TH149304A - Hydrophobic glass coating - Google Patents

Hydrophobic glass coating

Info

Publication number
TH149304A
TH149304A TH1401002640A TH1401002640A TH149304A TH 149304 A TH149304 A TH 149304A TH 1401002640 A TH1401002640 A TH 1401002640A TH 1401002640 A TH1401002640 A TH 1401002640A TH 149304 A TH149304 A TH 149304A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
silicon oxycarbide
layer
carbon
sih4
silane
Prior art date
Application number
TH1401002640A
Other languages
Thai (th)
Other versions
TH1401002640A (en
TH149304B (en
Inventor
แคลร์
ธูมาเซ็ท
มาร์ติน
เมลเชอร์
Original Assignee
แซ็งต์ กอแบ็ง กลาสส์ ฟรานซ์
Filing date
Publication date
Publication of TH1401002640A publication Critical patent/TH1401002640A/en
Application filed by แซ็งต์ กอแบ็ง กลาสส์ ฟรานซ์ filed Critical แซ็งต์ กอแบ็ง กลาสส์ ฟรานซ์
Publication of TH149304B publication Critical patent/TH149304B/en
Publication of TH149304A publication Critical patent/TH149304A/en

Links

Abstract

DC60 (14/05/57) การประดิษฐ์จะเกี่ยวข้องกับกระบวนการสำหรับการผลิตสิ่งเคลือบที่ไม่ชอบรับน้ำที่ประกอบ รวมด้วยขั้นตอนต่อเนื่องดังต่อไปนี้: (a) การก่อรูปของชั้นซิลิกอนออกซีคาร์ไบด์ที่มีคาร์บอนในปริมาณมาก (SiOxCy) ที่พื้นผิว ของซับสเทรทที่ทำมาจากกระจกแร่โดยการตกพอกพูนของไอทางเคมี (CVD) บนอย่าง น้อยที่สุดส่วนหนึ่งของพื้นผิวของซับสเทรทดังกล่าวโดยการนำพื้นผิวดังกล่าวไปสัมผัส กับกระแสของแก๊สที่เกิดปฏิกิริยาที่ประกอบรวมด้วยเอทิลีน (C2H4), ไซเลน (SiH4) และ คาร์บอนไดออกไซด์ (CO2) ที่อุณหภูมิระหว่าง 600 องศาเซลเซียส และ 680 องศา เซลเซียส, อัตราส่วนโดยปริมาตรของเอทิลิน/ไซเลน (C2H4/SiH4) ในระหว่างขั้นตอน (a) ที่น้อยกว่าหรือเท่ากับ 3.3 (b) การก่อรูปของชั้น SiO2 บนชั้นซิลิกอนออกซีคาร์ไบด์ที่ตกพอกพูนในขั้นตอน (a) หรือ (b') การก่อรูปของชั้นซิลิกอนออกซีคาร์ไบด์ที่มีคาร์บอนในปริมาณน้อยที่มีอัตราส่วน C/Si เฉลี่ยน้อยกว่า 0.2, (c) การอบเหนียวและ/หรือการขึ้นรูปซับสเทรทที่ได้มาตามการสรุปของขั้นตอน (b) หรือ (b') ที่อุณหภูมิระหว่าง 580 องศาเซลเซียส และ 700 องศาเซลเซียส, (d) การกระตุ้นชั้นซิลิกาที่ได้รับการก่อรูปในขั้นตอน (b) หรือชั้นซิลิกอนออกซีคาร์ไบด์ที่ ได้รับการก่อรูปในขั้นตอน (b') โดยการปฏิบัติด้วยพลาสมาหรือการปฏิบัติด้วยสารเคมี ที่เป็นกรดหรือที่เป็นเบส และ (e) การเชื่อมติด, โดยการเกิดพันธะโควาเลนท์, ตัวกระทำการที่ไม่ชอบรับน้ำที่ผ่านการ ฟลูโอริเนท การประดิษฐ์ยังจะเกี่ยวข้องอีกด้วยกับสิ่งเคลือบที่ไม่ชอบรับน้ำ, ถ้าจะให้ดีแล้วเป็นกระจกบัง ลมหน้า, ที่สามารถถูกทำให้ได้มาโดยกระบวนการดังกล่าว การประดิษฐ์จะเกี่ยวข้องกับกระบวนการสำหรับการผลิตสิ่งเคลือบที่ไม่ชอบรับน้ำที่ประกอบ รวมด้วยขั้นตอนต่อเนื่องดังต่อไปนี้: (a)การก่อรูปของชั้นซิลิกอนออกซีคาร์ไบด์ที่มีคาร์บอนในปริมาณมาก(SiOxCy)ที่พื้นผิว ของซับสเทรทที่ทำมาจากกระจกแร่โดยการตกพอกพูนของไอทางเคมี(CVD)บนอย่าง น้อยที่สุดส่วนหนึ่งของพื้นผิวของซับสเทรทดังกล่าวโดยการนำพื้นผิวดังกล่าวไปสัมผัส กับกระแสของแก๊สที่เกิดปฏิกิริยาที่ประกอบรวมด้วยเอทิลีน(C2,H4),ไซเลน (SiH4) และ คาร์บอนไดออกไซด์(CO2)ที่อุณหภูมิระหว่าง 600 องศาเซลเซียส และ 680 องศา เซลเซียส,อัตราส่วนโดยปริมาตรของเอทิลิน/ไซเลน (C2H2/SiH4)ในระหว่างขั้นตอน (a) ที่น้อยกว่าหรือเท่ากับ 3.3 (b)การก่อรูปของชั้น SiO2 บนชั้นซิลิกอนออกซีคาร์ไบด์ที่ตกพอกพูนในขั้นตอน(a)หรือ (b')การก่อรูปของชั้นซิลิกอนออกซีคาร์ไบด์ที่มีคาร์บอนในปริมาณน้อยที่มีอัตราส่วน C/Si เฉลี่ยน้อยกว่า 