SU591084A1 - Способ изготовлени кремниевого поверхностно-барьерного детектора - Google Patents

Способ изготовлени кремниевого поверхностно-барьерного детектора Download PDF

Info

Publication number
SU591084A1
SU591084A1 SU762378741A SU2378741A SU591084A1 SU 591084 A1 SU591084 A1 SU 591084A1 SU 762378741 A SU762378741 A SU 762378741A SU 2378741 A SU2378741 A SU 2378741A SU 591084 A1 SU591084 A1 SU 591084A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
detector
crystal
detectors
barrier
metal
Prior art date
Application number
SU762378741A
Other languages
English (en)
Inventor
П.П. Дьяченко
Е.А. Серегина
Original Assignee
Предприятие П/Я В-2679
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я В-2679 filed Critical Предприятие П/Я В-2679
Priority to SU762378741A priority Critical patent/SU591084A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU591084A1 publication Critical patent/SU591084A1/ru

Links

Landscapes

  • Measurement Of Radiation (AREA)

Description

1
Изобретение относитс  к способу изготовлени  полупроводниковых детекторов  дерного излучени / в частности к способу изготовлени  кремниевых поверхностно-барьерных детекторов .
Известные способы изготовлени  поверхностно-барьерных детекторов состо т из травлений рабочей поверхности подготовленного монокристалла и изготовлени  электрических контактов к рабочей и противоположной стороне кристалла, причем изготовление надежного электрического контакта к рабочей поверхности детектора  вл етс  наиболее технологически сложной операцией.
Широкое распространение получил способ изготовлени  полупроводниковых детекторов с применением эпоксидных смол.
Основным недостатком этого способа  вл етс  то, что при понижении температуры окружающей среды ниже детекторы выход т из стро  из-за механических повреждений так как коэффициенты объемного и линейного расширени  у кремни  и эпок .сидной смолы разные. К недостаткам следует отнести и большую общую тол
щину промышленных детекторов 5 мм при толщине чувствительной области 0,025-0,200 r-iM.
Наиболее близким по технической
5 сущности к предлагаемому  вл етс  способ изготовлени  поверхностнобарьерных детекторов путем наложени  на протравленную поверхность монокристалла изолирующего материала,
10присоединени  к изолирующему материалу металлической пластины, служащей переходным электрическим контактом , изготовлени  плавного перехода между протравленной поверхностью
5 кристалла и металлической пластиной и последующего вакуумного напылени  К протравленному и промытому в деионизованной воде монокристаллу кремни  с двух сторон приклеивают
20 клеем БФ-2, который  вл етс  одновременно и изолирукидей пленкой, металлические пластины, конкретно листочки из медной фольги толщиной 0,1 мм таким образом, чтобы клей
25 обеспечивал плавный переход с кристалла на медную фольгу, полимери . клей в сушильном шкафу, после чего на рабочую поверхность кристалла , выступающую часть кле  и мерную
30 фольгу вакуумным напылением нанос т слой золота на обе стороны пластины .и затем детектор заделывают в пластмассовую оправу, использу  клей БФ-2, полимерйзуемый в сушильном шкафу.
К недостаткам этого способа следует отнести то, что из-за слабого сцеплени  кле  БФ-2 с травленной поверхностью кремни  контакт к поверхности при небольших механических воздействи х легко нарушаетс . Контакт к поверхности при охлаждении детекторов до температуры жидкого гели  также нарушаетс . Из-за,необходимосГи помещать детектор в пластмассовую оправу увеличиваетс  количество конструкционных материалов, рассеивающих  дерное излучение.
Целью изобретени   вл етс  получение надежных контактов к рабочей поверхности детектора, устойчивых к механическим воздействи м и низким температурам и уменьшение количества конструкционных материалов, рассеивающих  дерное излучение, т.е. упрощение конструкции. «.
Поставленна  .цель достигаетс  тем что в качестве изолирующего .и склейвающего материала используют полимерную пленку, например, поливинилбутераль , сборку, полученную после наложени  металлической пластины, нагревают под небольшим давлением до температуры разм гчени  пленки, охлаждают и вакуумным Напылением на часть полимерной пленки, выступившую при нагревании между кристаллом и металлической пластиной, рабочую поверх .иость детектора и внешнюю поверхност пластины нанос т слой металла.
На чертеже схематически показан детектор, изготовленный предлагаемым способом.
