TH104686B - กรรมวิธีการสร้างฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์ ชนิดโครงสร้างแท่งรูพรุน - Google Patents

กรรมวิธีการสร้างฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์ ชนิดโครงสร้างแท่งรูพรุน

Info

Publication number
TH104686B
TH104686B TH901002674A TH0901002674A TH104686B TH 104686 B TH104686 B TH 104686B TH 901002674 A TH901002674 A TH 901002674A TH 0901002674 A TH0901002674 A TH 0901002674A TH 104686 B TH104686 B TH 104686B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
zinc oxide
reaction chamber
thin film
porous
oxide thin
Prior art date
Application number
TH901002674A
Other languages
English (en)
Other versions
TH104686A (th
TH173676A (th
Inventor
ชนนนนวธร นางสาวชนันธร
พรธีระภัทร นางสาวศุภนิจ
หนูแก้ว นายจิติ
นันทวงศ์ นายนพดล
เขมะศิริ นายนราธร
จินดาอุดม นายพงศ์พันธ์
เอี่ยมชัย นายพิทักษ์
ห่อประทุม นายมติ
พัฒนะเศรษฐกุล นายวิยะพล
ลิ้มวิเชียร นายศักย์ศรณ์
คล้ำชื่น นายอรรณพ
ทาคาฮาชิ ทสุกูโนริโคโนกาวะ ยูซูเกะทาคาฮาชิ ยูซูเกะ
Original Assignee
ยามาฮา ฮัตซูโดกิ คาบูชิกิ ไกชา (นิติบุคคลจัดตั้งขึ้นตามกฎหมายแห่งประเทศญี่ปุ่น)
สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ
Filing date
Publication date
Publication of TH104686A publication Critical patent/TH104686A/th
Application filed by ยามาฮา ฮัตซูโดกิ คาบูชิกิ ไกชา (นิติบุคคลจัดตั้งขึ้นตามกฎหมายแห่งประเทศญี่ปุ่น), สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ filed Critical ยามาฮา ฮัตซูโดกิ คาบูชิกิ ไกชา (นิติบุคคลจัดตั้งขึ้นตามกฎหมายแห่งประเทศญี่ปุ่น)
Publication of TH173676A publication Critical patent/TH173676A/th
Publication of TH104686B publication Critical patent/TH104686B/th

Links

Abstract

แก้ไข 13/01/2560 การประดิษฐ์นี้เสนอกรรมวิธีการสร้างฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์ ชนิดโครงสร้างแท่งรูพรุน ซึ่งประกอบด้วย: การ จัดให้มีแผ่นรองรับ (substrate) เป้าสารเคลือบ (target) ในห้องปฏิกิริยา (chamber); การจ่ายก๊าซอาร์กอน (Ar) เข้า สู่ห้องปฏิกิริยาดังกล่าว; และการควบคุมให้เกิดพลาสมาก๊าซไวปฏิกิริยา (reactive gas plasma) ในห้องปฏิกิริยา ดังกล่าวด้วยระบบแมกนีตรอน สปัตเตอร์ริง (magnetron sputtering) เพื่อการสปัต (sputtering) เป้าสารเคลือบ ดังกล่าวในรูปแบบที่กำหนดไว้ล่วงหน้าให้เกิดเป็นฟิล์มบางชนิดโครงสร้างแท่งรูพรุนบนแผ่นรองรับดังกล่าว; โดยที่ ควบคุมการเกิดฟิล์มบางชนิดโครงสร้างแท่งรูพรุนด้วยการปรับมุมของส่วนแผ่นรองรับดังกล่าวให้มีค่าเป็นค่ามุม ประสิทธิผล (6) (effective deposition angle)ร่วมกับการควบคุมสัดส่วนของเวลาการจ่ายพลาสมาก๊าซไวปฏิกิริยา (reactive gas timing)ชนิดก๊าซอาร์กอนกับก๊าซออกซิเจนเข้าไปในห้องปฏิกิริยาดังกล่าวในสัดส่วน0.4 ถึง 10.0 ฟิล์มบางซิงค์ออกไซค์ตามการประดิษฐ์นี้มีลักษณะโครงสร้างเป็นแท่งรูพรุนขนาดนาโนเมตร (nanorods- porous) เป็นการสร้างเสร็จได้ในขั้นตอนเดียว โครงสร้างของสิ่งประดิษฐ์ที่สร้างขึ้นนี้ยังมีความเป็นผลึกซิงค์ออกไซค์ แบบเฮกซะโกนอล และจากการเตรียมฟิล์มบางซิงค์ออกไซค์ที่มีลักษณะโครงสร้างเป็นแบบแท่งรูพรุนขนาดนาโนเมตร ได้ดังกระบวนการเตรียมตามการประดิษฐ์นี้ถือเป็นลักษณะโครงสร้างแบบใหม่ และยังส่งผลทำให้พื้นที่ผิวสัมผัสของ ฟิล์มเพิ่มขี้นอย่างมาก จึงเหมาะกับการนำไปประยุกต์ทำเป็นพื้นผิวเซ็นเซอร์ของอุปกรณ์ในการตรวจวัดต่างๆได้เป็น อย่างดี -------------------------- คำขอใหม่ปรับปรุง 28/7/2559 การประดิษฐ์นี้เสนอกรรมวิธีการสร้างฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์ ชนิดโครงสร้างแท่งรูพรุน ซึ่งประกอบด้วย: การ จัดให้มีแผ่นรองรับ (substrate) เป้าสารเคลือบ (target) ในห้องปฎิกิริยา (chamber); การจ่ายก๊าซอาร์กอน (Ar) เข้า สู่ห้องปฏิกิริยาดังกล่าว; และ การควบคุมให้เกิดพลาสมาก๊าซไวปฏิกิริยา (reactlve gas PUaJma) ในห้องปฏิกิริยา ดังกล่าวด้วยระบบแมกนีตรอน สปัตเตอร์ริง (magnetron Sputtering) เพื่อการสปัต (sputtering) เป้าสารเคลือบ ดังกล่าวในรูปแบบที่กำหนดไว้ล่วงหน้าให้เกิดเป็นฟิล์มบางชนิดโครงสร้างแท่งรูพรุนบนแผ่นรองรับดังกล่าว: โดยที่ ควบคุมการเกิดฟิมล์บางชนิดโครงสร้างแท่งรูพรุนด้วยการปรับมุมของส่วนแผ่นรองรับดังกล่าวให้มีค่าเป็นค่ามุม ประสิทธิผล (6) (effective deposition angle) ร่วมกับการควบคุมสัดส่วนของเวลาการจ่ายพลาสมาก๊าซไวปฏิกิริยา (reactive gas timing) ชนิดก๊าซอาร์กอนกับกาซออกซิเจนเข้าไปในห้องปฏิกิริยาดังกล่าวในสัดส่วน 0.4 ถึง 10.0 ฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์ตามการประดิษฐ์นี้มีลักษณะโครงสร้างเป็นแท่งรูพรุนขนาดนาโนเมตร (nanorods- porous) เป็นการสร้างเสร็จได้ในขั้นตอนเดียว โครงสร้างของสิ่งประดิษฐ์ที่สร้างขึ้นมานี้มีความเป็นผลึกซิงค์ออกไซค์ แบบเฮกซะโกนอล และจากการเตรียมฟิล์มบางซิงค์ออกไซค์ที่มีลักษณะโครงสร้างเป็นแบบแท่งรูพรุนขนาดนาโนเมตร ได้ดังกระบวนการเตรียมตามการประดิษฐ์นี้ถือเป็นลักษณะโครงสร้างแบบใหม่ และยังส่งผลทำให้พื้นผิวสัมผัสของ ฟิมล์เพิ่มขึ้นอย่างมาก จึงเหมาะกับการนำไปประยุกต์ทำให้เป็นพื้นผิวเซ็นเซอร์ของอุปกรณ์ในการตรวจวัดต่างๆได้เป็น อย่างดี

