SU626968A1 - Матрица дл изготовлени одноступенчатых фазовых оптических элементов - Google Patents

Матрица дл изготовлени одноступенчатых фазовых оптических элементов

Info

Publication number
SU626968A1
SU626968A1 SU772467062A SU2467062A SU626968A1 SU 626968 A1 SU626968 A1 SU 626968A1 SU 772467062 A SU772467062 A SU 772467062A SU 2467062 A SU2467062 A SU 2467062A SU 626968 A1 SU626968 A1 SU 626968A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
relief
matrix
pattern
height
phase
Prior art date
Application number
SU772467062A
Other languages
English (en)
Inventor
Юрий Арсеньевич Харитонов
Валентина Андреевна Шишкина
Анатолий Иванович Песков
Владимир Григорьевич Федосеев
Александр Ревизович Звездочкин
Original Assignee
Предприятие П/Я В-8584
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я В-8584 filed Critical Предприятие П/Я В-8584
Priority to SU772467062A priority Critical patent/SU626968A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU626968A1 publication Critical patent/SU626968A1/ru

Links

Landscapes

  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)

Claims (1)

  1. Изобретение касаетс  изготовлени  одноступенчатых фазовых оптических элементов из полимерных материалов в частности Винарных (одноступенчатых) фазовыл прозрачных или отражательных мультипликаторов дл  систем обработки оптических сигналов . Известна матрица дл  изготовлени  оптических изделий, изготовленна  из металлической .пластины с нанесенным на нее рельефным рисунком I. Така  матрица имеет неравномерную высоту рельефного рисунка, что отрицательно сказываетс  на характеристиках мультипликаторов с высотой рельефного рисунка, соизмеримой с длиной волны оптического диапазона . Равномерность высоты получаемого рельефа по поверхности матриц с оттиснутым рисунком зависит от режима изготовлени  рельефных рисунков на них, например, от точности формообразующего инструмента, от точности его перемещений при механических способах изготовлени  и от локальных -свойств материала матрицы. Цель изобретени  - повышение равномерности рельефных рисунков по поверхности образца при изготовлении бинарных фазовых мультипликаторов путем сн ти  рельефных копий с матриц, имеющих рельефный рисунок высотой в пределах от одной до нескольких долей волн излучени  оптического диапазона. Поставленна  цель достигаетс  применением окисной маски, выполненной в виде кремниевой пластины с выступами из окисла кремни , в качестве матрицы дл  изго-. тов лени  одноступенчатых фазовых оптических элементов из полимерных материалов. На фиг. I изображена маска; на фиг. 2 - маска с нанесенным на него слоем полимера и стекл нной пластиной, на фиг. 3 - изделие. Матрица содержит кремниевую пластину 1 (подложку) с нанесенным на нее рисунком . 2, образованным окислом кремни . Изготовление фазового мультипликатора осуществл ют путем заливки матрицы полимером 3 с последующим наложением на поли- мерный слой стекл нной пластины 4. После отверждени  полимерного сло  последний отдел ют от матрицы. Рисунок, образованный окислом, соответствует изготовленному мультипликатору, а высота рельефа рисунка составл ет 0,31 мкм. Рельефную поверхность маски перед нанесением полимера покрывают антиадгезионным слоем, а стекл нную пластину подвергают адгезионной обработке . После отделени  матрицы от стекл нной пластины с полимером (мультипликатор) на последней получают рельефныйрисунок, обратный рисунку матрицы. В результате получают прозрачные фазовый рельефный рисунок высотой 0,31 мкм с отклонени ми в пределах ±0,01 мкм по площади поверхности диаметром 32 мм. Повышение равномерности высоты получаемого рельефа по поверхности образца происходит за счет того, что высота рельефного рисунка Определ етс  только толщиной окисла материала подложки, котора  люжет быть выдержана с помощью известной в практике технологии с высокой точностью по всей поверхности образца. Окисел материала может быть образован, например, вакуумным испарением, термическим окислением материала подложки. Опытами вы влена высока  износостойкость рельефного рисунка структуры, образованной окислом материала подложки и самой подложкой. Это позвол ет многократно использовать описанную маску в качестве матрицы дл  изготовлени  мультипликаторов . Применение предлагаемой маски позволит повысить равномерность высоты рельефного рисунка по-поверхности фазового мультипликатора в пределах 0,01 - 0,03 мкм при высоте рельефа от 0,15 до 1,0 мкм, что повысит точность работы систем обработки оптических сигналов, в которых используютс  фазовые мультипликаторы. Формула изобретени  Применение окисной маски, выполненной в виде кремниевой пластины с выступами из окисла кремни , в качестве матрицы дл  изготовлени  одноступенчатых фазовых оптических элементов из полимерных материалов . Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе: I. Авторское свидетельство СССР № 211095, кл. G 03 С 7/14, 1968.
    I-1 Г-1 Г-1 Г-S
    i.uu t... . .тгт/г;
    к.| ч- -::гн-:-гЦ1 J-ftlf; f
SU772467062A 1977-03-28 1977-03-28 Матрица дл изготовлени одноступенчатых фазовых оптических элементов SU626968A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU772467062A SU626968A1 (ru) 1977-03-28 1977-03-28 Матрица дл изготовлени одноступенчатых фазовых оптических элементов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU772467062A SU626968A1 (ru) 1977-03-28 1977-03-28 Матрица дл изготовлени одноступенчатых фазовых оптических элементов