На протравленный и обработанный обычным способом кристалл кремни  1 накладывают с обеих сторон кольца из полимерной пленки .2, например поливинилбутерал , причем внутренний диаметр кольца определ ет, рабочую поверхность детектора. На пленку накладывают кольца из посеребренной латунной фольги 3, соответствующие размерам колец из пленки. Полученную сборку нагревают под небольшим давлением 0,1 кГ/см до температуры разм гчени  поливинилбутерал  (160-180РС) и затем охлаждают до комнатной температуры. В результате тепловой обработки сэндвич склеивает с , верхн   и нижн   пленка оплавл ют боковую поверхность кристалла, а по периметру рабочей поверхности детектора выступает слой пленки 4, создающий плавный переход между рабочей поверхностью кристалла и металлической фольгой. На сборку с обеих сторон вакуумным напылением нанос т слой 5 металла, например золота. Толщина готового детектора составл ет 0,8 мм, рабоча  площадь равна 706 мм. Кольца из латунной фольги одновременно  вл ютс  и оправой детекторов В случае необходимостик оправе готовых детекторов производитс  пайка электрических контактов. Изготовленные предлагаемым способом детекторы были использованы дл  спектрометрии осколков делени . Отношение пика к провалу дл  спектра осколков делени 252 C-f составл ло 2,5-2,8, что сооветствует энергетическому разрешени 1%. Охлаждение изготовленных детекторов до температуры жидкого гели  не нарушало контактов к поверхности детектора. Повидимому, благодар  эластичности используемой полимерной пленки механические нарушени  из-за разных коэффициентов объемного и линейного расширени  кремни  фольги и полимерной пленки не возникают .
Предлагаемый.способ изготовлени  полупроводниковых детекторов позво л ет упростить технологию изготовлени  поверхностно-барьерных детекторо за счет уменьшени  числа технологических операций и за счет простоты обращени  с полимерной пленкой, увеличить стойкость детекторов к механическим воздействи м, благодар  прочному и пластичному соединению полимерной пленки с кристаллом и обкладкой, изготовл ть детекторы, надежно работающие при охлаждении до температуры жидкого гели , существенно уменьшить количество конструкционных материалов, рассеивающих  дерное излучение, при работе в потоках короткопробежных зар женных частиц (осколков делени , сС - частиц ) использовать поочередно обе стороны кристалла в качестве входного окна детектора, в рамках единого простого способа изготовл ть детекторы различных конфигураций, необходимых дл  решени  конкретной экспериментальной задачи (например, дл  спектрометрических измерений . осколков делени   дра под действием зар женных частиц был изготовлен детектор площадью 19,6 отверстиемпосередине , через которое пропускалс  пучок протонов).
Способ позвол ет примерно в два раза сократить рабочее врем , необходимое дл  изготовлени  одного -детектора эа счет упрощени  технологии и в два раза сократить расход дорогосто щего материала, благодар  использованию обеих, сторон кремни  в качестве входного окна детектора.. Техническа  эффективность изобретени  заключаетс .в том, что предлагаемый способ позвол ет во много раз сократить количество рассеивающих конструкционных материалов, что
существенно повышает точность нейтронных измерений. Кроме того, в рамках единого простого способа открываютс  новые возможности дл  изготовлени  поверхностно-барьерных детекторов различных конфигураций и типов (dE/dx, двухсторонних с омическим контактом по боковой поверхности кремниевой шайбы и т.п.)
изобретени 
Формула
Способ изготовлени  кремниевого поверхностно-барьерного детектора путем наложени  на протравленную поверхность монокристалла изолирующего материала, присоединени  к изолирующему материалу металлической пластины, служащей переходным электрическим контактом, изготовлени  плавного перехода между протравленной поверхностью кристалла и металлической пластиной и последующего вакуумного напылени  металла, от-:, личающийс  тем, что, с целью повышени  надежности контактов к рабочей поверхности детектора, устойчивости к механическим воздействи м и низким температурам.и упрощени  конструкции, в качестве изолирующего и склеивающего материала используют полимерную пленку, преимущественно поливинилбутераль, сборку, полученную после наложени  металличейкой пластины, нагревают под давлением не более 0,3 атм до температуры разм гчени  пленки, охлаждают и вакуум5 ным напьшением на часть полимерной пленки, выступившую при нагревании между кристаллом и металлической пластиной, рабочую поверхность детектора и внешнюю поверхность пластины нанос т слой металла.
0
WA
1. уу . . .J., , 1,. ,. ..;.;-,./ . . .г , . -л - ..-,, ч V . t .«,:;;.
Г-. -. -. .-А У -. .. г.; .-.. . , -ч....- ,.; ,-f f .t
т.
5 1 I /
I I

