TH10450B - หน่วยสารกึ่งตัวนำสำเร็จรูป วิธีการในการทำหน่วยสารกึ่งตัวนำสำเร็จรูป และสารหุ้มห่อหุ้มสำหรับใช้ในหน่วยสารกึ่งตัวนำสำเร็จรูป - Google Patents

หน่วยสารกึ่งตัวนำสำเร็จรูป วิธีการในการทำหน่วยสารกึ่งตัวนำสำเร็จรูป และสารหุ้มห่อหุ้มสำหรับใช้ในหน่วยสารกึ่งตัวนำสำเร็จรูป

Info

Publication number
TH10450B
TH10450B TH9601001937A TH9601001937A TH10450B TH 10450 B TH10450 B TH 10450B TH 9601001937 A TH9601001937 A TH 9601001937A TH 9601001937 A TH9601001937 A TH 9601001937A TH 10450 B TH10450 B TH 10450B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
anhydride
aforementioned
electrode
compound
prefabricated
Prior art date
Application number
TH9601001937A
Other languages
English (en)
Other versions
TH24168A (th
Inventor
เบสโช นายโยชิฮิโร
โอโมยา นายคาซูโนริ
โอโอบายาชิ นายทาคาชิ
ฮาราดะ นายมึตสึรุ
ซากูไร นายวาตารุ
Original Assignee
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
นายดำเนิน การเด่น
นายดำเนิน การเด่น นายต่อพงศ์ โทณะวณิก นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์ นายวิรัช ศรีเอนกราธา
นายต่อพงศ์ โทณะวณิก
นายวิรัช ศรีเอนกราธา
Filing date
Publication date
Application filed by นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์, นายดำเนิน การเด่น, นายดำเนิน การเด่น นายต่อพงศ์ โทณะวณิก นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์ นายวิรัช ศรีเอนกราธา, นายต่อพงศ์ โทณะวณิก, นายวิรัช ศรีเอนกราธา filed Critical นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
Publication of TH24168A publication Critical patent/TH24168A/th
Publication of TH10450B publication Critical patent/TH10450B/th

Links

Abstract

ได้มีการเปิดเผยถึงหน่วยสารกึ่งตัวนำสำเร็จรูปที่ไดรับการปรับปรุงให้ดีขึ้นอันหนึ่ง ทำชุดสำเร็จรูปนี้ด้วย อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำที่มีขั้วไฟฟ้าอันหนึ่ง พื้นชั้นล้างอันหนึ่งที่มีขั้วไฟฟ้าปลาย ทางอันหนึ่ง ขั้วไฟฟ้ากันชนอันหนึ่งที่ทำไว้บนชั้นขั้วไฟฟ้า ชั้นกาวตัวนำอันหนึ่งมที่มีความยึดหยุ่นและชั้น ห่อหุ้มอันหนึ่งทำที่ให้เกิดขึ้นโดยการบ่มสูตรผสมที่มีความหนืดและดัชนีธิกโซโทรพีซึ่งต่ำกว่า 100 พาสคาล. วินาที และต่ำกว่า 1.1 ตามลำดับ สูตรผสมดังกล่าวมีส่วนสำคัญประกอบด้วย (A) เรซินตัวยึดเหนี่ยวอันหนึ่งที่มียกตัวอย่างเช่น