TH149304A - สิ่งเคลือบกระจกแบบไม่ชอบรับน้ำ - Google Patents
สิ่งเคลือบกระจกแบบไม่ชอบรับน้ำInfo
- Publication number
- TH149304A TH149304A TH1401002640A TH1401002640A TH149304A TH 149304 A TH149304 A TH 149304A TH 1401002640 A TH1401002640 A TH 1401002640A TH 1401002640 A TH1401002640 A TH 1401002640A TH 149304 A TH149304 A TH 149304A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- silicon oxycarbide
- layer
- carbon
- sih4
- silane
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (14/05/57) การประดิษฐ์จะเกี่ยวข้องกับกระบวนการสำหรับการผลิตสิ่งเคลือบที่ไม่ชอบรับน้ำที่ประกอบ รวมด้วยขั้นตอนต่อเนื่องดังต่อไปนี้: (a) การก่อรูปของชั้นซิลิกอนออกซีคาร์ไบด์ที่มีคาร์บอนในปริมาณมาก (SiOxCy) ที่พื้นผิว ของซับสเทรทที่ทำมาจากกระจกแร่โดยการตกพอกพูนของไอทางเคมี (CVD) บนอย่าง น้อยที่สุดส่วนหนึ่งของพื้นผิวของซับสเทรทดังกล่าวโดยการนำพื้นผิวดังกล่าวไปสัมผัส กับกระแสของแก๊สที่เกิดปฏิกิริยาที่ประกอบรวมด้วยเอทิลีน (C2H4), ไซเลน (SiH4) และ คาร์บอนไดออกไซด์ (CO2) ที่อุณหภูมิระหว่าง 600 องศาเซลเซียส และ 680 องศา เซลเซียส, อัตราส่วนโดยปริมาตรของเอทิลิน/ไซเลน (C2H4/SiH4) ในระหว่างขั้นตอน (a) ที่น้อยกว่าหรือเท่ากับ 3.3 (b) การก่อรูปของชั้น SiO2 บนชั้นซิลิกอนออกซีคาร์ไบด์ที่ตกพอกพูนในขั้นตอน (a) หรือ (b') การก่อรูปของชั้นซิลิกอนออกซีคาร์ไบด์ที่มีคาร์บอนในปริมาณน้อยที่มีอัตราส่วน C/Si เฉลี่ยน้อยกว่า 0.2, (c) การอบเหนียวและ/หรือการขึ้นรูปซับสเทรทที่ได้มาตามการสรุปของขั้นตอน (b) หรือ (b') ที่อุณหภูมิระหว่าง 580 องศาเซลเซียส และ 700 องศาเซลเซียส, (d) การกระตุ้นชั้นซิลิกาที่ได้รับการก่อรูปในขั้นตอน (b) หรือชั้นซิลิกอนออกซีคาร์ไบด์ที่ ได้รับการก่อรูปในขั้นตอน (b') โดยการปฏิบัติด้วยพลาสมาหรือการปฏิบัติด้วยสารเคมี ที่เป็นกรดหรือที่เป็นเบส และ (e) การเชื่อมติด, โดยการเกิดพันธะโควาเลนท์, ตัวกระทำการที่ไม่ชอบรับน้ำที่ผ่านการ ฟลูโอริเนท การประดิษฐ์ยังจะเกี่ยวข้องอีกด้วยกับสิ่งเคลือบที่ไม่ชอบรับน้ำ, ถ้าจะให้ดีแล้วเป็นกระจกบัง ลมหน้า, ที่สามารถถูกทำให้ได้มาโดยกระบวนการดังกล่าว การประดิษฐ์จะเกี่ยวข้องกับกระบวนการสำหรับการผลิตสิ่งเคลือบที่ไม่ชอบรับน้ำที่ประกอบ รวมด้วยขั้นตอนต่อเนื่องดังต่อไปนี้: (a)การก่อรูปของชั้นซิลิกอนออกซีคาร์ไบด์ที่มีคาร์บอนในปริมาณมาก(SiOxCy)ที่พื้นผิว ของซับสเทรทที่ทำมาจากกระจกแร่โดยการตกพอกพูนของไอทางเคมี(CVD)บนอย่าง น้อยที่สุดส่วนหนึ่งของพื้นผิวของซับสเทรทดังกล่าวโดยการนำพื้นผิวดังกล่าวไปสัมผัส กับกระแสของแก๊สที่เกิดปฏิกิริยาที่ประกอบรวมด้วยเอทิลีน(C2,H4),ไซเลน (SiH4) และ คาร์บอนไดออกไซด์(CO2)ที่อุณหภูมิระหว่าง 600 องศาเซลเซียส และ 680 องศา เซลเซียส,อัตราส่วนโดยปริมาตรของเอทิลิน/ไซเลน (C2H2/SiH4)ในระหว่างขั้นตอน (a) ที่น้อยกว่าหรือเท่ากับ 3.3 (b)การก่อรูปของชั้น SiO2 บนชั้นซิลิกอนออกซีคาร์ไบด์ที่ตกพอกพูนในขั้นตอน(a)หรือ (b')การก่อรูปของชั้นซิลิกอนออกซีคาร์ไบด์ที่มีคาร์บอนในปริมาณน้อยที่มีอัตราส่วน C/Si เฉลี่ยน้อยกว่า 0.2, (c)การอบเหนียวและ/หรือการขึ้นรูปซับสเทรทที่ได้มาตามการสรุปของขั้นตอน(b)หรือ (b')ที่มีอุณหภูมิระหว่าง 580 องศาเซลเซียส และ 700 องศาเซลเซียส, (d)การกระตุ้นชั้นซิลิกาที่ได้รับการก่อรูปในขั้นตอน(b)หรือชั้นซิลิกอนออกซีคาร์ไบด์ที่ ได้รับการก่อรูปในขั้นตอน(b')โดยการปฏิบัติด้วยพลาสมาหรือการปฏิบัติด้วยสารเคมี ที่เป็นกรดหรือที่เป็นเบส และ (e)การเชื่อมติด,โดยการเกิดพันธะโควาเลนท์,ตัวกระทำการที่ไม่ชอบรับน้ำที่ผ่านการ ฟลูโอริเนท การประดิษฐ์ยังเกี่ยวข้องอีกด้วยกับสิ่งเคลือบที่ไม่ชอบรับน้ำ,ถ้าจะให้ดีแล้วเป็นกระจกบัง ลมหน้า,ที่สามารถถูกทำให้ได้มาโดยกระบวนการดังกล่าว
