SU729167A1 - Segnetoelectric material - Google Patents

Segnetoelectric material Download PDF

Info

Publication number
SU729167A1
SU729167A1 SU782658833A SU2658833A SU729167A1 SU 729167 A1 SU729167 A1 SU 729167A1 SU 782658833 A SU782658833 A SU 782658833A SU 2658833 A SU2658833 A SU 2658833A SU 729167 A1 SU729167 A1 SU 729167A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
segnetoelectric
dielectric
ferroelectric
temperature
permeability
Prior art date
Application number
SU782658833A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Станислав Иванович Урбанович
Леонид Григорьевич Никифоров
Original Assignee
Ордена Трудового Красного Знамени институт физики АН Белорусской ССР
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ордена Трудового Красного Знамени институт физики АН Белорусской ССР filed Critical Ордена Трудового Красного Знамени институт физики АН Белорусской ССР
Priority to SU782658833A priority Critical patent/SU729167A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU729167A1 publication Critical patent/SU729167A1/en

Links

Landscapes

  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Description

Изобретение относитс  к сегнетоэлектрическим материалам, используе мым в радиотехнике и радиоэлектрони ке, в частности, дл  изготовлени  .конденсаторов. Известны различные сегнетоэлектрические материалы дл  изготовлени конденсаторов на основе титаната бари . Их основным недостатком  вл  етс  относительно невысокий верхний предел рабочих температур. Наиболее близким техническим решением к изобретению  вл етс  сегнетоэлектрик PbjBiToO Недостатком этого материала  вл  етс  то, что он имеет низкое значение диэлектрической проницаемости. Целью изобретени   вл етс  повышение диэлектрической проницаемости Это достигаетс  тем, что материал на основе PbgBiTaOg дополнительно содержит LigO при следующем соотношении компонентов, вес.%: Pb-BitaOg 95-98 Li,, О 2-5 Дл  получени  сегнетоэлектрического материала составов, содержащих , вес.%: i.Pb.BlTaOg -95 2.РЬ,,В1ТаОд - 96,5 - - - 3,5 Ы.О - 5 3.Pb,,BiTaO, -98 Li.O - 2 BiaOj, смесь окислов РЬО, Та„0 вз тых в стехиометрическом соотношении , отвечающем составу соединени  Pbj BiTaO, смешивают с LijO, после чего форм5 ют заготовки и подвергают их обжигу по обычной керамической технологии и затем повторному обжигу под давлением 20-30 кбар, температуре 700-9000С в течение 1-10 мин. Затем на материал нанос т электропровод щую пасту и образцы подверггиот измерени м. Полученный материал обладает следующими характеристиками: Диэлектрическа  проницаемость,) 200 Тангенс угла диэлектрических по- 2 10 терь1} W Удельное сопротив- 310 ом.см Электрическа  прочность более 30 кв/см Температурный коэффициент диэлектрическойThe invention relates to ferroelectric materials used in radio engineering and radio electronics, in particular, for the manufacture of capacitors. Various ferroelectric materials are known for making barium titanate based capacitors. Their main disadvantage is the relatively low upper limit of operating temperatures. The closest technical solution to the invention is the ferroelectric PbjBiToO. The disadvantage of this material is that it has a low dielectric constant value. The aim of the invention is to increase the dielectric constant. This is achieved by the fact that the material based on PbgBiTaOg additionally contains LigO in the following ratio of components, wt.%: Pb-BitaOg 95-98 Li, О 2-5 To obtain a ferroelectric material of compositions containing, weight .%: i.Pb.BlTaOg -95 2.Pb ,, B1TaOd - 96.5 - - - 3.5 Y.O. - 5 3.Pb ,, BiTaO, -98 Li.O - 2 BiaOj, mixture of PHO oxides The Ta 0 taken in the stoichiometric ratio corresponding to the composition of the Pbj BiTaO compound is mixed with LijO, after which the blanks are formed and subjected to their firing using the usual ceramic technology and Then re-firing under pressure of 20-30 kbar, a temperature of 700-9000C for 1-10 minutes. Then, the material is applied to an electrically conductive paste and samples are measured. The resulting material has the following characteristics: Dielectric permeability,) 200 Tangent of a dielectric angle - 2 10 losses 1} W Specific resistance - 310 ohm Electric strength more than 30 kV / cm Temperature dielectric coefficient

проницаемости Удельное сопротивление дл  температуры ч-ЗОО Сpermeability resistivity for temperature h-zo s

Заметного вли ни  электрического пол  на величину диэлектрической -проницаемости до величины полей в 30 KB/CMне обнаружено .The noticeable effect of the electric field on the magnitude of the dielectric permeability to fields of 30 KB / CM was not detected.

Claims (1)

Формула изобретег и  Сегнетоэлектрический материал на основе PbgBiTaOj, о т п и ч а ю И и и с   тем, что с целью повышени , диэлектрической прортицаемости, он дополнительно содержит приThe formula that invented the ferroelectric material based on PbgBiTaOj, and also has the fact that, in order to increase the dielectric property, it additionally contains следующем соотношении компонентов,вес.% Pb.BlTaOg. 95-98 .LljO 2-5The following ratio of components, wt.% Pb.BlTaOg. 95-98 .LljO 2-5
SU782658833A 1978-05-26 1978-05-26 Segnetoelectric material SU729167A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU782658833A SU729167A1 (en) 1978-05-26 1978-05-26 Segnetoelectric material

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU782658833A SU729167A1 (en) 1978-05-26 1978-05-26 Segnetoelectric material

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU729167A1 true SU729167A1 (en) 1980-04-25

Family

ID=20783022

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU782658833A SU729167A1 (en) 1978-05-26 1978-05-26 Segnetoelectric material

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU729167A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GB1478447A (en) Cermaic di-electric materials
SU729167A1 (en) Segnetoelectric material
US2658833A (en) Bismuth stannate and compositions employing same
JPS6115531B2 (en)
KR19990088364A (en) Piezoelectric ceramic composition
JPH0137807B2 (en)
KR980009198A (en) Dielectric ceramic composition
KR0185029B1 (en) Piezoelectric ceramic
SU810641A1 (en) Segnetoelectric ceramic material
Kuwabara et al. Instability of the Characteristics of the Positive Temperature Coefficient of Resistivity in High‐Curie‐Point Barium‐Lead Titanate Ceramics and Their Grain Structures
US4005050A (en) Tantalum or niobium-modified resistor element
JPS51143895A (en) Dielectric ceramic composition
Ravez et al. Substitution fluorine-oxygen in some ferroelectric compounds with oxygen octahedra
SU872511A1 (en) Piezoelectric ceramic material
SU504737A1 (en) The mixture for the manufacture of ferroelectric material
SU1726452A1 (en) Charge of ferro-ceramic material for thermostable condenser
JP2696118B2 (en) Manufacturing method of nonlinear dielectric element
SU1031953A1 (en) Ceramic material
SU1102786A1 (en) Non-linear ceramic dielectrical material
JPS57145384A (en) Piezoelectric ceramic and manufacture thereof
SU1546449A1 (en) Segentoelectric ceramic material
JPH0821265B2 (en) Dielectric porcelain composition
SU413125A1 (en)
JP2788925B2 (en) Piezoelectric porcelain composition
RU1767823C (en) Ferroelectric ceramic material