TH65282B - โลหะผสมบัดกรี, องค์ประกอบบัดกรี, ตะกั่วเหลวบัดกรี และแผงวงจรอิเล็กทรอนิกส์ - Google Patents
โลหะผสมบัดกรี, องค์ประกอบบัดกรี, ตะกั่วเหลวบัดกรี และแผงวงจรอิเล็กทรอนิกส์Info
- Publication number
- TH65282B TH65282B TH1501003598A TH1501003598A TH65282B TH 65282 B TH65282 B TH 65282B TH 1501003598 A TH1501003598 A TH 1501003598A TH 1501003598 A TH1501003598 A TH 1501003598A TH 65282 B TH65282 B TH 65282B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- mass
- less
- ratio
- solder
- copper
- Prior art date
Links
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 title claims 51
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title claims 31
- 239000000956 alloy Substances 0.000 title claims 31
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 36
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 18
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims 18
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 18
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 18
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 18
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 18
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 17
- 229910052803 cobalt Inorganic materials 0.000 claims 17
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims 17
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 17
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 17
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims 17
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N tin hydride Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 17
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 16
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims 16
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims 16
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical class [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 15
- -1 tin-silver-copper Chemical compound 0.000 claims 10
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims 9
- 229910000969 tin-silver-copper Inorganic materials 0.000 claims 9
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 8
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims 8
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 8
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 8
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 6
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims 3
- TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N nitride(3-) Chemical compound [N-3] TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 150000002826 nitrites Chemical class 0.000 claims 2
Claims (8)
1. โลหะผสมบัดกรีคือโลหะผสมบัดกรีดีบุก-เงิน-ทองแดงที่ประกอบด้วย ดีบุก, เงิน, ทองแดง,บิสมัท, นิกเกิล, โคบอลต์ และอินเดียมอย่างเป็นสำคัญ ที่ซึ่ง เมื่อเทียบกับปริมาณทั้งหมดของโลหะผสมบัดกรี, อัตราส่วนปริมาณความจุของเงินคือ 2 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 5 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของทองแดงคือ 0.1 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 1 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของบิสมัทคือ 0.5 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 4.8 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของนิกเกิลคือ 0.01 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 0.15 %โดยมวล หรือน้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของโคบอลต์คือ 0.001 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 0.008 % โดยมวล หรือน้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของอินเดียมคือเหนือกว่า 6.2 %โดยมวล และ 10 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า และ อัตราส่วนปริมาณความจุของดีบุกคืออัตราส่วนที่เหลืออยู่
2. โลหะผสมบัดกรีตามข้อถือสิทธิ 1 ประกอบเพิ่มเติมด้วย พลวง ที่ซึ่ง เมื่อเทียบกับปริมาณทั้งหมดของโลหะผสมบัดกรี อัตราส่วนปริมาณความจุของพลวงคือ 0.4 %โดยมวล หรือมากกว่า 10 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า
