SU1546449A1 - Segentoelectric ceramic material - Google Patents
Segentoelectric ceramic material Download PDFInfo
- Publication number
- SU1546449A1 SU1546449A1 SU884404930A SU4404930A SU1546449A1 SU 1546449 A1 SU1546449 A1 SU 1546449A1 SU 884404930 A SU884404930 A SU 884404930A SU 4404930 A SU4404930 A SU 4404930A SU 1546449 A1 SU1546449 A1 SU 1546449A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- pbfe
- ceramic material
- ceramic
- segentoelectric
- dielectric constant
- Prior art date
Links
Abstract
Изобретение относитс к материалам электронной техники и радиотехники и может быть использовано в производстве керамических многослойных и монолитных конденсаторов. Дл повышени диэлектрической проницаемости и удельного объемного электрического сопротивлени сегнетоэлектрический керамический материал содержит дополнительно PBFE2/3W1/3O3 при следующем соотношении компонентов, мас.%: PBMG1/3 NB2/3 SO3 91,77-93,59The invention relates to materials of electronic equipment and radio engineering and can be used in the production of ceramic multilayer and monolithic capacitors. To increase the dielectric constant and specific volume electrical resistivity, the ferroelectric ceramic material additionally contains PBFE 2/3 W 1/3 O 3 in the following ratio of components, wt%: PBMG 1/3 NB 2/3 SO 3 91.77-93.59
PBTIO3 3,23-5,07PBTIO 3 3.23-5.07
PBFE1/2NB1/2O3 0,84-0,92 и PBFE2/3W1/3O3 2,24-2,34. Полученный по обычной керамической технологии путем предварительного синтеза соединений, вход щих в состав материала, при температуре 750-900°С, их смешени , прессовани и спекани при 1200-1240°С, материал имеет следующие характеристики ε при 20°С 18800-24500PBFE 1/2 NB 1/2 O 3 0.84-0.92 and PBFE 2/3 W 1/3 O 3 2.24-2.34. Obtained by conventional ceramic technology by pre-synthesizing compounds that make up the material, at a temperature of 750-900 ° C, mixing them, pressing and sintering at 1200-1240 ° C, the material has the following characteristics: ε at 20 ° C 18800-24500
TG δ при 20°С 0,002-0,023, ρV (4,9.1012-2,4.1013)Ом.см, Δε/ε20 в температурном интервале -60 ... +125°С (-83,6 ... +17,2)%. 2 табл.TG δ at 20 ° С 0.002-0.023, ρ V (4.9 . 10 12 -2.4 . 10 13 ) ohms . cm, Δε / ε 20 in the temperature range -60 ... + 125 ° C (-83.6 ... +17.2)%. 2 tab.
Description
Изобретение относитс к материалам электронной техники и радиотехники и может быть использовано в производстве керамических многослойных и монолитных конденсаторов.The invention relates to materials of electronic equipment and radio engineering and can be used in the production of ceramic multilayer and monolithic capacitors.
Цель изобретени - повышение диэлектрической проницаемости и удельного объемного электрического сопротивлени .The purpose of the invention is to increase the dielectric constant and specific volume electrical resistance.
Сегнетоэлектрический керамический материал готов т по обычной керамической технологии. Сначала синтезируют из смеси оксидов стехиометри- ческие соединени : магнониобат свинца (PbMg у 3 Mb 2/э 03 ) , титанат свинца (РЬТЮз), ферровольфрамат свинца (PbFe w и 0) феррониобат свинцаThe ferroelectric ceramic material is prepared by conventional ceramic technology. First, stoichiometric compounds are synthesized from a mixture of oxides: lead magnoniobate (PbMg at 3 Mb 2 / e 03), lead titanate (PtU3), lead ferro-tungstate (PbFe w and 0) lead ferroniobate
(PbFe ,|2 Nb )|f, 03). При этом температура синтеза 750-900°С. Полученные материалы измельчают сухим помолом в вибромельнице в течение 2-4 ч.(PbFe, | 2 Nb) | f, 03). The temperature of the synthesis of 750-900 ° C. The resulting materials are ground by dry grinding in a vibrating mill for 2-4 hours.
