SU602055A1 - Интегральный логический элемент - Google Patents
Интегральный логический элементInfo
- Publication number
- SU602055A1 SU602055A1 SU772441385A SU2441385A SU602055A1 SU 602055 A1 SU602055 A1 SU 602055A1 SU 772441385 A SU772441385 A SU 772441385A SU 2441385 A SU2441385 A SU 2441385A SU 602055 A1 SU602055 A1 SU 602055A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- logic element
- gates
- output
- substrate
- voltage
- Prior art date
Links
Landscapes
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Description
1
Изобретение относитс к микроэлектронике , в частности к производству интегральных микросхем высокой степени интеграции .
Известны интегральные логические элементы инжекционного типа, содержащие бипол рный транзисторв цепи питани и переключательный элемент транзисторной структуры.
Наиболее близким по технической сущности к изобретению вл етс интегральный логический элемент с входным и выходным электродами, содержащий бипол р ный транзистор в цепи питани и полевой переключательный элемент.
Однако такой логический элемент характеризуетс сравнительно низким быстродействием , что обусловлено зар дом и разр дом диффузионной и барьерной емкостей р - п-переходов затворных областей, и сравнительно низкой плотностью компоновки , что объ сн етс боковой диффузией примесей под маскирующий окисел и допусками на совмещение при фотолитографических операци х.
Цель изобретени - повышение быстродействи и плотности компоновки интэз ральных логически.х элементов инжекцион- кого типа.
Поставленна цель достигаетс тем,
f
что затворы переключательного полевого элемента выполнены в виде йеин- жектирующих выпр мл юшвх контактов, а выходной электрод расположен в области перекрыти объемных зар дов затворов .
Затворы переключательного элемента и коллекторы бипол рного транзистора предпочтительно выполн ть совмещенными.
На фиг 1 пр1шедена принципиальна тодрлогическа схема одного из вариантов интегрального логического элемента; на фиг. 2 - то же в разрезе; на фиг. 3 - электрическа эквивалентна схема логического элемента.
Интегральный лоо1ческий элемент (фиг. 1) содержит подложку 1 из монокри (.7талпическ)го кремни , нглгрнмер.п-типа проводимости; горизонтальный дг;у.хколлекторный бипол рный тра гзистор цепи питани , сформированный в подложке и име ющий эмиттер 2 и коллекторы 3, 4; поле вой переключптел15ный элемент, имеющий стоковую область 5 (показана точкой) и затворные области 6, 7. Интегральный логический элемент имеет невьтр мл ющие контакты к област м 1-7 (на фиг. 1 и 2 показаны точками), Истокова область переключательного элемента подключена к полюсу земл источника питани , а эмиттерна область нагрузочного транзистора - к положительному полюсу -l-Hf,. Стокова область подключена к выходу .логического элемента, а затворные области 6 7 соответственно - к пер вому и второму входам логического элемента . В конструкци .х логического элемента, приведенных на фиг.. 1, 2, 3, затворные области полевого переключательного элемента выполнены в виде неинжектируюздих выпр мл ющих контактов, способных толь- ко коллектировать неосновные носители зар да , иЕ1жектированные эмиттерами горизонтального нагрузочного транзистора, Интегральный логический элемент работает следующим образом. При подключении источника напр жени к подложке 1 и эмиттеру 2,, как это пока зано на фиг. 1-3, эмиттер 2 р - П - ртранзистора цепи питани инжектирует дыр ки в подложку, которые дл нее вл ютс неосновными носител ми зар да. 5ти носители зар да коллектируютс затворными област ми 6 и 7. В зависимости от напр же{ и на входах I и II логический элемент может находитьс в одном из следующих состо ний. Если на обоих входах приложено низкое напр жение, близкое к потенциалу земли то коллектированные переходами областей 6и 7 носители зар да стекакуг на аемлю. При Этом электрод выход не имеет галь ванической св зи с электродом земл , и если гальванический элемент нагружен на аналогичный, то на выходе области 5 бупаетвьюокое напр жение, равное напр жению оптировани перехода ме сду област ми Ь, 7н подложкой. Нарушение упом нутой гальванической св зи происходит вследствие перекрыти участка подложки, расположенного между электродами выход и , сло ми объемных зар дов закрытых переходов меж 60 5.4 у обл.кгт мн 6, / и пэллэжкой ( обт:-- мнык .;5р дов П5казан)1 нт фиг. 2 пунктиом ). Если на входах I и Ц приложено высокое напр жение, превышающее напр жение отпирани переходов между област ми 6,7 и подломской, то между электродами выход и земл имеетс галымническа св аьи напр жение на выходе логического элемента близко к напржкению Eta электроде земл . Упом нута гальван гческа св зь обеспечиваетс уменьшением размеров в области объемного зар да переходов между област ми б, 7 и подложкой при увеличении напр жени на входах I и II . Если к из входов приложено низкое напр жение, то представл ютс две возможности. Перва - когда удельное сопротивление подложки и рассто ние между област ми 6 н 7 выбраны таким образом, что ширина сло объемного зар да перехода между областью 6 и подложкой больше или равна рассто нию област ми 6 и 7. Втора возможность - ширина сло объемного зар да упом нутого перехода меньше рассто ни между област ми 6 и 7. В первом случае гальваническа св зь мелшу электродами выход и земл от сутствует, во втором - гальваническа св зь между выходом логического элемента и землей имеетс . Таким образом, предложенный логический элемент в зависимости от структурно- -топологических параметров (рассто ние между затворами и удельное сопротивление подложки) может выполн ть логические функдии ИЛИ-НЕ и И-НЕ, Повышение быстродействи логического элемента достигаетс благодар использованию в качестве затворных и коллекторных областей неинжектируюших выпр мл ющих контактов, например переходов металл - полупроводник. Отсутствие инжекшш неосновньос носителей зар да из затворных областей резко умйньшае1 величину избыточного зар да в подложкеи, следовательно , уменьшает -врем переходных процессов в логическом элементе при переходе из открытого состо ни в закрытое. Повышение плотности компоновки достигаетс тем, что вл ютс плоскими и мЬгут формироватьс в маске затворы с минимальными .размерами. Предлагаемый логический элемент технологичен и может быть изготовлен по пленарной TexiJWioniH как с применением эпитаксиальных , так и без них.