Claims (1)

  1. Формула изобретения
    Способ изготовления кремниевого поверхностно-барьерного детектора . путем наложения на протравленную поверхность монокристалла изолирую- 15 щегО материала, присоединения к изолирующему материалу металлической пластины, служащей переходным электрическим контактом, изготовления плавного перехода между протравлен ной поверхностью кристалла и металлической пластиной и последующего вакуумного напыления металла, от-; личающийся тем, что, с целью повышения надежности контактов к рабочей поверхности детектора, устойчивости к механическим воздействиям и низким температурам.и упрощения конструкции, в качестве изолирующегои склеивающего материала используют полимерную пленку, преимущественно поливинилбутераль, сборку, полученную после наложения металлической пластины, нагревают под давлением не более 0,3 атм до температуры размягчения пленки, охлаждают и вакуумным напылением на часть полимерной пленки, выступившую при нагревании между кристаллом и металлической •пластиной, рабочую поверхность детектора и внешнюю поверхность пластины наносят слой металла.
SU762378741A 1976-07-01 1976-07-01 Способ изготовлени кремниевого поверхностно-барьерного детектора SU591084A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU762378741A SU591084A1 (ru) 1976-07-01 1976-07-01 Способ изготовлени кремниевого поверхностно-барьерного детектора

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU762378741A SU591084A1 (ru) 1976-07-01 1976-07-01 Способ изготовлени кремниевого поверхностно-барьерного детектора

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU591084A1 true SU591084A1 (ru) 1980-11-30

Family

ID=20667918

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU762378741A SU591084A1 (ru) 1976-07-01 1976-07-01 Способ изготовлени кремниевого поверхностно-барьерного детектора

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU591084A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2776345C1 (ru) * 2021-06-15 2022-07-19 Акционерное общество "Радиевый институт имени В.Г. Хлопина" (АО "Радиевый институт им. В.Г. Хлопина") Способ изготовления поверхностно-барьерных детекторов на кремнии n-типа проводимости

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2776345C1 (ru) * 2021-06-15 2022-07-19 Акционерное общество "Радиевый институт имени В.Г. Хлопина" (АО "Радиевый институт им. В.Г. Хлопина") Способ изготовления поверхностно-барьерных детекторов на кремнии n-типа проводимости

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4391491A (en) Passive electro-optic display cell and method of manufacturing thereof
WO2005083374A1 (ja) 赤外線センサ及びその製造方法
EP0883180B1 (en) Semiconductor device and wiring tape for semiconductor device
US6657201B2 (en) Cover plate having spacer lip with hermetic barrier for radiation imager and method of manufacturing same
US8263862B2 (en) Hermetic electrical ports in liquid crystal polymer packages
IT1144882B (it) Dispositivo a semiconduttore e procedimento per la sua fabbricazione
JP2603543B2 (ja) 電子部品用接着テープ
SU591084A1 (ru) Способ изготовлени кремниевого поверхностно-барьерного детектора
JPS6212454B2 (ru)
JPH0536966A (ja) 半導体装置
CN109399552B (zh) 一种微机电系统红外探测器的制作方法
US3794883A (en) Process for fabricating ge:hg infrared detector arrays and resulting article of manufacture
KR101093997B1 (ko) 표면 온도 측정을 위한 온도 센서
JPS5524405A (en) Magnetoelectric conversion element and its manufacturing process
JPS5728244A (en) Manufacture of gas sensor
JPH0196548A (ja) センサ素子
JPS5742022A (en) Liquid crystal display device
CN113488447B (zh) 一种半导体用高稳定性封装结构
JP3086305B2 (ja) センサー及びその製造方法
JPH02264444A (ja) 半導体装置の実装方法
JPS56105670A (en) Semiconductor device
JPS5685832A (en) Semiconductor device
JPS6177729A (ja) 熱電堆型赤外検出素子の製造方法
JPH0260149A (ja) 半導体パッケージ
JP2000171294A (ja) シリコン赤外線透過窓、その製造方法および赤外線検知素子用気密パッケージ