SU623298A1 - Способ обработки кремния - Google Patents

Способ обработки кремния

Info

Publication number
SU623298A1
SU623298A1 SU2405629/26A SU2405629A SU623298A1 SU 623298 A1 SU623298 A1 SU 623298A1 SU 2405629/26 A SU2405629/26 A SU 2405629/26A SU 2405629 A SU2405629 A SU 2405629A SU 623298 A1 SU623298 A1 SU 623298A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
plate
processing silicon
type silicon
silicon
microcavity
Prior art date
Application number
SU2405629/26A
Other languages
English (en)
Inventor
Л.Н. Александров
Р.Н. Ловягин
П.А. Симонов
Original Assignee
Институт Физики Полупроводников Со Ан Ссср
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Физики Полупроводников Со Ан Ссср filed Critical Институт Физики Полупроводников Со Ан Ссср
Priority to SU2405629/26A priority Critical patent/SU623298A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU623298A1 publication Critical patent/SU623298A1/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

Способ обработки кремния n-типа проводимости, включающий выдержку пластин при 1250-1300C в вакууме, отличающийся тем, что, с целью повышения качества поверхности кремния, обрабатываемую пластину экранируют кремниевой пластиной n-типа проводимости с образованием микрополости и создают между пластинами температурный градиент 100-200град/мкм с поддержанием максимальной температуры на обрабатываемой пластине.
SU2405629/26A 1976-09-08 1976-09-08 Способ обработки кремния SU623298A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU2405629/26A SU623298A1 (ru) 1976-09-08 1976-09-08 Способ обработки кремния

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU2405629/26A SU623298A1 (ru) 1976-09-08 1976-09-08 Способ обработки кремния

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU623298A1 true SU623298A1 (ru) 2000-05-27

Family

ID=60522589

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU2405629/26A SU623298A1 (ru) 1976-09-08 1976-09-08 Способ обработки кремния

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU623298A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GB1535641A (en) Spin coating process and apparatus
FR2333567A1 (fr) Procede de croissance de couches epitaxiales lisses sur des substrats desorientes
SU623298A1 (ru) Способ обработки кремния
JPS54104770A (en) Heat treatment method for 3-5 group compound semiconductor
JPS5338271A (en) Semiconductor device
JPS5229494A (en) Combination-type separating and exhausting equipment
JPS5214374A (en) Treatment equpment for ion beam
JPS51140199A (en) Crystal working process
JPS5230179A (en) Junction-type electric field effective transistor
SU807903A1 (ru) Способ обработки полупроводниковых структур
SU803757A1 (ru) Способ обработки эпитаксиальных структур
SU697548A1 (ru) Способ обработки буровых растворов на углеводородной основе
JPS5224983A (en) Process for treatment of sludge
GB1056232A (en) Improvements in or relating to high frequency energy converting apparatus
JPS5225583A (en) Field effect transistor
SU878558A1 (ru) Абразивный круг
JPS52139380A (en) Thin plate supporting device
SU463398A1 (ru) Способ изготовления гетероперехода sic-si
SU797459A1 (ru) Способ селективного травления полупроводниковых соединений типа ab
SU865057A1 (ru) Способ обработки пластин арсенида галлия
JPS5362476A (en) Processing method of semiconductor surface
JPS52118696A (en) Apparatus for grinding semi-conductor wafer
JPS5260581A (en) Semiconductor device
SU999872A1 (ru) Способ эпитаксиального наращивания полупроводниковых слоев на подложках
JPS51140470A (en) Method of cutting semiconductor crystal