TH12653B - Tools and methods for agile plasma action. - Google Patents

Tools and methods for agile plasma action.

Info

Publication number
TH12653B
TH12653B TH9201001181A TH9201001181A TH12653B TH 12653 B TH12653 B TH 12653B TH 9201001181 A TH9201001181 A TH 9201001181A TH 9201001181 A TH9201001181 A TH 9201001181A TH 12653 B TH12653 B TH 12653B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
plasma
substrate
reaction chamber
coating
instrument
Prior art date
Application number
TH9201001181A
Other languages
Thai (th)
Other versions
TH14372A (en
Inventor
ที เฟลท์ส นายจอห์น
Original Assignee
วอลเม็ต เจนเนอรัล ลิมิเต็ด
Filing date
Publication date
Application filed by วอลเม็ต เจนเนอรัล ลิมิเต็ด filed Critical วอลเม็ต เจนเนอรัล ลิมิเต็ด
Publication of TH14372A publication Critical patent/TH14372A/en
Publication of TH12653B publication Critical patent/TH12653B/en

Links

Abstract

เครื่องมือสำหรับกระทำด้วยพลาสมามีประโยชน์สำหรับการเคลือบสับสเตรทเข้ากับฟิล์มบางที่มีสมบัติเป็นขั้นกั้นโอในอัตราการพอกพูนที่ค่อนข้าเร็ว เครื่องมือนี้ประกบด้วยห้องทำปฏิกิริยาที่เอาอากาศออกได้ อีเลคโทรดพลังไฟฟ้าที่กำหนดพื้นผิวที่หันหน้าเข้หาพลาสมาภายในห้องทำปฏิกิริยาและส่วนกำบังที่กั้นเป็นช่องที่มีระยะห่าง ตามขวางจากพื้นผิวที่หันหน้าเชข้หาพลาสมา ในช่วงระหว่างการกระทำด้วยพลาสมาพลาสมาจะได้รักบารกัดให้อยู่ห่างในระยะ ในขณะที่มีการป้อนสับสเตรทอย่างต่อเนื่องสู่พลาสมาที่ได้รับการกักไว้Plasma-activated devices are useful for depositing substrates onto thin, oxygen-blocking films at relatively rapid deposition rates. These devices consist of an air-deprived reaction chamber, an electrically charged electrode positioned against the plasma-facing surface inside the chamber, and a shield with transverse spacing between the plasma-facing surface and the shield. During plasma action, the plasma is kept at a safe distance while the substrate is continuously fed into the confined plasma.

Claims (19)

