JPS58131702A - 厚膜温度感応素子及びそれを製造するための方法及び材料 - Google Patents
厚膜温度感応素子及びそれを製造するための方法及び材料Info
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- JPS58131702A JPS58131702A JP58009251A JP925183A JPS58131702A JP S58131702 A JPS58131702 A JP S58131702A JP 58009251 A JP58009251 A JP 58009251A JP 925183 A JP925183 A JP 925183A JP S58131702 A JPS58131702 A JP S58131702A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の背景
本発明は1g膜温度感応票子に関し、より詳しくは比較
的高い正の抵抗の温度係数、比較的高い抵抗率及び高度
に書影な抵抗対温度特性を有するガラス質エナメル(以
下はうろうという)抵抗体型電気的温度感応素子及びそ
第1を製造′するための方法及び材料に関する。
的高い正の抵抗の温度係数、比較的高い抵抗率及び高度
に書影な抵抗対温度特性を有するガラス質エナメル(以
下はうろうという)抵抗体型電気的温度感応素子及びそ
第1を製造′するための方法及び材料に関する。
一般的に、lまうろう抵抗体形の1*膜膜結晶感心素子
はガラスの膜を有す木基材及びガラス膜中に包埋されそ
の全体に分散されている碑イ性は料の粒子よりなる。こ
れらの素子は先ずガラス7リツトと導電性材料の粒子と
の混合物を形成して作成される。この混合物1−材に1
脅iし、ガラスフリットが酸化する温度で焼成する。1
1It、ν鴎及び貴金属酸化物を利用するもののような
成る櫨のガラ、ス實抵抗体は虐化性′#囲気内で焼成し
て作られるのに対し、非金鴎及び非金嬌酸化吻、ボウ化
1勿及び窒化物を利用するものなどのその他のがラス′
1iit机抗体は非酸化性環境内で焼成して形成される
。冷却時にガラスが固化し、専1に、性粒子をその中に
會むガラス膜を有する抵抗体を形成する。
はガラスの膜を有す木基材及びガラス膜中に包埋されそ
の全体に分散されている碑イ性は料の粒子よりなる。こ
れらの素子は先ずガラス7リツトと導電性材料の粒子と
の混合物を形成して作成される。この混合物1−材に1
脅iし、ガラスフリットが酸化する温度で焼成する。1
1It、ν鴎及び貴金属酸化物を利用するもののような
成る櫨のガラ、ス實抵抗体は虐化性′#囲気内で焼成し
て作られるのに対し、非金鴎及び非金嬌酸化吻、ボウ化
1勿及び窒化物を利用するものなどのその他のがラス′
1iit机抗体は非酸化性環境内で焼成して形成される
。冷却時にガラスが固化し、専1に、性粒子をその中に
會むガラス膜を有する抵抗体を形成する。
これらの素子にW気的接続を与えるためKはそれらの抵
抗膜の各末端に尋′4L性端子をd’iけるのが望まし
い。従来、米国待&’f 3,358,362号に關不
されるように、はうろう抵扮0体の端子はニッケル或い
は銅などの金属の膜の無電解メッキにより設けられてき
た。しかしながら、その様な無電解金属膜の熾子は成る
種のほうろう抵抗膜と相客れないことが見出された。そ
の様な抵抗体膜に電気的接続を行うためには、昏のよう
な貴金属が別の方法で通常適用される。
抗膜の各末端に尋′4L性端子をd’iけるのが望まし
い。従来、米国待&’f 3,358,362号に關不
されるように、はうろう抵扮0体の端子はニッケル或い
は銅などの金属の膜の無電解メッキにより設けられてき
た。しかしながら、その様な無電解金属膜の熾子は成る
種のほうろう抵抗膜と相客れないことが見出された。そ
の様な抵抗体膜に電気的接続を行うためには、昏のよう
な貴金属が別の方法で通常適用される。
従来bl造されてきた会戦導電性材料を有する厚模温度
感応票子は特性的に比較的低い抵抗の温度係数或いは1
オ一ム/平方未満の低い抵抗率な有するものであった。
感応票子は特性的に比較的低い抵抗の温度係数或いは1
オ一ム/平方未満の低い抵抗率な有するものであった。
鉄金補粒子が単独で導電体として用いられた場合のよう
に、素子が比較的高い抵抗の温度係数及び1オーム/平
方より大きい抵抗率の両者を与える場合には、ガラス質
抵抗体膜は、ら旋pt形成加工(スノぐイラル)によっ
て加工して所望の抵抗を有する素子を与えることができ
ない。比較的高い抵抗の温度係数を与えるととに加えて
、素子の電流を自ら制限するようKするためKは、係数
が正でちることが望ましい。何故ならばその様な場合に
は、抵抗が電流の増大及びその結果の温度上昇と共に増
大するからである。素子を温度の小さな9化に対して補
い感−を辱えるのに十分に高い抵抗を有するようにJJ
ijiするためKは、高い抵抗率もに必須である。K、
特別な且つ費用のかかる補償I1.lJ @網を必要と
することなく正確な温度表示を4身−るためには、−5
5−C〜+150℃の温度範囲にわたって高N二に線形
な温度に対する抵抗のf(ヒを有することが望ましい。
に、素子が比較的高い抵抗の温度係数及び1オーム/平
方より大きい抵抗率の両者を与える場合には、ガラス質
抵抗体膜は、ら旋pt形成加工(スノぐイラル)によっ
て加工して所望の抵抗を有する素子を与えることができ
ない。比較的高い抵抗の温度係数を与えるととに加えて
、素子の電流を自ら制限するようKするためKは、係数
が正でちることが望ましい。何故ならばその様な場合に
は、抵抗が電流の増大及びその結果の温度上昇と共に増
大するからである。素子を温度の小さな9化に対して補
い感−を辱えるのに十分に高い抵抗を有するようにJJ
ijiするためKは、高い抵抗率もに必須である。K、
特別な且つ費用のかかる補償I1.lJ @網を必要と
することなく正確な温度表示を4身−るためには、−5
5−C〜+150℃の温度範囲にわたって高N二に線形
な温度に対する抵抗のf(ヒを有することが望ましい。
発明の績要
従って、本発明の目的は新規温度感応素子及びそれを製
造するための方法及び材料を提供することである。
造するための方法及び材料を提供することである。
本発明のもう一つの目的は、比較的高い正の抵抗の温度
係数を有する新規温度感L+’Ai f及びそれを製造
するための方法及び材料?提供することである。
係数を有する新規温度感L+’Ai f及びそれを製造
するための方法及び材料?提供することである。
本発明のもう一つの目H′Jは、比軟的・−石い正の抵
抗の温度係数及び抵抗膜を何するほうろう質抵抗体型の
新規厚模温度感応素子及びそれを製造するための方法及
び材料ヲ樟供することである。
抗の温度係数及び抵抗膜を何するほうろう質抵抗体型の
新規厚模温度感応素子及びそれを製造するための方法及
び材料ヲ樟供することである。
本発明のもう一つの目的は比較的高い1tの机抗の温度
係数及び抵抗率を有し、ら旋溝形成加工により素子に望
ましい抵抗を与えることのできるほうろう質抵抗体形の
新規厚膜温度感応菓子及びそれを製造するための方法及
び材料を提供することである。
係数及び抵抗率を有し、ら旋溝形成加工により素子に望
ましい抵抗を与えることのできるほうろう質抵抗体形の
新規厚膜温度感応菓子及びそれを製造するための方法及
び材料を提供することである。
本発明のもう一つの目的は、比較的高い正の抵抗の温度
係数、比較的高い抵抗率及び−I℃〜+150℃の温度
範囲にわたって高度に線形な抵抗対温度特性を与えるた
めに金属合金を利用する温度感応素子及びそれを製造す
