TH59236C3 - - Google Patents

Info

Publication number
TH59236C3
TH59236C3 TH1501003599A TH1501003599A TH59236C3 TH 59236 C3 TH59236 C3 TH 59236C3 TH 1501003599 A TH1501003599 A TH 1501003599A TH 1501003599 A TH1501003599 A TH 1501003599A TH 59236 C3 TH59236 C3 TH 59236C3
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
mass
ratio
less
capacitance
solder
Prior art date
Application number
TH1501003599A
Other languages
English (en)
Other versions
TH162405A3 (th
TH1501003599B (th
Original Assignee
นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์ นางสาวสนธยา สังขพงศ์
Filing date
Publication date
Application filed by นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์ นางสาวสนธยา สังขพงศ์ filed Critical นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์ นางสาวสนธยา สังขพงศ์
Publication of TH162405A3 publication Critical patent/TH162405A3/th
Publication of TH1501003599B publication Critical patent/TH1501003599B/th
Publication of TH59236C3 publication Critical patent/TH59236C3/th

Links

Abstract

คำขอใหม่ปรับปรุงวันที่ 19/04/2559 โลหะผสมบัดกรีที่ประกอบด้วยดีบุก, เงิน, อินเดียม,บิสมัท และพลวงอย่างเป็นสำคัญ เมื่อเทียบกับปริมาณทั้งหมดของโลหะผสมบัดกรี, อัตราส่วนปริมาณความจุของเงินคือ 2.8 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 4 %โดยมวล หรือน้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของอินเดียมคือ 6.2 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 9.0 %โดยมวล หรือน้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของบิสมัทคือ 0.7 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 5.0 %โดยมวล หรือน้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของพลวงคือ 0.3 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 5.0 %โดยมวล หรือน้อยกว่า; และอัตราส่วนปริมาณความจุของดีบุกคืออัตราส่วนที่ เหลืออยู่ และค่าของ A ในดิสคริมิแนนต์ (1) ดังต่อไปนี้คือ 4.36 หรือน้อยกว่า A = 0.87 X [อัตราส่วนปริมาณความจุ In (%โดยมวล)] - 0.41 X [อัตราส่วนปริมาณความจุ Ag (%โดยมวล)] - 0.82 X [อัตราส่วนปริมาณความจุ Sb (%โดยมวล)] .....(1)

Claims (6)

