TH162405A3 - - Google Patents
Info
- Publication number
- TH162405A3 TH162405A3 TH1501003599A TH1501003599A TH162405A3 TH 162405 A3 TH162405 A3 TH 162405A3 TH 1501003599 A TH1501003599 A TH 1501003599A TH 1501003599 A TH1501003599 A TH 1501003599A TH 162405 A3 TH162405 A3 TH 162405A3
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- mass
- ratio
- less
- capacitance
- solder
- Prior art date
Links
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract 19
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract 15
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract 15
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims abstract 12
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 12
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims abstract 12
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 12
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 11
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract 11
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 11
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract 11
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract 8
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims 1
Abstract
คำขอใหม่ปรับปรุงวันที่ 19/04/2559 โลหะผสมบัดกรีที่ประกอบด้วยดีบุก, เงิน, อินเดียม,บิสมัท และพลวงอย่างเป็นสำคัญ เมื่อเทียบกับปริมาณทั้งหมดของโลหะผสมบัดกรี, อัตราส่วนปริมาณความจุของเงินคือ 2.8 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 4 %โดยมวล หรือน้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของอินเดียมคือ 6.2 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 9.0 %โดยมวล หรือน้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของบิสมัทคือ 0.7 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 5.0 %โดยมวล หรือน้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของพลวงคือ 0.3 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 5.0 %โดยมวล หรือน้อยกว่า; และอัตราส่วนปริมาณความจุของดีบุกคืออัตราส่วนที่ เหลืออยู่ และค่าของ A ในดิสคริมิแนนต์ (1) ดังต่อไปนี้คือ 4.36 หรือน้อยกว่า A = 0.87 X [อัตราส่วนปริมาณความจุ In (%โดยมวล)] - 0.41 X [อัตราส่วนปริมาณความจุ Ag (%โดยมวล)] - 0.82 X [อัตราส่วนปริมาณความจุ Sb (%โดยมวล)] .....(1)
Claims (6)
1. โลหะผสมบัดกรีที่ประกอบด้วย ดีบุก, เงิน, อินเดียม,บิสมัท และพลวงอย่างเป็นสำคัญ ที่ซึ่ง เมื่อเทียบกับปริมาณทั้งหมดของโลหะผสมบัดกรี, อัตราส่วนปริมาณความจุของเงินคือ 2.8 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 4 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของอินเดียมคือ 6.2 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 9.0 %โดยมวล หรือน้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของบิสมัทคือ 0.7 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 5.0 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของพลวงคือ 0.3 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 5.0 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า; และ อัตราส่วนปริมาณความจุของดีบุกคืออัตราส่วนที่เหลืออยู่ และ ค่าของ A ในดิสคริมิแนนต์ (1) ดังต่อไปนี้คือ 4.36 หรือน้อยกว่า A = 0.87 X [อัตราส่วนปริมาณความจุ In (%โดยมวล)] - 0.41 X [อัตราส่วนปริมาณความจุ Ag (%โดยมวล)] - 0.82 X [อัตราส่วนปริมาณความจุ Sb (%โดยมวล)] .....(1)
2. โลหะผสมบัดกรีตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่ง อัตราส่วนปริมาณความจุของบิสมัทคือ 1.0 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 3.0 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า;
3. โลหะผสมบัดกรีตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่ง อัตราส่วนปริมาณความจุของพลวงคือ 1.0 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 3.0 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า;
4. โลหะผสมบัดกรีตามข้อถือสิทธิ 1 ประกอบเพิ่มเติมด้วย ธาตุอย่างน้อยหนึ่งธาตุที่ถูกเลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วยทองแดง, นิกเกิล, โคบอลต์, แกลเลียม , เจอร์เมเนียม และฟอสฟอรัส ที่ซึ่ง เมื่อเทียบกับปริมาณทั้งหมดของโลหะผสมบัดกรี อัตราส่วนปริมาณความจุของธาตุเหนือกว่า 0 %โดยมวล และ 1.0 %โดยมวล หรือน้อยกว่า
