SU650044A1 - Способ полива бесподложечных галогенсеребр ных эмульсионных слоев - Google Patents
Способ полива бесподложечных галогенсеребр ных эмульсионных слоевInfo
- Publication number
- SU650044A1 SU650044A1 SU752193578A SU2193578A SU650044A1 SU 650044 A1 SU650044 A1 SU 650044A1 SU 752193578 A SU752193578 A SU 752193578A SU 2193578 A SU2193578 A SU 2193578A SU 650044 A1 SU650044 A1 SU 650044A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- emulsion
- emulsion layers
- free emulsion
- casting substrate
- layers
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
- G03C1/005—Silver halide emulsions; Preparation thereof; Physical treatment thereof; Incorporation of additives therein
- G03C1/015—Apparatus or processes for the preparation of emulsions
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Peptides Or Proteins (AREA)
Description
сионных слоев, равномерных по толщине н с уменьшенной диетореией.
Сущность изобретени заключаетс в том, что нагретую до температуры 39-41°С эмульсию нанос т на форм-кювету, предварительно нагретую до температуры эмульсии , и студенение эмульсии провод т при одновременном охлаждении форм-кюветы и эмульсии.
При таком способе полива не происходит систематической деформации форм-кювет , из-за которой эмульсионный слой приобретает плосковогнутую форму. KpOiMe того , процесс перехода эмульсии в состо ние гел происходит постепенно, что способствует образованию равновесной структуры сло и, как следствие этого, уменьшает деформацию эмульсионных слоев и количество производственного брака.
Пример. Провод т полив бесподложечных эмульсионных слоев толщины 450 мкм и размером 22X62 см эмульсию, нагревают до температуры 40±1°С.
Перед поливом форм-кювету из органического стекла выдерживают в термостате цри температуре 40±3°С в течение 2 ч. Эмульсию наливают на форм-кюветы и студен т при температуре окружающей среды 20±2°С в течение 60 мин.
Дл получени сравнительных данных провод т полив однотипных бесподложечных эмульсионных слоев на форм-кюветы по известному способу.
В обоих опытах определ ют максимальный прогиб дна форм-кюветы во врем полива , а также величину разнотолщинности эмульсионных слоев (величина А do - - .di, где do--толщина эмульсионного сло в центре, di - то же в углу сло ).
Результаты приведены в таблице.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU752193578A SU650044A1 (ru) | 1975-11-28 | 1975-11-28 | Способ полива бесподложечных галогенсеребр ных эмульсионных слоев |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU752193578A SU650044A1 (ru) | 1975-11-28 | 1975-11-28 | Способ полива бесподложечных галогенсеребр ных эмульсионных слоев |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU650044A1 true SU650044A1 (ru) | 1979-02-28 |
Family
ID=20638619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU752193578A SU650044A1 (ru) | 1975-11-28 | 1975-11-28 | Способ полива бесподложечных галогенсеребр ных эмульсионных слоев |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU650044A1 (ru) |
-
1975
- 1975-11-28 SU SU752193578A patent/SU650044A1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3486892A (en) | Preferential etching technique | |
| JPS56142630A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| SE7614365L (sv) | Forfarande for framstellning av kornigt kvartsglas | |
| ATE41020T1 (de) | Methode zur herstellung von poly(arylensulfid). | |
| EP0193820A3 (en) | Method for forming a thin film pattern | |
| SU650044A1 (ru) | Способ полива бесподложечных галогенсеребр ных эмульсионных слоев | |
| FR2469477A1 (fr) | Procede de fabrication de grenat polycristallin, grenat polycristallin et monocristal correspondant | |
| JPH0411931B2 (ru) | ||
| JPS5757628A (en) | Manufacture of blaxially rolled film | |
| FR2338908A1 (fr) | Procede de fabrication d'une matiere moulable a haute teneur en verre cristallisable | |
| JPS5749263A (en) | Manufacture of close contact type image sensor | |
| JPS5333050A (en) | Production of semiconductor element | |
| JPS5678155A (en) | Semiconductor device and manufacture thereof | |
| JPS552982A (en) | Semi-conductor layer thickness measuring method | |
| EP0232941A3 (en) | Sol-gel process for producing luminescent thin film, and film so produced, and devices utilizing same | |
| JPS5249990A (en) | Method for vacuum evaporation of multi layr film | |
| KR890005919A (ko) | Cd₁-xZnxS 소격막의 제조 방법 | |
| SU1557105A1 (ru) | Способ получени тетрабромида ниоби | |
| RU2081001C1 (ru) | Способ изготовления декоративной поверхности | |
| JPS5252570A (en) | Device for production of compound semiconductor | |
| BR8106957A (pt) | Processo de fabricacao de uma solucao apropriada para uso na formacao de um meio formador de imagem ablativo uniforme e fino | |
| EP0293244A3 (en) | N epsilon-trifluoroacetyl-l-lysyl-l-proline.d-1o-camphorsulfonic acid salt and process for producing the same | |
| SU487048A1 (ru) | Способ нанесени пленки стеклосуспензий | |
| SU477315A1 (ru) | Способ измерени разности температур между противоположными поверхност ми пластин | |
| JPS54125984A (en) | Manufactur of semiconductor device |