るための方法反び材料を桿倶することである。
係数、比較的高い抵抗率及び−I℃〜+150℃の温度
範囲にわたって高度に線形な抵抗対温度特性を与えるた
めに金属合金を利用する温度感応素子及びそれを製造す
るための方法反び材料を桿倶することである。
本発明のもう一つの目的は比較的安全な焼成雰囲気内で
v令され制御することのできる特性を有することが0■
能であり、容易に加工されて素子の所望の抵抗を与える
ことができ、且つ比較的安価な材料を)り用する高品質
の温度s応菓子を製造するための新規な方法及び材料を
揚傷することである。
v令され制御することのできる特性を有することが0■
能であり、容易に加工されて素子の所望の抵抗を与える
ことができ、且つ比較的安価な材料を)り用する高品質
の温度s応菓子を製造するための新規な方法及び材料を
揚傷することである。
本発明のもう一つの目的は、無11w1メツキにより設
けられたニッケル或いは銅膜により端子な形成すること
のできるパラジウム及び−にυ)合金よりなる導電−を
含有するほうろうi@ 4K +Jl’、体型σ)新規
温度感応素子を枕供することである。
けられたニッケル或いは銅膜により端子な形成すること
のできるパラジウム及び−にυ)合金よりなる導電−を
含有するほうろうi@ 4K +Jl’、体型σ)新規
温度感応素子を枕供することである。
これらの目的は、ガラスフリットと、・ンラジウム及び
鉄を含有する粒子との演台物の被嬶を基材に設けること
により速成される。基材及び被験は次いでガラスフリッ
トが軟化する700℃〜1100℃の温度において非酸
化性、中性或いは逮元性雰囲気内で加熱或いは焼成され
る。焼成昼間気は非酸化性であり例えばへJJウムアル
コ゛/及び4素などにより与えられる中性雰囲気ならび
に−fi(ヒ炭素及び配合ガスにより与ゼられる還)*
++:<囲気内である。破1114材は軟化及び抵抗体
ガラス111!嚇を得るための雰囲気及び暁!J+i、
湛用゛にLr、、じて異る時間間隔にわたって加熱さオ
Iる。冷ノ、′l1−fると籐材に強く結合し、・セラ
ノウム及び払の合金の2与&性粒子な膜全体に包埋し分
散したがラス暎が#成される。
鉄を含有する粒子との演台物の被嬶を基材に設けること
により速成される。基材及び被験は次いでガラスフリッ
トが軟化する700℃〜1100℃の温度において非酸
化性、中性或いは逮元性雰囲気内で加熱或いは焼成され
る。焼成昼間気は非酸化性であり例えばへJJウムアル
コ゛/及び4素などにより与えられる中性雰囲気ならび
に−fi(ヒ炭素及び配合ガスにより与ゼられる還)*
++:<囲気内である。破1114材は軟化及び抵抗体
ガラス111!嚇を得るための雰囲気及び暁!J+i、
湛用゛にLr、、じて異る時間間隔にわたって加熱さオ
Iる。冷ノ、′l1−fると籐材に強く結合し、・セラ
ノウム及び払の合金の2与&性粒子な膜全体に包埋し分
散したがラス暎が#成される。
この様にして形成された電気素子は例えば米国時ff3
,358,362号にjj載されるような熾研解メ・ツ
キ方法により抵抗体ガラス−4の一部に接触して適用さ
れるニッケル或いは銅膜により端子形成が可能である。
,358,362号にjj載されるような熾研解メ・ツ
キ方法により抵抗体ガラス−4の一部に接触して適用さ
れるニッケル或いは銅膜により端子形成が可能である。
従って本発明は方法の数個の工程及びその様な工程の1
以上のその他の工程の各々に対する関係。
以上のその他の工程の各々に対する関係。
及び以下の具体的説明において例示される特徴。
性質及び構成成分の相関関係を有する素子及びその端子
形成を含むものであり、本発明の範囲は特許請求の範囲
により示される。
形成を含むものであり、本発明の範囲は特許請求の範囲
により示される。
本発明の性質及び目的を十分に理解するために以下図面
により具体的に説明を行う。
により具体的に説明を行う。
見庄敗久弐貫
第1図において、本発明の実施態様である厚膜温度感応
素子10は基材12とこの基材の表面上の抵抗膜14を
含んでなる。基材12は棒状、の形状であってもよく、
セラ建ツク、アル建す或いは滑石磁器のような電気的絶
縁性材料により構成される。抵抗膜14は導電性材料圏
の粒子をその中忙包埋し、その全体にわたって均質に核
粒子が分散されているガラス[18よりなる。素子lO
は抵抗@14に接触して金稿端子膜16を含むことが出
来、その端子膜はニッケル或いは銅製でよく無電解メッ
キ法により適用することが可能である。
素子10は基材12とこの基材の表面上の抵抗膜14を
含んでなる。基材12は棒状、の形状であってもよく、
セラ建ツク、アル建す或いは滑石磁器のような電気的絶
縁性材料により構成される。抵抗膜14は導電性材料圏
の粒子をその中忙包埋し、その全体にわたって均質に核
粒子が分散されているガラス[18よりなる。素子lO
は抵抗@14に接触して金稿端子膜16を含むことが出
来、その端子膜はニッケル或いは銅製でよく無電解メッ
キ法により適用することが可能である。
材料加は会戦導電体を与える・9ラジウムと鉄の合金及
び抵抗材料を非酸化性、中性或いは還元性雰囲気におい
て焼成することにより得られるその他の任意の反応生成
物の粒子よりなる。この掛抗材料は、ガラスフリットと
)ぞラジウム及び鉄を含有する粒子との演台物よりなり
、焼成時にガラス膜18中に包埋されその全体にわたっ
て分散されるI9ラジウムと鉄の合金粒子を与える。こ
れらの粒子は焼成萌にはパラジウム或いは鉄或いはその
両者を金−或いは酸化物形態において或いはそれらの合
金或いはノ9ラジウム或いは鉄会戦に容易に這元可能な
化合物として含有することができる。導電性粒子の抵抗
膜14に存在する金層の全社は151量%−田重t%、
好ましくは約25曹菫%〜30電量%である。使用され
るガラスは抵抗材料の焼成の際に非酸化性、中性或いは
還元性雰囲気内で約700℃〜1100℃の温度で加熱
される間実質的に安定であり、適肖な軟化温度即ち合金
粒子の浴−点より低い軟化点を有する任意のガラスでよ
い。
び抵抗材料を非酸化性、中性或いは還元性雰囲気におい
て焼成することにより得られるその他の任意の反応生成
物の粒子よりなる。この掛抗材料は、ガラスフリットと
)ぞラジウム及び鉄を含有する粒子との演台物よりなり
、焼成時にガラス膜18中に包埋されその全体にわたっ
て分散されるI9ラジウムと鉄の合金粒子を与える。こ
れらの粒子は焼成萌にはパラジウム或いは鉄或いはその
両者を金−或いは酸化物形態において或いはそれらの合
金或いはノ9ラジウム或いは鉄会戦に容易に這元可能な
化合物として含有することができる。導電性粒子の抵抗
膜14に存在する金層の全社は151量%−田重t%、
好ましくは約25曹菫%〜30電量%である。使用され
るガラスは抵抗材料の焼成の際に非酸化性、中性或いは
還元性雰囲気内で約700℃〜1100℃の温度で加熱
される間実質的に安定であり、適肖な軟化温度即ち合金
粒子の浴−点より低い軟化点を有する任意のガラスでよ
い。
14.好ましいガラス類はバリウム、カルシウム及びそ
の他のアルカリ士頌ホウケイ陵ガラス類である。
の他のアルカリ士頌ホウケイ陵ガラス類である。
抵抗11114を作成するKは抵抗材料が先ずlllI
mされる。抵抗材料は、微細なガラスフリットと、ノ臂
ラジウム及び鉄を含有する粒子との会合物よりなる。こ
の抵抗材料はパラジウム及び鉄含有粒子と微細ガラスフ
リットとを一緒に演台して粉砕することにより、或いは
・ぐラジウム及び鉄を含有する粒子を予備粉砕してそれ
らを次いで微111ガラス7リツトと涜合粉砕すること
Kより調製することができる。或いは又、抵抗材料は/
