SU851213A1 - Способ рентгеновского топографировани МОНОКРиСТАллОВ - Google Patents
Способ рентгеновского топографировани МОНОКРиСТАллОВ Download PDFInfo
- Publication number
- SU851213A1 SU851213A1 SU792831689A SU2831689A SU851213A1 SU 851213 A1 SU851213 A1 SU 851213A1 SU 792831689 A SU792831689 A SU 792831689A SU 2831689 A SU2831689 A SU 2831689A SU 851213 A1 SU851213 A1 SU 851213A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- ray
- radiation
- single crystal
- intensity
- crystal
- Prior art date
Links
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
Изобретение относится к рентгеноаппаратостроению, а точнее к artnapaтуре для рентгеновской топографии монокристаллов и получения картины рас- $ пределения дефектов структуры монокристаллических материалов.
Известны методы; которые позволяют получать изображение дефектов структуры монокристаллов, заключающиеся в формировании с помощью коллимационных систем узкого параллельного пучка рентгеновского излучения с раходимостью, при которой условие дифрации Брэгга выполняется только для одной спектральной линии характерно- 15 тического излучения рентгеновского источника, выводе исследуемого монокристалла в положение брэгговского отражения с точностью до дуговых секунд, выделении дифрагированного из- 20 лучения и регистрации этого иэлуче-, ния двумерным детектором [1J .
Недостатком известных методов является большое время исследования, которое объясняется сложностью процесса выведения исследуемого монокристалла в положении брэгговского отражения; большим расстоянием источник излучения-образец, которое определяется особенностями рентгеноопти- 30 ческой схемы, что приводит к снижению интенсивности первичного и дифрагированного пучков рентгеновского излучения) низкой чувствительностью средств регистрации (двумерных детекторов) .
известен также способ рентгеновского дифракционного топографирования монокристаллов, заключающийся в сканировании монокристалла коллимированным пучком рентгеновского полихроматического излучения, регистрации интенсивности рассеянного монокристаллом рентгеновского излучения детектором квантов и. передаче картины распределения плотности дефектов структуры на устройство отображения [2 ].
Недостатки указанного способа состоят в большом времени исследования вследствие очень слабой интенсивности дифрагированного от одной группы плоскостей излучения в узком спектральном диапазоне, а также необходимости установки кристалла в отражающее положение, что требует прецизионного устройства установки (гониометра; .
Цель изобретения — повышение эк- } спрессности рентгеновского топографирования монокристаллов.
указанная цель достигается тем, что в способе рентгеновского топогра<рирования монокристаллов, заключающемся в сканировании монокристалла коллимированным пучком рентгеновского полихроматического излучения, регистрации интенсивности рассеянно,го монокристаллом рентгеновского излучения детектором квантов и передаче картины распределения плотности дефектов структуры на устройство отоб ражения, одновременно регистрируют всю совокупность Лауэ-рефлексов от облучаемого участка монокристалла и 15 по их суммарной интенсивности судят о наличии дефектов структуры.
Детектор квантов может быть расположен и перед исследуемым монокристаллом, что позволяет исследовать мо- 20 нокристалл в геометрии Брэгга.
На чертеже изображена схема реализации способа'рентгеновского топографирования монокристаллов в геометрии Лауэ. 25
Коллимированный пучок 1 рентгеновского излучения облучает участок 2 исследуемого монокристалла 3. Квантовый детектор 4 одновременно регистрирует излучение, рассеянное различ: __ ными группами кристаллографических плоскостей монокристалла, для которых выполняется условие брэгговской дифракции для различных длин волн рентгеновского излучения во всем энергетическом диапазоне источника излу чения. На квантовом детекторе 4 установлена ловушка 5 для прямого рентгеновского пучка. Сигнал с детектора 4, величина которого зависит от интегральной интенсивности рассеянного рен- 40 тгеновского излучения, поступает на электроннолучевую трубку видеоконтрольного устройства (ЭЛТ ВКУ) 6 . перемещая коллимированный пучок 1 вдоль направления АВ, а монокристалл 3 вдоль45 направления. CD, осуществляют последовательное облучение всего монокристалла. На экране ЭЛТ ВКУ формируется изображение монокристалла. Развертка электронного луча синхронизирована с перемещением коллимированного пучка и монокристалла.
