SU716424A1 - Target for laser deutron source - Google Patents
Target for laser deutron source Download PDFInfo
- Publication number
- SU716424A1 SU716424A1 SU782664379A SU2664379A SU716424A1 SU 716424 A1 SU716424 A1 SU 716424A1 SU 782664379 A SU782664379 A SU 782664379A SU 2664379 A SU2664379 A SU 2664379A SU 716424 A1 SU716424 A1 SU 716424A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- target
- laser
- deuterons
- source
- deutron
- Prior art date
Links
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Description
(54) МШЕНЬ ДЛИ ЛАЗЕРНОГО ИСТОЧНИКА ДЕЙТРОНОВ(54) LENGTH LASER SOURCE OF DEUTERONS
. ... . ...
Изобретение относитс к технике получени плазменных источников ионов , а более конкретно к мишен м дл лазерных источников дейтронов.The invention relates to a technique for producing plasma ion sources, and more specifically to targets for laser sources of deuterons.
Известны мишени дл лаэерньк источников дейтронов, состо щие из подложек, на которые нанесен слой металла , хорошо раствор ющего водород, насьаденный дейтерием l.Targets for laernetic deuteron sources are known, consisting of substrates on which a layer of a metal that dissolves hydrogen, deposited on deuterium l, is deposited.
Исследование таких С1ишеней показало , что нар иху с высокой эмиссией де тронов они обладают низкой стабильностью , достигаемой иногда 50%. Крокю трго, воздействие первого импульса лазера на мишень из Li О зачасту1о вообще не приводило к по влению дейтронов в лазерном сгустке из-за наличи окисной пленки, образованной у в результате взаимодействи мишени с атмосферой.The study of such CI targets showed that, along with high emitting fission, they have low stability, sometimes reaching 50%. For crocuta, the effect of the first laser pulse on the Li O target often did not lead to the appearance of deuterons in the laser bunch due to the presence of an oxide film formed as a result of the interaction of the target with the atmosphere.
Известна также мишень дл лазерного источника дейтронов 12, содержаща подложку с напыленной на нее дейтеросодержащей пленкой.Also known is a target for a laser source of deuterons 12 containing a substrate with a deutero-containing film deposited on it.
Она представл ет собой подпожку, на которую напылен слой титана или циркони , Нси«дл4енный дейтерием. Така мишень обладает стабильностью в несколько раз лучшей, чем мишень из L i D, но в то же врем эмисси дейтрон&в из нее в 4-5 раз меньше. Кроме TOfo, эта Мйшень обладает небольшим ресурсом.It is a podpozhku, on which a layer of titanium or zirconium, Nsi "for 4 deuterium. Such a target has a stability several times better than a target of L i D, but at the same time, the emission of deuteron & in from it is 4-5 times less. In addition to TOfo, this Myshen has a small resource.
Целью изобретени вл етс увеличение эмиссии дейтронов с мишенью при воздействии на иее лазерного излучейи , а тйкже увеличение ресурсов мишени.The aim of the invention is to increase the emission of deuterons with a target when exposed to laser radiation, as well as an increase in target resources.
Поставленна цель достигаетс тем, The goal is achieved by
0 что пленка выполнена в виде последовательности взшшЬчсередуювшхс еЙоев из дейтерида лити -и дейтерида металла , раствор ющего водород.That the film is made in the form of a sequence of the highest series of eOei from lithium deuteride and hydrogen dissolving metal deuteride.
Ее поверхность представл ет собой Its surface is
5 чередукхциес выступы и впгщины.5 alternating protrusions and projections.
Угол в вершине выступа или впадины лежит в интервале от 1 до 90.The angle at the top of the protrusion or depression lies in the range from 1 to 90.
На чертеже показана предлагаема мишень , разрез.The drawing shows the proposed target section.
00
Мишень состоит из трех взаимоче . редукнцихс слоев дейтерида лити и: металла, раствор ющего водород, например титана: TiO - 1, LfD - 2 и 5 подложки 3.The target consists of three mutually. Reduction of lithium deuteride layers of: a metal that dissolves hydrogen, such as titanium: TiO-1, LfD-2 and 5 of the substrate 3.
Мишень работает следующим образом .The target works as follows.
На поверхность мишени, представл ющую собой последовательность бинарных слоев, причем поверхностный слойOn the target surface, which is a sequence of binary layers, with the surface layer
Claims (3)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU782664379A SU716424A1 (en) | 1978-09-18 | 1978-09-18 | Target for laser deutron source |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU782664379A SU716424A1 (en) | 1978-09-18 | 1978-09-18 | Target for laser deutron source |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU716424A1 true SU716424A1 (en) | 1981-03-15 |
Family
ID=20785373
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU782664379A SU716424A1 (en) | 1978-09-18 | 1978-09-18 | Target for laser deutron source |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU716424A1 (en) |
-
1978
- 1978-09-18 SU SU782664379A patent/SU716424A1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
BR8602112A (en) | PROCESS AND PERFECT SYSTEM TO FORM A SEMICONDUCTIVE MEMBER | |
DE60031629D1 (en) | TRANSPARENT SUBSTRATE WITH LOW EMISSIVITY ANTIREFLECTION COATING OR SUN SHIELDING | |
ES2186915T3 (en) | PROCEDURE TO SERVE TITANIUM OXIDE AND TITANIUM OXIDE ON A GLASS AND GLASS PLATE COVERED BY MEANS OF THIS PROCEDURE. | |
SU716424A1 (en) | Target for laser deutron source | |
Ganesan et al. | Duty cycle control in reactive high-power impulse magnetron sputtering of hafnium and niobium | |
DE69204400D1 (en) | Thin film coatings made using plasma activated chemical vapor deposition of fluorinated cyclosiloxanes. | |
JPS5438791A (en) | Piezoelectroc vibrator containing case | |
JPS57198259A (en) | Surface treatment of titanium or titanium alloy | |
IE44478L (en) | Halogen cycle incandescent lamp | |
JPS56123368A (en) | Crucible for evaporation source | |
JPS6439371A (en) | Thin film forming device | |
SU922091A1 (en) | Method for strengthening optical components | |
JPS5288600A (en) | Production of titanium oxide film | |
JPS5237784A (en) | Photovoltaic element | |
Kuzanyan et al. | A simple solution to the problem of effective utilisation of the target material for pulsed laser deposition of thin films | |
SU719355A1 (en) | Laser deutron source | |
JPS53147698A (en) | Method of producing anataze-rutile layer-like composite material | |
JPS55570A (en) | Multilayer antireflection film containing antiabsorption layer | |
JPS6462458A (en) | Thin titanium oxide film | |
JPS5434781A (en) | Semiconductor element and its manufacture | |
JPS5415943A (en) | Formation of heat-resistant film | |
JPS5242389A (en) | Semiconductor light emission device | |
JPS5291642A (en) | Direct-heated cathode structure | |
JPS6452061A (en) | Formation of metal film | |
JPS5218188A (en) | Zinc selenide light emitting diode process |