SU716424A1 - Target for laser deutron source - Google Patents

Target for laser deutron source Download PDF

Info

Publication number
SU716424A1
SU716424A1 SU782664379A SU2664379A SU716424A1 SU 716424 A1 SU716424 A1 SU 716424A1 SU 782664379 A SU782664379 A SU 782664379A SU 2664379 A SU2664379 A SU 2664379A SU 716424 A1 SU716424 A1 SU 716424A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
target
laser
deuterons
source
deutron
Prior art date
Application number
SU782664379A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
В.М. Гулько
А.З. Минц
В.К. Рудишин
Ю.И. Тоцкий
А.Я. Худенко
А.С. Цыбин
А.Е. Шиканов
Original Assignee
Институт Ядерных Исследованийан Украинской Ccp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Ядерных Исследованийан Украинской Ccp filed Critical Институт Ядерных Исследованийан Украинской Ccp
Priority to SU782664379A priority Critical patent/SU716424A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU716424A1 publication Critical patent/SU716424A1/en

Links

Landscapes

  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Description

(54) МШЕНЬ ДЛИ ЛАЗЕРНОГО ИСТОЧНИКА ДЕЙТРОНОВ(54) LENGTH LASER SOURCE OF DEUTERONS

. ... . ...

Изобретение относитс  к технике получени  плазменных источников ионов , а более конкретно к мишен м дл  лазерных источников дейтронов.The invention relates to a technique for producing plasma ion sources, and more specifically to targets for laser sources of deuterons.

Известны мишени дл  лаэерньк источников дейтронов, состо щие из подложек, на которые нанесен слой металла , хорошо раствор ющего водород, насьаденный дейтерием l.Targets for laernetic deuteron sources are known, consisting of substrates on which a layer of a metal that dissolves hydrogen, deposited on deuterium l, is deposited.

Исследование таких С1ишеней показало , что нар иху с высокой эмиссией де тронов они обладают низкой стабильностью , достигаемой иногда 50%. Крокю трго, воздействие первого импульса лазера на мишень из Li О зачасту1о вообще не приводило к по влению дейтронов в лазерном сгустке из-за наличи  окисной пленки, образованной у в результате взаимодействи  мишени с атмосферой.The study of such CI targets showed that, along with high emitting fission, they have low stability, sometimes reaching 50%. For crocuta, the effect of the first laser pulse on the Li O target often did not lead to the appearance of deuterons in the laser bunch due to the presence of an oxide film formed as a result of the interaction of the target with the atmosphere.

Известна также мишень дл  лазерного источника дейтронов 12, содержаща  подложку с напыленной на нее дейтеросодержащей пленкой.Also known is a target for a laser source of deuterons 12 containing a substrate with a deutero-containing film deposited on it.

Она представл ет собой подпожку, на которую напылен слой титана или циркони , Нси«дл4енный дейтерием. Така  мишень обладает стабильностью в несколько раз лучшей, чем мишень из L i D, но в то же врем  эмисси  дейтрон&в из нее в 4-5 раз меньше. Кроме TOfo, эта Мйшень обладает небольшим ресурсом.It is a podpozhku, on which a layer of titanium or zirconium, Nsi "for 4 deuterium. Such a target has a stability several times better than a target of L i D, but at the same time, the emission of deuteron & in from it is 4-5 times less. In addition to TOfo, this Myshen has a small resource.

Целью изобретени   вл етс  увеличение эмиссии дейтронов с мишенью при воздействии на иее лазерного излучейи , а тйкже увеличение ресурсов мишени.The aim of the invention is to increase the emission of deuterons with a target when exposed to laser radiation, as well as an increase in target resources.

Поставленна  цель достигаетс  тем, The goal is achieved by

0 что пленка выполнена в виде последовательности взшшЬчсередуювшхс  еЙоев из дейтерида лити  -и дейтерида металла , раствор ющего водород.That the film is made in the form of a sequence of the highest series of eOei from lithium deuteride and hydrogen dissolving metal deuteride.

Ее поверхность представл ет собой Its surface is

5 чередукхциес  выступы и впгщины.5 alternating protrusions and projections.

Угол в вершине выступа или впадины лежит в интервале от 1 до 90.The angle at the top of the protrusion or depression lies in the range from 1 to 90.

На чертеже показана предлагаема  мишень , разрез.The drawing shows the proposed target section.