0.2, (c)การอบเหนียวและ/หรือการขึ้นรูปซับสเทรทที่ได้มาตามการสรุปของขั้นตอน(b)หรือ (b')ที่มีอุณหภูมิระหว่าง 580 องศาเซลเซียส และ 700 องศาเซลเซียส, (d)การกระตุ้นชั้นซิลิกาที่ได้รับการก่อรูปในขั้นตอน(b)หรือชั้นซิลิกอนออกซีคาร์ไบด์ที่ ได้รับการก่อรูปในขั้นตอน(b')โดยการปฏิบัติด้วยพลาสมาหรือการปฏิบัติด้วยสารเคมี ที่เป็นกรดหรือที่เป็นเบส และ (e)การเชื่อมติด,โดยการเกิดพันธะโควาเลนท์,ตัวกระทำการที่ไม่ชอบรับน้ำที่ผ่านการ ฟลูโอริเนท การประดิษฐ์ยังเกี่ยวข้องอีกด้วยกับสิ่งเคลือบที่ไม่ชอบรับน้ำ,ถ้าจะให้ดีแล้วเป็นกระจกบัง ลมหน้า,ที่สามารถถูกทำให้ได้มาโดยกระบวนการดังกล่าวDC60 (14/05/57) The invention relates to a process for producing a hydrophobic coating comprising the following successive steps: (a) forming a layer of carbon-rich silicon oxycarbide (SiOxCy) on the surface of a mineral glass substrate by chemical vapor deposition (CVD) on at least a portion of the surface of said substrate by bringing said surface into contact; with a stream of reactive gases consisting of ethylene (C2H4), silane (SiH4) and carbon dioxide (CO2) at temperatures between 600 °C and 680 °C, the volume ratio of ethylene/silane (C2H4/SiH4) during step (a) being less than or equal to 3.3, (b) the formation of an SiO2 layer on the silicon oxycarbide layer deposited in step (a) or (b'), the formation of a low-carbon silicon oxycarbide layer with an average C/Si ratio less than 0.2, (c) the annealing and/or forming of the substrate obtained according to the conclusion of step (b) or (b') at temperatures between 580 °C and 700 °C, (d) the activation of the silica layer formed in step (b) or the silicon oxycarbide layer formed in step (b') by plasma treatment or chemical treatment. and (e) bonding, by covalent bonding, to a fluorinated hydrophobic reagent. The invention further relates to a hydrophobic coating, preferably a windshield, that can be obtained by such a process. The invention relates to a process for producing a hydrophobic coating comprising the following successive steps: (a) forming a carbon-rich silicon oxycarbide (SiOxCy) layer on the surface of a mineral glass substrate by chemical vapor deposition (CVD) on at least a portion of the substrate surface by exposing the surface to a stream of reactive gases consisting of ethylene (C2,H4), silane (SiH4) and carbon dioxide (CO2) at temperatures between 600°C and 680°C, in an ethylene/silane volume ratio. (C2H2/SiH4) during step (a) less than or equal to 3.3, (b) the formation of an SiO2 layer on the silicon oxycarbide layer deposited in step (a) or (b'), the formation of a low-carbon silicon oxycarbide layer with an average C/Si ratio less than 0.2, (c) annealing and/or forming the substrate obtained according to the conclusion of step (b) or (b') at a temperature between 580°C and 700°C, (d) the activation of the silica layer formed in step (b) or the silicon oxycarbide layer formed in step (b') by plasma treatment or acidic or basic chemical treatment, and (e) the bonding, by covalent bonding, of a fluorinated hydrophobic agent. The invention further relates to a hydrophobic coating, preferably a windshield, that can be obtained by such a process.

