวในสัดส่วน0.4 ถึง 10.0 ฟิล์มบางซิงค์ออกไซค์ตามการประดิษฐ์นี้มีลักษณะโครงสร้างเป็นแท่งรูพรุนขนาดนาโนเมตร (nanorods- porous) เป็นการสร้างเสร็จได้ในขั้นตอนเดียว โครงสร้างของสิ่งประดิษฐ์ที่สร้างขึ้นนี้ยังมีความเป็นผลึกซิงค์ออกไซค์ แบบเฮกซะโกนอล และจากการเตรียมฟิล์มบางซิงค์ออกไซค์ที่มีลักษณะโครงสร้างเป็นแบบแท่งรูพรุนขนาดนาโนเมตร ได้ดังกระบวนการเตรียมตามการประดิษฐ์นี้ถือเป็นลักษณะโครงสร้างแบบใหม่ และยังส่งผลทำให้พื้นที่ผิวสัมผัสของ ฟิล์มเพิ่มขี้นอย่างมาก จึงเหมาะกับการนำไปประยุกต์ทำเป็นพื้นผิวเซ็นเซอร์ของอุปกรณ์ในการตรวจวัดต่างๆได้เป็น อย่างดี -------------------------- คำขอใหม่ปรับปรุง 28/7/2559 การประดิษฐ์นี้เสนอกรรมวิธีการสร้างฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์ ชนิดโครงสร้างแท่งรูพรุน ซึ่งประกอบด้วย: การ จัดให้มีแผ่นรองรับ (substrate) เป้าสารเคลือบ (target) ในห้องปฎิกิริยา (chamber); การจ่ายก๊าซอาร์กอน (Ar) เข้า สู่ห้องปฏิกิริยาดังกล่าว; และ การควบคุมให้เกิดพลาสมาก๊าซไวปฏิกิริยา (reactlve gas PUaJma) ในห้องปฏิกิริยา ดังกล่าวด้วยระบบแมกนีตรอน สปัตเตอร์ริง (magnetron Sputtering) เพื่อการสปัต (sputtering) เป้าสารเคลือบ ดังกล่าวในรูปแบบที่กำหนดไว้ล่วงหน้าให้เกิดเป็นฟิล์มบางชนิดโครงสร้างแท่งรูพรุนบนแผ่นรองรับดังกล่าว: โดยที่ ควบคุมการเกิดฟิมล์บางชนิดโครงสร้างแท่งรูพรุนด้วยการปรับมุมของส่วนแผ่นรองรับดังกล่าวให้มีค่าเป็นค่ามุม ประสิทธิผล (6) (effective deposition angle) ร่วมกับการควบคุมสัดส่วนของเวลาการจ่ายพลาสมาก๊าซไวปฏิกิริยา (reactive gas timing) ชนิดก๊าซอาร์กอนกับกาซออกซิเจนเข้าไปในห้องปฏิกิริยาดังกล่าวในสัดส่วน 0.4 ถึง 10.0 ฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์ตามการประดิษฐ์นี้มีลักษณะโครงสร้างเป็นแท่งรูพรุนขนาดนาโนเมตร (nanorods- porous) เป็นการสร้างเสร็จได้ในขั้นตอนเดียว โครงสร้างของสิ่งประดิษฐ์ที่สร้างขึ้นมานี้มีความเป็นผลึกซิงค์ออกไซค์ แบบเฮกซะโกนอล และจากการเตรียมฟิล์มบางซิงค์ออกไซค์ที่มีลักษณะโครงสร้างเป็นแบบแท่งรูพรุนขนาดนาโนเมตร ได้ดังกระบวนการเตรียมตามการประดิษฐ์นี้ถือเป็นลักษณะโครงสร้างแบบใหม่ และยังส่งผลทำให้พื้นผิวสัมผัสของ ฟิมล์เพิ่มขึ้นอย่างมาก จึงเหมาะกับการนำไปประยุกต์ทำให้เป็นพื้นผิวเซ็นเซอร์ของอุปกรณ์ในการตรวจวัดต่างๆได้เป็น อย่างดี

Claims (1)