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH1401002640A TH1401002640A (th) | |
| TH149304A true TH149304A (th) | 2016-04-26 |
| TH149304B TH149304B (th) | 2016-04-26 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| BR112014010421A2 (pt) | vidraça hidrofóbica | |
| JP6050370B2 (ja) | アルカリ金属に対するＳｉＯＣバリア層 | |
| MX2011007156A (es) | Sustrato hidrofobo comprendiendo una capa de cebador del tipo oxicarburo de silicio activado por plasma. | |
| JP2018040064A (ja) | コーティングされた物品及び化学蒸着方法 | |
| WO2011041135A3 (en) | Method of making coated metal articles | |
| GB201207448D0 (en) | Method of depositing silicon dioxide films | |
| WO2009149167A3 (en) | Low temperature deposition of silicon-containing films | |
| DE602007005017D1 (de) | Verfahren für leicht zu reinigende substrate und artikel daraus | |
| BRPI0909305A2 (pt) | Processo e sistema de depósito de um metal ou metaloide sobre nanotubos de carbono | |
| WO2010107837A3 (en) | Wafer carrier track | |
| WO2013012536A3 (en) | Surface treatment and deposition for reduced outgassing | |
| DE602007008977D1 (de) | Vorrichtung um ein Plasma-CVD-Verfahren durchzuführen und Verfahren zur Herstellung einer optischen Faser | |
| JP4881153B2 (ja) | 水素化シリコンオキシカーバイド膜の生成方法。 | |
| RU2014117616A (ru) | Нанесение оксида кремния путем химического осаждения из паровой фазы при атмосферном давлении | |
| WO2007027350A3 (en) | Method of removing surface deposits and passivating interior surfaces of the interior of a chemical vapour deposition (cvd) chamber | |
| ATE531674T1 (de) | Verfahren zur durchführung einer plasmachemischen dampfabscheidung und verfahren zur herstellung einer optischen vorform | |
| WO2013136052A3 (en) | Chemical vapor deposition process for depositing zinc oxide coatings, method for forming a conductive glass article and the coated glass articles produced thereby | |
| TH149304A (th) | สิ่งเคลือบกระจกแบบไม่ชอบรับน้ำ | |
| BRPI0413937A (pt) | processo para a deposição de um revestimento de sìlica por sobre um substrato de vidro aquecido, artigo de vidro revestido, e processo para deposição de um revestimento de sìlica por sobre um substrato de vidro aquecido em um processo de produção "float glass" on-line | |
| JP6318433B2 (ja) | シリコン窒化膜の形成方法及びシリコン窒化膜 | |
| TH149304B (th) | สิ่งเคลือบกระจกแบบไม่ชอบรับน้ำ | |
| WO2013071000A8 (en) | Coated articles having abrasion resistant, glass-like coatings | |
| TWI659121B (zh) | 半導體製造方法 | |
| WO2011112518A3 (en) | Methods for forming low moisture dielectric films | |
| WO2019232402A8 (en) | Carbon-doped silicon dioxide glass and methods of manufacturing thereof |