แอลิอีพอกไซด์อันหนึ่ง แอนไฮไดรด์ของกรดอันหนึ่งและ สารปรับสภาพกระแสวิทยาอันหนึ่งและ (B) ตัวเติมอันหนึ่ง สารปรับสภาพกระแสวิทยาเป็นชนิดที่ สามารถขัดขวางการทำปฏิกิริยากันระหว่างกรดอิสระอันหนึ่งที่มีอยู่ในแอนไฮไดรด์ของกรดและหมู่ โพลาร์อันหนึ่งที่ผิวของตัวเร่ง ใช้สารห่อหุ้มอันหนึ่งที่มีความสามารถไหลได้ที่ได้รับการปรับปรุงให้ ดีขึ้นเพื่อให้สารห่อหุ้มพร้อมจะไหลและแพร่ออกได้ง่ายเพื่อบรรจุช่องว่างระหว่างอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ และพื้นชั้นล่างโดยไม่มีฟองอากาศนี้สามารถบรรลุผลสำเร็จผิวหล่อสารกึ่งตัวนำสำเร็จรูปที่มีความ สามารถวางใจได้สูงและมีผลิตสูง

Claims (9)

1. หน่วยสารกึ่งตัวนำสำเร็จรูปอันหนึ่งซึ่งประกอบด้วย ( a) อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอันหนึ่งที่มีขั้วไฟฟ้าอันหนึ่ง (b ) พื้นชั้นล่างอันหนึ่งที่มีขั้วไฟฟ้าปลายทางอันหนึ่ง (c) ขั้วไฟฟ้ากันชนอันหนึ่งที่ทำไว้บนชั้นขั้วไฟฟ้าดังล่าวของอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ ดังกล่าว (d) ชั้นกาวตัวนำซึ่งประกอบด้วยกาวตัวนำอันหนึ่งที่มีความยืดหยุ่นและซึ่งทำให้เกิด การเชื่อมต่อทางไฟฟ้าระหว่างขั้วไฟฟ้ากันชนดังกล่าวและขั้วไฟฟ้าปลายทางดังกล่าวและ (e) ชั้นห่อหุ้มอันหนึ่งซึ่งทำให้เกิดขึ้นโดยการบ่มสูตรผสมที่มีความหนืดต่ำกว่า 100 พาสคาล. วินาทีและมีดัชนีธิกโซโทรพีต่ำกว่า 1.1 และซึ่งเติมช่องว่างอันที่หนึ่งที่เกิดขึ้นระหว่าง อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำดังกล่าวและพื้นชั้นล่างดังกล่าวในลักษณะที่อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำดังกล่าวและพื้น ชั้นล่างดังกล่าวเชื่อมต่อด้วยกันทางกล 2. หน่วยสารกึ่งตัวนำสำเร็จรูปอันหนึ่งของข้อถือสิทธิ 1 ที่ สูตรผสมดังกล่าวมีส่วนสำคัญประกอบด้วย ( A) เรซินตัวยึดเหนี่ยวอันหนึ่งที่มีอย่างน้อย ที่สุดพอลิอีพอกไซด์อันหนึ่ง แอนไฮไดรด์ของกรดคาร์บอกซิลิคอันหนึ่ง สารปรับสภาพกระแสวิทยาอันหนึ่ง และตัวเร่งการบ่มแฝงอันหนึ่งและ (B ) ตัวเติมอันหนึ่งที่ประกอบด้วยวัสดุไดอิเล็กทริคอันหนึ่งและ สารปรับสภาพของกระแสวิทยาดังกล่าวทำหน้าที่เพื่อขัดขวางการทำปฏิกิริยากันระหว่าง กรดอิสระอันหนึ่งในแอนไฮไดรด์ดังกล่าวของกรดคาร์บอกซิลิคดังกล่าวและหมู่โพลาร์อันหนึ่งที่ผิวของ ตัวเติมดังกล่าว 3. หน่วยสารกึ่งตัวนำสำเร็จรูปอันหนึ่งของข้อถือสิทธิ 2 ที่สารปรับสภาพกระแสวิทยา