DC60 (14/05/57) การประดิษฐ์จะเกี่ยวข้องกับกระบวนการสำหรับการผลิตสิ่งเคลือบที่ไม่ชอบรับน้ำที่ประกอบ รวมด้วยขั้นตอนต่อเนื่องดังต่อไปนี้: (a) การก่อรูปของชั้นซิลิกอนออกซีคาร์ไบด์ที่มีคาร์บอนในปริมาณมาก (SiOxCy) ที่พื้นผิว ของซับสเทรทที่ทำมาจากกระจกแร่โดยการตกพอกพูนของไอทางเคมี (CVD) บนอย่าง น้อยที่สุดส่วนหนึ่งของพื้นผิวของซับสเทรทดังกล่าวโดยการนำพื้นผิวดังกล่าวไปสัมผัส กับกระแสของแก๊สที่เกิดปฏิกิริยาที่ประกอบรวมด้วยเอทิลีน (C2H4), ไซเลน (SiH4) และ คาร์บอนไดออกไซด์ (CO2) ที่อุณหภูมิระหว่าง 600 องศาเซลเซียส และ 680 องศา เซลเซียส, อัตราส่วนโดยปริมาตรของเอทิลิน/ไซเลน (C2H4/SiH4) ในระหว่างขั้นตอน (a) ที่น้อยกว่าหรือเท่ากับ 3.3 (b) การก่อรูปของชั้น SiO2 บนชั้นซิลิกอนออกซีคาร์ไบด์ที่ตกพอกพูนในขั้นตอน (a) หรือ (b') การก่อรูปของชั้นซิลิกอนออกซีคาร์ไบด์ที่มีคาร์บอนในปริมาณน้อยที่มีอัตราส่วน C/Si เฉลี่ยน้อยกว่า 0.2, (c) การอบเหนียวและ/หรือการขึ้นรูปซับสเทรทที่ได้มาตามการสรุปของขั้นตอน (b) หรือ (b') ที่อุณหภูมิระหว่าง 580 องศาเซลเซียส และ 700 องศาเซลเซียส, (d) การกระตุ้นชั้นซิลิกาที่ได้รับการก่อรูปในขั้นตอน (b) หรือชั้นซิลิกอนออกซีคาร์ไบด์ที่ ได้รับการก่อรูปในขั้นตอน (b') โดยการปฏิบัติด้วยพลาสมาหรือการปฏิบัติด้วยสารเคมี ที่เป็นกรดหรือที่เป็นเบส และ (e) การเชื่อมติด, โดยการเกิดพันธะโควาเลนท์, ตัวกระทำการที่ไม่ชอบรับน้ำที่ผ่านการ ฟลูโอริเนท การประดิษฐ์ยังจะเกี่ยวข้องอีกด้วยกับสิ่งเคลือบที่ไม่ชอบรับน้ำ, ถ้าจะให้ดีแล้วเป็นกระจกบัง ลมหน้า, ที่สามารถถูกทำให้ได้มาโดยกระบวนการดังกล่าว การประดิษฐ์จะเกี่ยวข้องกับกระบวนการสำหรับการผลิตสิ่งเคลือบที่ไม่ชอบรับน้ำที่ประกอบ รวมด้วยขั้นตอนต่อเนื่องดังต่อไปนี้: (a)การก่อรูปของชั้นซิลิกอนออกซีคาร์ไบด์ที่มีคาร์บอนในปริมาณมาก(SiOxCy)ที่พื้นผิว ของซับสเทรทที่ทำมาจากกระจกแร่โดยการตกพอกพูนของไอทางเคมี(CVD)บนอย่าง น้อยที่สุดส่วนหนึ่งของพื้นผิวของซับสเทรทดังกล่าวโดยการนำพื้นผิวดังกล่าวไปสัมผัส กับกระแสของแก๊สที่เกิดปฏิกิริยาที่ประกอบรวมด้วยเอทิลีน(C2,H4),ไซเลน (SiH4) และ คาร์บอนไดออกไซด์(CO2)ที่อุณหภูมิระหว่าง 600 องศาเซลเซียส และ 680 องศา เซลเซียส,อัตราส่วนโดยปริมาตรของเอทิลิน/ไซเลน (C2H2/SiH4)ในระหว่างขั้นตอน (a) ที่น้อยกว่าหรือเท่ากับ 3.3 (b)การก่อรูปของชั้น SiO2 บนชั้นซิลิกอนออกซีคาร์ไบด์ที่ตกพอกพูนในขั้นตอน(a)หรือ (b')การก่อรูปของชั้นซิลิกอนออกซีคาร์ไบด์ที่มีคาร์บอนในปริมาณน้อยที่มีอัตราส่วน C/Si เฉลี่ยน้อยกว่า 0.2, (c)การอบเหนียวและ/หรือการขึ้นรูปซับสเทรทที่ได้มาตามการสรุปของขั้นตอน(b)หรือ (b')ที่มีอุณหภูมิระหว่าง 580 องศาเซลเซียส และ 700 องศาเซลเซียส, (d)การกระตุ้นชั้นซิลิกาที่ได้รับการก่อรูปในขั้นตอน(b)หรือชั้นซิลิกอนออกซีคาร์ไบด์ที่ ได้รับการก่อรูปในขั้นตอน(b')โดยการปฏิบัติด้วยพลาสมาหรือการปฏิบัติด้วยสารเคมี ที่เป็นกรดหรือที่เป็นเบส และ (e)การเชื่อมติด,โดยการเกิดพันธะโควาเลนท์,ตัวกระทำการที่ไม่ชอบรับน้ำที่ผ่านการ ฟลูโอริเนท การประดิษฐ์ยังเกี่ยวข้องอีกด้วยกับสิ่งเคลือบที่ไม่ชอบรับน้ำ,ถ้าจะให้ดีแล้วเป็นกระจกบัง ลมหน้า,ที่สามารถถูกทำให้ได้มาโดยกระบวนการดังกล่าว