SU955203A1 - Устройство дл считывани информации из ассоциативной пам ти - Google Patents

Устройство дл считывани информации из ассоциативной пам ти Download PDF

Info

Publication number
SU955203A1
SU955203A1 SU813229540A SU3229540A SU955203A1 SU 955203 A1 SU955203 A1 SU 955203A1 SU 813229540 A SU813229540 A SU 813229540A SU 3229540 A SU3229540 A SU 3229540A SU 955203 A1 SU955203 A1 SU 955203A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistors
address
word
memory
buses
Prior art date
Application number
SU813229540A
Other languages
English (en)
Inventor
Валерий Михайлович Трусфус
Светлана Леонидовна Тахаутдинова
Роберт Рамазанович Бикмухаметов
Original Assignee
Казанский Ордена Трудового Красного Знамени Авиационный Институт Им.А.Н.Туполева
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Казанский Ордена Трудового Красного Знамени Авиационный Институт Им.А.Н.Туполева filed Critical Казанский Ордена Трудового Красного Знамени Авиационный Институт Им.А.Н.Туполева
Priority to SU813229540A priority Critical patent/SU955203A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU955203A1 publication Critical patent/SU955203A1/ru

Links

Landscapes

  • Memory System Of A Hierarchy Structure (AREA)

Description

Изобретение относитс  к запоминающим устройствам и может быть использовано дл  счигнв н-   информации из ассоциативного запоминающего устройства и при обработке управл ющей информации . Известно устройство дл  считывани  информации из ассоциативной пам ти, содержащее последовательно соединённые элементы цепи очередности, входы которых подключены к выходам соответствующих индикаторов совпадени , причем элементы цепи очередности состо т из набора элементов И, ИЛИ, НЕ tl. Недостатком этого устройства  вл етс  низкое быстродействие, св занное с последовательным прохождением сигнала запроса через элементы цепи очередности . Из известных устройств наиболее близким техническим решением к предла гаемому  вл етс  устройство дл  -считы вани  информации из ассоциативной пам ти , содержащее входные ВДП-транзисторы , выходные МДП-транзисторы, допол нительные МДП-транзисторы и блок выработки признака ответа,причем истоки входных транзисторов соединены с соответствующими словарными шинами, затворы выходных транзисторов подключены к соответствующим адресным шинам , а источники - к шине нулевого уровн , стоки дополнительных транзисторов соединены с соответствующими адресными шинами опроса, истоки с одноименными адресными шинами, а затворы дополнительных транзисторов. Стоки выходных Транзисторов и входы блока выработки признака ответа подключены к соответст ющим словарным шинам. В этом устройстве считывание слов, составл ющих многозначный ответ, организовано в пор дке убывани  адресов. Вы вление очередного слова и формирование его адреса реализуетс  последовательно с помощью поразр дного опроса адресных шин устройства, начина  со старшего разр да. Далее, это слово из рассмотрени   исключаетс  и цикл опросов повтор етс  дл  слова с адресом , следующим по убыванию за только что вы вленным 121. Недостатком данного устройства  вл етс  низкое быстродействие, так как дл  вы влени  каждого слова,Ьход щего в многозначный ответ, необходимо последовательно опросить каждый разр д адреса. Цель изобретени  -- повышение быст действи  устройства за счет организа ции параллельного опроса всех разр дов адреса. Поставленна  цель достигаетс  тем что в устройство дл  считывани  инфо мации из ассоциативнойпам ти, содер жащее запоминающие и переключающие МДП-транзисторы, группы входных и вы ходных МДП-транзисторов по числу раз РЯ.ЦОВ адреса, причем истоки запоминающих , стоки выходных и затворы входных и переключающих транзисто- . ров подключены к соответствующим сло варным шинам, истоки выходных транзисторов соединены с шиной нулевого потенциала, стоки переключающих тран зисторов объединены и  вл ютс  одним из входов устройства, истоки переключающих транзисторов объединены и  вл ютс  выходом устройства, стоки входных транзисторов подключены к соответствующим поисковым шинам, истоки входных и затворы выходных транзисторов первой И последней груп соединены с одноименными адресными шинами, введены дополнительные переключающие транзисторы, затворы которых подключены к истокам-соответствующих входных и затворам соответствующих выходных транзисторов групп, кроме первой и последней, стоки дополнительных переключающих транзисто ров соединены с .соответствуищими поисковыми шинами, а истоки - с одноименны14и адресными шинами. На фиг. 1 изображена принципиальна  схема устройства .дл  считывани  информации.из ассоциативной пам ти, содержащей, например восемь слов (т.е. дл  разр дов адреса, рав ного трем)) на фиг. 2 - вариант той же схемы дл  случа , когда достаточно вы вить адрес лишь одного из слов вход щих в многозначный ответ. Устройство дл  считывани  информайии из ассоциативной пам ти (фиг. 1 содержит запоминающие МДП-транзисторы 1,1-1.8, три группы, входных МДПтранзисторов 2-13, три группы выходных МДП-транзисторов 14-25, дополнительные переключающие МДП-транзисторы 26 и 27, переключающие МДП-транзисторы 28.1-28,8, образующие блок 29 выработки ответа, словарные шины 30, адресные шины 31-33, используемые при опросе, адресные .шины 34-36 используемые дл  формировани  адресо считанных слов. Блок 29 имеет выход 37,  вл ющийс  выходом устройства. УЬтройство (фиг. 1) работает следующим образом. В начале работы на транзисторы 1.1-1.8 подают сигнальз из соответствующих  чеек пам ти (не показаны), удовлетвор ющих заданному критерию поиска и составл ющих многозначный ответ. Соответствующие транзисторы 1.1-1..8 открываютс  и через них происходит зар д одноименных словарных шин 30. Словарные шины 30 в устройстве расположены в пор дке возрастани  их кода адреса, т.е. от 000 до 111 После этого транзисторы 1.1-1.8 закрываютс . Предзположим, что в многозначный ответ вход т второе, п тое и седьмое слова, т.е. после опроса пам ти оказываютс  зар женными словарные шины 30 с номерами 010, 101 и 111. Транзисторы 28.2, 28.5 и 28.8 блока 29, затворы которых подключены к словарным шинам с номерами 010, 101 и 111, открыты и на выходе 37 устанавливаетс  потенциал признак ответа-1, Далее в шины 31-33 параллельно подают сигнал опроса, который через открытые транзисторы 3 и 5 проходит в шину 34 первого разр да адреса, через открытый транзистор 6 - на затвор транзистора 26 и через открытый транзистор 9 - на затвор транзистора 27. Транзисторы 26 и 27, реализующие логическую функцию ИЛИ, открываютс  и -leрез них сигнал опроса проходит в тину 35 второго разр да. Через открытые транзисторы 12 и 13 сигнал опроса проходит в шину 36 третьего разр да. Транзисторы 16, 21 и 23 открываютс  и через них происходит разр д паразитных конденсаторов словарньл х шин 30 с номерами 010 и 101. После опроса только один паразитный конденсатор словарной шины 30, соответствующий седьмому слову, сохранил предварительный зар д, а на шинах 31-33 был сформирован код адреса этого слова 111. Аналогично организуют следующий опрос устройства, предварительно исключив выбранное седьмое слово из рассмотрени , в результате которог о вы вл етс  п тое слово и формируетс  код его адреса 101, и т.д. Дл  случа , когда достаточно вы вить адрес лишь одного из слов, вход щих в многозначный ответ, оборудование устройства существенно сокращаетс  , (фиг. 2). В данномслучае устройство обеспечивае1Т формирование на адресных шинах 34-36 адреса слова с максимальным адресом из слов, вход щих в многозначный отает. Однако зар женными после опроса устройства могут оставатьс  не одна, как в первом варианте, а . несколько., словарных шин 30. Например, если в многозначный ответ вход т второе и третье слова, на адресных шинах будет сформирован код адреса 011, а предварительный зар д сохран ет обе словарные шины, и поэтому отсутствует возможность исключени  из рассмотрени  третьего слова ., чтобы в следующем опросе сформировать адрес йторого слова.
Реализаци  в предлагаемом устройстве параллельного опроса в.сех разр дов адреса повыиает быстродействие устройства по сравнению с прототипом.