TH1401002640A 2012-11-14 Hydrophobic glass coating TH149304A (en)

Publications (3)

Publication Number Publication Date
TH1401002640A TH1401002640A (en)
TH149304B TH149304B (en) 2016-04-26
TH149304A true TH149304A (en) 2016-04-26

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
BR112014010421A2 (en) hydrophobic pane
JP6050370B2 (en) SiOC barrier layer against alkali metal
MX2011007156A (en) Hydrophobic substrate including a plasma-activated silicon oxycarbide primer.
WO2011041135A3 (en) Method of making coated metal articles
JP2015519219A (en) Coated article and chemical vapor deposition method
WO2010151856A3 (en) Chemical vapor deposition process for aluminum silicon nitride
WO2009149167A3 (en) Low temperature deposition of silicon-containing films
GB201207448D0 (en) Method of depositing silicon dioxide films
DE602007005017D1 (en) PROCESS FOR EASILY CLEANING SUBSTRATES AND ARTICLES THEREOF
WO2010107837A3 (en) Wafer carrier track
WO2013012536A3 (en) Surface treatment and deposition for reduced outgassing
TW200617200A (en) Multilayer coatings by plasma enhanced chemical vapor deposition
ATE480507T1 (en) DEVICE FOR CARRYING OUT A PLASMA CVD PROCESS AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTICAL FIBER
EP2362003A3 (en) Methods of depositing SiO2 films
RU2014117616A (en) APPLICATION OF SILICON OXIDE BY CHEMICAL DEPOSITION FROM VAPOR PHASE AT ATMOSPHERIC PRESSURE
DE602005002635D1 (en) METHOD FOR THE DEPOSITION OF GALLIUM OXIDE COATINGS ON FLAT GLASS
TH149304A (en) Hydrophobic glass coating
BRPI0413937A (en) process for depositing a silica coating over a heated glass substrate, coated glass article, and process for depositing a silica coating over a heated glass substrate in an online float glass production process
EP3031949B1 (en) Oled manufacturing device
TH149304B (en) The glass coating does not like water.
WO2013071000A3 (en) Coated articles having abrasion resistant, glass-like coatings
JP2015106572A (en) Method for forming silicon nitride film, and silicon nitride film
TWI659121B (en) Semiconductor fabrication process
WO2011112518A3 (en) Methods for forming low moisture dielectric films
GB201112648D0 (en) Deposition process