SU517085A1 - Буферный каскад - Google Patents

Description

(54) БУФЕРНЫЙ КАСКАД

1

Изобретение относитс  к полупроводниковой электронике и может быть использовано в качестве буферного каскада в импульсных интегральных схемах, в частности, в схемах приборов с зар довой св зью (ПЗС).

Известный буферный каскад, облада  вы- срким,входным импедансом и низким выходным , позвол ет согласовывать высокий выходной импеданс различных схем- с низким импедансом нагрузки. Известны буферные каскады на однотипных} бйпол$фных илиМДПтранзисторах , на комплементарных парах МДП-или бипол рных транзисторов. Однако в раде случаев более удобны схемы, содержащие одновременно н бипол рные и МДП- транзисторы.

В известном буферном каскаде использован эмиттерный повторитель на бипол рном транзисторе, нагрузкой которого служит

МДП|-транзистор. Затвор МДП- ранзистора соединен с шиной питани , на которую поданы тактовые нмпульсы, причем эмиттер бипол рного транзистора присоединен к истоку МД11-транзистора.

Недостатком этого устройства  вл етс  потребление мощности во врем  подачи тактовых импульсов, что снижает экономичност схемы.

Цель изобретени  - повышенна экономичности буферного каскада.

Поставленна  цель достигаетс  тем, что в буферном каскаде, содержащем МДП-транзнстор и бипол рный транзистор, эмиттер. ..Которого соединен с истоком МДП-транзистора , затвор МДП-транзистора соединен с базой бипол рного.

На фиг. 1 приведена электрическа  схема предложенного каскада; на фиг., 2 - реализаци  этой схемы на полупрюводниковой подложке .

Буферный каскад содержит бипол рный транзистор 1 и МДП-транзистор 2. Коллектором бипол рного транзистора  вл етс  по1лупроводникова  подложка 3, например, п типа проводимости, базой 4 - область р типа , эмиттером 5 - области ц -типа проводимости . Исток 6 и сток 7 образованы област ми .И -типа, между которыми на слое, окисла 8 расположен затвор 9.