9ラジウム金属及び鉄金嘱粒子を含有する粒子を予備粉
砕し、次いでそれらを非喰化性雰1気内においてsoo
’cで加熱して・々ラジウム及び鉄の合金粒子を形成
し、これ1次いでガラスフリットと会合扮砕して抵抗材
料な与えることkより調製することも可能である。
mされる。抵抗材料は、微細なガラスフリットと、ノ臂
ラジウム及び鉄を含有する粒子との会合物よりなる。こ
の抵抗材料はパラジウム及び鉄含有粒子と微細ガラスフ
リットとを一緒に演台して粉砕することにより、或いは
・ぐラジウム及び鉄を含有する粒子を予備粉砕してそれ
らを次いで微111ガラス7リツトと涜合粉砕すること
Kより調製することができる。或いは又、抵抗材料は/
9ラジウム金属及び鉄金嘱粒子を含有する粒子を予備粉
砕し、次いでそれらを非喰化性雰1気内においてsoo
’cで加熱して・々ラジウム及び鉄の合金粒子を形成
し、これ1次いでガラスフリットと会合扮砕して抵抗材
料な与えることkより調製することも可能である。
/臂うジウム及び鉄含有粒子の量は1選択された抵抗及
びその他の特性を与えるに必要な導電性粒子の量に厄じ
て含有されるが、15重1秀−◆迅直15の金属含量が
望ましく 5000ppm/℃以上の比較的高い抵抗の
温度係数、2オ一ム/半方以上のシート抵抗率及び−間
℃〜+150℃間の任意の100℃の温度間隔にして2
%未満の線形性からの抵抗の片よりを与える実質的に線
形の抵抗対温度の相関関係を得るためには25%〜関%
が好ましい。一般的1c、/e5ジウム金属金属対鉄金
地はパラノウム金礪がI重量%〜9C電#%の範囲で、
鉄金属が10重量%から70重量%の間で変えられて温
度感心素子のための異った特性を有する各1ガラス層を
与えることができる。Nk大の抵抗の温反廠数及びシー
ト抵抗率並びに高度に線形性の抵抗対温度の相関関係を
温度感応素子に与えるためには、パラジウム金塙は存在
する・臂ラジウム及び鉄金鴫の総重量に基づいて40重
t%〜8511t%のせで存在する。
びその他の特性を与えるに必要な導電性粒子の量に厄じ
て含有されるが、15重1秀−◆迅直15の金属含量が
望ましく 5000ppm/℃以上の比較的高い抵抗の
温度係数、2オ一ム/半方以上のシート抵抗率及び−間
℃〜+150℃間の任意の100℃の温度間隔にして2
%未満の線形性からの抵抗の片よりを与える実質的に線
形の抵抗対温度の相関関係を得るためには25%〜関%
が好ましい。一般的1c、/e5ジウム金属金属対鉄金
地はパラノウム金礪がI重量%〜9C電#%の範囲で、
鉄金属が10重量%から70重量%の間で変えられて温
度感心素子のための異った特性を有する各1ガラス層を
与えることができる。Nk大の抵抗の温反廠数及びシー
ト抵抗率並びに高度に線形性の抵抗対温度の相関関係を
温度感応素子に与えるためには、パラジウム金塙は存在
する・臂ラジウム及び鉄金鴫の総重量に基づいて40重
t%〜8511t%のせで存在する。
ガラスフリット及びノ9ラジウムと鉄を含有する粒子を
適当な媒体1例えば水、ブチルカルピトールアセテート
、ブチルカルピトールアセテートとドルオールの会合物
或いはその他の任意の全知の扮砕媒体中で粉砕して十分
に演台した後、幾らかの媒体を添加或いは除去すること
Kより、材料を基材121C塗布する所望の方法に適す
るように演台物の帖ItfA整を行う。抵抗材料は次い
で任意の所望の技術例えばブラシ′#i布、浸漬塗布、
スプレー塗布酸いはスクリーンステンシル塗布などの方
法により基材12に設けられる。II榎フィルム【次い
で好ましくは例えば150℃などの低温で約10分間加
熱して液体媒体を除去して乾燥する。次いで膜な約40
0℃以上の高温で加熱して媒体を焼去する。
適当な媒体1例えば水、ブチルカルピトールアセテート
、ブチルカルピトールアセテートとドルオールの会合物
或いはその他の任意の全知の扮砕媒体中で粉砕して十分
に演台した後、幾らかの媒体を添加或いは除去すること
Kより、材料を基材121C塗布する所望の方法に適す
るように演台物の帖ItfA整を行う。抵抗材料は次い
で任意の所望の技術例えばブラシ′#i布、浸漬塗布、
スプレー塗布酸いはスクリーンステンシル塗布などの方
法により基材12に設けられる。II榎フィルム【次い
で好ましくは例えば150℃などの低温で約10分間加
熱して液体媒体を除去して乾燥する。次いで膜な約40
0℃以上の高温で加熱して媒体を焼去する。
暖後にガラスが軟化する温度1通常700℃−1100
℃、好ましくは800℃〜950’Cにおいてヘリウム
、アルtン、窒素、−酸化炭素或いは配合ガスによって
礎供されるような非酸化性、不活性或いは還元性雰囲気
内において焼成される。抵抗膜14が基材12上に形成
され冷却された後導電性端子膜16を周知の方法により
無電解メッキにより基材上に設けることができる。
℃、好ましくは800℃〜950’Cにおいてヘリウム
、アルtン、窒素、−酸化炭素或いは配合ガスによって
礎供されるような非酸化性、不活性或いは還元性雰囲気
内において焼成される。抵抗膜14が基材12上に形成
され冷却された後導電性端子膜16を周知の方法により
無電解メッキにより基材上に設けることができる。
第2図は温度感応菓子中に存在するAラジウム/鉄合金
の金−導電体内のパラジウムの%の函数としての抵抗の
温度係数(TCR)のグラフである。
の金−導電体内のパラジウムの%の函数としての抵抗の
温度係数(TCR)のグラフである。
このグラフを与えるデータは、ノ9ラジウム金(イと鉄
金稠の全量が5〜:30%であり、残部がガラスである
温度#A応素子から得られたものである。グラフより、
25重量%の)にラジウムに対する2800ppm/”
Cの低い値から70重蝋%に対する5900ppm/℃
のビーク値まで増大することが判る。金属導電体中のパ
ラジウムの1瞭%を70〜92%に増大すると抵抗の温
度係数が減少する結果が得られる。はぼ2600 pp
rn/℃より大きな抵抗の温度係数が25%〜92%の
ノぞラジウムの%に対して示され、soooppmより
大きな抵抗の制置を糸数の値が40〜δ重置%のノ々ラ
ジウムの%に対し°C示される。
金稠の全量が5〜:30%であり、残部がガラスである
温度#A応素子から得られたものである。グラフより、
25重量%の)にラジウムに対する2800ppm/”
Cの低い値から70重蝋%に対する5900ppm/℃
のビーク値まで増大することが判る。金属導電体中のパ
ラジウムの1瞭%を70〜92%に増大すると抵抗の温
度係数が減少する結果が得られる。はぼ2600 pp
rn/℃より大きな抵抗の温度係数が25%〜92%の
ノぞラジウムの%に対して示され、soooppmより
大きな抵抗の制置を糸数の値が40〜δ重置%のノ々ラ
ジウムの%に対し°C示される。
第2図は又、グラフ上の各点の隣のカッコ中に抵抗の温
度係数に対応する温度感心素子の抵抗率を示す。6〜η
重量%の・ぞラジウムの全領域にわたって少なくとも4
.5オーム/平方の抵抗率が与えられるのに対し、・ぐ
ラジウム鉄合金中の70重量%に対する5900ppm
/℃のビーク’l’cR[K対してはその二倍の値即ち
9.0オーム/平方が与えられる。
度係数に対応する温度感心素子の抵抗率を示す。6〜η
重量%の・ぞラジウムの全領域にわたって少なくとも4
.5オーム/平方の抵抗率が与えられるのに対し、・ぐ
ラジウム鉄合金中の70重量%に対する5900ppm
/℃のビーク’l’cR[K対してはその二倍の値即ち
9.0オーム/平方が与えられる。
このデータは下記の実施例3に関連して説明される組成
物の・ぐラジウム金楓粒子及び酸化鉄粒子(Fe12.
