SU881028A1 - Стекло дл защиты полупроводниковых приборов - Google Patents
Стекло дл защиты полупроводниковых приборов Download PDFInfo
- Publication number
- SU881028A1 SU881028A1 SU792851081A SU2851081A SU881028A1 SU 881028 A1 SU881028 A1 SU 881028A1 SU 792851081 A SU792851081 A SU 792851081A SU 2851081 A SU2851081 A SU 2851081A SU 881028 A1 SU881028 A1 SU 881028A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- glass
- semiconductor devices
- protecting semiconductor
- protection
- resistivity
- Prior art date
Links
Landscapes
- Glass Compositions (AREA)
Description
(54) СТЕКЛО ДЛЯ ЗАЩИТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ , , . I Изобретение относитс к составал легкоплавких стекол, используемых в микроэлектронике дл стабилизации и защиты полупроводниковых приборов известно стекло, fll содержащее вес.%:.. РЬО74-94 8„О а2-10 ,2-2 и по крайней мере один окисел из гру пы СаО, SrO, ВаО, CdO, WO, Bi Oj5-15 . Это стекло используетс дл пропитки ЦТС-керамики и.,не предназначе но дл защиты полупроводниковых приборов . Наиболее близким к предложенному по технической сущности и дости аемо му результату вл етс состав стекла 1,21 дл защиты полупроводниковых приборов, содержащий вес.%: РЬО 65-76, 5 Олв-14, 6-10, TIOj 1-3, CdO 1-4, ZnO 0,2-4. Это стекло характеризуетс - повышенной влагостойкостью (гидролитичес кий класс стойкости 1), Необходимой адгезией и согласованностью с козффициентом линейного термического рас ширени полупроводниковых материалов ПРИБОРОВ (( i 82-87-10 ), низкой кристаллизационной способностью. Однако температура оплавлени указанного стекла недостаточно низка ; (Т.пл.410±10), удельное сопротивле|ние при 200°С недостаточно высоко i/y.(l-4)-10 тЭМСМ, концентраци зар да в поверхност х состо щих МДП-. транзисто а, при нанесении в качестве стабилизирующего, и изолирующего :сло данного стёкла высока Njy t8-9 ,5)10 1/см что не обеспечивает достаточно высокой стабильности параметров прибора. Целью изобретени вл етс снижение температуры плавлени стекла, повышение удельного сопротивлени и улучшение стабилизирующих свойств. Эта цель достигаетс тем, что стекло дл защиты полупроводниковых приборов , включающее РЬО, , дополнительно содержит В i о,, при слеД$Ю1дем соотношении компонентов, вес.%: РЬО73,18-87,34 Ba.0s5,74-6,86 Bia.045,1-20,68 Al 0.0,0,2-0,7 Варку стекол осуществл ют в плати новых тигл х в электропечах при 9001000°С 3 ч. В качестве исходного сырь используют окислы элементов с маркой ч.д.а. Дл получени пленки разработанно НГ го стекла, его перетирают в порршок с размером зерен пор дка 0,2 мкм, в .дальнейшем нанос т а поверхность и сп лавл ют с выдерживанием при тем пературе оплавлени 370-390 С 2030 мин. Конкретные составы стекол и приведены в таблиих свойства це. Кристаллизаци стекол данного состава отсутствует при выдерживании их 160 ч при 350-400 С. По своей химической устойчивости в воде стекла относ тс к первому гидролитическому классу потери 0,08 вес.% (ГОСТ 10134-62;. Применение этих стекол при герметизации полупроводниковых приборов позвол ет получить покрыти с достаточно низкой температурой оплавлени , высоким удельным сопротивлением и стабилизирующими свойствами, что благопри тствует их использованию и технологии герметизации МДП-транзистора и позвол ет уменьшить дрейф параметров прибора.
Стекло дл защиты полупроводниковых приборов, включающее РЬО, , 35 о тл ичающеес тем, что, с целью снижени температуры оплавлени , повышени удельного сопротивлени и улучшени стабилизирующих свойств, оно дополнительно содержит и ДО
BQ.03 5,74-6,86; В , 1-20 , 68 ; А 12.00, 0,2-0,7.
Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе
1.Авторское свидетельство СССР 425857, кл. С 03 С 3/12, 1972.
2.Авторское свидетельство СССР 543625, кл. С 03 С 3/10, 1975.
Claims (1)
- Формула изобретенияСтекло для защиты полупроводниковых приборов, включающее РЬО, В^О^, 35 'о т’л ичающееся тем, что, с целью снижения температуры оплавления, повышения удельного сопротивления и улучшения стабилизирующих свойств, оно дополнительно содержит Bii^Oj и 4θА1 η0л при следующем соотношении компонентов, вес.%: РЬО 73,18-87,34; ВоРэ 5,74-6,86; Вί20*5,1-20,68;А1 α0α> 0,2-0,7.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792851081A SU881028A1 (ru) | 1979-12-21 | 1979-12-21 | Стекло дл защиты полупроводниковых приборов |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792851081A SU881028A1 (ru) | 1979-12-21 | 1979-12-21 | Стекло дл защиты полупроводниковых приборов |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU881028A1 true SU881028A1 (ru) | 1981-11-15 |
Family
ID=20864213
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU792851081A SU881028A1 (ru) | 1979-12-21 | 1979-12-21 | Стекло дл защиты полупроводниковых приборов |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU881028A1 (ru) |
-
1979
- 1979-12-21 SU SU792851081A patent/SU881028A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CA1097696A (en) | Lead-free glaze for alumina bodies | |
JPS6238300B2 (ru) | ||
JPS60501653A (ja) | 誘電体組成物 | |
SU881028A1 (ru) | Стекло дл защиты полупроводниковых приборов | |
US3752701A (en) | Glass for coating semiconductors, and semiconductor coated therewith | |
JPS59174544A (ja) | 半導体被覆用ガラス | |
JP7491020B2 (ja) | 半導体素子被覆用ガラス及びこれを用いた半導体被覆用材料 | |
JPH0372023B2 (ru) | ||
JPS55113641A (en) | Insulating glass composition | |
SU775061A1 (ru) | Легкоплавкое стекло | |
SU1763402A1 (ru) | Легкоплавкое стекло дл спаивани элементов магнитных головок | |
JPH06211539A (ja) | 低放射線ガラス | |
TW202045451A (zh) | 半導體元件被覆用玻璃及使用其之半導體被覆用材料 | |
JPH0624797A (ja) | 接着又は封着用ガラス | |
SU1137088A1 (ru) | Стекло | |
JPS6229145A (ja) | 大口径シリコンウェハー被覆用ガラス | |
JPS6031104B2 (ja) | シリコン半導体素子パツシベ−シヨン用ガラス | |
RU2026578C1 (ru) | Стеклосвязующее для изготовления толстопленочных резисторов на основе рутенийсодержащих соединений | |
JPH01212249A (ja) | 絶縁性粉末 | |
JPS6146419B2 (ru) | ||
SU1414815A1 (ru) | Композици дл изол ционного покрыти | |
JPH048385B2 (ru) | ||
SU535237A1 (ru) | Глазурь | |
JPS6238302B2 (ru) | ||
JPS6011467B2 (ja) | ガラス被覆半導体装置およびその製法 |