SU443339A1 - Способ измерени сопротивлени электрического контакта металл-полупроводник - Google Patents

Способ измерени сопротивлени электрического контакта металл-полупроводник

Info

Publication number
SU443339A1
SU443339A1 SU1745540A SU1745540A SU443339A1 SU 443339 A1 SU443339 A1 SU 443339A1 SU 1745540 A SU1745540 A SU 1745540A SU 1745540 A SU1745540 A SU 1745540A SU 443339 A1 SU443339 A1 SU 443339A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
current
drain
electrical contact
contact resistance
voltage
Prior art date
Application number
SU1745540A
Other languages
English (en)
Inventor
Валерий Иванович Овчаренко
Владимир Егорович Севостьянов
Original Assignee
Предприятие П/Я Х-5936
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Х-5936 filed Critical Предприятие П/Я Х-5936
Priority to SU1745540A priority Critical patent/SU443339A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU443339A1 publication Critical patent/SU443339A1/ru

Links

Landscapes

  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Description

I
Изобретение относитс  к области электронной техники и может быть использовано дл  разработки и оперативного коитрол  технологии металлизации, причиненного анализа и отбраковки потенциальноненадежных полевых транзисторов.
Известен двухзондовый способ определени  сопротивлени  электрического контакта металл--полупроводник .
Точность такого способа низка, так как объемное сопротивление полупроводника обычно на один-два пор дка больше или соизмеримо с контактными сопротивлени ми и включено € ними последовательно. Дл  полевых транзисторов при использовании этого способа дополнительную погрешность обуславливает сопротивление канала, которое также включено последовательно этим сопротивлени м .
Дл  повышени  точности измерений по предлагаемому способу смещают истоковый р-ппереход в пр мом направлении, а стоковый переход - в обратном направлении, измен ют ток стока, компенсируют уменьшение тока через истоковый переход изменением напр жени  на нем и определ ют сопротивление контакта по отношению прираш,ени  напр жени  на истоковом переходе к изменению тока через сток.
На чертеже приведено схематическое изображение р-канального полевого транзистора с р-п-управл юш,им переходом и схема измерени  контактного сопротивлени  по описыВаемому способу.
Дл  измерени  контактных сопротивлений в «-канальных транзисторах пол рность источников должна быть противоположной. На приведенном чертеже верхний затвор п+ конструктивно соединен с нижним затвором п, а контактные сопротивлени  к стоке RDC и истоке RSC вынесены из структуры.
Сущность предлагаемого способа заключаетс  в следующем. При подаче на сток посто .нного напр жени  VD и на затвор посто нного напр жени  Va,, имеющего р-п-переход в пр мом направлении (переключатель В в положении 1), в цепи стока протекает ток /о,, а в цепи затвора - ток /о,.
Ток затвора устанавливаетс  таК, что выполн етс  условие /д, /GI. Напр жение на стоке выбираетс  так, чтобы верхний и нил{ний р-/г-переходы были смещены почти по
всей длине и пр мой ток затвора протекал через нижний р-/г-переход преимущественно под контактом истока.
Направление преимущественного протекани  тока затвора показано на чертеже стрелкой с обозначением /G.
Таким образом, через контакт истока протекают ток стока и ток затвора, создава  на нем падение напр жени .
f7sc.:(,).
Увеличив напр жение на стоке (переключатель В в положении 2), устанавливают новое значение тока стока ID,- Возрастание тока стока приводит к возрастанию падени  напр жени  на контакте, которое смещает р-ппереход в Обратную сторону и уменьшает ток р- -перехода. Чтобы установить прежнее значение тока р-п-перехода (затвора), необходимо сместить р-«.-переход в пр мом направлении на такую величину ДУс, котора  скомпенсирует прирост падени  .напр жени  на контакте за счет возрастани  тока стока. Это означает, что
Ua(fD,-lD,)Rsc.
Отсюда
At/o : A/D .
Дл  измерени  контактного сопротивлени  стока выводы стока и истока мен ютс  местами .
Новые свойства предлагаемого способа позвол ют использовать его дл  разработки и оперативного контрол  технологического процесса , в частности, контрол  операций металлизации полевых транзисторов, а также дл  причинного анализа брака, в частности, по шумам, току входа, температурному дрейфу. Предложенный способ прост в осуществлении и пригоден дл  работы в услови х производства .
Предмет изобретени 
Способ измерени  сопротивлени  электрического контакта металл-полупроводник, основанный на пропускании электрического тока через контакт и регистрации приращени  напр жени  на нем при приращении тока, о тличающийс  тем, что, с целью повышени  точности измерений, смещают истоковый р-«-переход в пр мом направлении, а стоковый переход - в обратном направлении, измен ют ток стока, компенсируют уменьшение тока через истоковый переход изменением напр жени  на нем ,и определ ют сопротивление контакта по отношению приращени  напр жени  на истоковом переходе к изменению тока через сток.
.
SU1745540A 1972-01-31 1972-01-31 Способ измерени сопротивлени электрического контакта металл-полупроводник SU443339A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1745540A SU443339A1 (ru) 1972-01-31 1972-01-31 Способ измерени сопротивлени электрического контакта металл-полупроводник

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1745540A SU443339A1 (ru) 1972-01-31 1972-01-31 Способ измерени сопротивлени электрического контакта металл-полупроводник

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU443339A1 true SU443339A1 (ru) 1974-09-15

Family

ID=20502460

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1745540A SU443339A1 (ru) 1972-01-31 1972-01-31 Способ измерени сопротивлени электрического контакта металл-полупроводник

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU443339A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104407226A (zh) * 2014-12-21 2015-03-11 国家电网公司 线路电缆接头接触电阻的带电测试方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104407226A (zh) * 2014-12-21 2015-03-11 国家电网公司 线路电缆接头接触电阻的带电测试方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100940415B1 (ko) 배면 드레인 구조 웨이퍼의 온저항 측정방법
US3628070A (en) Voltage reference and voltage level sensing circuit
CN101949883B (zh) 离子敏感场效应晶体管
US9152163B1 (en) Regulation of a load current-to-sensing current ratio in a current sensing power metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET)
US6844772B2 (en) Threshold voltage extraction circuit
CN108845175B (zh) 一种工作在亚阈区的高精度电流检测电路
KR970030756A (ko) 온도검출장치, 이것을 탑재한 반도체소자 및 이것을 사용한 오토포커스시스템
US4847518A (en) CMOS voltage divider circuits
JP2753266B2 (ja) 半導体回路
SU443339A1 (ru) Способ измерени сопротивлени электрического контакта металл-полупроводник
JPWO2021085475A5 (ru)
KR900002565A (ko) 가변 문지방(threshold) 논리 실행 회로
JPH10123184A (ja) 電流検出回路
CN115248341A (zh) 开关器件的电流检测电路及应用其的开关电源
JPH02249976A (ja) Mosトランジスタの出力電流検出回路
CN107907743B (zh) 一种器件导通时的电阻的测试方法
Cruz et al. ISFET Bridge Type Readout Circuit with Programmable Voltage and Current
JPS57207834A (en) Temperature sensor
KR870004312A (ko) Mos 기술을 사용한 집적 회로용 테스트 인터페이스
SU414594A1 (ru)
Kim et al. Physics-based capacitance model of drift region in laterally diffused metal-oxide semiconductor and its implementation with BSIM4
JPH06265584A (ja) 半導体装置
SU389418A1 (ru) УСТРОЙСТВО дл ИЗМЕРЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ
Chauhan et al. Modeling of high voltage MOSFETs based on EKV (HV-EKV)
SU1195252A1 (ru) Сигнализатор скорости газового потока