Широкие функциональные возможности, высокое быстродействие и технологичность делают возможным широкое использование предлагаемого элемента при построении больших интегральных схем с высокой5
плотностью элементов на кристалле
Claims (2)
1. Интегральный логический элемент с О входными и выходным электрбдамн, содержащий бипол рный транзистор в цепи питаffArJrod
ни и полевой переключательный элемент, отличающийс тем, что, с целью повышени быстродейстан и плотности компоновки, затворы полевого пере ключательного элемента выполнены в виде неинжектирующих выпр мл ющих контактов, а выходной электрод расположен в области перекрыти объемных зар дов затворов.
2. Элемент по п. 1, о т л и ч а ющ и и с тем, что затворы персл эча- тельного элемента и коллекторы б :пол {Уного транзистора совмещены.
Т
Pi/f.f
/wy
3 f€
жо91
- /
I о
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU772441385A SU602055A1 (ru) | 1977-01-06 | 1977-01-06 | Интегральный логический элемент |
| CS900577A CS199407B1 (en) | 1977-01-06 | 1977-12-29 | Injection integrated circuit |
| NL7800046A NL7800046A (nl) | 1977-01-06 | 1978-01-02 | Geintegreerde injectieschakeling. |
| DD20309578A DD136907A1 (de) | 1977-01-06 | 1978-01-04 | Integrierte injektionsschaltung |
| CH9178A CH616276A5 (en) | 1977-01-06 | 1978-01-04 | Integrated injection circuit |
| DE19782800335 DE2800335A1 (de) | 1977-01-06 | 1978-01-04 | Integrierte injektionsschaltung |
| FR7800244A FR2377123A1 (fr) | 1977-01-06 | 1978-01-05 | Circuit logique integre |
| PL20382778A PL119495B1 (en) | 1977-01-06 | 1978-01-05 | Intergrated injector circuit |
| GB39578A GB1565918A (en) | 1977-01-06 | 1978-01-05 | Integrated injection circiut devices |
| JP48078A JPS53108291A (en) | 1977-01-06 | 1978-01-06 | Integration implating circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU772441385A SU602055A1 (ru) | 1977-01-06 | 1977-01-06 | Интегральный логический элемент |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU602055A1 true SU602055A1 (ru) | 1979-01-15 |
Family
ID=20691152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU772441385A SU602055A1 (ru) | 1977-01-06 | 1977-01-06 | Интегральный логический элемент |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU602055A1 (ru) |
-
1977
- 1977-01-06 SU SU772441385A patent/SU602055A1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1044817A (en) | Integrated circuit and method for fabrication thereof | |
| EP0143157B1 (en) | Charge pumping circuit for a substrate voltage generator | |
| US3955210A (en) | Elimination of SCR structure | |
| DE69425612T2 (de) | Schnellaufladender MOS-Kondensator für hohe positive oder negative Spannungen | |
| JPS5918870B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
| US4150392A (en) | Semiconductor integrated flip-flop circuit device including merged bipolar and field effect transistors | |
| JP3257842B2 (ja) | ダイナミック絶縁回路を設けた半導体電子デバイス | |
| US4810906A (en) | Vertical inverter circuit | |
| EP0020164B1 (en) | Monolithic hvmosfet array | |
| GB1580471A (en) | Semi-conductor integrated circuits | |
| SU602055A1 (ru) | Интегральный логический элемент | |
| US3788904A (en) | Method of producing an integrated solid state circuit | |
| EP0193842B1 (en) | Integrated semiconductor circuit with two epitaxial layers of different conductivity types | |
| US3575609A (en) | Two-phase ultra-fast micropower dynamic shift register | |
| US3790825A (en) | Gate-diffusion isolation for jfet depletion-mode bucket brigade circuit | |
| US4243895A (en) | Integrated injection circuit | |
| IE50350B1 (en) | Monolithic integrated cmos circuit | |
| PL114678B1 (en) | Integrated logic circuit | |
| US3812520A (en) | Parasitic transistor shift register | |
| US4110634A (en) | Gate circuit | |
| GB1565918A (en) | Integrated injection circiut devices | |
| US6661056B1 (en) | DMOS transistor protected against polarity reversal | |
| US3560766A (en) | High speed logic element | |
| JPH04363068A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0493076A (ja) | 半導体集積回路装置 |