1.เครื่องมือสำหรับกระทำด้วยพลาสมาที่ประกอบด้วย: ห้องทำปฏิกิริยาที่ระบายอากาศออกได้; อุปกรณ์สำหรับสร้างพลาสมาภายในห้องทำปฏิกิริยา โดยอุปกรณ์สำหรับสร้างพลาสมาประกอบด้วยอีเลคโรดที่ทำงานด้วยไฟฟ้าที่กำหนดพื้นผิวที่อยู่ประชิดกับพลาสมาภายในห้องทำปฏิกิริยา อุปกรณ์สำหรับเชื่อมต่อไฟฟ้าจากอีเลคโรดไปยังสับสเทรตหนึ่ง ๆ เสมื่อสับสเทรตอยู่ภายในห้องทำปฏิกิริยาโดยการจัดวางพื้นผิวที่อยู่ประชิดกับพลาสมาไว้ในลูกกลิ้ง (rolling)ที่สำผัสกับสับสเทรต และสำหรับเผยส่วนที่เปลี่ยนแปลงได้อย่างต่อเนื่องของสับสเทรตเข้าหาพลาสมาในระหว่างกระทำด้วยพลาสมา และ อุปกรณ์สำหรับจำกัดพลาสมาให้อยู่ใกล้ชิดกับส่วนของสับสเทรตที่เปลี่ยนแปลงได้อย่างต่อเนื่องโดยอุปกรณ์จำกัดขอบเขตประกอบด้วยเครื่องกำบังที่ต่อลงดิน1. Plasma processing equipment consisting of: a ventilated reaction chamber; a plasma generation device within the reaction chamber, which comprises an electrically operated electrode that defines the surface adjacent to the plasma inside the reaction chamber; a device for electrically connecting the electrode to a specific substrate once the substrate is inside the reaction chamber by placing the surface adjacent to the plasma in a rolling mechanism in contact with the substrate, and for exposing the continuously changing portion of the substrate to the plasma during plasma processing; and a device for limiting the plasma to the continuously changing portion of the substrate, which is a boundary device consisting of a grounded shield. 2.เครื่องมือตามข้อพถือสิทธิที่ 1 โดยที่อีเลคโทรดที่ทำงานด้วยไฟฟ้ามีไบแอสเป็นลบเมื่อเทียบกับอุปกรณ์จำกัดขอบเขต2. The instrument under claim 1 where the electrically operated electrode is negatively biased relative to the limiting device. 3.เครื่องมือตามข้อพถือสิทธิที่ 1 โดยที่อุปกรณ์จำกัดขอบเขตจำกัดพลาสมาให้อยู่ที่ส่วนที่เปลี่ยนแปลงได้ของสับสเทรตและอยู่ภายในระยะทางระหว่างประมาณ 0.5 นิ้ว ถึงประมาณ 12 นิ้ว ออกมาทางด้านนอก3. The instrument under Patent 1, whereby the device limits the plasma flow to a variable portion of the substrate and within a range of approximately 0.5 inches to approximately 12 inches outward. 4.เครื่องมือตามข้อพถือสิทธิที่ 3 โดยที่ทำเครื่องกำบังที่ต่อลงดินให้เย็นลงที่เว้นระยะอย่างน้อยที่สุด จากส่วนที่เปลี่ยนแปลงได้ของสับสเทรต และจำกัดพลาสมาส่วนใหญ่อยู่ระหว่างส่วนที่เปลี่ยนแปลงได้ของสับสเทรต และเครื่องกำบัง4. The instrument under Claim 3 shall cool the grounded shielding at a minimum distance from the variable portion of the substrate and confine the majority of the plasma between the variable portion of the substrate and the shielding. 5.เครื่องมือตามข้อพถือสิทธิที่ 4 โดยที่พื้นผิวที่อยู่ประชิดกับพลาสมามีลักษณะงอโค้ง และขยายตามยาวตามแนวแกน และเครื่องกำบังมีแกนร่วมกับพื้นผิว5. The instrument under claim 4 where the surface adjacent to the plasma is curved and longitudinally along the axis, and the shield shares an axis with the surface. 6.เครื่องมือตามข้อพถือสิทธิที่ 4 โดยที่อุปกรณ์จำกัดขอบเขตประกอบด้วยอุปกรณ์แม่เหล็กสำหรับสร้างสนามแม่เหล็กที่ขยายเข้าไปในพลาสมา และตัดกันกับพื้นผิวที่อยู่ประชิดกับพลาสมา6. The instrument under claim 4, whereby the boundary device consists of a magnetic device for generating a magnetic field that extends into the plasma and intersects with the surface adjacent to the plasma. 7.เครื่องมือตามข้อพถือสิทธิที่ 6 โดยที่อุปกรณ์แม่เหล็กประกอบด้วยคู่ขั่วแม่เหล็กอย่างน้อยที่สุดหนึ่งคู่จัดวางอยู่ใกล้ชิดกับเครื่องกำบัง7. The device under claim 6, where the magnetic device consists of at least one pair of magnetic poles placed in close proximity to the shield. 8.เครื่องมือตามข้อพถือสิทธิที่ 4 โดยที่ปรับห้องทำปฏิกิริยาให้รักษาไว้ที่น้อยกว่าประมาณ 0.1 เทอร์ในระหว่างการกระทำสับสเทรตด้วยพลาสมา8. Equipment pursuant to claim 4, which adjusts the reaction chamber to maintain a pressure of less than approximately 0.1 ter during plasma substrate action. 9.เครื่องมือตามข้อพถือสิทธิที่ 8 โดยที่อุปกรณ์สร้างพลาสมาประกอบด้วยแห่งกำเนิดแก๊สสร้างฟิลบ์ม โดยแก๊สสามารถสร้างสารเคลือบสับสเทรตที่ชิดกันในระหว่างการกระทำสับสเทรดด้วยพลาสมา9. The instrument under claim number 8, whereby the plasma generating device consists of a film-forming gas generator, which can create a tightly packed substrate coating during plasma substrate application. 