)及びガラス7リツトよりなる抵抗材料から本発明に従
って作られた温度感応素子から得られたものである。抵
抗材料で僚覆された基材は900℃のピーク温度におい
て1時間半のサイクルで温容t%窒素及び15容量う水
素の配合ガス11囲気内において焼成された。但し、3
0 S70重t%の・qラジウムケ有する素子は%容量
%窒素及び5容量%水素の配合ガス雰囲気内で焼成され
た。しかしながら、第2図のゲラ7において得られ示さ
れた結果は材料の組成及びそれらの焼成及び加工条件K
11i6じて変化するものでちる。以下各種抵抗材料及
び焼成及び加工条件に対して得られた結果な示す。
物の・ぐラジウム金楓粒子及び酸化鉄粒子(Fe12.
)及びガラス7リツトよりなる抵抗材料から本発明に従
って作られた温度感応素子から得られたものである。抵
抗材料で僚覆された基材は900℃のピーク温度におい
て1時間半のサイクルで温容t%窒素及び15容量う水
素の配合ガス11囲気内において焼成された。但し、3
0 S70重t%の・qラジウムケ有する素子は%容量
%窒素及び5容量%水素の配合ガス雰囲気内で焼成され
た。しかしながら、第2図のゲラ7において得られ示さ
れた結果は材料の組成及びそれらの焼成及び加工条件K
11i6じて変化するものでちる。以下各種抵抗材料及
び焼成及び加工条件に対して得られた結果な示す。
lI
約混°喧量%のJラジウム金属粒子及び約16重量%の
鉄金晴粒子よりなる濱合物をブチルカル♂トールアセテ
ート溶媒中で♂−ルミルにより予備粉砕することにより
抵抗材料を作成した。これらの粒子を濾過し、次いで7
0℃で2時間乾燥し、−酸化炭素の雰囲気内で825℃
において2時間加熱して/ぐラジウム及び鉄の合金粒子
?形成した。これらの合金粒子を一酸化炭素の雰囲気内
で750℃において4日間焼鈍したが、しかし合金粒子
は還元性−酸化炭素雰囲気内で800℃で1時間+J[
l熱し、焼鈍を行うことなく調製することもできる。合
金粒子の各15ツチをそれぞれsows%及び7011
t盪%のガラスフリットと涜合し、これ、らの氾合すヲ
プチルカルビトール了セテ−)11体中においてゼール
ミルにより72時間粉砕し、抵抗材料を得た。ガラスフ
リットは48.5111%の酸化バリウム(Bad)。
鉄金晴粒子よりなる濱合物をブチルカル♂トールアセテ
ート溶媒中で♂−ルミルにより予備粉砕することにより
抵抗材料を作成した。これらの粒子を濾過し、次いで7
0℃で2時間乾燥し、−酸化炭素の雰囲気内で825℃
において2時間加熱して/ぐラジウム及び鉄の合金粒子
?形成した。これらの合金粒子を一酸化炭素の雰囲気内
で750℃において4日間焼鈍したが、しかし合金粒子
は還元性−酸化炭素雰囲気内で800℃で1時間+J[
l熱し、焼鈍を行うことなく調製することもできる。合
金粒子の各15ツチをそれぞれsows%及び7011
t盪%のガラスフリットと涜合し、これ、らの氾合すヲ
プチルカルビトール了セテ−)11体中においてゼール
ミルにより72時間粉砕し、抵抗材料を得た。ガラスフ
リットは48.5111%の酸化バリウム(Bad)。
7.7%の酸化カルシウム、 23.3%の酸化ホウ素
(B、0.)、及び20.7%の二酸化ケイ累<sto
□)より構成されたアルカリ土類ホウケイ酸塩でちった
。
(B、0.)、及び20.7%の二酸化ケイ累<sto
□)より構成されたアルカリ土類ホウケイ酸塩でちった
。
アルミナ棒を抵抗材料中に浸漬し、乾燥し、1分サイク
ルにわたってヘリウム雰囲気内で800℃のピーク温度
において焼成した。冷却した被e1111な個々の素子
の大きさに切りそれらの末端′VC端子vWkけた。こ
れらの温度感応素子に対する平均シート抵抗率及び抵抗
の温度係数(TCR)を下記の表xic示す、 表! 20 84/16 133 4420 30 114/16 6 5320 例川 鉄金用粒子の代りに酸化鉄粒子<vetoB)を用い。
ルにわたってヘリウム雰囲気内で800℃のピーク温度
において焼成した。冷却した被e1111な個々の素子
の大きさに切りそれらの末端′VC端子vWkけた。こ
れらの温度感応素子に対する平均シート抵抗率及び抵抗
の温度係数(TCR)を下記の表xic示す、 表! 20 84/16 133 4420 30 114/16 6 5320 例川 鉄金用粒子の代りに酸化鉄粒子<vetoB)を用い。
粒子をガラスフリットと演台する曖に予備温合及び合金
化をしなかった他は例Iと同様な方法で抵抗材料な作成
した。会合物の各Aツチをそれぞれ/臂うジウム金嘆と
鉄金属の全重量が23.5%、30%及び薗%であり、
ノ臂うジウム金諷対鉄金属の各種重量比である抵抗材料
を得た。抵抗材料で被覆した棹を85容量%N2及び1
5容t%H3の配合ガス写囲気内で750℃、SOO℃
及び900℃のビーI温度で1分サイクルで焼成した他
は例1と同様にして素子を作成した。これらの温度感応
素子の平均シート抵抗率及び抵抗のね闇係故(TCR)
を表■に示す。
化をしなかった他は例Iと同様な方法で抵抗材料な作成
した。会合物の各Aツチをそれぞれ/臂うジウム金嘆と
鉄金属の全重量が23.5%、30%及び薗%であり、
ノ臂うジウム金諷対鉄金属の各種重量比である抵抗材料
を得た。抵抗材料で被覆した棹を85容量%N2及び1
5容t%H3の配合ガス写囲気内で750℃、SOO℃
及び900℃のビーI温度で1分サイクルで焼成した他
は例1と同様にして素子を作成した。これらの温度感応
素子の平均シート抵抗率及び抵抗のね闇係故(TCR)
を表■に示す。
表 ■
23.5 75/25 750 550 45
008ON 150 6050 900 6 5750 23.5 1’13/17 750 470
54501’100 25K ±240090
0 570 5650 30 F14/16 750 28 62
00800 32 5400 900 6 5000 50 84/16 750 1 5500
F100 13 5800 9(’10 0.4 6000 例 ■ 抵抗材料が−・々ラジウム金−及び鉄金属導伝体のそれ
ぞれのatが15%、25%、30%及び60%及び5
0%ノeラジウム金輌対50%鉄金喝である他は例■と
同様にして抵抗材料を作成した。ガラスフリットは32
重II%の酸化バリウム、20重量ちの酸化ホウ* (
B、O,) 、 20重量の二酸化ケイ累(8i0.)
。
008ON 150 6050 900 6 5750 23.5 1’13/17 750 470
54501’100 25K ±240090
0 570 5650 30 F14/16 750 28 62
00800 32 5400 900 6 5000 50 84/16 750 1 5500
F100 13 5800 9(’10 0.4 6000 例 ■ 抵抗材料が−・々ラジウム金−及び鉄金属導伝体のそれ
ぞれのatが15%、25%、30%及び60%及び5
0%ノeラジウム金輌対50%鉄金喝である他は例■と
同様にして抵抗材料を作成した。ガラスフリットは32
重II%の酸化バリウム、20重量ちの酸化ホウ* (
B、O,) 、 20重量の二酸化ケイ累(8i0.)
