SU517054A1 - Резистивный материал - Google Patents

Description

Известны, резистивные материалы на ос.нове стеклообразуюших окислов Si О Na О, . , СаО, РЬ О, Зг.им материалам присущи температурна  нестабильность, повышенна  э. д. с. шумов и недостаточное удельное сопротивление (не более 30-40 ком/кв). Кроме того, структура покрыти  неоднородна из-за неоднородного распределени  окисной и провод щей фаз. Это, в свою очередь, вызывает большой разброс резисторов по номиналам и, как следствие, малы,й процент выхода год ных в производстве, что значительно удорожает их себестоимость. С целью расширени  диапазона номиналов и получени  низких значений ТКС, пред лагаемый материал содержит составные части в следующих количествах (вес. %): 5,3-30,0 3,8-10,7 9,2-16,7 В результате термической обработки все компоненты материала образуют стеклообразную фазу. Это происходит до нанесени  резистивного покрыти . Предварительное тщательное перемешивание компонентов и обработка при температуре плавлени  шихты позвол ют достичь высокой гомогенизапии материала. Из полученного данным способом материала образуют известными методами резистрвные элементы необходимой толщины и формы, после чего обработкой их при температурах выше 350°С в восстановительной газовой среде в течение заданного времени получают необходимый номинал сопротивлени  этих элементов. Во врем  термической обработки стеклообразных резистивных элементов в восстановительной среде водород, облада  большой проникающей способностью, однородно распредел етс  по объему элементов и восстанавливает окислы свинца до металла в той

степени, кака  необходима дл  получени  заданной электропроводности элементов. При этом свинеп, наход сь в атомарной или коллоидальной форме, хорошо распредел етс  по объему резистивного элемента, что обеспеч.ивает высокий выход годных резисторов в номинал и повышенную их надежность . Таким образом, регулиру  температуру резистивных элементов и продолжительность отжига в водороде или другой вос становительной газовой среде, можно с высокой воспроизводимостью получать необходимое электросопротивление этих элементов.

При выходе элементов из номинала в более низкоомную область их можно нодбгнать в номинал отжигом в окислительной среде.

В пленочном варианте резистивный материал и вышеописанна  технологи  позвол5ь ют получать удельны.е сопротивлени  покрытий от 5-10 ом/кв до 100 50 ком/кв и ТКС от (2-3)-10-4 до )-10-4 градПомимо этого на одном и том же материале можно перекрывать большой диапазон номиналов сопротивлений - от нескольких ом до дес тков и сотен мегом.

Резистивный материал дает возможность получать из одного и того же материала резисторы, с широким диапазоном номиналов сопротивлений при малой стоимости и сравнительно низких значени х ТКС, может npi мен тьс  дл  изготов е.ни  толстопленочных и тонкопленочных резисторов широкого назначени  .

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   Резистивный материал на основе стекло-образуюших окислов SiO , , CaO,

   РЬ О, Na О и , о т л и ч а ю ш и йс   тем, что, с целью расширени  диапазона ном.иналов и получени  низких значений ТКС, он содержит указанные компоненты в следующих количествах (вес, %);

   54,5-71,5 ОД-1,7 0,,3

   5,3-30,0 3,8-10,7

   9,2-16,7