SU434517A1

SU434517A1 - COMPOSITION FOR THE MANUFACTURE OF THE ACTIVE LAYER OF THE THRESHOLD ELEMENT

Info

Publication number: SU434517A1
Application number: SU1821492A
Authority: SU
Original assignee: В. П. Котенко, С. А. Кутолин , В. Л. Шурман
Priority date: 1972-08-23
Filing date: 1972-08-23
Publication date: 1974-06-30

Description

1one

Изобретение относитс к электронной технике и может широко примен тьс при изготовлении пороговых элементов.The invention relates to electronic engineering and can be widely used in the manufacture of threshold elements.

Пороговый элемент представл ет собой два или более провод щих электрода, между которыми находитс слой материала, обладающего эффектом переключени (активный слой). Эффект переключени заключаетс в том, что при определенном значении напр жени на электродах элемента (напр жении порога) сопротивление последнего за очень короткое врем уменьшаетс на несколько пор дков , а ток, соответственно, увеличиваетс . С уменьшением тока при определенном критическом значении элемент возвращаетс в исходное состо ние.The threshold element is two or more conductive electrodes, between which there is a layer of material having a switching effect (active layer). The switching effect is that, at a certain value of the voltage on the electrodes of the element (threshold voltage), the resistance of the latter in a very short time decreases by several orders of magnitude, and the current increases accordingly. With a decrease in current at a certain critical value, the element returns to its original state.

Известны составы дл изготовлени активного сло пороговых элементов, включающие в качестве компонентов элементы VI группы (теллур, селен) и элементы других групп.Compositions for the manufacture of the active layer of threshold elements are known, including as components the elements of group VI (tellurium, selenium) and elements of other groups.

Например, известен состав, содержащий теллур, мышь к, кремний, германий, при следующем отношении компонентов (атом. %): Теллур48For example, a compound containing tellurium, mouse, silicon, germanium is known, with the following ratio of components (atom.%): Tellurium48

Мышь к30K30 mouse

Кремний12Silicon12

Германий10Germanium10

(см. журнал Phisical Review, 1968, т. 21, № 20, стр. 1450).(see Phisical Review, 1968, Vol. 21, No. 20, p. 1450).

Этот и р д других составов широко примен ютс дл изготовлени пороговых элементов с величиной порогового напр жени 6- 100 в, например элементов N 1 -10, N 1-20, N 1-30 (США).This and a number of other compositions are widely used for the manufacture of threshold elements with a threshold voltage of 6-100 volts, for example, elements N 1-10, N 1-20, N 1-30 (USA).

При использовании таких составов в элементах с более высоким пороговым напр жением требуетс значительное увеличение толщины активного сло . При этом уменьшаетс диапазон рабочих частот (увеличиваетс общее врем переключени ), снижаетс рабочий ток (увеличиваетс сопротивление элемента в открытом состо нии), ухудшаетс зависимость порогового напр жени от температуры (увеличиваетс температурный коэффициент порогового напр жени ).When using such compositions in elements with a higher threshold voltage, a significant increase in the thickness of the active layer is required. In this case, the operating frequency range decreases (the total switching time increases), the operating current decreases (the resistance of the element increases in the open state), the dependence of the threshold voltage on temperature deteriorates (the temperature coefficient of the threshold voltage increases).

С целью увеличени порогового напр жени элементов предлагаетс состав дл изготовлени активного сло , содержащий теллур, мышь к, германий, кремний и сульфид одного из редкоземельных металлов, например самари , при следующем соотношении компонентов (в вес. %):In order to increase the threshold voltage of elements, a composition is proposed for the manufacture of an active layer containing tellurium, arsenic, germanium, silicon and sulfide of one of the rare earth metals, for example samarium, in the following ratio of components (in weight%):

Теллур50-70Tellur50-70

Мышь к2,5-35Mouse k2,5-35

Германий2,5-15Germanium2,5-15

Кремний2,5-15Silicon2,5-15

Сульфид редкоземельного металла2,5-25Rare Earth Metal Sulphide 2.5-25

Предлагаемый состав позвол ет повысить пороговое напр жение элемента на 20% без увеличени толщины активного сло , при этом диапазон рабочих частот, рабочий ток и температурна характеристика порогового напр жени прибора не мен ютс .The proposed composition makes it possible to increase the threshold voltage of the element by 20% without increasing the thickness of the active layer, while the operating frequency range, operating current, and temperature characteristic of the device threshold voltage do not change.

При опробовании оптимальным оказалс состав, включающий сульфид самари , при следующем отношении компонентов (в вес. %):When testing, the optimal composition turned out to be, including samarium sulfide, with the following ratio of components (in wt.%):

Теллур57Tellur57

Мыщь к26,5Mys k26,5

Германий8,5Germanium8,5

Кремний6Silicon6

Сульфид самари 6Samarium sulphide 6

Предмет изобретени Subject invention

Состав дл изготовлени активного сло порогового элемента, содержащий теллур, МЫЩЬЯК, германий, кремний, отличающийс тем, что, с целью увеличени порогового напр жени элемента, он дополнительно содержит сульфид редкоземельного металла , например сульфид самари , при следующем соотношении компонентов (в вес. %): Теллур50-70A composition for the manufacture of the active layer of the threshold element containing tellurium, MYSHYAK, germanium, silicon, characterized in that, in order to increase the threshold voltage of the element, it additionally contains rare earth metal sulfide, such as samarium sulfide, in the following ratio of components (% by weight ): Tellur50-70

Мышь к2,5-35Mouse k2,5-35

Германий2,5-15Germanium2,5-15

Кремний2,5-15Silicon2,5-15

Сульфид самари 2,5-25Samari sulphide 2.5-25