3. องค์ประกอบบัดกรีประกอบด้วย โลหะผสมบัดกรีดีบุก-เงิน-ทองแดง และออกไซด์โลหะ และ/หรือไนไตรด์โลหะ ที่ซึ่ง โลหะผสมบัดกรีประกอบด้วยดีบุก, เงิน, ทองแดง,บิสมัท, นิกเกิล, โคบอลต์ และอินเดียม อย่างเป็นสำคัญ และเมื่อเทียบกับปริมาณทั้งหมดขององค์ประกอบบัดกรี, อัตราส่วนปริมาณความจุของเงินคือ 2 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 5 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของทองแดงคือ 0.1 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 1 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของบิสมัทคือ 0.5 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 4.8 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของนิกเกิลคือ 0.01 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 0.15 %โดยมวล หรือน้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของโคบอลต์คือ 0.001 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 0.008 % โดยมวล หรือน้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของอินเดียมคือเหนือกว่า 6.2 %โดยมวล และ 10 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของออกไซด์โลหะและ/หรือไนไตรด์โลหะคือเหนือกว่า 0 % โดยมวล และ 1.0%โดยมวล หรือน้อยกว่า และ อัตราส่วนปริมาณความจุของดีบุกคืออัตราส่วนที่เหลืออยู่
4. องค์ประกอบบัดกรีตามข้อถือสิทธิ 3 ประกอบเพิ่มเติมด้วย พลวง ที่ซึ่ง เมื่อเทียบกับปริมาณทั้งหมดขององค์ประกอบบัดกรี อัตราส่วนปริมาณความจุของพลวงคือ 0.4 %โดยมวล หรือมากกว่า 10 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า
5. ตะกั่วเหลวบัดกรีซึ่งประกอบรวมด้วย ผงบัดกรีที่ประกอบด้วยโลหะผสมบัดกรี และ ฟลักซ์ ที่ซึ่ง โลหะผสมบัดกรีคือโลหะผสมบัดกรีดีบุก-เงิน-ทองแดงที่ประกอบด้วย ดีบุก, เงิน, ทองแดง, บิสมัท, นิกเกิล, โคบอลต์ และอินเดียมอย่างเป็นสำคัญ และ เมื่อเทียบกับปริมาณทั้งหมดของโลหะผสมบัดกรี, อัตราส่วนปริมาณความจุของเงินคือ 2 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 5 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของทองแดงคือ 0.1 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 1 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของบิสมัทคือ 0.5 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 4.8 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของนิกเกิลคือ 0.01 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 0.15 %โดยมวล หรือน้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของโคบอลต์คือ 0.001 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 0.008 % โดยมวล หรือน้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของอินเดียมคือเหนือกว่า 6.2 %โดยมวล และ 10 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า และ อัตราส่วนปริมาณความจุของดีบุกคืออัตราส่วนที่เหลืออยู่
6. ตะกั่วเหลวบัดกรีซึ่งประกอบรวมด้วย ผงบัดกรีที่ประกอบด้วยองค์ประกอบบัดกรี และ ฟลักซ์ ที่ซึ่ง องค์ประกอบบัดกรีประกอบด้วย โลหะผสมบัดกรีดีบุก-เงิน-ทองแดง และ ออกไซด์โลหะและ/หรือไนไตรด์โลหะ และ โลหะผสมบัดกรีประกอบด้วย ดีบุก, เงิน, ทองแดง, บิสมัท, นิกเกิล, โคบอลต์ และอินเดียมอย่างเป็นสำคัญ และ เมื่อเทียบกับปริมาณทั้งหมดขององค์ประกอบบัดกรี, อัตราส่วนปริมาณความจุของเงินคือ 2 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 5 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของทองแดงคือ 0.1 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 1 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของบิสมัทคือ 0.5 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 4.8 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของนิกเกิลคือ 0.01 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 0.15 %โดยมวล หรือน้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของโคบอลต์คือ 0.001 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 0.008 %โดย มวล หรือน้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของอินเดียมคือเหนือกว่า 6.2 %โดยมวล และ 10 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของออกไซด์โลหะและ/หรือไนไตรโลหะคือเหนือกว่า 0 % โดยมวล และ 10 %โดยมวล หรือน้อยกว่า และ อัตราส่วนปริมาณความจุของดีบุกคืออัตราส่วนที่เหลืออยู่