。
4重量%の噴化アルミニウム(AI、O,)及び4重量
うの二酸化チタン(T + Oz )の組成を有してい
た。
うの二酸化チタン(T + Oz )の組成を有してい
た。
抵抗材料が9合ガス雰囲気内で700 ’C15oo
t、900℃及び1000℃のピーク温度においてI分
間のすイクルで焼成された他は例■と同様の方法で素子
を作成した。これらの温度感応孝子の平均シート抵抗率
及び抵抗の塩度係数(丁eR)は表厘に/ 表 10 1 5 900
参 −1
00055,147RO 25700本 F100 35.4
5250900 4.7
54001000
2.2 550030
900 3.7
552060
700 7.4
5050800 0°’ 505
0 900 0.4
52501000 0.3
5150申 非導電性 例■ ・ζラジウム金属対鉄金属の重量比がδ%/75%及び
92%/18%の間で変化させられた他はmJ ITと
同様にして抵抗材料を作成した。抵抗材料で被覆された
棒が全てめ容量%N2E1び15容量%町の配合ガス中
で(資)分間サイクルにわたって600℃において焼成
された他は例mと同様にして素子を作成した。これらの
温度感応孝子に対する平均シート抵抗率及び抵抗の温度
係a(Tcn)を表■に示す。
t、900℃及び1000℃のピーク温度においてI分
間のすイクルで焼成された他は例■と同様の方法で素子
を作成した。これらの温度感応孝子の平均シート抵抗率
及び抵抗の塩度係数(丁eR)は表厘に/ 表 10 1 5 900
参 −1
00055,147RO 25700本 F100 35.4
5250900 4.7
54001000
2.2 550030
900 3.7
552060
700 7.4
5050800 0°’ 505
0 900 0.4
52501000 0.3
5150申 非導電性 例■ ・ζラジウム金属対鉄金属の重量比がδ%/75%及び
92%/18%の間で変化させられた他はmJ ITと
同様にして抵抗材料を作成した。抵抗材料で被覆された
棒が全てめ容量%N2E1び15容量%町の配合ガス中
で(資)分間サイクルにわたって600℃において焼成
された他は例mと同様にして素子を作成した。これらの
温度感応孝子に対する平均シート抵抗率及び抵抗の温度
係a(Tcn)を表■に示す。
表■
25 25 6.5 2830
30 26 322 3900
50 15
傘 −5025
4,75400 50303,75520 50800,45250 70SO9” 5900 84 30 4.4 5180 118 30 6.4 4680 92 30 4.5 2550 傘非導雷性 ** 5%H3で焼成 例■ 材料の各パッチを25%、ヨ)%及び団%のそれぞれの
ノリフラム金―及び鉄金W&、4電体の約重着を有し、
ノ9ラジウム金一対欽金楓の各種割合を有するようにし
た他は例mと同様にして抵抗材料を作成した。水素含量
が5容量%及び15容暖%の配合ガスの雰囲気内におい
てI分すイ・クルに亘って700℃、900℃及び10
00℃のピークtM、度で破檀棒な焼成して例■と同様
にして素子を作成した。
傘 −5025
4,75400 50303,75520 50800,45250 70SO9” 5900 84 30 4.4 5180 118 30 6.4 4680 92 30 4.5 2550 傘非導雷性 ** 5%H3で焼成 例■ 材料の各パッチを25%、ヨ)%及び団%のそれぞれの
ノリフラム金―及び鉄金W&、4電体の約重着を有し、
ノ9ラジウム金一対欽金楓の各種割合を有するようにし
た他は例mと同様にして抵抗材料を作成した。水素含量
が5容量%及び15容暖%の配合ガスの雰囲気内におい
てI分すイ・クルに亘って700℃、900℃及び10
00℃のピークtM、度で破檀棒な焼成して例■と同様
にして素子を作成した。
これらの温間感応素子の平均シート抵抗率文び抵抗の温
度係数(TCR)を表■に示す。
度係数(TCR)を表■に示す。
例Vl
グレーズ層@A″′と称される抵抗材料を、材料の各ノ
々ツチが5%の・ぞラジウム金4及び鉄台11s4’f
l1体の全重量を有し、5o東躯・%・にラジウム金一
対(資)重量%鉄金属の比を有するようにした他は例■
と同様にして作成した。グレーズ1−B”と称される抵
抗材料を酸化鉄(Fe203)のip子の代りに金−鉄
粒子な用いた他はグレーズ層“Amの作成と同様にして
作成した。被覆棒を水素含酸が容量%で0%。
々ツチが5%の・ぞラジウム金4及び鉄台11s4’f
l1体の全重量を有し、5o東躯・%・にラジウム金一
対(資)重量%鉄金属の比を有するようにした他は例■
と同様にして作成した。グレーズ1−B”と称される抵
抗材料を酸化鉄(Fe203)のip子の代りに金−鉄
粒子な用いた他はグレーズ層“Amの作成と同様にして
作成した。被覆棒を水素含酸が容量%で0%。
1%、5%、15% 3i+%及び(資)%含有する谷
檀窒累雰囲気内において加分間900℃の温度で焼成さ
れた他は例■と同様にして素子を作成した。これらのT
M度感応本子の平均シート低抗率及び抵抗の例■ 抵抗材料が25%の・ぞラジウム金:・4校び獣舎に導
電体の全atを有し、加重t%・ンラノウム含補対50
11%鉄金頃比である他は列■と1ffIk、pにして
抵抗材料を作成した。第一区分の抵抗材料が85答−%
N2及び15容鰺%H2の配合ガス中において1時間サ
イクルにわたって850℃のピーク温度で焼成され、第
二区分の抵抗材料が95 ’8 kt%N2&び5容量
%H2の配合ガス中でI分すイクルにわたって900℃
のピーク温度において焼byされた他は例■と同様にし
て素子を作成した。
檀窒累雰囲気内において加分間900℃の温度で焼成さ
れた他は例■と同様にして素子を作成した。これらのT
M度感応本子の平均シート低抗率及び抵抗の例■ 抵抗材料が25%の・ぞラジウム金:・4校び獣舎に導
電体の全atを有し、加重t%・ンラノウム含補対50
11%鉄金頃比である他は列■と1ffIk、pにして
抵抗材料を作成した。第一区分の抵抗材料が85答−%
N2及び15容鰺%H2の配合ガス中において1時間サ
イクルにわたって850℃のピーク温度で焼成され、第
二区分の抵抗材料が95 ’8 kt%N2&び5容量
%H2の配合ガス中でI分すイクルにわたって900℃
のピーク温度において焼byされた他は例■と同様にし
て素子を作成した。
第一区分のグループlの温度感心素子をそれぞれレーザ
ーら旋溝形成加’IJ:より約500オームの全抵抗を
有するようにし、無11t解メツキによりニッケル端子
を設け、それに4電体リード@をはんだ付けし、成形ジ
ャケット内に包埋した。第一区分の他のグループ2及び
3はグループ2の素子が成形ジャケット内に包埋されず
、グループ3の装置がら旋溝形成加工されなかった他は
同様にして加工した。第二区分のグ〜−デ4の感応素子
はダイヤモンげら旋溝形成加工により形成された。温度
電化に伴う全抵抗の変化を示す5℃及び100℃におけ
るt(抗の平均値及び温度感応素子の作成方法に対する
