SU881028A1 - Стекло дл защиты полупроводниковых приборов - Google Patents

Description

(54) СТЕКЛО ДЛЯ ЗАЩИТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ , , . I Изобретение относитс  к составал легкоплавких стекол, используемых в микроэлектронике дл  стабилизации и защиты полупроводниковых приборов известно стекло, fll содержащее вес.%:.. РЬО74-94 8„О а2-10 ,2-2 и по крайней мере один окисел из гру пы СаО, SrO, ВаО, CdO, WO, Bi Oj5-15 . Это стекло используетс  дл  пропитки ЦТС-керамики и.,не предназначе но дл  защиты полупроводниковых приборов . Наиболее близким к предложенному по технической сущности и дости аемо му результату  вл етс  состав стекла 1,21 дл  защиты полупроводниковых приборов, содержащий вес.%: РЬО 65-76, 5 Олв-14, 6-10, TIOj 1-3, CdO 1-4, ZnO 0,2-4. Это стекло характеризуетс - повышенной влагостойкостью (гидролитичес кий класс стойкости 1), Необходимой адгезией и согласованностью с козффициентом линейного термического рас ширени  полупроводниковых материалов ПРИБОРОВ (( i 82-87-10 ), низкой кристаллизационной способностью. Однако температура оплавлени  указанного стекла недостаточно низка ; (Т.пл.410±10), удельное сопротивле|ние при 200°С недостаточно высоко i/y.(l-4)-10 тЭМСМ, концентраци  зар да в поверхност х состо щих МДП-. транзисто а, при нанесении в качестве стабилизирующего, и изолирующего :сло  данного стёкла высока Njy t8-9 ,5)10 1/см что не обеспечивает достаточно высокой стабильности параметров прибора. Целью изобретени   вл етс  снижение температуры плавлени  стекла, повышение удельного сопротивлени  и улучшение стабилизирующих свойств. Эта цель достигаетс  тем, что стекло дл  защиты полупроводниковых приборов , включающее РЬО, , дополнительно содержит В i о,, при слеД$Ю1дем соотношении компонентов, вес.%: РЬО73,18-87,34 Ba.0s5,74-6,86 Bia.045,1-20,68 Al 0.0,0,2-0,7 Варку стекол осуществл ют в плати новых тигл х в электропечах при 9001000°С 3 ч. В качестве исходного сырь  используют окислы элементов с маркой ч.д.а. Дл  получени  пленки разработанно НГ го стекла, его перетирают в порршок с размером зерен пор дка 0,2 мкм, в .дальнейшем нанос т  а поверхность и сп лавл ют с выдерживанием при тем пературе оплавлени  370-390 С 2030 мин. Конкретные составы стекол и приведены в таблиих свойства це. Кристаллизаци  стекол данного состава отсутствует при выдерживании их 160 ч при 350-400 С. По своей химической устойчивости в воде стекла относ тс  к первому гидролитическому классу потери 0,08 вес.% (ГОСТ 10134-62;. Применение этих стекол при герметизации полупроводниковых приборов позвол ет получить покрыти  с достаточно низкой температурой оплавлени , высоким удельным сопротивлением и стабилизирующими свойствами, что благопри тствует их использованию и технологии герметизации МДП-транзистора и позвол ет уменьшить дрейф параметров прибора.

Стекло дл  защиты полупроводниковых приборов, включающее РЬО, , 35 о тл ичающеес  тем, что, с целью снижени  температуры оплавлени , повышени  удельного сопротивлени  и улучшени  стабилизирующих свойств, оно дополнительно содержит и ДО

BQ.03 5,74-6,86; В , 1-20 , 68 ; А 12.00, 0,2-0,7.

Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе

1.Авторское свидетельство СССР 425857, кл. С 03 С 3/12, 1972.

2.Авторское свидетельство СССР 543625, кл. С 03 С 3/10, 1975.

Claims (1)

1. Формула изобретения

   Стекло для защиты полупроводниковых приборов, включающее РЬО, В^О^, 35 'о т’л ичающееся тем, что, с целью снижения температуры оплавления, повышения удельного сопротивления и улучшения стабилизирующих свойств, оно дополнительно содержит Bii^Oj и 4θ

   А1 η0л при следующем соотношении компонентов, вес.%: РЬО 73,18-87,34; ВоРэ 5,74-6,86; Вί₂0*5,1-20,68;

   А1 _α0α> 0,2-0,7.