: แก้ไข 13/01/2560 การประดิษฐ์นี้เสนอกรรมวิธีการสร้างฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์ ชนิดโครงสร้างแท่งรูพรุน ซึ่งประกอบด้วย: การ จัดให้มีแผ่นรองรับ (substrate) เป้าสารเคลือบ (target) ในห้องปฏิกิริยา (chamber); การจ่ายก๊าซอาร์กอน (Ar) เข้า สู่ห้องปฏิกิริยาดังกล่าว; และการควบคุมให้เกิดพลาสมาก๊าซไวปฏิกิริยา (reactive gas plasma) ในห้องปฏิกิริยา ดังกล่าวด้วยระบบแมกนีตรอน สปัตเตอร์ริง (magnetron sputtering) เพื่อการสปัต (sputtering) เป้าสารเคลือบ ดังกล่าวในรูปแบบที่กำหนดไว้ล่วงหน้าให้เกิดเป็นฟิล์มบางชนิดโครงสร้างแท่งรูพรุนบนแผ่นรองรับดังกล่าว; โดยที่ ควบคุมการเกิดฟิล์มบางชนิดโครงสร้างแท่งรูพรุนด้วยการปรับมุมของส่วนแผ่นรองรับดังกล่าวให้มีค่าเป็นค่ามุม ประสิทธิผล (6) (effective deposition angle)ร่วมกับการควบคุมสัดส่วนของเวลาการจ่ายพลาสมาก๊าซไวปฏิกิริยา (reactive gas timing)ชนิดก๊าซอาร์กอนกับก๊าซออกซิเจนเข้าไปในห้องปฏิกิริยาดังกล่าวในสัดส่วน0.4 ถึง 10.0 ฟิล์มบางซิงค์ออกไซค์ตามการประดิษฐ์นี้มีลักษณะโครงสร้างเป็นแท่งรูพรุนขนาดนาโนเมตร (nanorods- porous) เป็นการสร้างเสร็จได้ในขั้นตอนเดียว โครงสร้างของสิ่งประดิษฐ์ที่สร้างขึ้นนี้ยังมีความเป็นผลึกซิงค์ออกไซค์ แบบเฮกซะโกนอล และจากการเตรียมฟิล์มบางซิงค์ออกไซค์ที่มีลักษณะโครงสร้างเป็นแบบแท่งรูพรุนขนาดนาโนเมตร ได้ดังกระบวนการเตรียมตามการประดิษฐ์นี้ถือเป็นลักษณะโครงสร้างแบบใหม่ และยังส่งผลทำให้พื้นที่ผิวสัมผัสของ ฟิล์มเพิ่มขี้นอย่างมาก จึงเหมาะกับการนำไปประยุกต์ทำเป็นพื้นผิวเซ็นเซอร์ของอุปกรณ์ในการตรวจวัดต่างๆได้เป็น อย่างดี -------------------------- คำขอใหม่ปรับปรุง 28/7/2559 การประดิษฐ์นี้เสนอกรรมวิธีการสร้างฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์ ชนิดโครงสร้างแท่งรูพรุน ซึ่งประกอบด้วย: การ จัดให้มีแผ่นรองรับ (substrate) เป้าสารเคลือบ (target) ในห้องปฎิกิริยา (chamber); การจ่ายก๊าซอาร์กอน (Ar) เข้า สู่ห้องปฏิกิริยาดังกล่าว; และ การควบคุมให้เกิดพลาสมาก๊าซไวปฏิกิริยา (reactlve gas PUaJma) ในห้องปฏิกิริยา ดังกล่าวด้วยระบบแมกนีตรอน สปัตเตอร์ริง (magnetron Sputtering) เพื่อการสปัต (sputtering) เป้าสารเคลือบ ดังกล่าวในรูปแบบที่กำหนดไว้ล่วงหน้าให้เกิดเป็นฟิล์มบางชนิดโครงสร้างแท่งรูพรุนบนแผ่นรองรับดังกล่าว: โดยที่ ควบคุมการเกิดฟิมล์บางชนิดโครงสร้างแท่งรูพรุนด้วยการปรับมุมของส่วนแผ่นรองรับดังกล่าวให้มีค่าเป็นค่ามุม ประสิทธิผล (6) (effective deposition angle) ร่วมกับการควบคุมสัดส่วนของเวลาการจ่ายพลาสมาก๊าซไวปฏิกิริยา (reactive gas timing) ชนิดก๊าซอาร์กอนกับกาซออกซิเจนเข้าไปในห้องปฏิกิริยาดังกล่าวในสัดส่วน 0.4 ถึง 10.0 ฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์ตามการประดิษฐ์นี้มีลักษณะโครงสร้างเป็นแท่งรูพรุนขนาดนาโนเมตร (nanorods- porous) เป็นการสร้างเสร็จได้ในขั้นตอนเดียว โครงสร้างของสิ่งประดิษฐ์ที่สร้างขึ้นมานี้มีความเป็นผลึกซิงค์ออกไซค์ แบบเฮกซะโกนอล และจากการเตรียมฟิล์มบางซิงค์ออกไซค์ที่มีลักษณะโครงสร้างเป็นแบบแท่งรูพรุนขนาดนาโนเมตร ได้ดังกระบวนการเตรียมตามการประดิษฐ์นี้ถือเป็นลักษณะโครงสร้างแบบใหม่ และยังส่งผลทำให้พื้นผิวสัมผัสของ ฟิมล์เพิ่มขึ้นอย่างมาก จึงเหมาะกับการนำไปประยุกต์ทำให้เป็นพื้นผิวเซ็นเซอร์ของอุปกรณ์ในการตรวจวัดต่างๆได้เป็น อย่างดีข้อถือสิทธิ์ (ข้อที่หนึ่ง) ซึ่งจะปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา : แก้ไข 13/01/2560

1. กรรมวิธีการสร้างฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์ ชนิดโครงสร้างแท่งรูพรุน ซึ่งประกอบด้วย: - การจัดให้มีแผ่นรองรับ (1) (substrate) เป้าสารเคลือบ (4) (target) ใบห้องปฏิกิริยา (chamber); - การจ่ายก๊าซอาร์กอน (Ar) ก๊าซออกซิเจน (O2) เข้าสู่ห้องปฏิกิริยาดังกล่าว; และ - การควบคุมให้เกิดพลาสมาก๊าซไวปฏิกิริยา (reacแท็ก :