SU443339A1 - Способ измерени сопротивлени электрического контакта металл-полупроводник - Google Patents
Способ измерени сопротивлени электрического контакта металл-полупроводникInfo
- Publication number
- SU443339A1 SU443339A1 SU1745540A SU1745540A SU443339A1 SU 443339 A1 SU443339 A1 SU 443339A1 SU 1745540 A SU1745540 A SU 1745540A SU 1745540 A SU1745540 A SU 1745540A SU 443339 A1 SU443339 A1 SU 443339A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- current
- drain
- electrical contact
- contact resistance
- voltage
- Prior art date
Links
Landscapes
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Description
I
Изобретение относитс к области электронной техники и может быть использовано дл разработки и оперативного коитрол технологии металлизации, причиненного анализа и отбраковки потенциальноненадежных полевых транзисторов.
Известен двухзондовый способ определени сопротивлени электрического контакта металл--полупроводник .
Точность такого способа низка, так как объемное сопротивление полупроводника обычно на один-два пор дка больше или соизмеримо с контактными сопротивлени ми и включено € ними последовательно. Дл полевых транзисторов при использовании этого способа дополнительную погрешность обуславливает сопротивление канала, которое также включено последовательно этим сопротивлени м .
Дл повышени точности измерений по предлагаемому способу смещают истоковый р-ппереход в пр мом направлении, а стоковый переход - в обратном направлении, измен ют ток стока, компенсируют уменьшение тока через истоковый переход изменением напр жени на нем и определ ют сопротивление контакта по отношению прираш,ени напр жени на истоковом переходе к изменению тока через сток.
На чертеже приведено схематическое изображение р-канального полевого транзистора с р-п-управл юш,им переходом и схема измерени контактного сопротивлени по описыВаемому способу.
Дл измерени контактных сопротивлений в «-канальных транзисторах пол рность источников должна быть противоположной. На приведенном чертеже верхний затвор п+ конструктивно соединен с нижним затвором п, а контактные сопротивлени к стоке RDC и истоке RSC вынесены из структуры.
Сущность предлагаемого способа заключаетс в следующем. При подаче на сток посто .нного напр жени VD и на затвор посто нного напр жени Va,, имеющего р-п-переход в пр мом направлении (переключатель В в положении 1), в цепи стока протекает ток /о,, а в цепи затвора - ток /о,.
Ток затвора устанавливаетс таК, что выполн етс условие /д, /GI. Напр жение на стоке выбираетс так, чтобы верхний и нил{ний р-/г-переходы были смещены почти по
всей длине и пр мой ток затвора протекал через нижний р-/г-переход преимущественно под контактом истока.
Направление преимущественного протекани тока затвора показано на чертеже стрелкой с обозначением /G.
Таким образом, через контакт истока протекают ток стока и ток затвора, создава на нем падение напр жени .
f7sc.:(,).
Увеличив напр жение на стоке (переключатель В в положении 2), устанавливают новое значение тока стока ID,- Возрастание тока стока приводит к возрастанию падени напр жени на контакте, которое смещает р-ппереход в Обратную сторону и уменьшает ток р- -перехода. Чтобы установить прежнее значение тока р-п-перехода (затвора), необходимо сместить р-«.-переход в пр мом направлении на такую величину ДУс, котора скомпенсирует прирост падени .напр жени на контакте за счет возрастани тока стока. Это означает, что
Ua(fD,-lD,)Rsc.
Отсюда
At/o : A/D .
Дл измерени контактного сопротивлени стока выводы стока и истока мен ютс местами .
Новые свойства предлагаемого способа позвол ют использовать его дл разработки и оперативного контрол технологического процесса , в частности, контрол операций металлизации полевых транзисторов, а также дл причинного анализа брака, в частности, по шумам, току входа, температурному дрейфу. Предложенный способ прост в осуществлении и пригоден дл работы в услови х производства .
Предмет изобретени
Способ измерени сопротивлени электрического контакта металл-полупроводник, основанный на пропускании электрического тока через контакт и регистрации приращени напр жени на нем при приращении тока, о тличающийс тем, что, с целью повышени точности измерений, смещают истоковый р-«-переход в пр мом направлении, а стоковый переход - в обратном направлении, измен ют ток стока, компенсируют уменьшение тока через истоковый переход изменением напр жени на нем ,и определ ют сопротивление контакта по отношению приращени напр жени на истоковом переходе к изменению тока через сток.
.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1745540A SU443339A1 (ru) | 1972-01-31 | 1972-01-31 | Способ измерени сопротивлени электрического контакта металл-полупроводник |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1745540A SU443339A1 (ru) | 1972-01-31 | 1972-01-31 | Способ измерени сопротивлени электрического контакта металл-полупроводник |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU443339A1 true SU443339A1 (ru) | 1974-09-15 |
Family
ID=20502460
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU1745540A SU443339A1 (ru) | 1972-01-31 | 1972-01-31 | Способ измерени сопротивлени электрического контакта металл-полупроводник |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU443339A1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104407226A (zh) * | 2014-12-21 | 2015-03-11 | 国家电网公司 | 线路电缆接头接触电阻的带电测试方法 |
-
1972
- 1972-01-31 SU SU1745540A patent/SU443339A1/ru active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104407226A (zh) * | 2014-12-21 | 2015-03-11 | 国家电网公司 | 线路电缆接头接触电阻的带电测试方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100940415B1 (ko) | 배면 드레인 구조 웨이퍼의 온저항 측정방법 | |
US3628070A (en) | Voltage reference and voltage level sensing circuit | |
CN101949883B (zh) | 离子敏感场效应晶体管 | |
US9152163B1 (en) | Regulation of a load current-to-sensing current ratio in a current sensing power metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) | |
US6844772B2 (en) | Threshold voltage extraction circuit | |
CN108845175B (zh) | 一种工作在亚阈区的高精度电流检测电路 | |
KR970030756A (ko) | 온도검출장치, 이것을 탑재한 반도체소자 및 이것을 사용한 오토포커스시스템 | |
US4847518A (en) | CMOS voltage divider circuits | |
JP2753266B2 (ja) | 半導体回路 | |
SU443339A1 (ru) | Способ измерени сопротивлени электрического контакта металл-полупроводник | |
JPWO2021085475A5 (ru) | ||
KR900002565A (ko) | 가변 문지방(threshold) 논리 실행 회로 | |
JPH10123184A (ja) | 電流検出回路 | |
CN115248341A (zh) | 开关器件的电流检测电路及应用其的开关电源 | |
JPH02249976A (ja) | Mosトランジスタの出力電流検出回路 | |
CN107907743B (zh) | 一种器件导通时的电阻的测试方法 | |
Cruz et al. | ISFET Bridge Type Readout Circuit with Programmable Voltage and Current | |
JPS57207834A (en) | Temperature sensor | |
KR870004312A (ko) | Mos 기술을 사용한 집적 회로용 테스트 인터페이스 | |
SU414594A1 (ru) | ||
Kim et al. | Physics-based capacitance model of drift region in laterally diffused metal-oxide semiconductor and its implementation with BSIM4 | |
JPH06265584A (ja) | 半導体装置 | |
SU389418A1 (ru) | УСТРОЙСТВО дл ИЗМЕРЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ | |
Chauhan et al. | Modeling of high voltage MOSFETs based on EKV (HV-EKV) | |
SU1195252A1 (ru) | Сигнализатор скорости газового потока |