Claims (1)

1. เครื่องยนต์แบบสันดาปภายในซึ่งประกอบด้วย ห้องสนดาปที่มีช่องไอเสีย วาล์วไอเสียสำหรับเปิดหรือปิดช่องไอเสีย อุปกรณ์ระบายไอเสียซึ่งมีเส้นทางไอเสียสำหรับนำร่องไอเสียที่ถูกปล่อยออกจาก ห้องสันดาปโดยผ่านช่องไอเสีย และ ระบบป้อนอากาศทุติยภูมืสำหรับป้อนอากาศเข้าไปยังอุปกรณ์ระบายไอเสีย โดยที่ อุปกรณ์ระบายไอเสียประกอบด้วย ส่วนที่เบนเข้าซึ่งที่ปลายด้านปลายทางของมันมีพื้นที่หน้าตัดของเส้นทางการไหล ที่เล็กกว่าที่ปลายด้านต้นทางของมัน ส่วนที่เบนออกซึ่งถูกจัดให้มีขึ้นทางด้านปลายทางเมื่อพิจารณ
TH901002674A 2015-07-10 กรรมวิธีการสร้างฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์ ชนิดโครงสร้างแท่งรูพรุน TH104686B (th)

Publications (3)

Publication Number Publication Date
TH104686A TH104686A (th) 2010-10-29
TH173676A TH173676A (th) 2018-03-02
TH104686B true TH104686B (th) 2024-11-11

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20140119654A (ko) 단일 포인트 선형 증발원 시스템
KR20140119655A (ko) 증발원 어셈블리
JP5506147B2 (ja) 成膜装置及び成膜方法
CN107012431B (zh) 一种蒸镀源、蒸镀装置及蒸镀方法
WO2008079741A3 (en) Method and system for controlling a vapor delivery system
WO2011043961A3 (en) Epitaxial chamber with cross flow
JP2014199789A5 (th)
CN108642466B (zh) 一种复合技术制备涂层的装置
CN107849686A (zh) 蒸镀源和蒸镀装置以及蒸镀膜制造方法
RU2008143236A (ru) Cистема ионной пушки, устройство парофазного осаждения и способ изготовления линзы
JP2014220398A5 (ja) 原子層堆積装置、原子層堆積方法、及びデバイスの製造方法
JP2003239086A5 (th)
JP2012104579A5 (th)
CN108026630A (zh) 蒸镀源和蒸镀装置以及蒸镀膜制造方法
TW201317374A (zh) 真空蒸鍍裝置
TWI568872B (zh) 蒸鍍裝置
CN103122457B (zh) 一种化学气相沉积固态前驱体连续供给系统
JP2013125851A (ja) 成膜装置及び成膜方法
DE602005013487D1 (de) Selbstreinigungs-beleuchtungsvorrichtung
TH104686B (th) กรรมวิธีการสร้างฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์ ชนิดโครงสร้างแท่งรูพรุน
CN104032283B (zh) 一种大面积平板式pecvd设备反应腔压力的控制装置
CN204874720U (zh) 一种电弧蒸发源
CN202954086U (zh) 一种镀膜设备及靶材
WO2009041214A1 (ja) プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
CN104831241A (zh) 一种生长单相外延m面ZnOS三元合金薄膜的方法