ดังกล่าวมีสารชนิดหนึ่งที่สามารถเลือกดูดซับกรดอิสระดังกล่าวในแอนไฮไดรด์ดังกล่าวของกรดคาร์บอก ซิลิคดังกล่าว 4. หน่วยสารกึ่งตัวนำสำเร็จรูปอันหนึ่งของข้อถือสิทธิ 2 ที่สารปรับสภาพกระแสวิทยา ดังกล่าวเป็นสารประกอบ Lewisเบสอันหนึ่ง 5. หน่วยสารกึ่งตัวนำสำเร็จรูปอันหนึ่งของข้อถือสิทธิ 2 ที่สารปรับสภาพกระแสวิทยา ดังกล่าวเป็นสารประกอบเทอร์ซิแอรี แอมีนอันหนึ่ง สารประกอบเทอร์ซิแอรีฟอสฟีนอันหนึ่ง เกลือ ควอร์เทอร์แนรีแอมโมเนียมอันหนึ่ง เกลือควอเทอร์แนรีฟอสโฟเนียมอันหนึ่งหรือสารประกอบเฮเทอ โนไซคลิคอันหนึ่งที่มีไนโทรเจนอะตอมหนึ่งอยู่ในโซ่วงแหวนอันหนึ่งของมัน 6. หน่วยสารกึ่งตัวนำสำเร็จรูปอันหนึ่งของข้อถือสิทธิ 2 ที่แอนไฮไดรด์ดังกล่าวของ กรดคาร์บอกซิลิคดังกล่าวในเรซินตัวยึดเหนี่ยวดังกล่าวมีแอนไฮไดรด์อย่างน้อยที่สุดอันหนึ่งของกรด แอลิไซคลิคอันหนึ่ง 7. หน่วยสารกึ่งตัวนำสำเร็จรูปอันหนึ่งของข้อถือสิทธิ 6 ที่แอนไฮไดรด์ของกรด แอลิไซคลิคดังกล่าวอย่างน้อยที่สุดซึ่งแอนไฮไดรด์อันหนึ่งของกรดไทรแอลคิล เททราไฮโดรพธาลิค อันหนึ่ง 8. หน่วยสารกึ่งตัวนำสำเร็จรูปอันหนึ่งของข้อถือสิทธิ 1 ที่ขั้วไฟฟ้ากันชนดังกล่าวของ อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำดังกล่าวเป็นขั้วไฟฟ้าแกนกันชนที่มีส่วนที่ยื่นออกเป็นสองชั้น 9. วิธีการทำหน่วยสารกึ่งตัวนำสำเร็จรูปอันหนึ่งที่ติดตั้งอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอันหนึ่ง ที่มีขั้วไฟฟ้าอันหนึ่งไว้บนพื้นชั้นล่างอันหนึ่งที่มีขั้วไฟฟ้าปลายทางอันหนึ่งวิธีการดังกล่าวประกอบด้วย (a) ขั้นตอนที่หนึ่ง อันหนึ่งในการทำให้มีขั้วไฟฟ้ากันชนอันหนึ่งบนชั้นขั้วไฟฟ้าดังกล่าว ของอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำดังกล่าว (b) ขั้นตอนที่สองอันหนึ่งของการใช้กาวตัวนำอันหนึ่งรอบปลายของขั้วไฟฟ้ากันชนดังกล่าว (c) ขั้นตอนที่สามอันหนึ่งประกอบด้วย ทำการเรียงขั้วไฟฟ้ากันชนดังกล่าวและขั้วไฟฟ้าปลายทางดังกล่าวให้เป็นแนว วางอุปกรณ์ตัวนำไฟฟ้าดังกล่าวลงบนพื้นชั้นล่างดังกล่าว และ ทำใหัเกิดการเชื่อมต่อทางไฟฟ้าอันหนึ่งระหว่างขั้วไฟฟ้ากันชนดังกล่าวและขั้วไฟฟ้า ปลายทางดังกล่าวจากการใช้กาวตัวนำดังกล่าว (d) ขั้นตอนที่สี่อันหนึ่งของการเตรียม สารห่อหุ้มอันหนึ่งประกอบด้วยสูตรผสมอันหนึ่ง ที่มีความหนืดและดัชนีธิกโซโทรพีซึ่งต่ำกว่า 100 พาสคาล. วินาที และต่ำกว่า 1.1 ตามลำดับ ( e) ขั้นตอนที่สี่อันหนึ่งของการบรรจุสารห่อหุ้มเข้าไปในช่องว่างที่เกิดขั้นระหว่าง อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำดังกล่าวและพื้นรองรับดังกล่าวและ ( f) ขั้นตอนที่หกอันหนึ่งของการบ่มสารห่อหุ้มดังกล่าวเพื่อให้เชื่อมต่ออุปกรณ์สารกึ่ง ตัวนำดังกล่าวและชั้นล่างดังกล่าวทางกล 1 0. วิธีการทำหน่วยสารกึ่งตัวนำสำเร็จรูปอันหนึ่งของข้อถือสิทธิ 9 ที่ สูตรผสมดังกล่าวของขั้นตอนที่สี่ดังกล่าวมีส่วนสำคัญประกอบด้วย (A) เรซินตัวยึด เหนี่ยวอันหนึ่งที่อย่างน้อยที่สุดมีพอลิอีพอกไซด์อันหนึ่ง แอไฮไดรด์อันหนึ่งของกรดคาร์บอกซิลิค อันหนึ่ง สารปรับสภาพกระแสวิทยาอันหนึ่งและตัวเร่งการบ่มแฝงอันหนึ่งและ (B) ตัวเติมอันหนึ่ง ที่ประกอบด้วยวัสดุไดอิเล็กทริคอันหนึ่งและ สารปรับสภาพกระแสวิทยาดังกล่าวทำหน้าที่ขัดขวางการทำปฏิกิริยากับระหว่างกรด อิสระอันหนึ่งในแอนไฮโดรด์ของกรดคาร์บอกซิลิคดังกล่าวและหมู่โพลาร์อันหนึ่งที่ผิวของตัวเติม 1 1. วิธีการในการทำหน่วยสารกึ่งตัวนำสำเร็จรูปอันหนึ่งของข้อถือสิทธิ 9 ที่สาร ปรับสภาพกระแสวิทยาดังกล่าวมีสารอันหนึ่งซึ่งทำหน้าที่เป็นตัวเร่งการบ่มอันหนึ่งาหรับสารห่อหุ้ม ประเภทของเหลวคู่ด้วย ด้วยปริมาณเล็กน้อยดังกล่าวอันหนึ่งเพื่อป้องกันสารดังกล่าวไม่ให้ทำหน้า ที่เร่งการบ่มของมัน 1 2. วิธีการทำหน่วยสารกึ่งตัวนำสำเร็จรูปอันหนึ่งของข้อถือสิทธิ 10 ที่แอนไฮไดรด์ ดังกล่าวของกรดคาร์บอกซิลิคดังกล่าวในเรซินตัวยึดเหนี่ยวดังกล่าวของขั้นตอนที่สี่ดังกล่าวมีแอนไฮไดรด์ อย่างน้อยที่สุดอันหนึ่งของกรดแอลิไซคลิคอันหนึ่ง 1 3. การทำหน่วยสารกึ่งตัวนำสำเร็จรูปอันหนึ่งของข้อถือสทธิ 12 ที่แอนไฮไดรด์ ของกรดแอลิไซคลิคดังกล่าวของขั้นตอนที่สี่ดังกล่าวมีอย่างน้อยที่สุดมีแอนไฮไดรด์ของกรดไทรแอลคิล เททราไฮโดรพธาลิคอันหนึ่ง 1 4. วิธีการทำหน่วยสารกึ่งตัวนำสำเร็จรูปอันหนึ่งของข้อถือสิทธิ 9 ที่ขั้วไฟฟ้ากันชน ดังกล่าวของขั้นตอนที่หนึ่งดังกล่าวเป็นขั้วไฟฟ้าแกนกันชนที่มีส่วนที่ยื่นออกเป็นสองชั้น 1 5. วิธีการทำหน่วยสารกึ่งตัวนำสำเร็จรูปอันหนึ่งของข้อถือสิทธิ 9 ที่มีสารห่อหุ้ม ดังกล่าวในขั้นตอนที่สี่ดังกล่าวเข้าไปในระหว่างอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำดังกล่าวและพื้นชั้นล่างดังกล่าว ที่อุณหภูมิห้อง 1 6. วิธีการทำหน่วยสารกึ่งตัวนำสำเร็จรูปอันหนึ่งของข้อถือสิทธิ 9 ฉีดสารห่อหุ้ม ดังกล่าวในขั้นตอนที่ห้าดังกล่าวเข้าไปในระหว่างอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำดังกล่าวและพื้นชั้นล่างดังกล่าว ภายใต้สภาพลดความดัน 1 7. วิธีการทำหน่วยสารกึ่งตัวนำสำเร็จรูปอันหนึ่งของข้อถือสิทธิ 