Claims (2)

1.Кохонен Т. Ассоциативна  па- . м ть. М., Мир, 1980, с, 51-73.
2.Авторское свидетельство СССР № 497636, кл. G 11 С 15/00, 1974 (прототип).
//
, 25
4--f--ro
SU813229540A 1981-01-05 1981-01-05 Устройство дл считывани информации из ассоциативной пам ти SU955203A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU813229540A SU955203A1 (ru) 1981-01-05 1981-01-05 Устройство дл считывани информации из ассоциативной пам ти

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU813229540A SU955203A1 (ru) 1981-01-05 1981-01-05 Устройство дл считывани информации из ассоциативной пам ти

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU955203A1 true SU955203A1 (ru) 1982-08-30

Family

ID=20936289

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU813229540A SU955203A1 (ru) 1981-01-05 1981-01-05 Устройство дл считывани информации из ассоциативной пам ти

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU955203A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4415992A (en) Memory system having memory cells capable of storing more than two states
US6154384A (en) Ternary content addressable memory cell
US5706224A (en) Content addressable memory and random access memory partition circuit
KR101052812B1 (ko) 감소된 매치라인 용량을 위한 터너리 내용 주소화 메모리셀
KR950034265A (ko) 연상메모리
JPS605498A (ja) 連想メモリ装置
KR910014830A (ko) 반도체 메모리를 사용한 뉴럴 네트워크 정보처리 장치
WO2000017886A1 (en) Bank selector circuit for a simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture
KR880000967A (ko) 듀얼 포오트 반도체 기억 장치
WO1998053458A1 (en) Content addressable memory multiple match detection circuit
JP2005190543A5 (ru)
KR940006023A (ko) 내용주소화기억장치 및 그 일치워드(incidence word)의 불능화방법
KR880003328A (ko) 반도체 메모리장치
US6341079B1 (en) Content addressable memory device
US6591331B1 (en) Method and apparatus for determining the address of the highest priority matching entry in a segmented content addressable memory device
KR910013285A (ko) 불휘발성 반도체메모리
US6618280B2 (en) Associative memory for accomplishing longest coincidence data detection by two comparing operations
SU955203A1 (ru) Устройство дл считывани информации из ассоциативной пам ти
KR930008850A (ko) 분할된 판독 데이타 버스 시스템을 갖는 반도체 메모리 디바이스
Koo Integrate circuit content addressable memories
GB1188290A (en) Improvements in or relating to Information Retrieval Systems
JP2777034B2 (ja) 半導体記憶装置
US7092311B1 (en) Content addressable memory (CAM) devices that utilize priority class detectors to identify highest priority matches in multiple CAM arrays and methods of operating same
JPH01220293A (ja) 連想記憶回路
SU746718A1 (ru) Устройство дл считывани информации из блоков пам ти