ข้อถือสิทธฺ์ (ทั้งหมด) ซึ่งจะไม่ปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา :8 มิถุนายน 2560 1. โลหะผสมบัดกรีที่ประกอบด้วย ดีบุก, เงิน, อินเดียม,บิสมัท และพลวงอย่างเป็นสำคัญ ที่ซึ่ง เมื่อเทียบกับปริมาณทั้งหมดของโลหะผสมบัดกรี, อัตราส่วนปริมาณความจุของเงินคือ 2.8 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 4 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของอินเดียมคือ 6.2 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 9.0 %โดยมวล หรือน้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของบิสมัทคือ 0.7 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 5.0 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของพลวงคือ 0.3 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 5.0 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า; และ อัตราส่วนปริมาณความจุของดีบุกคืออัตราส่วนที่เหลืออยู่ และ ค่าของ A ในดิสคริมิแนนต์ (1) ดังต่อไปนี้คือ 4.36 หรือน้อยกว่า หากมีกรณีซึ่ง อัรตราส่วนปริมาณความจุของเงินคือ 3.2% โดยมวล; อัตราส่วนปริมาณความจุของอินเดียมคือ 6.8% โดยมวล; อัตราส่วนปริมาณความจุของบิสมัทคือ 2.3% โดยมวล; อัตราส่วนปริมาณความจุของพลวงคือ 0.9% โดยมวล; อัตราส่วนปริมาณความจุของดีบุกคืออัตราส่วนที่เหลืออยู่ไม่ถูกรวมถึง A = 0.87 X [อัตราส่วนปริมาณความจุ In (%โดยมวล)] - 0.41 X [อัตราส่วนปริมาณความจุ Ag (%โดยมวล)] - 0.82 X [อัตราส่วนปริมาณความจุ Sb (%โดยมวล)] .....(1) ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- คำขอใหม่ปรับปรุงวันที่ 19/04/2559
1. โลหะผสมบัดกรีที่ประกอบด้วย ดีบุก, เงิน, อินเดียม,บิสมัท และพลวงอย่างเป็นสำคัญ ที่ซึ่ง เมื่อเทียบกับปริมาณทั้งหมดของโลหะผสมบัดกรี, อัตราส่วนปริมาณความจุของเงินคือ 2.8 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 4 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของอินเดียมคือ 6.2 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 9.0 %โดยมวล หรือน้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของบิสมัทคือ 0.7 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 5.0 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของพลวงคือ 0.3 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 5.0 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า; และ อัตราส่วนปริมาณความจุของดีบุกคืออัตราส่วนที่เหลืออยู่ และ ค่าของ A ในดิสคริมิแนนต์ (1) ดังต่อไปนี้คือ 4.36 หรือน้อยกว่า A = 0.87 X [อัตราส่วนปริมาณความจุ In (%โดยมวล)] - 0.41 X [อัตราส่วนปริมาณความจุ Ag (%โดยมวล)] - 0.82 X [อัตราส่วนปริมาณความจุ Sb (%โดยมวล)] .....(1)
2. โลหะผสมบัดกรีตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่ง อัตราส่วนปริมาณความจุของบิสมัทคือ 1.0 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 3.0 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า;
3. โลหะผสมบัดกรีตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่ง อัตราส่วนปริมาณความจุของพลวงคือ 1.0 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 3.0 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า;
4. โลหะผสมบัดกรีตามข้อถือสิทธิ 1 ประกอบเพิ่มเติมด้วย ธาตุอย่างน้อยหนึ่งธาตุที่ถูกเลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วยทองแดง, นิกเกิล, โคบอลต์, แกลเลียม , เจอร์เมเนียม และฟอสฟอรัส ที่ซึ่ง เมื่อเทียบกับปริมาณทั้งหมดของโลหะผสมบัดกรี อัตราส่วนปริมาณความจุของธาตุเหนือกว่า 0 %โดยมวล และ 1.0 %โดยมวล หรือน้อยกว่า
5. ตะกั่วเหลวบัดกรีซึ่งประกอบรวมด้วย ผงบัดกรีที่ประกอบด้วยโลหะผสมบัดกรี และ ฟลักซ์ ที่ซึ่ง ผงบัดกรีที่ประกอบด้วย ดีบุก, เงิน, อินเดียม, บิสมัท และพลวงอย่างเป็นสำคัญ และ เมื่อเทียบกับปริมาณทั้งหมดของโลหะผสมบัดกรี อัตราส่วนปริมาณความจุของเงินคือ 2.8 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 4 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของอินเดียมคือ 6.2 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 9.0 %โดยมวล หรือน้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของบิสมัทคือ 0.7 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 5.0 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของพลวงคือ 0.3 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 5.0 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า; และ อัตราส่วนปริมาณความจุของดีบุกคืออัตราส่วนที่เหลืออยู่ และ ค่าของ A ในดิสคริมิแนนต์ (1) ดังต่อไปนี้คือ 4.36 หรือน้อยกว่า A = 0.87 X [อัตราส่วนปริมาณความจุ In (%โดยมวล)] - 0.41 X [อัตราส่วนปริมาณความจุ Ag (%โดยมวล)] - 0.82 X [อัตราส่วนปริมาณความจุ Sb (%โดยมวล)] .....(1)
6. แผงวงจรอิเล็กทรอนิกส์ซึ่งประกอบรวมด้วย ส่วนการบัดกรีโดยตะกั่วเหลวบัดกรี ที่ซึ่ง ตะกั่วเหลวบัดกรีประกอบรวมด้วย ผงบัดกรีที่ประกอบด้วยโลหะผสมบัดกรี และ ฟลักซ์ และ โลหะผสมบัดกรีที่ประกอบด้วย ดีบุก, เงิน, อินเดียม,บิสมัท และพลวงอย่างเป็นสำคัญ และ เมื่อเทียบกับปริมาณทั้งหมดของโลหะผสมบัดกรี อัตราส่วนปริมาณความจุของเงินคือ 2.8 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 4 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของอินเดียมคือ 6.2 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 9.0 %โดยมวล หรือน้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของบิสมัทคือ 0.7 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 5.0 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของพลวงคือ 0.3 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 5.0 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า; และ อัตราส่วนปริมาณความจุของดีบุกคืออัตราส่วนที่เหลืออยู่ และ ค่าของ A ในดิสคริมิแนนต์ (1) ดังต่อไปนี้คือ 4.36 หรือน้อยกว่า A = 0.87 X [อัตราส่วนปริมาณความจุ In (%โดยมวล)] - 0.41 X [อัตราส่วนปริมาณความจุ Ag (%โดยมวล)] - 0.82 X [อัตราส่วนปริมาณความจุ Sb (%โดยมวล)] .....(1)
TH1501003599A 2014-08-28 โลหะผสมบัดกรี, ตะกั่วเหลวบัดกรี และแผงวงจรอิเล็กทรอนิกส์ TH1501003599B (th)

Publications (3)

Publication Number Publication Date
TH162405A3 TH162405A3 (th) 2017-05-11
TH1501003599B TH1501003599B (th) 2017-05-11
TH59236C3 true TH59236C3 (th) 2017-11-30

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
MY154361A (en) Solder alloy, solder paste, and electronic circuit board
MY154044A (en) Solder alloy, solder paste, and electronic circuit board
MY188659A (en) Solder alloy, solder paste, and electronic circuit board
MY162879A (en) Solder alloy, solder paste, and electronic circuit board
MY154604A (en) Solder alloy, solder paste, and electronic circuit board
PH12014500905A1 (en) High temperature reliability alloy
WO2016012754A3 (en) Low temperature high reliability tin alloy for soldering
MY164343A (en) Solder alloy, solder paste, and electronic circuit board
MX2021012411A (es) Aleaciones de soldadura libres de plata, libres de plomo.
EP4629759A3 (en) High temperature ultra-high reliability alloys
JP2016052684A5 (th)
MX362934B (es) Aleacion de cobre.
JP2014509944A5 (th)
EP4299238A3 (en) Low-silver tin based alternative solder alloy to standard sac alloys for high reliability applications
Orr et al. The emerging role of docosahexaenoic acid in neuroinflammation.
MX2019002670A (es) Soldadura de lmpa: aleacion de punto de fusion bajo, libre de plomo y uso de la misma.
RU2017144086A (ru) Припойная соединительная структура и способ пленкообразования
JP2013193092A5 (ja) はんだ材料
MX2013009113A (es) Aleacion de soldadura para audio.
TH162405A3 (th)
WO2019094241A3 (en) Cost-effective lead-free solder alloy for electronic applications
JP2017024074A5 (th)
JP2009081142A5 (th)
TH162404A (th) โลหะผสมบัดกรี, องค์ประกอบบัดกรี, ตะกั่วเหลวบัดกรี และแผงวงจรอิเล็กทรอนิกส์
TH65282B (th) โลหะผสมบัดกรี, องค์ประกอบบัดกรี, ตะกั่วเหลวบัดกรี และแผงวงจรอิเล็กทรอนิกส์