TH127937A - การเตรียมซับสเทรทแก้วควอทซ์สังเคราะห์ - Google Patents

การเตรียมซับสเทรทแก้วควอทซ์สังเคราะห์

Info

Publication number
TH127937A
TH127937A TH702001819F TH0702001819F TH127937A TH 127937 A TH127937 A TH 127937A TH 702001819 F TH702001819 F TH 702001819F TH 0702001819 F TH0702001819 F TH 0702001819F TH 127937 A TH127937 A TH 127937A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
quartz glass
synthetic quartz
substrate
polishing
water
Prior art date
Application number
TH702001819F
Other languages
English (en)
Other versions
TH92561B (th
TH92561S (th
Inventor
ฮาราดะ ไดจิซุ
ไดจิซุ ฮาราดะ นาย
มาซากิ ทาเคอูชิ นาย
Original Assignee
ชิน เอทสึ เคมิคัล โค
นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์
นางสาวสนธยา สังขพงศ์
นายณัฐพล อร่ามเมือง
Filing date
Publication date
Publication of TH92561S publication Critical patent/TH92561S/th
Application filed by ชิน เอทสึ เคมิคัล โค, นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์, นางสาวสนธยา สังขพงศ์, นายณัฐพล อร่ามเมือง filed Critical ชิน เอทสึ เคมิคัล โค
Publication of TH127937A publication Critical patent/TH127937A/th
Publication of TH92561B publication Critical patent/TH92561B/th

Links

Abstract

DC60 (11/01/54) ซับสเทรทแก้วควอทซ์สังเคราะห์ถูกเตรียมโดย (1) การขัดมันซับสเทรทแก้วควอทซ์ สังเคราะห์ด้วยสเลอรีขัดมันที่ประกอบรวมด้วยอนุภาคคอลลอยด์, สารประกอบอินทรีย์ไอออนิค ที่มีประจุไฟฟ้าแบบเดียวกับอนุภาคคอลลอยด์, และน้ำ, และ (2) การจุ่มซับสเทรทขัดมันใน สารละลายที่เป็นกรดหรือเบสเพื่อกัดขึ้นลายพื้นผิวซับสเทรทจนมีความลึก 0.001-1 นาโนเมตร วิธีผลิตซับสเทรทแก้วควอทซ์สังเคราะห์ขณะที่ป้องกันการเกิดตำหนิที่มีขนาดที่ตรวจหาได้โดย เครื่องมือตรวจสอบตำหนิความไวสูง, และให้ซับสเทรทที่มีความขรุขระของพื้นผิวที่น่าพอใจ

Claims (5)

ocr 02ss
1. วิธีการสำหรับการเตรียมซับสเทรทแก้วควอทซ์สังเคราะห์, ซึ่งประกอบรวมด้วยขั้นตอน ของ (1) การขัดมันซับสเทรทแก้วควอทซ์สังเคราะห์ด้วยสเลอรีขัดมันที่ประกอบรวมด้วยอนุภาค คอลลอยด์, สารประกอบอินทรีย์ไอออนิคที่มีประจุไฟฟ้าแบบเดียวกับอนุภาคคอลลอยด์, และน้ำ ที่ซึ่งสเลอรีขัดมันคือสารกระจายตัวที่ประกอบรวมด้วยคอลลอยดัลซิลิคาในความเข้มข้น 20 ถึง 50 % โดยน้ำหนัก และมีค่า pH ในช่วง 9 ถึง 10.5 และ (2) การจุ่มซับสเทรทขัดมันในสารละลายที่เป็นกรดหรือเบสเพื่อกัดขึ้นลายพื้นผิวซับสเทรท จนมีความลึก 0.001 ถึง 1 นาโนเมตร ที่ซึ่งสารละลายที่เป็นกรดหรือเบสคือสารละลายแอเควียสที่ประกอบรวมด้วยเบสอนินทรีย์ ของโลหะแอคาไลหรือแอลคาไลน์เอิร์ธซึ่งถูกปรับไปยังค่า pH ตั้งแต่มากกว่า 10.5 ถึง 14 และ ที่ซึ่งขั้นตอนการจุ่ม (2) ถูกดำเนินการภายใน 48 ชั่วโมงจากตอนท้ายของขั้นตอนขัดมัน (1)
2. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งสารประกอบอินทรีย์ไอออนิคคือพอลิเมอร์ที่ละลายน้ำได้
3. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 2 ที่ซึ่งพอลิเมอร์ที่ละลายน้ำได้คือพอลิแอคริลิกแอซิด, พอลิมาเลอิคเเอซิด, หรือ พอลิพธาลิคเเอซิด
4. วิธีการของข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 3, ซึ่งประกอบเพิ่มเติมรวมด้วยขั้นตอน การทำความสะอาดซับสเทรทที่เป็นผลลัพธ์จากขั้นตอนการจุ่ม (2)
5. วิธีการของข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 4, ที่ซึ่งขั้นตอนการจุ่ม (2) รวมถึง อัลทราโซนิเคชัน
TH702001819F 2010-12-17 การเตรียมซับสเทรทแก้วควอทซ์สังเคราะห์ TH92561B (th)

Publications (3)

Publication Number Publication Date
TH92561S TH92561S (th) 2008-12-19
TH127937A true TH127937A (th) 2013-10-07
TH92561B TH92561B (th) 2023-03-27

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
MY157225A (en) Preparation of synthetic quartz glass substrate
CN102190962B (zh) 抛光组合物及利用该组合物的抛光方法
KR101281879B1 (ko) 수용성 산화제를 이용한 탄화규소 연마 방법
KR101728646B1 (ko) 실리콘 웨이퍼용 연마액 조성물
CN103571333B (zh) 一种混合磨料碱性蓝宝石衬底材料cmp抛光液及其制备方法
Burdukova et al. Temperature controlled surface hydrophobicity and interaction forces induced by poly (N-isopropylacrylamide)
CN102888193A (zh) 一种led衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液及其制备方法
WO2018133469A1 (zh) 一种耐久性的亲水-超疏水双极自洁复合膜及其制备方法
JP2013511144A5 (th)
SG143116A1 (en) Slurry composition for final polishing of silicon wafers and method for final polishing of silicon wafers using the same
TW201219507A (en) Coating composition and method of making and using the same
JP6893835B2 (ja) シリコンウェーハ用仕上げ研磨液組成物
CN105647393A (zh) 一种碳化硅晶片的抛光液
Liu et al. Angstrom surface with high material removal rate for quartz glass induced by silk dissolved novel green chemical mechanical polishing
WO2016084561A1 (ja) 炭化珪素基板およびその製造方法、および炭化珪素半導体装置の製造方法
JP2007324606A5 (th)
CN102031064A (zh) 具有特殊缓冲体系的硅片化学机械抛光液
TW200643157A (en) Abrasive for semiconductor integrated circuit device, method for polishing semiconductor integrated circuit device and semiconductor integrated circuit device manufacturing method
TH92561B (th) การเตรียมซับสเทรทแก้วควอทซ์สังเคราะห์
TW200940757A (en) GaAs semiconductor substrate and method of manufacturing the same, and group III-V compound semiconductor device and method of manufacturing the same
CN105647360A (zh) 表面防滑处理剂
CN103556141B (zh) 在镁合金表面具有耐腐蚀功能的溶胶凝胶膜的制备方法
Dong et al. Preparation of a new calcite layer from calcium glycolate for the conservation of sulfated limestone artifacts
CN114689396A (zh) 一种二氧化钍金相样品制备方法
WO2012132106A1 (ja) 研摩スラリー及びその研摩方法