00

Мишень состоит из трех взаимоче . редукнцихс  слоев дейтерида лити  и: металла, раствор ющего водород, например титана: TiO - 1, LfD - 2 и 5 подложки 3.The target consists of three mutually. Reduction of lithium deuteride layers of: a metal that dissolves hydrogen, such as titanium: TiO-1, LfD-2 and 5 of the substrate 3.

Мишень работает следующим образом .The target works as follows.

На поверхность мишени, представл ющую собой последовательность бинарных слоев, причем поверхностный слойOn the target surface, which is a sequence of binary layers, with the surface layer

Claims (3)

θ Формула изобретенияθ Claims 1. Мишень для лазерного источника дейтронов, содержащая подложку с напыленной на нее дейтеросодержащей пленкой, отличающаяся1. The target for the laser source of deuterons, containing a substrate with a deuterium-containing film deposited on it, characterized 5 тем, что, с целью увеличения эмиссии дейтронов с мишени при воздейстйии на нее лазерного излучения, пленка выполнена в виде последовательности взаимочередующихся слоев Q из дейтерида лития и дейтерида металла, растворяющего водород.5 in that, in order to increase the emission of deuterons from the target when exposed to laser radiation, the film is made in the form of a sequence of alternating Q layers of lithium deuteride and a metal deuteride dissolving hydrogen. 2. Мишень поп. 1, отличающаяся тем, что, с целью увеличения ресурса мишени, ее поверхность ,г представляет собой чередующиеся выступы и впадины.2. Target pop. 1, characterized in that, in order to increase the resource of the target, its surface, g represents alternating protrusions and depressions. 3. Мишень по п. 2, о т л и ч а ю · щ а я с я тем, что угол в вершине выступа или впадины лежит в интервале от 1 до 90°.3. The target according to claim 2, with the fact that the angle at the apex of the protrusion or depression lies in the range from 1 to 90 °.
SU782664379A 1978-09-18 1978-09-18 Target for laser deutron source SU716424A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU782664379A SU716424A1 (en) 1978-09-18 1978-09-18 Target for laser deutron source

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU782664379A SU716424A1 (en) 1978-09-18 1978-09-18 Target for laser deutron source

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU716424A1 true SU716424A1 (en) 1981-03-15

Family

ID=20785373

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU782664379A SU716424A1 (en) 1978-09-18 1978-09-18 Target for laser deutron source

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU716424A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
BR8602112A (en) PROCESS AND PERFECT SYSTEM TO FORM A SEMICONDUCTIVE MEMBER
DE60031629D1 (en) TRANSPARENT SUBSTRATE WITH LOW EMISSIVITY ANTIREFLECTION COATING OR SUN SHIELDING
ES2186915T3 (en) PROCEDURE TO SERVE TITANIUM OXIDE AND TITANIUM OXIDE ON A GLASS AND GLASS PLATE COVERED BY MEANS OF THIS PROCEDURE.
SU716424A1 (en) Target for laser deutron source
Ganesan et al. Duty cycle control in reactive high-power impulse magnetron sputtering of hafnium and niobium
DE69204400D1 (en) Thin film coatings made using plasma activated chemical vapor deposition of fluorinated cyclosiloxanes.
JPS5438791A (en) Piezoelectroc vibrator containing case
JPS57198259A (en) Surface treatment of titanium or titanium alloy
IE44478L (en) Halogen cycle incandescent lamp
JPS56123368A (en) Crucible for evaporation source
JPS6439371A (en) Thin film forming device
SU922091A1 (en) Method for strengthening optical components
JPS5288600A (en) Production of titanium oxide film
JPS5237784A (en) Photovoltaic element
Kuzanyan et al. A simple solution to the problem of effective utilisation of the target material for pulsed laser deposition of thin films
SU719355A1 (en) Laser deutron source
JPS53147698A (en) Method of producing anataze-rutile layer-like composite material
JPS55570A (en) Multilayer antireflection film containing antiabsorption layer
JPS6462458A (en) Thin titanium oxide film
JPS5434781A (en) Semiconductor element and its manufacture
JPS5415943A (en) Formation of heat-resistant film
JPS5242389A (en) Semiconductor light emission device
JPS5291642A (en) Direct-heated cathode structure
JPS6452061A (en) Formation of metal film
JPS5218188A (en) Zinc selenide light emitting diode process