TH104686B - กรรมวิธีการสร้างฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์ ชนิดโครงสร้างแท่งรูพรุน - Google Patents
กรรมวิธีการสร้างฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์ ชนิดโครงสร้างแท่งรูพรุนInfo
- Publication number
- TH104686B TH104686B TH901002674A TH0901002674A TH104686B TH 104686 B TH104686 B TH 104686B TH 901002674 A TH901002674 A TH 901002674A TH 0901002674 A TH0901002674 A TH 0901002674A TH 104686 B TH104686 B TH 104686B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- zinc oxide
- reaction chamber
- thin film
- porous
- oxide thin
- Prior art date
Links
Abstract
แก้ไข 13/01/2560 การประดิษฐ์นี้เสนอกรรมวิธีการสร้างฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์ ชนิดโครงสร้างแท่งรูพรุน ซึ่งประกอบด้วย: การ จัดให้มีแผ่นรองรับ (substrate) เป้าสารเคลือบ (target) ในห้องปฏิกิริยา (chamber); การจ่ายก๊าซอาร์กอน (Ar) เข้า สู่ห้องปฏิกิริยาดังกล่าว; และการควบคุมให้เกิดพลาสมาก๊าซไวปฏิกิริยา (reactive gas plasma) ในห้องปฏิกิริยา ดังกล่าวด้วยระบบแมกนีตรอน สปัตเตอร์ริง (magnetron sputtering) เพื่อการสปัต (sputtering) เป้าสารเคลือบ ดังกล่าวในรูปแบบที่กำหนดไว้ล่วงหน้าให้เกิดเป็นฟิล์มบางชนิดโครงสร้างแท่งรูพรุนบนแผ่นรองรับดังกล่าว; โดยที่ ควบคุมการเกิดฟิล์มบางชนิดโครงสร้างแท่งรูพรุนด้วยการปรับมุมของส่วนแผ่นรองรับดังกล่าวให้มีค่าเป็นค่ามุม ประสิทธิผล (6) (effective deposition angle)ร่วมกับการควบคุมสัดส่วนของเวลาการจ่ายพลาสมาก๊าซไวปฏิกิริยา (reactive gas timing)ชนิดก๊าซอาร์กอนกับก๊าซออกซิเจนเข้าไปในห้องปฏิกิริยาดังกล่าวในสัดส่วน0.4 ถึง 10.0 ฟิล์มบางซิงค์ออกไซค์ตามการประดิษฐ์นี้มีลักษณะโครงสร้างเป็นแท่งรูพรุนขนาดนาโนเมตร (nanorods- porous) เป็นการสร้างเสร็จได้ในขั้นตอนเดียว โครงสร้างของสิ่งประดิษฐ์ที่สร้างขึ้นนี้ยังมีความเป็นผลึกซิงค์ออกไซค์ แบบเฮกซะโกนอล และจากการเตรียมฟิล์มบางซิงค์ออกไซค์ที่มีลักษณะโครงสร้างเป็นแบบแท่งรูพรุนขนาดนาโนเมตร ได้ดังกระบวนการเตรียมตามการประดิษฐ์นี้ถือเป็นลักษณะโครงสร้างแบบใหม่ และยังส่งผลทำให้พื้นที่ผิวสัมผัสของ ฟิล์มเพิ่มขี้นอย่างมาก จึงเหมาะกับการนำไปประยุกต์ทำเป็นพื้นผิวเซ็นเซอร์ของอุปกรณ์ในการตรวจวัดต่างๆได้เป็น อย่างดี -------------------------- คำขอใหม่ปรับปรุง 28/7/2559 การประดิษฐ์นี้เสนอกรรมวิธีการสร้างฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์ ชนิดโครงสร้างแท่งรูพรุน ซึ่งประกอบด้วย: การ จัดให้มีแผ่นรองรับ (substrate) เป้าสารเคลือบ (target) ในห้องปฎิกิริยา (chamber); การจ่ายก๊าซอาร์กอน (Ar) เข้า สู่ห้องปฏิกิริยาดังกล่าว; และ การควบคุมให้เกิดพลาสมาก๊าซไวปฏิกิริยา (reactlve gas PUaJma) ในห้องปฏิกิริยา ดังกล่าวด้วยระบบแมกนีตรอน สปัตเตอร์ริง (magnetron Sputtering) เพื่อการสปัต (sputtering) เป้าสารเคลือบ ดังกล่าวในรูปแบบที่กำหนดไว้ล่วงหน้าให้เกิดเป็นฟิล์มบางชนิดโครงสร้างแท่งรูพรุนบนแผ่นรองรับดังกล่าว: โดยที่ ควบคุมการเกิดฟิมล์บางชนิดโครงสร้างแท่งรูพรุนด้วยการปรับมุมของส่วนแผ่นรองรับดังกล่าวให้มีค่าเป็นค่ามุม ประสิทธิผล (6) (effective deposition