SU748811A1 - Многоустойчивый полупроводниковый прибор - Google Patents

Description

(54) ИНОГОУСТОПЧИВЫП ПОЛУПРОВОЛНИКОВЫЙ ПРИБОР

Изобретение относитс  к полупрово никовой, технике и в частности к приборам , вольтамперные характеристики которых имеют несколько участков с о рицательным дифференциальным сопротивлением . Известен многоустойчивый полупроводниковый прибор состо щий из одного элемента с отрицательным дифференциальным сопротивлением и включенной параллельно ему либр цепочки из Н последовательно соединенных  чеек, кажда  из которых состоит из параллельно включенных стабилизатора тока и стабилизатора напр жени , либо цепочки из п параллельно соеди ненных  чеек, кажда  из -которых сос тоит из последовательно, включенных стабилизатора напр жени  и стабилиз тора тока 1. Недостаток известного прибора его сложность. Также известен ламбдадиод, состо щий из 2-х комплементарных полевых транзисторов, истоки которых со динены, затвор первого полевого тра зистора соединен со стоком второго полевого транзистора, а затвор втор . гр транзистора соединен со CTpKObf первого полевого транзистора i. Недостаток - наличие на его вольтамперной характеристике всего одного участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением, что ограничивает диапазон его функциональных возможностей . Цель изобретени  - увеличение разнообрази  получаемых вольтамперных характеристик и увеличение количества участков с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Цель достигаетс  тем, что в многоустойчивом полупроводниковом приборе , содержащем два комплементарных полевых транзистора, затвор первого из которых соединен со стоком второго полевого транзистора и с одним из внешних выводов прибора/ а затвор второго полевого транзистора соединен со стоком первого полевого транзистора и со вторым внешним выводом прибора, в цепи истоков полевых транзисторов включен элемент с одним или несколькими участками отрицательного .дифференциального сопротивлени . Кроме того в цепи истоков полевых транзисторов включен элемент с S-образной вольамперной характеристикой, например тиристор, а также с N-образной вольамперной характеристикой.

Claims (3)

1. 748811 На Фиг. 1 - представлена принципи альна  схема предлагаемого прибора; на фиг. 2 - его вольтамперна  характеристика; на фиг. 3 - тоже, при наличии в цепи истоков полевых транзисторов элемента с N-образной вольтамперной характеристикой, например туннельного/ диода. Мибгоустойчивый полупроводниковый прибор содержит два комплементарных полевых транзистора 1 и 2/ затвор первого из которых соединен со стоком полевого транзистора 2 и с одним из внешних выводов 3 прибора, а затвор полевого транзистора 2 соединен со стоком полевого транзисто1}а 1 и с внешним выводом 4 прибора, в цепи истоков полевых транзисторов 1 и 2 вклю чен элемент 5 с одним или несколькими участками отрицательного дифферендиального сопротивлени , в. качестве кот рого может быть использован, напрлмер тиристор (прибор с S-образной вольтамперной характеристикой) или туннельный диод (прибор с Н-образной вольтамперной характеристикой). Многоустойчивый полупроводниковый прибор работает следующим образом. Ток управлени  тиристора может быть отрегулирован так, что соответст вующее ему напр жение включени  тирис тора будет меньше половины напр жени  запирани  ламбдадиода, образованного полевыми транзисторами 1 и 2. Тогда, при приложении к выводам 3 и возрастающего от нул  напр жени , при бор будет заперт до тех пор,, пока будет закрыт тиристор. Больша  часть приложенного напр жени  падает в этом случае на тиристоре. Если напр жение на тиристоре достигает величины равной его напр жению включени , то тиристор отпираетс  и величина тока, проход щего через прибор, определ етс  после этого полевыми транзисторами 1 и 2. При дальнейшем увеличении приложенного к прибору напр жени  ток начинает уменьшатьс  из-за взаимного за:пи эани  полевых транзисторов 1 и 2 При уменьшени  тока до величины, равной току выключени  тиристора, происходит его запирание (однако, ток при этом не равен нулю). При дальнейшем росте внешнего напр жени  прибор полностью запираетс . Ток утечки через него может составл ть единицы наноампер и меньше. Ввиду того, что; сопротивление запертого тиристора значительно меньше, чем сопротивлени  каналов закрытых полевых транзисторов 1 и 2, напр жение на тиристоре при этом падает до нул . Если после этого внешнее напр жение, приложенное к прибору, начнет уменьшатьс , то полевые транзисторы 1 и 2 начинают отпиратьс  и напр жение на тиристоре начнет возрастать. При достижений им величины, равной напр жению включени  тиристор вновь оптираетс . При дальнейшем падении внешнего напр жени  ток через прибор начинает уменьшатьс , что приводит к уменьшению напр жени  на тиристоре. При уменьшении тока через прибор до величины, равной току выключени , тиристор запираетс . Результирующа  вольтамперна  характеристика прибора изображена на фиг.
2. 2. Она имеет 7 участков. На 4-х из них прибор имеет отрицательное дифференциа льноё сопротивление. Вольтамперна  характеристика . прибора, у которого в цепи истоков полевых транзисторов в качестве элемента 5 включен туннельный диод, изображена на фиг.
3. 3. Она содержит 7 участков. При величине пикового тока туннельного диода примерно в 4 (и менее ) раза меньшей, чем величина тока максимума ламбдадиода, образованного полевыг-м транзисторами 1 и 2, могут быть получены вольтамперные характеристики с 3-м  участками с отрицательным дифференциальным сопротивлением . и 4-м  участками с положительным дифференциальным сопротивлением. Если величина пикового тока туннельного диода превосходит величину тока максимума лабдадиода, то - после подачи на туннельный диод импульса внешнего переключающего напр жени  - величина тока максимума уменьшаетс , а часть результирующей вольтамперной характеристики , соответствующа  токам, превосход щим по величине минимальный ток впадины туннельного диода, смещаетс  вниз (обычно на несколько миллиампер ) . Это смещение определ етс  тем, что рабоча  точка туннельного диода переключаетс  внешним управл ющим сигналом (импульсом) на 2-ой восход щий участок его вольтамперной характеристики . В цепи истоков полевых транзисторов 1 и 2 в качестве элемента 5 может быть использована цепочка, состо ща  из одного или нескольких элементов с N-юбразной вольтамперной характеристикой , например, туннельных диодов . . Дл  гальванической разв зки цепей в приборе удобно использовать тиристорные отроны. Предлагаемый прибор позвол ет получать воЛЬтамперные характеристики .нового типа (например,Л -образные) и может использоватьс  в радиоэлектронике , автоматике, телемеханике и в импульсной технике в качестве негатрона . Формула изобретени  1. Многоустойчивый полупроводниковый прибор, содержащий два комплементарных полевых тринзистора, затвор первого jis которых соединен со стоком второго полевого транзистора