9 ที่เตรียมสูตร ผสมดังกล่าวของสารห่อหุ้มดังกล่าวในขั้นตอนที่สี่ดังกล่าวโดย การให้มีของผสมอันหนึ่งของแอนไฮไดรด์อันหนึ่งของกรดคาร์บอกซิลิคอันหนึ่งและส่วน หนึ่งของตัวเติมอันหนึ่ง ให้ของผสมดังกล่าวผ่านกรรมวิธีการทำให้มีอายุอันหนึ่งและ การเติมพอลิอีพอกไซด์อันหนึ่งและตัวเติมที่เหลือลงไปในของผสมดังกล่าว 1 8. วิธีการทำหน่วยสารกึ่งตัวนำสำเร็จรูปอันหนึ่งของข้อถือสิทธิ 10 ที่สารปรับสภาพ กระแสวิทยาดังกล่าวมีสารอันหนึ่งซึ่งสามารถเลือกดูดซับกรดอิสระดังกล่าวในแอนไฮไดรด์ดังกล่าว ของกรดคาร์บอกซิลิคดังกล่าว 1 9. วิธีการทำหน่วยสารกึ่งตัวนำสำเร็จรูปอันหนึ่งของข้อถือสิทธิ 10 ที่สารปรับสภาพ กระแสวิทยาดังกล่าวอาจเป็นสารประกอบเทอร์ซิแอรี แอมีนอันหนึ่ง สารประกอบเทอร์ซิแอรีฟอสฟีน อันหนึ่ง เกลือควอเทอร์แนรีแอมโมเนียมอันหนึ่ง เกลือควอเทอร์แรีฟอสโฟเนียมอันหนึ่งหรือสารประกอบ เฮเทอโรไซคลิคอันหนึ่งที่มีไนโตรเจนอะตอมหนึ่งอยู่ในโซ่วงแหวนอันหนึ่ง 2
1. สารห่อหุ้มอันหนึ่งสำหรับบรรจุช่องว่างระหว่างอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอันหนึ่งและ พื้นชั้นล่างอันหนึ่งสำหรับใช้ในชุดสำเร็จรูปของหน่วยสารกึ่งตัวนำอันหนึ่งสารห่อหุ้มดังกล่าวมีส่วน สำคัญประกอบด้วย (A) เรซินตัวยึดเหนี่ยวอันหนึ่งที่อย่างน้อยที่สุดมีพอลิอีพอกไซด์อันหนึ่ง แอนไฮไดรด์ อันหนึ่งของกรดคาร์บอกซิลิคอันหนึ่ง สารปรับสภาพกระแสวิทยาอันหนึ่งและตัวเร่งการบ่มแฝงอันหนึ่ง ที่เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของเรซินตัวยึดเหนี่ยวดังกล่าวอยู่ในระหว่างช่วงของ 80% ถึง 25% และ (B) ตัวเติมอันหนึ่งที่ประกอบด้วยวัสดุไดอิเล็กทริคอันหนึ่งที่เปอร์ออกไซด์โดยน้ำหนัก ของตัวเติมดังกล่าวอยู่ภายในช่วงจาก 20% ถึง 75% ที่สารปรับสภาพกระแสวิทยาดังกล่าวทำหน้าที่เพื่อขัดขวางการทำปฏิกิริยากันระหว่าง กรดอิสระอันหนึ่งในแอนไฮไดรด์ดังกล่าวของกรดคาร์บอกซิลิคดังกล่าวและหมู่โพลาร์อันหนึ่งที่ผิวของ ตัวเติมดังกล่าว 2
2. สารห่อหุ้มอันหนึ่งของข้อถือสิทธิ 21 ที่สารปรับกระแสวิทยาดังกล่าวมีสารอันหนึ่ง ซึ่งสามารถเลือกดูดซับกรดอิสระดังกล่าวในแอนไฮไดรด์ดังกล่าวของกรดคาร์บอกซิลิคดังกล่าว 2
3. สารห่อหุ้มอันหนึ่งของข้อถือสิทธิ 21 ที่สารปรับสภาพกระแสวิทยาดังกล่าวเป็น สารประกอบ Lewis เบสอันหนึ่ง 2