肝容度を例示する抵抗の標準偏差及び偏差の%値を表■
に示す。
ーら旋溝形成加’IJ:より約500オームの全抵抗を
有するようにし、無11t解メツキによりニッケル端子
を設け、それに4電体リード@をはんだ付けし、成形ジ
ャケット内に包埋した。第一区分の他のグループ2及び
3はグループ2の素子が成形ジャケット内に包埋されず
、グループ3の装置がら旋溝形成加工されなかった他は
同様にして加工した。第二区分のグ〜−デ4の感応素子
はダイヤモンげら旋溝形成加工により形成された。温度
電化に伴う全抵抗の変化を示す5℃及び100℃におけ
るt(抗の平均値及び温度感応素子の作成方法に対する
肝容度を例示する抵抗の標準偏差及び偏差の%値を表■
に示す。
表 ■
平均イIK 標準+IJ−’rt +−差f直
鴇グループ1−レーザーら於を嘴形成加=[抵 抗(オ
ーム) 25℃ 491’l 3.71 0
.75100℃ 703 5.OFl
0.72’rCR(ppro/℃) 5489
28.5 0.52グループ2−レーザーら旋
満形成加ニー未成刑抵 a(オーム) 25℃ 498 3,24 0.651
00℃ 702 4.47 0.64’
rCR(1)pITl/’C) 5444 36
.2 0.66グループ3−非ら旋溝刑成加工 抵 抗(オーム) 25℃ 2.51’l 0.068 2
.64100℃ 3.62 0.095
2.62テCR(ppmlC) 5412 4
6.9 0.87グループ4−ダイヤモンドら旋
溝影成加工抵 担、(オーム) 25℃ 493 2.38 0.481
00℃ 6R93,490,51’rcR(p
pm/”C) 5326 25.5 0.4
F1例■ 全素子かに容量%N2及び15容t%H2の配合ガス内
で1時間サイクルにわたって850℃のピーク温度で焼
成された他は例■と同様にして抵抗材料及び素子を作成
した。これらの素子をレーザーら旋溝影成加工し、端子
を形成し、例■のグループlの装置と同様にジャケット
を付した。各グループの素子について、100℃の間隔
にわたる各種温度範囲の試験を行い素子より与えられる
温度の読みを記録し、試験された特別の温度範囲にわた
り[線からの読みの偏差より誤差を求めた。これらの温
度感応素子の温度範囲、最大温度誤差及び誤差の%値を
表■に示す。
鴇グループ1−レーザーら於を嘴形成加=[抵 抗(オ
ーム) 25℃ 491’l 3.71 0
.75100℃ 703 5.OFl
0.72’rCR(ppro/℃) 5489
28.5 0.52グループ2−レーザーら旋
満形成加ニー未成刑抵 a(オーム) 25℃ 498 3,24 0.651
00℃ 702 4.47 0.64’
rCR(1)pITl/’C) 5444 36
.2 0.66グループ3−非ら旋溝刑成加工 抵 抗(オーム) 25℃ 2.51’l 0.068 2
.64100℃ 3.62 0.095
2.62テCR(ppmlC) 5412 4
6.9 0.87グループ4−ダイヤモンドら旋
溝影成加工抵 担、(オーム) 25℃ 493 2.38 0.481
00℃ 6R93,490,51’rcR(p
pm/”C) 5326 25.5 0.4
F1例■ 全素子かに容量%N2及び15容t%H2の配合ガス内
で1時間サイクルにわたって850℃のピーク温度で焼
成された他は例■と同様にして抵抗材料及び素子を作成
した。これらの素子をレーザーら旋溝影成加工し、端子
を形成し、例■のグループlの装置と同様にジャケット
を付した。各グループの素子について、100℃の間隔
にわたる各種温度範囲の試験を行い素子より与えられる
温度の読みを記録し、試験された特別の温度範囲にわた
り[線からの読みの偏差より誤差を求めた。これらの温
度感応素子の温度範囲、最大温度誤差及び誤差の%値を
表■に示す。
表 1厘
温度軸−℃ 鰺大続度・II4寿 1差の%1飄75→
175 0.69℃ 0.3250→
151) 0.72℃ 0.322
5→125 1.13℃ 0.620
→100 1.45℃ 0.68−2
5→+75 −1.53℃ 0.98−
50→+50 −2.19℃ 1.55
上記例から抵抗体制料の組成及汁温度感L6素子の作成
方法における変化の本発明の温1(感応素子の雷電的特
性に及ぼす効果を見ることが出来る。
175 0.69℃ 0.3250→
151) 0.72℃ 0.322
5→125 1.13℃ 0.620
→100 1.45℃ 0.68−2
5→+75 −1.53℃ 0.98−
50→+50 −2.19℃ 1.55
上記例から抵抗体制料の組成及汁温度感L6素子の作成
方法における変化の本発明の温1(感応素子の雷電的特
性に及ぼす効果を見ることが出来る。
例1.If、m、fV及び■は全導電体含−を変えるこ
との効果及び例I、■、IVIび■は組成物のノラジウ
ム金属対鉄金艇の比を変化させることの効果を示す。例
■、■及び■はグレーズl!焼成温度及び雰1用気を変
えることの効果を下すのに対し、例■は焼成雰囲気の水
素含tをO−50%i%に変化させることの効果な示す
。例!は抵抗材料の金属導電性成分としての・ぞラジウ
ム及び鉄の合金粒子の使用を例示するのに対し、例■は
抵抗材料の構成成分として予備合金化されないノ々ラジ
ウム金属及び酸化鉄粒子の使用を例示し、例■及び■は
A9ジウム金属及び鉄金属粒子を抵抗材料の構成成分と
して利用するものである。例!は又、抵抗材料のヘリウ
ム雰囲気内での焼成による加工を例示するのに対し、!
Iりの例は温度感応素子な提供するために配合ガス及び
純粋窒素雰囲気の使用な例示する。例■及び糟及びそれ
らの表は焼成後に被覆基材をレーザーら型溝形成加工及
びダイヤモンドら旋a成形加工を含む各種加工技術によ
り遺成される本発明の素子により得られる読みの正確さ
を例示する。例■は又、ら型溝形成加工されなかった素
子及び試験目的のために未成形のら旋湾形紋加工された
素子のη性に関するデータも提供する。表■は100℃
の温間間隔の範囲にわたる最大温度斜差及び誤差の%値
を与える。この様に示されたー(資)℃及び175℃の
間の各100℃間隔について2%未満の最大誤差%僅が
達成されるのに対し%−5℃及び175℃の間の100
℃温度間隔に対しては1%未満の誤差が与えられる。、
、th、:度感心素子が高精度温度測定に利用される;
5には特にこの程度の線形性が最も望ましい。
との効果及び例I、■、IVIび■は組成物のノラジウ
ム金属対鉄金艇の比を変化させることの効果を示す。例
■、■及び■はグレーズl!焼成温度及び雰1用気を変
えることの効果を下すのに対し、例■は焼成雰囲気の水
素含tをO−50%i%に変化させることの効果な示す
。例!は抵抗材料の金属導電性成分としての・ぞラジウ
ム及び鉄の合金粒子の使用を例示するのに対し、例■は
抵抗材料の構成成分として予備合金化されないノ々ラジ
ウム金属及び酸化鉄粒子の使用を例示し、例■及び■は
A9ジウム金属及び鉄金属粒子を抵抗材料の構成成分と
して利用するものである。例!は又、抵抗材料のヘリウ
ム雰囲気内での焼成による加工を例示するのに対し、!