angle) ร่วมกับการควบคุมสัดส่วนของเวลาการจ่ายพลาสมาก๊าซไวปฏิกิริยา (reactive gas timing) ชนิดก๊าซอาร์กอนกับกาซออกซิเจนเข้าไปในห้องปฏิกิริยาดังกล่าวในสัดส่วน 0.4 ถึง 10.0 ฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์ตามการประดิษฐ์นี้มีลักษณะโครงสร้างเป็นแท่งรูพรุนขนาดนาโนเมตร (nanorods- porous) เป็นการสร้างเสร็จได้ในขั้นตอนเดียว โครงสร้างของสิ่งประดิษฐ์ที่สร้างขึ้นมานี้มีความเป็นผลึกซิงค์ออกไซค์ แบบเฮกซะโกนอล และจากการเตรียมฟิล์มบางซิงค์ออกไซค์ที่มีลักษณะโครงสร้างเป็นแบบแท่งรูพรุนขนาดนาโนเมตร ได้ดังกระบวนการเตรียมตามการประดิษฐ์นี้ถือเป็นลักษณะโครงสร้างแบบใหม่ และยังส่งผลทำให้พื้นผิวสัมผัสของ ฟิมล์เพิ่มขึ้นอย่างมาก จึงเหมาะกับการนำไปประยุกต์ทำให้เป็นพื้นผิวเซ็นเซอร์ของอุปกรณ์ในการตรวจวัดต่างๆได้เป็น อย่างดี
Claims (1)
1. เครื่องยนต์แบบสันดาปภายในซึ่งประกอบด้วย ห้องสนดาปที่มีช่องไอเสีย วาล์วไอเสียสำหรับเปิดหรือปิดช่องไอเสีย อุปกรณ์ระบายไอเสียซึ่งมีเส้นทางไอเสียสำหรับนำร่องไอเสียที่ถูกปล่อยออกจาก ห้องสันดาปโดยผ่านช่องไอเสีย และ ระบบป้อนอากาศทุติยภูมืสำหรับป้อนอากาศเข้าไปยังอุปกรณ์ระบายไอเสีย โดยที่ อุปกรณ์ระบายไอเสียประกอบด้วย ส่วนที่เบนเข้าซึ่งที่ปลายด้านปลายทางของมันมีพื้นที่หน้าตัดของเส้นทางการไหล ที่เล็กกว่าที่ปลายด้านต้นทางของมัน ส่วนที่เบนออกซึ่งถูกจัดให้มีขึ้นทางด้านปลายทางเมื่อพิจารณ
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH104686A TH104686A (th) | 2010-10-29 |
| TH173676A TH173676A (th) | 2018-03-02 |
| TH104686B true TH104686B (th) | 2024-11-11 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20140119654A (ko) | 단일 포인트 선형 증발원 시스템 | |
| KR20140119655A (ko) | 증발원 어셈블리 | |
| JP5506147B2 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
| CN107012431B (zh) | 一种蒸镀源、蒸镀装置及蒸镀方法 | |
| WO2008079741A3 (en) | Method and system for controlling a vapor delivery system | |
| WO2011043961A3 (en) | Epitaxial chamber with cross flow | |
| JP2014199789A5 (th) | ||
| CN108642466B (zh) | 一种复合技术制备涂层的装置 | |
| CN107849686A (zh) | 蒸镀源和蒸镀装置以及蒸镀膜制造方法 | |
| RU2008143236A (ru) | Cистема ионной пушки, устройство парофазного осаждения и способ изготовления линзы | |
| JP2014220398A5 (ja) | 原子層堆積装置、原子層堆積方法、及びデバイスの製造方法 | |
| JP2003239086A5 (th) | ||
| JP2012104579A5 (th) | ||
| CN108026630A (zh) | 蒸镀源和蒸镀装置以及蒸镀膜制造方法 | |
| TW201317374A (zh) | 真空蒸鍍裝置 | |
| TWI568872B (zh) | 蒸鍍裝置 | |
| CN103122457B (zh) | 一种化学气相沉积固态前驱体连续供给系统 | |
| JP2013125851A (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
| DE602005013487D1 (de) | Selbstreinigungs-beleuchtungsvorrichtung | |
| TH104686B (th) | กรรมวิธีการสร้างฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์ ชนิดโครงสร้างแท่งรูพรุน | |
| CN104032283B (zh) | 一种大面积平板式pecvd设备反应腔压力的控制装置 | |
| CN204874720U (zh) | 一种电弧蒸发源 | |
| CN202954086U (zh) | 一种镀膜设备及靶材 | |
| WO2009041214A1 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
| CN104831241A (zh) | 一种生长单相外延m面ZnOS三元合金薄膜的方法 |