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU626968A1 true SU626968A1 (ru) 1978-10-05

Family

ID=20701280

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU772467062A SU626968A1 (ru) 1977-03-28 1977-03-28 Матрица дл изготовлени одноступенчатых фазовых оптических элементов

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU626968A1 (ru)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4752498A (en) * 1987-03-02 1988-06-21 Fudim Efrem V Method and apparatus for production of three-dimensional objects by photosolidification
WO1988006494A1 (en) * 1987-03-02 1988-09-07 Fudim Efrem V Method and apparatus for production of three-dimensional objects by photosolidification
US4801477A (en) * 1987-09-29 1989-01-31 Fudim Efrem V Method and apparatus for production of three-dimensional objects by photosolidification
US5135379A (en) * 1988-11-29 1992-08-04 Fudim Efrem V Apparatus for production of three-dimensional objects by photosolidification

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4752498A (en) * 1987-03-02 1988-06-21 Fudim Efrem V Method and apparatus for production of three-dimensional objects by photosolidification
WO1988006494A1 (en) * 1987-03-02 1988-09-07 Fudim Efrem V Method and apparatus for production of three-dimensional objects by photosolidification
US4801477A (en) * 1987-09-29 1989-01-31 Fudim Efrem V Method and apparatus for production of three-dimensional objects by photosolidification
US5135379A (en) * 1988-11-29 1992-08-04 Fudim Efrem V Apparatus for production of three-dimensional objects by photosolidification

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US2854336A (en) Method of forming a two-level photoengraved embossing plate or mold
US4657780A (en) Manufacture of diffraction gratings
US2464738A (en) Method of making optical elements
KR100272885B1 (ko) 반사체의 제조방법 및 제조장치_
TW279978B (ru)
JPS5557807A (en) Production of diffraction grating
SU626968A1 (ru) Матрица дл изготовлени одноступенчатых фазовых оптических элементов
JPS54155771A (en) Pattern forming method
CN113759451B (zh) 一种曲面光栅的加工装置及制备方法
JPS54146990A (en) Production of elastic surface wave device
JPS62203101A (ja) 微細パターンを表面に有するガラス光学素子の製造方法
SU404036A1 (ru) Способ изготовления копий дифракционных решеток
JPS6410169B2 (ru)
JPS5688319A (en) Method for forming film pattern
JPH0349057A (ja) スタンパ
FR2297093A1 (fr) Procede pour deposer des revetements differents contigus jointifs sur un substrat transparent et produits obtenus
JP2001096539A (ja) 表面凹凸原盤の作製方法
JPS5533035A (en) Forming of resist pattern shaped like inverted truncated pyramid
CN113900354A (zh) 纳米压印胶层的制作方法和光学元件
JPH04260621A (ja) ガラス成形用金型の製作方法
JPH01113615A (ja) 光学式スケールの製造方法
KR960015703A (ko) 위상반전마스크 및 그 제조방법
KR890016642A (ko) Si-레지스트/ARC 이중충 광석판술
JPS55158635A (en) Mask
JPS56115534A (en) Formation of pattern