4. สารห่อหุ้มอันหนึ่งของข้อถือสิทธิ 21 ที่สารปรับสภาพกระแสวิทยาดังกล่าวอาจ เป็น สารประกอบเทอร์ซิแอรีแอมีนอันหนึ่ง สารประกอบเทอร์ซิแอรีฟอสฟีนอันหนึ่ง เกลือควอเทอร์ แนรีแอมโมเนียมอันหนึ่ง เกลือควอเทอร์แนรีฟอสโฟเนียทอันหนึ่งหรือสารประกอบเฮเทอโรไซคลิค อันหนึ่งที่มีไนโตรเจนอะตอมหนึ่งในโซ่วงแหวนอันหนึ่งของมัน 2
5. สารห่อหุ้มอันหนึ่งของข้อถือสิทธิ 21 ที่แอนไฮไดรด์ดังกล่าวของกรดคาร์บอกซิลิค ดังกล่าวในเรซินตัวยึดเหนี่ยวดังกล่าวอย่างน้อยที่สุดมีแอนไฮไดรด์อันหนึ่งของกรดแอลิไซคลิคอันหนึ่ง 2
6. สารห่อหุ้มอันหนึ่งของข้อถือสิทธิ 25 ที่แอนไฮไดรด์ของกรดแอลิไซคลิคดังกล่าว อย่างน้อยที่สุดมีแอนไฮไดรด์อันหนึ่งของกรดไทรแอลคิลเททราไฮโดรพธาลิคอันหนึ่ง 2
7. สารห่อหุ้มอันหนึ่งของข้อถือสิทธิ 21 ที่จัดเรซินตัวยึดเหนี่ยวดังกล่าวและตัวเติม ดังกล่าวให้อยู่ในสภาพของเหลวเดี่ยว 2
8. สารห่อหุ้มอันหนึ่งของข้อถือสิทธิ 21 เรซินตัวยึดเหนี่ยวดังกล่าวมีสูตรผสมอันหนึ่งที่ (a) อัตราส่วนสมมูลย์เคมีของแอนไฮไดรด์ดังกล่าวของกรดคาร์บอกซิลิคดังกล่าวต่อ พอลิอีพอกไซด์ดดังกล่าวอยู่ในระหว่างช่วงจาก 0.8 ถึง 1.1 (b) เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของตัวเร่งการบ่มดังกล่าวต่อเรซินตัวยึดเหนี่ยวดังกล่าว ทั้งหมดอยู่ภายในช่วงจาก 0.2% ถึง 3% และ (c) เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารปรับสภาพกระแสวิทยาดังกล่าวต่อเรซินตัวยึด เหนี่ยวดังกล่าวทั้งหมดอยู่ภายในช่วงจาก 0.02% ถึง 0.3% 2
9. สารห่อหุ้มอันหนึ่งสำหรับบรรจุในช่องว่างระหว่างอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอันหนึ่งและ พื้นรองรับอันหนึ่งสำหรับใช้ในการทำชุดสำเร็จรูปของหน่วยสารกึ่งตัวนำอันหนึ่ง สารห่อหุ้มดังกล่าว มีส่วนสำคัญประกอบด้วย (A) เรซินตัวยึดเหนี่ยวอันหนึ่งที่อย่างน้อยที่สุดมีอีพอกไซด์อันหนึ่ง แอนไฮไดรด์ อันหนึ่งของกรดคาร์บอกซิลิคอันหนึ่ง สารปรับสภาพกระแสวิทยาอันหนึ่งและตัวเร่งการบ่มแฝงอันหนึ่ง ที่เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของเรซินตัวยึดเหนี่ยวดังกล่าวอยู่ในช่วงจาก 80% ถึง 25% และ (B) ตัวเติมอันหนึ่งที่ประกอบด้วยวัสดุไดอิเล็กทริคอันหนึ่งที่เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของ ตัวเติมดังกล่าวอยู่ภายในช่วงจาก 20% ถึง 75% การทำให้มีของผสมอันหนึ่งของแอนไฮไดรด์อันหนึ่งของกรดคาร์บอกซิลิคอันหนึ่งและ ส่วนของตัวเติมอันหนึ่ง นำของผสมดังกล่าวผ่านกรรมวิธีการทำให้มีอายุอันหนึ่งและ การเติมพอลิอีพอกไซด์อันหนึ่งและตัวเติมส่วนที่เหลือลงไปในของผสมดังกล่าว
