SU1031953A1

SU1031953A1 - Ceramic material

Info

Publication number: SU1031953A1
Application number: SU823399220A
Authority: SU
Inventors: Александр Иванович Акимов; Вильма Эрнестовна Павловская; Виктор Павлович Яруничев; Валентин Романович Соколовский; Леонид Иванович Панов; Зигмунд Александрович Мяльдун
Original assignee: Институт физики твердого тела и полупроводников АН БССР; Предприятие П/Я Г-4645
Priority date: 1982-03-01
Filing date: 1982-03-01
Publication date: 1983-07-30

Abstract

КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ на основе твердых растворов ВаТЮз BaZrO - MgNbj O , отличаюU н и с тем, что, с целью повышеин диэлектрической проницаемости и удельного объемного сопротивлени , он дополнительно содержит при следующем соотношении кс шонентов, мае. %: BaTiOj 84,00-90,45 ВаггОз 8,20-14,80 MgNb-O, 0,40-1,30 8Ь20э 0,05-0,80CERAMIC MATERIAL based on VATUz BaZrO - MgNbj O solid solutions is distinguished by the fact that, in order to increase the dielectric constant and specific volume resistance, it additionally contains in the following ratio to photons, May. %: BaTiOj 84.00-90.45 VaggOz 8.20-14.80 MgNb-O, 0.40-1.30 Sv20e 0.05-0.80

Description

0000

ф елf ate

оо Изобретение относитс к керамическим материалам, может быть использовано в электронной технике д изготовлени низкочастотных конден саторов с большой 5 дельной емкость Известен керамический МеЬтериал иа основе окислов цинка, бари , ти тана, висмута и ниоби , который им ет большие диэлектрические потери и может быть использован лишь в производстве низковольтных гсонденсаторов Наиболее близким к предлагаемом по технической сущности вл етс материал на основе твердых растворов BaTiOg - BaZrOj - MgNbgOj 2. Керамический материал содержит компоненты при следующем соотношении , мае.%: 83,2-90,6 BaTiOj , 8,0-16,0 0,8-1,4 KgNbaOg Недостатком материала вл етс относительно невысокоб значение диэлектрической проницаемости и удельного объемного сопротивлени . Материал имеет диэлектрическую проницаемость (12-20ДО, тангенс угла диэлектрических потерь (0,43 ,0), удельное объемное сопроти ление (7-fo- 5-10)Ом-м. Цель изобретени - повышение ди электрической проницаемости и удел ного объемного сопротивлени . Указанна цель достигаетс тем, ,что керамический материал на основе твердых растворов BaTiO - BaZr MgNb2O( дополнительно содержит 5Ь2 при следующем соотношении компонен тов, мае. %: 84-90,45 BaTiOj 8,20-14,80 Ва2гОз 0,40-1,30 MgNb2Q(, ВЬгОэ 0,05-0,80 Ионы сурьмы, вход в кристаллическую решетку твердого раствора BaTiOj - Ва2гОз - MgNbgO, повьаиаюLtd. The invention relates to ceramic materials, can be used in electronic technology for the manufacture of low-frequency capacitors with a large 5-capacity capacitor. only in the production of low voltage capacitors. The closest to the proposed technical essence is a material based on solid solutions BaTiOg - BaZrOj - MgNbgOj 2. Ceramic material contains a comp nents in the following ratio, May%:. 83,2-90,6 BaTiOj, 8,0-16,0 0,8-1,4 KgNbaOg disadvantage material is relatively nevysokob dielectric constant and volume resistivity. The material has a dielectric constant (12-20DO, dielectric loss tangent (0.43, 0), specific volume resistance (7-fo-5-10) ohm-m. The purpose of the invention is to increase the dielectric constant and proper volume resistance This goal is achieved by the fact that a ceramic material based on BaTiO - BaZr MgNb2O solid solutions (additionally contains Sb2 in the following ratio of components, may.%: 84-90.45 BaTiOj 8.20-14.80 Ba2gOz 0.40- 1.30 MgNb2Q (, BruOE 0.05-0.80 Antimony ions, entrance to the crystal lattice of the BaTiOj solid solution - Ba2gO3 - MgNbgO,

