SU776371A1 - Многоэлектродна электронна лампа - Google Patents

Abstract

МНОГОЭЛЕКТРОДНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ ЛАМПА, содержаща  катод, сеточную % систему, состо щую из диафрагмс- со- : ссными,круглыми отверсти ми, причем всё межэлектродные рассто ни  меньше диаметра отверсти , а рассто ние между первой и второй от катода диафрагмамй превьш1ает четверть этого диаметра , и коллектор, содержащий по крайней мере одтгу диафрагму с отверсти ми , соосными отверсти м сеточных диафрагм , отличающа с  тем, что, с целью улучшени  электрических параметров, сеточна  система содержит три диафрагмы, диаметрыотверстий, сеточных Диафрагм равны мевду собой, диаметр отверсти  коллекторной диафрагмы составл ёют 0,8-1 диаметра отверстий сеточнь1х диафрагм, рассто ние между катодом и первой диафрагмой 0,15-0,25 диаметра отверсти , между первой и второй, второй и третьей 0,3-0,5 диаметра отверсти , между С S третьей сеточной и коллекторной диафрагмами 0,8-1 диаметра отверсти .

Description

. Изобретение относитс  к электронной технике о

Известен мощный пентод ГУ-81о Недостатками лампы  вл ютс  большой ток экра-нной сетки, составл ющей 2030% от тока лампы и значительное падение напр жени .на лампе, составл ю- щёе 10-15% от коммутируемого напр жени 

Наиболее близким техническим решением  вл етс  многоэлектродна  электронна  лампа, содержаща  катод, сеточную систему, состо щую из диафрагм с соосными круглыми отверсти ми, причем все межэлектродные рассто ни  меньше диаметра отверсти , а рассто ние между первой и второй от катода

диаметра иколлектор, содержащий по

крайней мере одну диафрагму с отверсО ТИЯ.МИ, соосными отверсти м сеточных 00 диафрагм.

-vj

Недостатком  вл етс  то, что не при всех соотношени х размеров можно получить значени  электрических параметров , близкие к теоретически пре|цельным: ток экранной еетки 0,2-0,4% .от тока лампы, падение напр жени  1-: 2% от коммутируемого напр жени .

Целью предполагаемого изобретени   вл етс  улучшение электрических пара .метров прибора

Цель достигаете : тем, что в многоэлектродной электронной лампе, содержащей катод, сеточную.систему, состо ггтч1-г/ч т п тчц г Г«ОГ-«Г tTTslVrrT WT1VP rTF%rK W отверсти  ш, причем все межэлектродные рассто ни  меньше диа {етра отверсти , а рассто ние, между первой . и второй от катода диафрагмами превышает четверть этого диаметра и коллектор , содержащий по крайней мере одну диафрагму с отверсти ми, соосными отверсти м сеточных диафрагм,сеточна  система содержит три диафрагмы,диаметры отверстий сеточный диафрагм разны между собой, диаметр отверстий коллекторной диафрагмы составл ет 0,8-1 диаметра отверстий сеточных диафрагм, .рассто ние между катодом и первой циафрагмой 0, диаметра отверсти , между первой и второй, второй и третьт ей 0,3-0,5 диаметра отверсти , между третьей сеточной и коллекторной диафрагмами 0,8-1 диаметра отв ерсти о Ланпа по сн етс  чертежом.За катодом 1 следует сеточна  система, соето ща  из диафр агм 2-4 „ Коллекторна  диафрагма-5 прикреплена ко входной ча.сти полого коллектора б о Все элект-J роды скреплены керамическими изол - торами 7 Отверсти  8 сеточных диафрагм 2-4 соосны между собой, а также отверсти м 9 коллекторных диафрагм З Лампа работает следующим образом о . Элементарный (одна  чейка) элект-; ронный щгчок в прикатодной области 1 претерпевает фокусировку благодар  V низкому потенциалу сеточной диафрагг, мы 2, играющий одновременно роль управл гощей сетки,При рассто нии между катодом 1 и первой диафрагмой 2 0,t50 ,25 диаметра отверсти  8 1шеет место оптимальна  фокусировка пучка, благо- -.... . . . дар  которой элементарный пучок без оседани  проходит отверстие 8 сеточной диaфpaг ы 3„ Рассто ние между первой 2 и второй 3 диафрагмами 0,3-0,5 диаметра отверсти  8 обеспечивает сочетание высокого значени  первеанса элементарной  чейки- и хорошего формировани  пут1ка в предколлекторной области Аналогичное рассто ние между второй 3 и третьей 4 диафрагмами обеснечивает хорошую фокусировку пучка в глубь элементарной камеры полого коллектора 6, Рассто ние мекду третьей сеточной 4 и коллекторной 5 диафрагмами выгодно увеличивать, так. как это приводит к увеличению коммутируе-i мого лампой напр жени  - основного параметра лампы. Однако при рассто ни х , больших О,.8-1 диаметра отверсти  8, увеличиваютс  сеточный ток. и падение напр жени  на лампе„ Диаметр отверстий 9 коллекторной диафрагмы 5 должен составл ть 0,8-1 диаметра отверсти  8 При больших диаметрах увеличиваетс  выход вторичных электронов из глубины коллектора 6, при меньших имеет место оседание первичных электронов на диафрагму 5. В сравнении с серийными пентодами лампа имеет на два пор дка меньший сеточный ток и на пор док меньшее падение напр жени  в режиме ключа При использовании в качестве СВЧ генератора лампа в коротко дециметровом диапазоне обеспечивает в сравнении с триодами увеличение 1ЩЦ-с 25% до 75% и увеличение выходной мощности в 5-7 раз о

. 1

Claims (1)

1. МНОГОЭЛЕКТРОДНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ ЛАМПА, содержащая катод, сеточную систему, состоящую из диафрагм⁷ с· со- , осными.круглыми отверстиями, причем все межэлектродные расстояния меньше диаметра отверстия, а расстояние между первой и второй от катода диафраг-