7. แผงวงจรอิเล็กทรอนิกส์ซึ่งประกอบรวมด้วย ส่วนการบัดกรีโดยตะกั่วเหลวบัดกรี ที่ซึ่ง ตะกั่วเหลวบัดกรีประกอบรวมด้วย ผงบัดกรีที่ประกอบด้วยโลหะผสมบัดกรี และ ฟลักซ์ และ โลหะผสมบัดกรีคือ โลหะผสมบัดกรีดีบุก-เงิน-ทองแดงที่ประกอบด้วย ดีบุก, เงิน, ทองแดง, บิสมัท, นิกเกิล, โคบอลต์ และอินเดียมอย่างเป็นสำคัญ และ เมื่อเทียบกับปริมาณทั้งหมดของโลหะผสมบัดกรี, อัตราส่วนปริมาณความจุของเงินคือ 2 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 5 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของทองแดงคือ 0.1 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 1 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของบิสมัทคือ 0.5 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 4.8 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของนิกเกิลคือ 0.01 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 0.15 %โดยมวล หรือน้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของโคบอลต์คือ 0.001 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 0.008 % โดยมวล หรือน้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของอินเดียมคือเหนือกว่า 6.2 %โดยมวล และ 10 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า และ อัตราส่วนปริมาณความจุของดีบุกคืออัตราส่วนที่เหลืออยู่
8. แผงวงจรอิเล็กทรอนิกส์ซึ่งประกอบรวมด้วย ส่วนการบัดกรีโดยตะกั่วเหลวบัดกรี ที่ซึ่ง ตะกั่วเหลวบัดกรีประกอบรวมด้วย ผงบัดกรีที่ประกอบด้วยองค์ประกอบบัดกรี และ ฟลักซ์ และ องค์ประกอบบัดกรีประกอบด้วย โลหะผสมบัดกรีดีบุก-เงิน-ทองแดง และ ออกไซด์โลหะและ/หรือไนไตรด์โลหะ และ โลหะผสมบัดกรีประกอบด้วย ดีบุก, เงิน, ทองแดง, บิสมัท, นิกเกิล, โคบอลต์ และอินเดียมอย่างเป็นสำคัญ และ เมื่อเทียบกับปริมาณทั้งหมดขององค์ประกอบบัดกรี, อัตราส่วนปริมาณความจุของเงินคือ 2 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 5 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของทองแดงคือ 0.1 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 1 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของบิสมัทคือ 0.5 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 4.8 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของนิกเกิลคือ 0.01 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 0.15 %โดยมวล หรือน้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของโคบอลต์คือ 0.001 %โดยมวล หรือมากกว่า และ 0.008 % โดยมวล หรือน้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของอินเดียมคือเหนือกว่า 6.2 %โดยมวล และ 10 %โดยมวล หรือ น้อยกว่า; อัตราส่วนปริมาณความจุของออกไซด์โลหะและ/หรือไนไตรโลหะคือเหนือกว่า 0 % โดยมวล และ 10 %โดยมวล หรือน้อยกว่า และ อัตราส่วนปริมาณความจุของดีบุกคืออัตราส่วนที่เหลืออยู่
Publications (4)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TH162404B TH162404B (th) | 2017-05-11 |
TH162404A TH162404A (th) | 2017-05-11 |
TH1501003598B TH1501003598B (th) | 2017-05-11 |
TH65282B true TH65282B (th) | 2018-10-03 |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
MY154361A (en) | Solder alloy, solder paste, and electronic circuit board | |
MY154604A (en) | Solder alloy, solder paste, and electronic circuit board | |
MY162428A (en) | Solder alloy, solder composition, solder paste, and electronic circuit board | |
MY164343A (en) | Solder alloy, solder paste, and electronic circuit board | |
MX2016005465A (es) | Aleaciones de soldadura libres de plata, libres de plomo. | |
MY188659A (en) | Solder alloy, solder paste, and electronic circuit board | |
PH12020500518A1 (en) | Copper alloy bonding wire for semiconductor devices | |
MY175023A (en) | Lead-free solder ball | |
MY179941A (en) | Lead-free and antimony-free tin solder reliable at high temperatures | |
WO2016012754A3 (en) | Low temperature high reliability tin alloy for soldering | |
WO2009011392A1 (ja) | 車載電子回路用In入り鉛フリーはんだ | |
WO2012153925A3 (ko) | 브레이징 합금 | |
PH12014502831A1 (en) | Lead-free solder ball | |
WO2011102659A3 (ko) | 도전성 잉크 및 이를 이용한 전자소자 | |
JP5777979B2 (ja) | はんだ合金 | |
JP2018190490A5 (th) | ||
TW200604349A (en) | Lead-free solder alloy | |
EP3696850A3 (en) | Method of soldering an electronic component to a substrate with the use of a solder paste comprising a lead-free solder alloy consisting of sn, bi and at least one of sb and mn | |
RU2017144086A (ru) | Припойная соединительная структура и способ пленкообразования | |
MX2021004334A (es) | Soluciones de soldadura de baja temperatura para sustratos de polimeros, placas de circuito impreso y otras aplicaciones de union. | |
TH65282B (th) | โลหะผสมบัดกรี, องค์ประกอบบัดกรี, ตะกั่วเหลวบัดกรี และแผงวงจรอิเล็กทรอนิกส์ | |
TH162404A (th) | โลหะผสมบัดกรี, องค์ประกอบบัดกรี, ตะกั่วเหลวบัดกรี และแผงวงจรอิเล็กทรอนิกส์ | |
JP2017051984A5 (th) | ||
EP4299238A3 (en) | Low-silver tin based alternative solder alloy to standard sac alloys for high reliability applications | |
WO2011068357A3 (ko) | 브레이징 합금 |