Предлагаемый способ рентгеновско го топографирования монокристаллов по сравнению с существующими позво ляет резко сократить время формирования ’топограмм, так как повышается интенсивность регистрируемого излучения за счет регистрации совокупности Лауэ-рефлексов от облучаемого участка монокристалла. Способ позволяет использовать для регистрации излучения высокочувствительные детекторы квантов с передачей полученной информации на устройство отображения, что также повышает экспрессность получения топограмм. Кроме того, указанный способ позволяет сократить время установки монокристаллов в отражающее положение и избавляет от применения высокоточных механических устройств (гониометров).
Значительное повышение экспрессности получения топограмм монокристаллов позволяет повысить эффективность научных исследований и дает возможность использовать рентгеновскую топографию в условиях промышленного производства, например, при изготовлении интегральных микросхем, своевременный контроль которых на разных стадиях технологического процесса позволяет повысить процент выхода годных изделий, их качество и надежность.
Claims (2)
- (54) СПОСОБ РЕНТГЕНОВСКОГО ТОПОГРАФИРОВАНИЯ Изобретение относитс к рентгене аппаратостроению, а точнее к artnapaтуре дл рентгеновской топографии мо нокристаллов и получени картины рас пределени дефектов структуры монокристаллических материалов. Известны методы которле позвол ют получать изображение дефектов структуры монокристаллов, заключающиес в формировании с -помощью коллимационных систем узкого параллельного пучка рентгеновского излучени раходимостью, при которой условие ди фрации Брэгга выполн етс только дл одной спектральной линии характернотического излучени рентгеновского источника, выводе исследуемого монокристалла в положение брэгговского отражени с точностью до дуговых секунд , выделении дифрагированного излучени и регистрации этого излучени двумерным детектором Ц. Недостатком известных методов вЛ етс большое врем исследовани , которое объ сн етс сложностью процесса выведени исследуемого монокристалла в положении брэгговского отражени ; большим рассто нием источ ник излучени -образец, которое определ етс особенност ми рентгенооптиМОНОКРИСТАЛЛОВ ческой схемы, что приводит к снижению интенсивности первичного и дифрагированного пучков рентгеновского излучени , низкой чувствительностью средств регистрации (двумерных детекторов ) . известен также способ рентгеновского дифракционного топографировани монокристаллов, заключающийс в сканировании монокристалла коллимирован-ным пучком рентгеновского полихроматического излучени , регистрации интенсивности рассе нного монокристаллом рентгеновского излучени детектором квантов и. передаче картины распределени плотности дефектов структуры на устройство отображени 2 . Недостатки указанного способа состо т в большом времени исследовани вследствие очень слабой интенсивности дифрагированного от одной группы плоскостей излучени в узком спектральном диапазоне, а также необходимости установки кристсшла в отражающее положение, что требует прецизионного устройства установки (гониометра; . Цель изобретени - повышение экспрессности рентгеновского топографировани монокристаллов. указанна цель достигаетс тем, что в способе рентгеновского топографировани монокристаллов, заключающемс в сканировании монокристалла коллимированным пучком рентгеновского полихроматического излучени , регистрации интенсивности рассе нно ,го монокристаллом рентгеновского излучени детектором квантов и передаче картины распределени плотности дефектов структуры на устройство ото ражени , одновременно регистрируют всю совокупность Лауэ-рефлексов от облучаемого участка монокристалла и по их суммарной интенсивности суд т о наличии дефектов структуры. Детектор квантов может быть расположен и перед исследуемым монокрис таллом, что позвол ет исследовать мо нокристалл в геометрии Брэгга. На чертеже изображена схема реали зации способа рентгеновского топогра фировани монокристаллов в геометрии Лауэ. Коллимирозанный пучок 1 рентгенов ского излучени облучает участок 2 исследуемого монокристалла 3. Квантовый детектор 4 одновременно регист рирует излучение, рассе нное различ: ными группами кристаллографических плоскостей монокристалла, дл которых выполн етс условие брэгговской дифракции дл различных длин волн рентгеновского излучени во всем эне гетическом диапазоне источника излучени . На квантовом детекторе 4 уста новлена ловушка 5 дл пр мого рентге новского пучка. Сигнал с детектора 4 величина которого зависит от интегра льной интенсивности рассе нного рентгеновского излучени , поступает на электроннолучевую трубку