TH110988A - แหล่งพลาสมาและวิธีการสำหรับเคลือบสารเคลือบที่เป็นฟิล์มบางโดยใช้การเคลือบทับไอสารเคมีที่เพิ่มขีดความสามารถของพลาสมา - Google Patents
แหล่งพลาสมาและวิธีการสำหรับเคลือบสารเคลือบที่เป็นฟิล์มบางโดยใช้การเคลือบทับไอสารเคมีที่เพิ่มขีดความสามารถของพลาสมาInfo
- Publication number
- TH110988A TH110988A TH602001988F TH0602001988F TH110988A TH 110988 A TH110988 A TH 110988A TH 602001988 F TH602001988 F TH 602001988F TH 0602001988 F TH0602001988 F TH 0602001988F TH 110988 A TH110988 A TH 110988A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- plasma
- thin film
- coatings
- chemical vapor
- vapor deposition
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (30/10/52) การประดิษฐ์นี้เป็นการจัดเตรียมแหล่งของพลาสมาแบบใหม่ที่มีประโยชน์ในศิลปะหรือ วิทยาการด้านการเคลือบฟิล์มบางและวิธีการที่ใช้สิ่งเดียวกันนี้ กล่าวอย่างจำเพาะเจาะจงยิ่งขึ้นก็คือ การ ประดิษฐ์นี้จะเป็นการจัดเตรียมแหล่งของพลาสมาที่เป็นเส้นตรงและเป็นสองมิติที่ผลิตพลาสมาที่เป็น เส้นตรงและเป็นสองมิติออกมาซึ่งมีประโยชน์ในการเคลือบไอสารเคมีที่มีการเพิ่มขีดความสามารถของ พลาสมา นอกจากนี้ การประดิษฐ์นี้ยังเป็นการจัดเตรียมวิธีการทำสารเคลือบที่เป็นฟิล์มบางและวิธีการ เพิ่มประสิทธิภาพในการเคลือบของวิธีการในลักษณะเช่นนี้ การประดิษฐ์นี้เป็นการจัดเตรียมแหล่งของพลาสมาแบบใหม่ที่มีประโยชน์ในศิลปะหรือ วิทยาการด้านการเคลือบฟิล์มบางและวิธีการที่ใช้สิ่งเดียวกันนี้ กล่าวอย่างจำเพาะเจาะจงยิ่งขึ้นก็คือ การ ประดิษฐ์นี้จะเป็นการจัดเตรียมแหล่งของพลาสมาที่เป็นเส้นตรงและเป็นสองมิติที่ผลิตพลาสมาที่เป็น เส้นตรงและเป็นสองมิติออกมาซึ่งมีประโยชน์ในการเคลือบไอสารเคมีที่มีการเพิ่มขีดความสามารถของ พลาสมา นอกจากนี้ การประดิษฐ์นี้ยังเป็นการจัดเตรียมวิธีการทำสารเคลือบที่เป็นฟิล์มบางและวิธีการ เพิ่มประสิทธิภาพในการเคลือบของวิธีการในลักษณะเช่นนี้
Claims (1)
1. แหล่งของพลาสมาที่ประกอบด้วย พื้นผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอนที่หนึ่งและพื้นผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอนที่สอง โดยที่พื้นผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอนดังกล่าวมีการเชื่อมต่อกระแสไฟฟ้าเข้ากับแหล่งจ่าย กำลังที่จ่ายแรงดันไฟฟ้าซึ่งมีการสลับระหว่างค่าบวกและค่าลบ โดยที่พื้นผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอนดังกล่าวถูกคั่นด้วยช่องว่างที่บรรจุก๊าซไว้ โดยที่แรงดันไฟฟ้าที่ถูกจ่ายไปยังพื้นผิวสำหรับปล่อยอิเล็กตรอนที่สองดังกล่าวออกนอก เฟสเมื่อเทียบกับแรงแท็ก :
Publications (4)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH87593S TH87593S (th) | 2007-11-20 |
| TH110988A true TH110988A (th) | 2011-11-21 |
| TH31887S1 TH31887S1 (th) | 2012-02-08 |
| TH87593B TH87593B (th) | 2022-04-20 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2009533551A5 (th) | ||
| PH12015500539A1 (en) | Plasma source and methods for despositing thin film coatings using plasma enhanced chemical vapor deposition | |
| RU2015137774A (ru) | Устройство для ионной бомбардировки и способ его применения для очистки поверхности подложки | |
| WO2010077659A3 (en) | Closed drift magnetic field ion source apparatus containing self-cleaning anode and a process for substrate modification therewith | |
| JP2011086912A5 (th) | ||
| MY183557A (en) | Plasma cvd device and plasma cvd method | |
| CL2014002921A1 (es) | Sistema de tratamiento de plasma y recubrimiento al vacio y tratamiento de superficies, comprende un mecanismo de plasma, un catado de magnetrón, un ánodos, una descarga de arco remoto, una cubierta de cátodos, una cubierta de ánodos, un sistema magnético, un suministro de energía de cátodo, y un suministro de energía de descarga de arco; método para recubrir un sustrato. | |
| WO2009065039A3 (en) | Methods and apparatus for sputtering deposition using direct current | |
| ITMI20050585A1 (it) | Apparato e processo per la generazione accelerazione e propagazione di fasci di elettroni e plasma | |
| RU2015128048A (ru) | Источник плазмы | |
| JP2012188735A5 (th) | ||
| AR053487A1 (es) | Aparato y metodo para revestir un sustrato | |
| EA201100220A1 (ru) | Способ и установка для подготовки поверхности диэлектрическим барьерным разрядом | |
| WO2011064217A8 (fr) | Procédé et dispositif de polarisation d'une électrode dbd | |
| TW200604370A (en) | Plasma enhanced chemical vapor deposition system for forming carbon nanotubes | |
| CN104241320B (zh) | 有机电致发光器件显示器及其制造方法 | |
| TH110988A (th) | แหล่งพลาสมาและวิธีการสำหรับเคลือบสารเคลือบที่เป็นฟิล์มบางโดยใช้การเคลือบทับไอสารเคมีที่เพิ่มขีดความสามารถของพลาสมา | |
| JP2011222859A5 (th) | ||
| JP2013218881A5 (th) | ||
| WO2009139555A3 (ko) | 유체의 정전처리 장치 | |
| RU2016138745A (ru) | Способ и устройство для создания плазмы, возбуждаемой микроволновой энергией в области электронного циклотронного резонанса (ecr), для осуществления обработки поверхности или нанесения покрытия вокруг нитевидного компонента | |
| ES2422175T3 (es) | Procedimiento para producir superficies eléctricamente conductoras | |
| DE502006001494D1 (de) | Mikroplasmaarray | |
| Baars-Hibbe et al. | Micro-structured electrode arrays:: high-frequency discharges at atmospheric pressure—characterization and new applications | |
| WO2012036491A3 (ko) | 누설 전류형 변압기를 이용한 플라즈마 처리장치 |