5. ตะกั่วเหลวบัดกรีซึ่งประกอบรวมด้วย ผงบัดกรีที่ประกอบด้วยโลหะผสมบัดกรี และ ฟลักซ์ ที่ซึ่ง ผงบัดกรีที่ประกอบด้วย ดีบุก, เงิน, อินเดียม, บิสมัท และพลวงอย่างเป็นสำคัญ และ เมื่อเทียบกับปริมาณทั้งหมดของโลหะผสมบัดกรี อัตราส่วนปริมาณความจุของเงินคือ 2.8 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 4 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของอินเดียมคือ 6.2 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 9.0 %โดยมวล หรือน้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของบิสมัทคือ 0.7 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 5.0 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของพลวงคือ 0.3 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 5.0 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า; และ อัตราส่วนปริมาณความจุของดีบุกคืออัตราส่วนที่เหลืออยู่ และ ค่าของ A ในดิสคริมิแนนต์ (1) ดังต่อไปนี้คือ 4.36 หรือน้อยกว่า A = 0.87 X [อัตราส่วนปริมาณความจุ In (%โดยมวล)] - 0.41 X [อัตราส่วนปริมาณความจุ Ag (%โดยมวล)] - 0.82 X [อัตราส่วนปริมาณความจุ Sb (%โดยมวล)] .....(1)
6. แผงวงจรอิเล็กทรอนิกส์ซึ่งประกอบรวมด้วย ส่วนการบัดกรีโดยตะกั่วเหลวบัดกรี ที่ซึ่ง ตะกั่วเหลวบัดกรีประกอบรวมด้วย ผงบัดกรีที่ประกอบด้วยโลหะผสมบัดกรี และ ฟลักซ์ และ โลหะผสมบัดกรีที่ประกอบด้วย ดีบุก, เงิน, อินเดียม,บิสมัท และพลวงอย่างเป็นสำคัญ และ เมื่อเทียบกับปริมาณทั้งหมดของโลหะผสมบัดกรี อัตราส่วนปริมาณความจุของเงินคือ 2.8 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 4 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของอินเดียมคือ 6.2 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 9.0 %โดยมวล หรือน้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของบิสมัทคือ 0.7 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 5.0 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของพลวงคือ 0.3 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 5.0 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า; และ อัตราส่วนปริมาณความจุของดีบุกคืออัตราส่วนที่เหลืออยู่ และ ค่าของ A ในดิสคริมิแนนต์ (1) ดังต่อไปนี้คือ 4.36 หรือน้อยกว่า A = 0.87 X [อัตราส่วนปริมาณความจุ In (%โดยมวล)] - 0.41 X [อัตราส่วนปริมาณความจุ Ag (%โดยมวล)] - 0.82 X [อัตราส่วนปริมาณความจุ Sb (%โดยมวล)] .....(1)
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH162405A3 true TH162405A3 (th) | 2017-05-11 |
| TH1501003599B TH1501003599B (th) | 2017-05-11 |
| TH59236C3 TH59236C3 (th) | 2017-11-30 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| MY154361A (en) | Solder alloy, solder paste, and electronic circuit board | |
| MY154044A (en) | Solder alloy, solder paste, and electronic circuit board | |
| MY188659A (en) | Solder alloy, solder paste, and electronic circuit board | |
| MY162879A (en) | Solder alloy, solder paste, and electronic circuit board | |
| MY154604A (en) | Solder alloy, solder paste, and electronic circuit board | |
| PH12014500905A1 (en) | High temperature reliability alloy | |
| MY164343A (en) | Solder alloy, solder paste, and electronic circuit board | |
| WO2016012754A3 (en) | Low temperature high reliability tin alloy for soldering | |
| MX2021012411A (es) | Aleaciones de soldadura libres de plata, libres de plomo. | |
| EP4629759A3 (en) | High temperature ultra-high reliability alloys | |
| JP2016052684A5 (th) | ||
| PH12015502283A1 (en) | Lead-free solder alloy and in-vehicle electronic circuit | |
| JP2014509944A5 (th) | ||
| MX2011011353A (es) | Aleacion de soldura de bajo contenido de plata y composicion de pasta de soldadura. | |
| EP4299238A3 (en) | Low-silver tin based alternative solder alloy to standard sac alloys for high reliability applications | |
| MX2019002670A (es) | Soldadura de lmpa: aleacion de punto de fusion bajo, libre de plomo y uso de la misma. | |
| WO2011102659A3 (ko) | 도전성 잉크 및 이를 이용한 전자소자 | |
| RU2017144086A (ru) | Припойная соединительная структура и способ пленкообразования | |
| PH12017501348B1 (en) | Copper alloy for electronic/electrical device, copper alloy plastically worked material for electronic/electrical device, component for electronic/electrical device, terminal and busbar | |
| JP2013193092A5 (ja) | はんだ材料 | |
| MX2013009113A (es) | Aleacion de soldadura para audio. | |
| TH59236C3 (th) | ||
| WO2019094241A3 (en) | Cost-effective lead-free solder alloy for electronic applications | |
| JP2017051984A5 (th) | ||
| JP2017024074A5 (th) |