Iりの例は温度感応素子な提供するために配合ガス及び
純粋窒素雰囲気の使用な例示する。例■及び糟及びそれ
らの表は焼成後に被覆基材をレーザーら型溝形成加工及
びダイヤモンドら旋a成形加工を含む各種加工技術によ
り遺成される本発明の素子により得られる読みの正確さ
を例示する。例■は又、ら型溝形成加工されなかった素
子及び試験目的のために未成形のら旋湾形紋加工された
素子のη性に関するデータも提供する。表■は100℃
の温間間隔の範囲にわたる最大温度斜差及び誤差の%値
を与える。この様に示されたー(資)℃及び175℃の
間の各100℃間隔について2%未満の最大誤差%僅が
達成されるのに対し%−5℃及び175℃の間の100
℃温度間隔に対しては1%未満の誤差が与えられる。、
、th、:度感心素子が高精度温度測定に利用される;
5には特にこの程度の線形性が最も望ましい。
上記説明より、本発明の温度感応素子はその所望目的す
遺成し、・臂ラジウム及び鉄金属のような準貴金属材料
から作成することが出来、ら型溝形成加工により所望の
全抵抗を与えることができることが判る。この素子は又
焦11Ic解堆噴により適用することのできるニッケル
被覆により効率良く1子形成を行うことが出来る。この
温度感応素子は負の抵抗の温度係数な有する素子の陥り
がちな無拘束(run away)状態を防止するため
に望ましい正の抵抗の温度係数を与える。本発明の素子
は比較的低いノ々ラジウムの係数(はぼ3700)より
もむしろ純粋鉄の比較的大きい抵抗の温度係数(はぼ6
500pPm/℃である)Kより特徴付けられる。
遺成し、・臂ラジウム及び鉄金属のような準貴金属材料
から作成することが出来、ら型溝形成加工により所望の
全抵抗を与えることができることが判る。この素子は又
焦11Ic解堆噴により適用することのできるニッケル
被覆により効率良く1子形成を行うことが出来る。この
温度感応素子は負の抵抗の温度係数な有する素子の陥り
がちな無拘束(run away)状態を防止するため
に望ましい正の抵抗の温度係数を与える。本発明の素子
は比較的低いノ々ラジウムの係数(はぼ3700)より
もむしろ純粋鉄の比較的大きい抵抗の温度係数(はぼ6
500pPm/℃である)Kより特徴付けられる。
この素子は又抵抗の温度係数のピーク値に対[6する高
い値を有する比較的高いシート抵抗率によっても又特徴
付けられる。この性質は温度訓電素子用の十分に高い全
抵抗の温度感応素子を与えるのに燈も必須のものである
。適当な高い総抵抗を有する実用寸法の菓子を与えるた
め忙累子なレーザビーム或いはダイヤモンPを利用して
ら旋加工して機種抵抗材料を通してら型溝な切り込み素
子の両端子間に伸長路を設ける。純粋の・臂うジウムダ
レーズ−も4尾よくら旋加工することが出来るが。
い値を有する比較的高いシート抵抗率によっても又特徴
付けられる。この性質は温度訓電素子用の十分に高い全
抵抗の温度感応素子を与えるのに燈も必須のものである
。適当な高い総抵抗を有する実用寸法の菓子を与えるた
め忙累子なレーザビーム或いはダイヤモンPを利用して
ら旋加工して機種抵抗材料を通してら型溝な切り込み素
子の両端子間に伸長路を設ける。純粋の・臂うジウムダ
レーズ−も4尾よくら旋加工することが出来るが。
低い抵抗の温度係数及び低い抵抗率が得られる。
鉄粒子を倉荷するグレーズ#を使用すると所望の#Iな
切り込もうとするとグレーズ!−の導電回路網の破壊が
生じ、開放回路が生ずるので首尾よくら旋加工を行うこ
とが出来ない、しかしながら本発明の素子は鉄金属の高
い抵抗の温度係数及び抵抗率の利点な与えると共になお
ら旋加工を行5ことが可能である。本発明の素子は又水
素含量が5容量%〜15容置%の低い配合ガスを用いた
雰囲気内或いはその他の高度に安全な焼成条件を与える
雰囲気内で焼成するととKより望ましい性質な有するも
のを作成することが出来る。
切り込もうとするとグレーズ!−の導電回路網の破壊が
生じ、開放回路が生ずるので首尾よくら旋加工を行うこ
とが出来ない、しかしながら本発明の素子は鉄金属の高
い抵抗の温度係数及び抵抗率の利点な与えると共になお
ら旋加工を行5ことが可能である。本発明の素子は又水
素含量が5容量%〜15容置%の低い配合ガスを用いた
雰囲気内或いはその他の高度に安全な焼成条件を与える
雰囲気内で焼成するととKより望ましい性質な有するも
のを作成することが出来る。
この雫に、前記説明から明らかとなった諸目的のうち、
上記目的が効率よく達成されることが明らかにされ、又
上記物質及びb法において本発明の範囲から噛れること
なくちる種の常史を行うこ串とができるので、上記説明
に含まれる乍ての事項は例示のものと理解されるべきで
あり、限定的意味で叩解されてはならない。
上記目的が効率よく達成されることが明らかにされ、又
上記物質及びb法において本発明の範囲から噛れること
なくちる種の常史を行うこ串とができるので、上記説明
に含まれる乍ての事項は例示のものと理解されるべきで
あり、限定的意味で叩解されてはならない。
第1図は、無電解メッキ膜により末Q呂に憎子を設けら
れた本発明の温度感応素子の一部の断面図である。 第2図は、温度感応素子の金@専帆体中σル9ラジウム
の%の函鶴としての抵抗の温度係数(TCR)のグラフ
でちり、グラフEの各点に対するシート抵抗−がカッコ
内に示されている。
れた本発明の温度感応素子の一部の断面図である。 第2図は、温度感応素子の金@専帆体中σル9ラジウム
の%の函鶴としての抵抗の温度係数(TCR)のグラフ
でちり、グラフEの各点に対するシート抵抗−がカッコ
内に示されている。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、パラジウム及び鉄な含有する微細粒子とガラス7リ
ツトとの重合物よりなること′4r:特徴とする温度P
I1.応素子用材料。 2、基材と抵抗体よりなり、該抵抗体が基材の表面上に
ガラスの幌を含み、その膜内にはノ々ラジウムと鉄の合
金よりなるノ9ラジウムと鉄の導電性粒子が包埋され7
Wi全体にわたって分散されており、比較的高いとの抵
抗の温度係数及び高度に線形の抵抗対温度相開関係を有
することを特徴とするIf襖温度感応素子。 3、 Jf貞湯温度感応素子製造するにあたり、a)基
材の表面を・ぐラジウム及び鉄な含有する微細粒子とガ
ラスフリットとの重合物で禎覆する工程、 b)禮〜合物を非酸化性雰囲気内において、約700℃
〜1100℃の温噌二にて焼成しその中にパラジウムと
鉄の微粒子を含むガラスを軟化させる工程、及び C) [4基材を冷却してパラジウムと鉄の41[性
粒子がその全体にわたってf+ ftされたガラスの抵
抗体膜を形叡する工程 を含んでなること乞特畝とする1ダ羨庵蓑感L6素子の
製造方法。 4、a)基材の表面を・ゼラジウム咬び;妖を含何する
微細粒子とガラスフリットとの重合物で被覆し、 b)鎮涜合物を非噛化性奪囲コ≧ξ内において約700
℃〜1100℃の温度にて焼i戊し、そしてC) 被号
基材を冷却して・ぞラジウムと鉄の導電性粒子がその全
体にわたって分散されたガラスの抵抗体膜ex y 1
7にすることにより製省され、比較的高い正の抵抗の潟
岨係数及び傷度の線形の抵抗対温度相関〜4係を有する
ことを%徴とする1111じ1温度鯖応素子。 5、微細粒子が・9ラジウム粒子、鉄粒子及びこれらの
酸化物粒子ならびにパラジウムと鉄との合金の粒子より
なる群から1ばれる!IFFfi求の範囲第1項(ピ軟
の材料、@3項記載の方法或いは第4項記載の厚膜温度
感応素子。 6、微細粒子の・ぐラジウム及び鉄がvI涜会合物中約
15%〜h5%の合計重量を有する奮で存在する特IF
F祠衣の範囲第1項記載の方法、*いは第2項記載の厚
膜温度感応素子。 7、微細粒子の)臂ラジウム及び鉄が該会合蜀中に約δ
%〜;幻%の合計重量を有するIIIKて存在する%F
F請求の範囲第1項記載の材料、第2項記載の#嗅堪度
感応累子、第3項記載の方法或いは第4項一1シ戴の厚
膜温度感応素子。 8、微細粒子のパラジウム醍び鉄の全重量に基づいてパ
ラジウムが約30%〜%%の量で存在し、鉄が約lθ%
〜70%の量で存在する%lFF請求の範囲第1項シ載
の材料、第2項記載の厚膜温度感応素子、第3項記載の
方法或いは第4項記載の厚膜温度y応累子。 9、微細粒子のパラジウム及び鉄のへと小壜に基づいて
Ieラジウムが約15%〜犯%で存在し、鉄が約15%
〜犯%の瞳で介゛在する特訂侍秋の範囲第1項記載の材
料、第2項記載のt!v嚇渦度感応素子、第3項記載の
方法或いは第4鳴記成のDJ物湿温度感応素子 】O紋溜合物中に微細粒子の・ゼラノウム及び鉄が約1
5%〜65%の合計litを有する罎にて存在し。 微細粒子のパラジウム及び秩の全、K171に基づいて
ノやラジウムが1%\%%で存在し、鉄が10%N70
%の橡で存在する特許請求の範囲第1項記載の材料、第
2項記載の厚嗅温す感1L、素子、第3項記載の方法或
いは第4墳記載の厚膜温度感応素子。 11、該溶合物中に微細粒子のパラジウム及び鉄が約2
5%S30%の合計IL讐をりするkにて存在し、微細
粒子のパラジウ台及び鉄の全[iに基づいて・9ラジウ
ムが40′ン〜85%で存在し、鉄が15〜50%の量
で存在する%奸請求の帷囲第1墳記載の材料、82項記
載の廖喚温度感【6本子、第3項記載の方法或いは第4
項記載の厚膜温度感応素子。 12、ガラスフリットがアルカリ土類ホウケイ酸塩ガラ
スのフリットである%W’fM11求の範囲第1項記載
の材料、第3項記載の方法或いは第4項記載の厚膜温度
感応素子。 13、基材上に特許請求の範囲第1XA紀載の材料を焼
成して形成される温度感応素子。 14、少なくとも約4000ppm/℃の正の抵抗の温
度係数及び少なくとも2Ω/平方のシート抵抗率を与え
る特lff請求の範囲第2項又は第4項記戦の温度感応