10.เครื่องมือตามข้อพถือสิทธิที่ 9 โดยที่อุปกรณ์สร้างพลาสมาประกอบด้วย ทางเข้าที่เกี่ยวข้องกับเครื่องกำบังที่ต่อลงดิน สำรหับการบรรจะกระแสแก๊สที่สร้างฟิลืมจากแหล่งกำเนิดแก๊สเข้าไปเป็นระยะทาง10. The instrument under claim 9, whereby the plasma generating device consists of a shielded, grounded inlet for the delivery of a film-generating gas stream from the gas source over a distance. 11.เครื่องมือตามข้อพถือสิทธิที่ 1 โดยที่พื้นผิวที่อยู่ประชิดกับพลาสมาเป้นทรงกระบอก11. Instrument according to Patent 1 where the surface adjacent to the plasma is a cylinder. 12.เครื่องมือตามข้อพถือสิทธิที่ 11 โดยที่สับสเทรตส่วนใหญ่ไม่นำไฟฟ้าและยืดหยุ่นได้12. Instruments under claim 11 where the substrate is predominantly non-conductive and flexible. 13.เครื่องมือตามข้อพถือสิทธิที่ 1 โดยที่สับสเทรตนำไฟฟ้าเป็นส่วนใหญ่ และสับสเทรตสร้างพื้นผิวที่ประชิดกับพลาสมา13. An instrument under Patent 1 where the substrate is predominantly electrically conductive and creates a surface in close contact with the plasma. 14.เครื่องมือเคลือบฟิล์มบางที่ประกอบด้วย: ห้องทำปฏิกิริยาที่ระบายอากาศออกให้เหลือน้อยกว่าประมาณ 0.1ทอรร์; อุปกรณ์สำหรับสร้างพลาสมาภายในห้องทำปฏิกิริยาจากแระแสแก๊สที่สร้างฟิล์มโดยกระแสแก๊สสร้างฟิล์มที่สามารถสะสมสารเคลือบที่อยู่ชิดกันลงบนสับสเทรต; อุปกรณ์สำหรับสร้างพลาสมาให้อยู่ในส่วนของสับสเทรตที่เปลี่ยนแปลงได้อย่างน่อนเองโดยถูกป้อนผ่านทางห้องทำปฏิกิริยาในระหว่างการเคลือบสารและให้อยู่ภายในระยะทาง ออกมาทางด้านนอก; อุปกรณ์จำกัดขอบเขตประกอบด้วยเครื่องกำบังที่ต่อลงดิน; และ อุปกรณ์สำหรับไบแอสส่วนของสับสเทรดที่ถูกเคลือบให้เป้นลบเมื่อเยบกับห้องทำปฏิกิริยาและเทียบกับเครื่องกำยบังที่ต่อลงดิน14. A thin-film coating instrument consisting of: a reaction chamber ventilated to less than approximately 0.1 Torr; a plasma generator within the reaction chamber from a film-forming gas stream that can deposit closely packed coating material onto the substrate; a plasma generator that maintains a variable portion of the substrate, fed through the reaction chamber during coating and kept at an external distance; a boundary device consisting of a grounded shield; and a device for negatively biasing the coated portion of the substrate relative to the reaction chamber and the grounded shield. 15.เครื่องมือเคลือบสารตามข้อถือสิทธิ 14 โดยที่ระยะทางอยู่ระหว่างประมาณสองนิ้วถึงประมาณสี่นิว15. Coating instrument as per claim 14, where the distance is between approximately two inches and approximately four inches. 16.เครื่องมือเคลือบสารตามข้อถือสิทธิ 14 โดยที่ทำเครื่องกำลังที่ต่อลงดินให้เย็นลงและถูกเว้นระยะอย่างน้อยที่สุดเป็นระยะทาง จากส่วนของสับสเทรตที่เปลี่ยนแปลงได้16. The coating equipment as per claim 14 shall be cooled by grounding the power equipment and be spaced at least a certain distance from the variable substrate section. 17.เครื่องมือเคลือบสารตามข้อถือสิทธิ 16 โดยที่พื้นผิวที่อยู่ประชิดกับพลาสมามีลักษณะโค้งงอ และขยายตามยาวตามแนวแกน และเครื่องกำบังใช้แกนร่วมกับพื้นผิว17. Coating device according to claim 16 where the surface adjacent to the plasma is curved and longitudinally along the axis, and the shield shares an axis with the surface. 18.เครื่องมือเคลือบสารตามข้อถือสิทธิ 17 โดยที่อุปกรณ์แม่เหล็กประกอบด้วยคู่ขั่วแม่เหล็กอย่างน้อยที่สุดหนึ่งคู่ที่วางอยู่ชิดกับเครื่องกำบัง18. A coating device pursuant to claim 17, whereby the magnetic device consists of at least one pair of magnetic poles placed adjacent to the shield. 19.เครื่องมือเคลือบสารตามข้อถือสิทธิ 14 โดยที่อุปกรณ์ไบแอสให้เป็นลบประกอบด้วยอีเลคโทรดที่กำหนดพื้นผิวที่อยู่ประชิดกับพลาสมาภายในห้องทำปฏิกิริยา และส่วนของสับสเทรตที่เปลี่ยนแปลงได้จะสัมผัสกับอีเลคโทรดพร้อมกับหมุนในระหว่างการเคลือบสาร19. The coating instrument pursuant to claim 14, whereby the negative bias device consists of a surface-defined electrode adjacent to the plasma within the reaction chamber, and a variable substrate portion is in contact with the electrode while rotating during coating.
TH9201001181A 1992-08-25 Tools and methods for agile plasma action. TH12653B (en)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH14372A TH14372A (en) 1994-06-30
TH12653B true TH12653B (en) 2002-05-07