Компоненты материала смешивают (согласно вышеуказанному соотношению ) в ступке в среде этилового спирта или путем сухого помола в вибромельнице.The components of the material are mixed (according to the above ratio) in a mortar in an ethyl alcohol environment or by dry grinding in a vibrating mill.
Образцы дл испытаний оформл ют в виде дисков методом полусухого прессовани на св зке из поливини- лого спирта. Изготовленные образцы обжигают при 1200-1240°С в замкнутом объеме (дл предотвращени испарени оксида свинца). На обожженные образцы нанос т серебр ные электроды ме2Test specimens are arranged in the form of discs by the method of semi-dry pressing on a polyvinyl alcohol bond. The fabricated samples are burned at 1200-1240 ° C in a confined space (to prevent evaporation of lead oxide). Silver electrodes Me2 are deposited on the burned samples.
еэee
4four
4ь4i
СОWITH
тодом вжигани серебросодержащей пасты,With a silver paste paste,
В табл. 1 приведены составы материала , в табл.- 2 - характеристики материала.In tab. 1 shows the composition of the material, in Table .- 2 - characteristics of the material.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU884404930A SU1546449A1 (en) | 1988-04-07 | 1988-04-07 | Segentoelectric ceramic material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU884404930A SU1546449A1 (en) | 1988-04-07 | 1988-04-07 | Segentoelectric ceramic material |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1546449A1 true SU1546449A1 (en) | 1990-02-28 |
Family
ID=21366528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU884404930A SU1546449A1 (en) | 1988-04-07 | 1988-04-07 | Segentoelectric ceramic material |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1546449A1 (en) |
-
1988
- 1988-04-07 SU SU884404930A patent/SU1546449A1/en active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| За вка JP № 62-22942, кл. С 04 В 35/00, опублик. 1987. Авторское свидетельство СССР № 1364611, кл. С 04 В 35/46, 1986. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN85100513A (en) | Bi-Na-Ba-TiO 3 series piezoelectric ceramic material for ultrasonic devices | |
| JP3228175B2 (en) | Piezoelectric ceramic composition | |
| US3775142A (en) | Improved ceramic compositions for high stability capacitors | |
| KR100434420B1 (en) | Piezoelectric ceramic composition and piezoelectric ceramic element using the same | |
| US4308571A (en) | Low temperature-sinterable dielectric composition and thick film capacitor using the same | |
| SU1546449A1 (en) | Segentoelectric ceramic material | |
| US4721692A (en) | Dielectric ceramic composition | |
| EP0154456A2 (en) | Ceramic capacitors and dielectric compositions | |
| JPS61256959A (en) | High permittivity ceramic composition | |
| US4697222A (en) | Composition for dielectric porcelain and dielectric porcelain and capacitor by use of said composition | |
| JPS6128619B2 (en) | ||
| JPS61193419A (en) | Reduction/reoxidation type semiconductor capacitor ceramic composition | |
| EP0200484B1 (en) | Ultralow fire ceramic composition | |
| KR100271100B1 (en) | Dielectric ceramic composition | |
| JPS6042277A (en) | Ceramic composition | |
| JPH09255424A (en) | Dielectric porcelain composition | |
| US3713853A (en) | Ceramic dielectric materials of perovskite barium-lead sodium niobate | |
| SU1583393A1 (en) | Charge of segnetoceramic material for making capacitors | |
| JPS6152098B2 (en) | ||
| US6258450B1 (en) | Dielectric ceramic composition and ceramic electronic parts | |
| JPS6134206B2 (en) | ||
| SU1035015A1 (en) | Batch for making ceramic material | |
| SU1364611A1 (en) | Charge of ferroelectric ceramic material mixture | |
| SU1539189A1 (en) | Ceramic dielectric material | |
| JP2642390B2 (en) | Thick film capacitors |