Таблица пол ризуемость материала и тем самым привод т к повышению диэлектрической проницаемости. Соотношение между компонентами BaTiOg, BaZrO, и беретс таким, тобы точка Кюри была вблизи 15-30°С. Оптимальна добавка SbgO, находитс в пределах 0,05 - 0,8 мас.% и при дальнейшем увеличении ее количества диэлектрическа проницаемость, удельное объемное сопротивление уменьшаютс , а диэлектрические потери увеличиваютс .,Кроме того, несколько уменьшаетс температурный диапазон спекани , а температурна зависимость становитс хуже. Если же добавка SbgOj меньше, чем 0,05 мас.%,несколько повышаетс температура спекани , а диэлектрическа проницаемость и удельное объемное сопротивление уменьшаютс , Дл получени кинематического материала приготавливают смесь из предварительно синтезированных BaTiOj, Ва2гОз. MqNbgO и Sb2O, вз тых в необходимых соотношени х, и затем измельчают. Из смеси получают образцы прессованием в виде дисков, которые обжигают в электрической силитовой печи при 13501400°С в течение 2 ч. Дл получени конденсаторного керамического материала готов т три смеси ингредиентов, составы которых представлены в табл. 1. Электрические свойства полученных конденсаторных керамических материалов приведены в .табл. 2. Применение предлагаемого керамического конденсаторного материала в микросхемах и радиоэлектронных компонентах позвол ет уменььшть габариты изделий путем повышени удельной емкости и уменьшени размеров, и экономить драгоценные металлы, используекоде дл электродов.The polarization table of the material and thus leads to an increase in the dielectric constant. The ratio between the components of BaTiOg, BaZrO, and the beret is such that the Curie point was near 15-30 ° C. The optimal addition of SbgO is in the range of 0.05-0.8 wt.% And with a further increase in its amount the dielectric constant, the specific volume resistance decreases, and the dielectric loss increases. In addition, the sintering temperature range decreases somewhat, and the temperature dependence becomes worse. If the SbgOj additive is less than 0.05 wt.%, The sintering temperature slightly rises, and the dielectric constant and specific volume resistance decrease. A mixture of pre-synthesized BaTiOj, Ba2gOz is prepared to obtain the kinematic material. MqNbgO and Sb2O, taken in the required ratios, and then ground. From the mixture, samples are obtained by pressing in the form of discs, which are calcined in an electric silicon furnace at 13501400 ° C for 2 hours. To obtain a capacitor ceramic material, three mixtures of ingredients are prepared, the compositions of which are presented in table. 1. Electrical properties of the obtained capacitor ceramic materials are given in .table. 2. The use of the proposed ceramic capacitor material in microcircuits and electronic components reduces the dimensions of the products by increasing the specific capacitance and reducing the size, and save precious metals using a electrode for electrodes.

90,45 8,20 1,3090.45 8.20 1.30

0,050.05

84,0084.00

14,8014.80

0,400.40

0,800.80

2230022300

0,009 0,009

42000 0,003 0,0142,000 0.003 0.01

2680026800

Та6лица26lit2

75 82 7475 82 74

80 88 8380 88 83

Claims

CERAMIC MATERIAL based on BaTiu ₃ BaZrO ₃ - MgNb ^ O ^ solid solutions, characterized in that, in order to increase the dielectric constant and specific volume resistance, it additionally contains 5b _g © ₃ in the following ratio of components, May.%:

BaT1O _e 84.00-90.45

Ba2xO ₃ 8.20-14.80

MgNbeOt 0.40-1.30

Sb ₂ O ₃ 0.05-0.80>