SU520674A1

SU520674A1 - Источник напр жени смещени

Info

Publication number: SU520674A1
Application number: SU2100061A
Authority: SU
Inventors: Юрий Петрович Деркач; Владимир Павлович Рева; Александр Михайлович Торчинский; Олег Сергеевич Фролов
Original assignee: Предприятие П/Я Х-5737
Priority date: 1975-01-06
Filing date: 1975-01-06
Publication date: 1976-07-05

Description

(54) ИСТОЧНИК НАПРЯЖЕНИЯ СМЕЩЕНИЯ

I

Изобретение относитс к микроэлектроннике, в частности к устройствам, вырабатывающим задан- . нее посто нное напр жение; может найти применение дл согласовани по уровн м сигналов входных цепей высокопороговых МДП интегральных схем с выходными цеп ми интегральных схем на бипол рных транзисторах. Они включаютс либо непосредственно во входную цепь МДП интегральных схем (выходное напр жение источника подаетс на затвор МДП транзистора, который одновременно вл етс входом схемы); либо цепь смещени и входна цепь раздел ютс (выходное напр жение источника подаетс на затвор МДП транзистора, а входом служит исток МДП транзистора).

В качестве датчика напр жени смещени обычно используютс резистивные делители и делители на МДП транзисторах с посто нным смещением на затворах.

Известен источник напр жени смеще|ш lia двух последовательно соединенных МДП транзисторах , в котором затвор сток первого транзистора подсое;цш%ны к шиие источника напр жени пнтаии , затвор второго транзистора соединен с истоком первого .

Цель изобретени - расщирение пределов выходного напр жени и повь1шеиие стаб1 льности напр жени смещени .

В предлагаемом источнике напр жени смещени между затвором и стоком второго транзистора включена цепочка из последовательно соединенных в пр мом направлении полупроводниковых диодов; упом нута цепочка может быть образована из р- п переходов эмиттер - база бипол рных транзисторов, коллекторы которых соединены с истоком второго транзистора.

Данное описание составлено иа примере р-канальной МДП интегральной схемы.

На фиг. I представлена принципиальна электрическа схема источника напр жени смешени ; на фиг. 2 - модернизироваина принципиальна электрическа схема.

Источник напр жени смещени содержит транзистор 1, цепочку из п диодов 2 .... 2

ta транп

Claims

зистор 3. Затвор и стмс транзистора 1 соединены с :щииой питаии , затвор транзистора 3 соединен с исто;Ком транзистора 1. Между затвором и стоком транзистора 3 (выходом cxeMbi) в даниом случае включ« ;ио п диодов в пр мом направлении. Если крутизиа транзистора 3 во много раз больше крутизны траизистора 1, в истоке транзистора 1 напр жение примерно равно пороговому, а следовательно, на выходе источ ншса напр жение меньше порогового на суммарное падение напр жени на пр мосмещенных диодах. Это напр жение позвол ет надежно согласовать бипол рные и МДП интегральные схемы. Таким образом, подбором соотношени крутизны транзисторов и выбором числа последовательно включенных диодов выходное напр жение можно измен ть в широких пределах как выше, так и ниже порогового напр жешм МДП транзистора. i Колебани выходного напр жени такого источjmnca относительно порогового, обусловленные разбросом величины порогового напр жени , его зави-; симостью от температуры и нестабильностью, нестабильностью напр жешш питани , уменьшаютс с росТОМ отношени транзисторов. Поэтому повышение стабильности выходного напр жешш св занос вег. личением размеров одного или обоих транзисторов). Схема, приведешт на фиг. 2, позвол ет получить высокую стабильность выходного напр жени источника напр жени смещени при минимальн 1Х размерах транзисторов. Здесь вместо диодов иcпoль зованы бипол рные транзисторы. В зтом источнике напр жени смешени один или несколько бипол рных транзисторов 2 j ... чёны таким образом, что эмиттер первого соедакен о истоком первого МДП транзистора, эмиттер каждого последующего с базой предыдуи зго, база последнего вл етс стоком второго МДП транзистора, об-щим коллектором служит подложка. Ток, протека1ЮЩИЙ через МДП транзистор 3 - это базовый ток последаего бипол рного транзистора; он меньше тока , протекающего через МДП транзистор 1, - эмиттерного тока первого бипол рного транзистора, в 1.,5-----Рп.™е jb,g,,|bj...., - коэффициенты усилени по току в схеме с общим коллектором соответственно первого, второгоп-ного бипол рных транзисторов. Если в источнике напр жени смещени применены два бипол рных транзистора (на выходе такого датчика напр жение ниже порогового на 1-1,5 в), обычно fi составл ет величину пор дка 50+100. Поэтому , если МДП - транзистор 1 выбрать единичным С /L 1) , то в схеме, изображенной на фиг. 2, размер МДП транзистора 3 может быть уменьшен в 250+1000 раз по сравнению с его размерами дл схемы , изображенной на фиг. 1. Така схема выполн етс на одной полупроводниковой подложке и в общем технологическом щжле с МДП и интегральными схемами. Формула изобретени 1.Источник напр жени смещени на двух последовательно соединенных МДП транзисторах, в котором затвор и сток первого транзистрра:подсоединены к шине источника напр жени питани , затвор второго транзистора соединен с истоком первого,; отличающийс тем, что, с целью рарщирени пределов выходного напр жени , между затвором и стоком второго транзистора включена цепочка последовательно соединенных в пр мом направлении ;полуп 5оводниковых диодов.
2. Источник напр жени смещени по п.1, о tличающи ,йс тем, что, с целью повьппени стабильности напр жени смещени , упом нута цепочка образована из соединенных между собой р - п - переходов экшттер - база бипол рных транзистсфов, .коллекторы которых соединены с истоком второго транзистора.