TH9601001937A 1996-06-11 หน่วยสารกึ่งตัวนำสำเร็จรูป วิธีการในการทำหน่วยสารกึ่งตัวนำสำเร็จรูป และสารหุ้มห่อหุ้มสำหรับใช้ในหน่วยสารกึ่งตัวนำสำเร็จรูป TH10450B (th)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH24168A TH24168A (th) 1997-03-12
TH10450B true TH10450B (th) 2001-05-18

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR0181615B1 (ko) 반도체 장치의 실장체, 그 실장방법 및 실장용 밀봉재
DE102010016566B4 (de) Halbleiterbaustein mit mehreren Chips und Substrat in einer Metallkappe sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterbausteins
US4803543A (en) Semiconductor device and process for producing the same
US6255738B1 (en) Encapsulant for microelectronic devices
JP2004327557A (ja) 電子部品の製造方法及び半導体装置
TW200629448A (en) Semiconductor package and fabrication method
NO321429B1 (no) Halvleder enhetpakke, fremgangsmate ved pakking av halvlederenhet, og innkapsling for bruk ved halvlederenhet pakking
TH10450B (th) หน่วยสารกึ่งตัวนำสำเร็จรูป วิธีการในการทำหน่วยสารกึ่งตัวนำสำเร็จรูป และสารหุ้มห่อหุ้มสำหรับใช้ในหน่วยสารกึ่งตัวนำสำเร็จรูป
TH24168A (th) หน่วยสารกึ่งตัวนำสำเร็จรูป วิธีการในการทำหน่วยสารกึ่งตัวนำสำเร็จรูป และสารหุ้มห่อหุ้มสำหรับใช้ในหน่วยสารกึ่งตัวนำสำเร็จรูป
DE102012200273A1 (de) Elektronisches Bauteil mit korrosionsgeschützter Bondverbindung und Verfahren zur Herstellung des Bauteils
JP2001302765A (ja) 封止充填剤用液状エポキシ樹脂組成物
JPH0964103A (ja) 半導体装置の実装体,その実装方法及びその実装用封止材
JPH0491443A (ja) 半導体装置の製造方法
KR20110135931A (ko) 절연체용 캐스트 수지 시스템
JP2984804B2 (ja) 電子部品及びその製造方法
JPS6175549A (ja) 半導体素子を含む電子回路及びその製造方法
JPH09235357A (ja) 封止用液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
US20210292473A1 (en) Epoxy resin composition and resin-encapsulated substrate
JPWO2002044241A1 (ja) 封止充填剤用液状エポキシ樹脂組成物
JP3319741B2 (ja) 半導体装置の実装体及びその実装用封止材
DE102018124544B4 (de) Halbleiterpackage mit die-befestigungssystem und verfahren zum herstellen eines halbleiterpackages
DE10042839A1 (de) Elektronisches Bauteil mit Wärmesenke und Verfahren zu seiner Herstellung
KR980012311A (ko) 반도체 캡슐화용 에폭시 수지액상 조성물
DE3309679A1 (de) Halbleiterbauelement mit giessharzfuellung
DE19800460A1 (de) Befestigung eines Halbleiterkörpers auf einer Leiterplatte