素子。 15、該混合′物中に微細粒子の79ラジウム及び鉄が
約15%〜fi5%の合計重量を有する量にて存在し、
微細粒子のパラジウム及び鉄の全重量に基づいてパラジ
ウムがI%〜go%で存在し、鉄が10%〜70%の看
で存在し、そしてガラスの膜がアルカリ土類ホウケイ酸
塩ガラスである特許請求の範囲第14項記載の温度感応
素子。 16、該溶合物中に微細粒子のパラジウム及び鉄が約2
5%〜30%の合計!l−1を存する槍にて存在し、微
細粒子の・9ラジウム及び鉄の全tj(lに基づいて〕
ぐラジウムがl0N85%で存在し、妖が15 N50
%の量で存在し、そしてガラスのフィルムがアルカリ土
類ホウケイ酸基がラスである時Ifl:ii!1i求の
範囲第14項記載の@A邸感【6素子。 17、抵抗対温度の相関−係が一弱℃〜150℃の温度
範囲における100℃の温度間−に対して抵抗の線形性
からの偏差が2%以下である亮度に線形やある特許請求
の範囲第2項又は第4項記載の温度感応素子。 18、該会合物中に微細粒子の・ぞラジウム及び鉄が約
15%〜65%の合l1it取tを釘する社にて存在し
、微細粒子の・ぐラジウム及び鉄の¥電−に甚づいてパ
ラジウムがI%〜%%で存任し、鉄が10%〜70%の
量で存在し、そしてガラスのフィルムがアルカリ土類ホ
ウケイ酸塩ガラスである待針請求の範囲第17項記載の
温度感化、菓子。 19、骸会合物中に微細粒子の・ぐラジウム及び鉄が約
5%〜30%の合岨゛重瀘を有する清にて存在し、徽細
粒子のパラジウム及び鉄の全重量に基づいてパラジウム
が40〜&1%で存在し、鉄カ15−50%の看で存在
し、そしてガラスのフィルムがアルカリ土類ホウケイ酸
1ガラスである特許請求の範囲第177項記載温度感応
素子。 20、工程(b)において混合物が中性雰囲気内で焼成
される%行梢求の範囲第3項記載の方法。 21、工程(blにおいて混合物が還元性写囲気内で焼
成される特FF−楕求の範囲第3項記載の方法。 2z遺光性゛イ明気が〜1合ガスである特許請求の範囲
第111紀截の方法。 23、配合ガスの雰囲気が15容鯖%以下の水素含量を
有する′VfIff晴求の範囲第n項紀依の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/341,781 US4517545A (en) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | Thick film temperature sensitive device and method and material for making the same |
US341781 | 1982-01-22 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58131702A true JPS58131702A (ja) | 1983-08-05 |
Family
ID=23339013
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58009251A Pending JPS58131702A (ja) | 1982-01-22 | 1983-01-22 | 厚膜温度感応素子及びそれを製造するための方法及び材料 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4517545A (ja) |
JP (1) | JPS58131702A (ja) |
CA (1) | CA1197087A (ja) |
DE (1) | DE3300875A1 (ja) |
GB (1) | GB2114366B (ja) |
IT (1) | IT1159959B (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB8607874D0 (en) * | 1986-04-01 | 1986-05-08 | Lucas Ind Plc | Temperature/sensitive resistance element |
GB8717035D0 (en) * | 1987-07-18 | 1987-08-26 | Emi Plc Thorn | Thick film track material |
US5096619A (en) * | 1989-03-23 | 1992-03-17 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film low-end resistor composition |
DE10016415A1 (de) * | 2000-04-01 | 2001-10-11 | Bosch Gmbh Robert | Sensorelement, insbesondere Temperaturfühler |
US7157023B2 (en) | 2001-04-09 | 2007-01-02 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Conductor compositions and the use thereof |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3859128A (en) * | 1968-02-09 | 1975-01-07 | Sprague Electric Co | Composition for resistive material and method of making |
US3644863A (en) * | 1969-04-10 | 1972-02-22 | California Inst Res Found | Metallic resistance thermometer |
US3679606A (en) * | 1970-09-08 | 1972-07-25 | Du Pont | Thermistor compositions and thermistors made therefrom |
GB1415644A (en) * | 1971-11-18 | 1975-11-26 | Johnson Matthey Co Ltd | Resistance thermometer element |
GB1546091A (en) * | 1975-02-28 | 1979-05-16 | Johnson Matthey Co Ltd | Thermometers |
US4378409A (en) * | 1975-09-15 | 1983-03-29 | Trw, Inc. | Electrical resistor material, resistor made therefrom and method of making the same |
US4051074A (en) * | 1975-10-29 | 1977-09-27 | Shoei Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Resistor composition and method for its manufacture |
LU74666A1 (ja) * | 1976-03-29 | 1977-10-10 | ||
GB2002175B (en) * | 1977-08-03 | 1982-03-10 | Johnson Matthey Co Ltd | Measurement of temperature |
IE47186B1 (en) * | 1977-09-13 | 1984-01-11 | Johnson Matthey Co Ltd | Improvements in and relating to the measurement of temperature |
-
1982
- 1982-01-22 US US06/341,781 patent/US4517545A/en not_active Expired - Fee Related
-
1983
- 1983-01-05 CA CA000418941A patent/CA1197087A/en not_active Expired
- 1983-01-13 GB GB08300818A patent/GB2114366B/en not_active Expired
- 1983-01-13 DE DE19833300875 patent/DE3300875A1/de not_active Withdrawn
- 1983-01-20 IT IT67060/83A patent/IT1159959B/it active
- 1983-01-22 JP JP58009251A patent/JPS58131702A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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GB8300818D0 (en) | 1983-02-16 |
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GB2114366B (en) | 1985-10-02 |
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GB2114366A (en) | 1983-08-17 |
IT8367060A0 (it) | 1983-01-20 |
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