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
MY110816A (en) Apparatus for rapid plasma treatments and method
EP3711078B1 (en) Linearized energetic radio-frequency plasma ion source
US5578130A (en) Apparatus and method for depositing a film
EP0502385B1 (en) Process for the double-sided coating of optical workpieces
EP0574100B1 (en) Plasma CVD method and apparatus therefor
CN1397151A (en) Plasma processing system and method
ATE256763T1 (en) METHOD AND DEVICE FOR COATING BY ARC DISCHARGE
US6143124A (en) Apparatus and method for generating a plasma from an electromagnetic field having a lissajous pattern
KR20010012858A (en) Apparatus and method for sputter depositing dielectric films on a substrate
TH14372A (en) Tools and methods for agile plasma action.
JP2942899B2 (en) Electrode device for plasma CVD equipment
JP6896911B2 (en) Batch type substrate processing equipment
JPS6369981A (en) Method and apparatus for forming layer by plasma chemical treatment
TWI384086B (en) Film forming apparatus and thin film forming method
CN1106670C (en) plasma generator
JPH0766138A (en) Plasma cvd system
Novák et al. Generation of supersonic plasma flow by means of unipolar RF discharges
KR100593805B1 (en) Apparatus and method for continuously forming a metal thin film on a film polymer
CN108315722A (en) A kind of arc-shaped electrode plasma enhanced chemical vapor deposition unit
JPH04168281A (en) Atmospheric pressure glow plasma device
KR20040088650A (en) A apparatus for synthesis of thin films
JPS6063919A (en) Surface treating device
KR20030069575A (en) Plasma device for the surface treatment of plastic
DE59005990D1 (en) Method and device for coating a substrate in a plasma.
JPS6465261A (en) Vapor deposition method by plasma ionization