видеоконтрольного устройств а (ЭЛТ ВКУ) 6 . перемеща коллимированный пучок 1 вдол направлени АВ/ а монокристалл 3 вдо направлени . Ct), осуществл ют последсжательное облучение всего монокрис талла. На экране ЭЛТ ВКУ формируетс изображение монокристалла. Развертка электронного луча синхронизирована с перемещением коллимированного пучка и монокристалла. Предлагаемый способ рентгеновского топографировани монокристаллов по сравнению с c цecтБyющими позвол ет резко сократить врем формировани топограмм, так как повышаетс интенсивность регистрируемого излучени за счет регистрации совокупности Лауэ-рефлексов от облучаемого участка монокристалла. Способ позвол ет использовать дл регистрации излучени высокочувствительные детекторы квантов с передачей полученной информации на устройство отображени , что также повышает экспрессность получени топограмм. Кроме того, указанный способ позвол ет сократить врем установки монокристаллов в отражающее положение и избавл ет от применени высокоточных механических устройств (гониометров). Значительное повышение экспрессности получени топограмм монокристаллов позвол ет повысить эффектив ность научных исследований и дает возможност-ь использовать рентгеновскую топографию в услови х промышленного производства, например, при изготовлении интегральных микросхем, своевременный контроль которых на разных стади х технологического процесса позвол ет повысить процент выхода годных изделий, их качество и надежность . Формула изобретени Способ рентгеновского топографировани монокристаллов, заключающийс в сканировании монокристалла коллимированным пучком рентгеновского полихроматического излучени , регистрации интенсивности рассе нного монокристаллом рентгеновского излучени детектором квантов и передаче картины распределени плотности дефектов структуры на устройство отоб- . ражени , отличающийс тем, что, с целью повышени экспрессности, одновременно регистрируют всю совокупность Лауэ-рефлексов от облучаемого участка монокристалла и по их суммарной интенсивности суд т о наличии дефектов структуры. .Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1.Уманский Я.С. Рентгенографи металлов,М,, Металлурги , 1967, с. 212.
- 2.Патент ФРГ №2304119, кл. 42 Е 3/08, опублик. 1977 (прототип ) . .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792831689A SU851213A1 (ru) | 1979-10-19 | 1979-10-19 | Способ рентгеновского топографировани МОНОКРиСТАллОВ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792831689A SU851213A1 (ru) | 1979-10-19 | 1979-10-19 | Способ рентгеновского топографировани МОНОКРиСТАллОВ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU851213A1 true SU851213A1 (ru) | 1981-07-30 |
Family
ID=20855755
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU792831689A SU851213A1 (ru) | 1979-10-19 | 1979-10-19 | Способ рентгеновского топографировани МОНОКРиСТАллОВ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU851213A1 (ru) |
-
1979
- 1979-10-19 SU SU792831689A patent/SU851213A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2444723C2 (ru) | Устройство и способ досмотра объектов | |
US5247560A (en) | Apparatus and method of measuring bone mineral density and bone strength | |
JP3102698B2 (ja) | X線を用いた物質の識別における,およびそれに関連する改良 | |
AU2007252161B2 (en) | Detector array and device thereof | |
US6049586A (en) | Non-destructive inspection apparatus and inspection system using it | |
AU2006200561A1 (en) | Method and Equipment for Discriminating Materials by Employing Fast Neutron and Continuous Spectral X-ray | |
GB2083215A (en) | Apparatus for x-ray diffraction | |
US3936638A (en) | Radiology | |
US3833810A (en) | Method of x-ray diffraction topography of monocrystals and apparatus for effecting same | |
US4187430A (en) | Tomograph for the production of transverse layer images | |
JPH0260329B2 (ru) | ||
US4345158A (en) | Tomographic apparatus for the production of transverse layer images | |
SU851213A1 (ru) | Способ рентгеновского топографировани МОНОКРиСТАллОВ | |
EP0383752B1 (en) | Powder diffraction method and apparatus | |
JPH06503877A (ja) | 物体の構造を規定するためのイメージング方法 | |
JP3880033B2 (ja) | 結晶格子を有する物体の放射線撮影法による検査 | |
JPH04353791A (ja) | 散乱線映像装置 | |
JPH0545306A (ja) | X線分析装置 | |
JP2004108912A (ja) | 中性子を用いた検知装置および検知方法 | |
RU2119660C1 (ru) | Устройство для определения состава и структуры неоднородного объекта (варианты) | |
EP1097373A2 (en) | X-ray diffraction apparatus with an x-ray optical reference channel | |
JPH02266249A (ja) | 結晶面のx線回折測定方法 | |
JPH0288952A (ja) | 組織を分析する方法および装置 | |
SU1004833A1 (ru) | Способ рентгеновской топографии монокристаллов | |
JPH0721469B2 (ja) | X線による被測定物の組成分析方法 |