SU834777A1 - Resistive material - Google Patents

Resistive material Download PDF

Info

Publication number
SU834777A1
SU834777A1 SU782688753A SU2688753A SU834777A1 SU 834777 A1 SU834777 A1 SU 834777A1 SU 782688753 A SU782688753 A SU 782688753A SU 2688753 A SU2688753 A SU 2688753A SU 834777 A1 SU834777 A1 SU 834777A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
resistive material
composition
rare earth
resistivity
rare
Prior art date
Application number
SU782688753A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Геннадий Васильевич Базуев
Ольга Васильевна Макарова
Геннадий Петрович Швейкин
Original Assignee
Институт Химии Уральского Научногоцентра Ah Cccp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Химии Уральского Научногоцентра Ah Cccp filed Critical Институт Химии Уральского Научногоцентра Ah Cccp
Priority to SU782688753A priority Critical patent/SU834777A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU834777A1 publication Critical patent/SU834777A1/en

Links

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Description

(54) РЕЗИСТИВШЛЙ МАТЕРИАЛ(54) RESISTANT MATERIAL

1 1eleven

Изобретение относитс  к электротехнике , в частности, к разработке резистивного материала на.основе токопровод щих сложных оксидов титана и редкоземельных элементов, который может быть использован, в качестве элементов электрических цепей.The invention relates to electrical engineering, in particular, to the development of resistive material based on conductive complex titanium oxides and rare earth elements, which can be used as elements of electrical circuits.

Известен резистивный материал, состо щий из полуторного оксида титана , .A resistive material consisting of titanium sesquioxide, is known.

Недостатком известного материала  вл етс  сложна  температурна  зависимость удельного электросопротивлени , которое в интервале температур 29(1-473 К уменьшаетс  от 1 до Ю тЭм-см и далее измен етс  как у металлов.The disadvantage of the known material is the complex temperature dependence of the electrical resistivity, which in the temperature range 29 (1-473 K decreases from 1 to 10 TEM-cm and then varies like that of metals.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому  вл етс  резистивный материал на основе сложного оксида титана и редкоземельного элемента, ортотитанатов редкоземельных элементов, состава 1иТ10з, где LU - редкоземельный элемент, удельное электросопротивление которого при 290 К измен етс  в зависимости от природы редкоземельного элемента от 810 Ом:см дл  LaTiOj до Ом-см дл  .The closest in technical essence to the present invention is a resistive material based on a complex titanium oxide and rare earth element, rare earth orthotitanates of composition 1 and Т 10з, where LU is a rare earth element whose electrical resistivity at 290 K varies from 810 ohms. : cm dl LaTiOj to ohm-cm dl.

Однако в.р ду ортотитанатов редкоземельных элементов высока  электропроводность металлического типа характерна только дл  остальные соединени  LuTiO-j, где Lu - редкоземельный элемент, от Се до Lu обладают более высоким удельным сопротивлением полупроводникового характера.However, the rare-earth orthotitanates of rare-earth elements have a high metallic-type electrical conductivity, which is characteristic only of the remaining compounds LuTiO-j, where Lu is a rare-earth element, from Ce to Lu have a higher resistivity of a semiconductor character.

Цель изобретени  - повышение электропроводности и расширение диапазона удельного сопротивлени .The purpose of the invention is to increase electrical conductivity and expand the range of resistivity.

Поставленна  цель достигаетс  тем, что резистивный материал, содержащий окисел редкоземельного элемента; двуокись титана и ацетиленовую сажу, содержит исходные компоненты в следующих количествах, вес.%:The goal is achieved by the fact that a resistive material containing a rare earth oxide; titanium dioxide and acetylene black, contains the starting components in the following amounts, wt.%:

Окисел редкоземельного элемен58 ,72-66,99 та 30,69-40,78 The oxide of the rare earth element58, 72-66.99 and 30.69-40.78

Двуокись титана 0,3-4,53 ЛШетиленова  сажаDioxide of titanium 0,3-4,53 L Shetilenova soot

Предложенный резистивный матергиал получают путем спекани  в вакууме смеси состо щей из диоксида титана, оксидов редкоземельных элементов и твердого углерода, используемого в качестве восстановител  Ti. Углерод берут с 15-20% избытком про тив стехиометрии. Исходный материал тщательно перемешивают, прессуют и прокаливают сначала в низком вакууме ( рт.ст.) при 1100-1200°С до прекращени  выделени окиси угл.ерода, а затем в высоком вакууме ( - рт, ст.) при 1400с в течение 20-25 ч. Продукт перетирают, из него прессуют образц 1 пригодные дл  измерени  сопротивлени , которые, подвергают повторному отжигу при 1450С в течение 12-15 ч Ниже приведены конкретные пример получени  резистивноцо материала предложенного состава и его характе ристики. Пример 1. 6,21 г диоксида цери  ,, 4,12 г диоксида титана Т i и 0,25 г ацетиленовой сажи пере рают, таблетируют и прокаливают в вакууме рт.ст. при до полного прекращени  вьщел ни  окиси углерода, а затем в вакууме рт.ст,- при 1400С в течение 25 ч. Продукт перетирают, из него готов т образцы в виде параллелепипеда размером мм и подвергают дополнительному отжигу при в течение 12 ч. Получают материал состава Ceg-fiO-, содержащи 59,2 вёс.% , З,0 вес.% Т i 0 , остальное . Величина удельного сопротивлени  р при 290 К составл ет . I-ID Ом-см. Пример 2. 7,2 г СеО, 3,4 ТiОд и 0,5 г ацетиленовой сажи обрабатывают , как в примере 1. Получа ют материал состава Ce ggTiO, содер жащий 69,4% , 0,1 riO., осталь ное с величиной удельного со противлени  / при 290 К равной 9-10 Ом-см. П ри ме р 3. 5,93 rPrgO, 4,11 г Т i 0/J и 0,03 г ацетиленовой сажи обрабатывают, как в примере 1. Получают материал состава Ргр-д ТЮд, содержащий 59,3% , 37,0 ,, остальное . Удельное сопротивление Р при 290 К составл ет 210° Ом-см. П р им е р 4. 6,96 г Pr.jO, 3,38 г Т i и 0,25 г ацетиленовой сажи обрабатывают, как в примере 1. Получают материал состава , содержащий 69,5% Pr,, 0,1 tiO, остальное Т,0з, с величиной удельнс о сопротивлени  f при 290 К рав ной 1-10 Ом-см.The proposed resistive material is obtained by sintering in vacuum a mixture of titanium dioxide, rare earth oxides and solid carbon used as a reducing agent for Ti. Carbon is taken with a 15-20% excess against stoichiometry. The source material is thoroughly mixed, pressed and calcined first in a low vacuum (Hg) at 1100-1200 ° C until the release of carbon monoxide is stopped, and then in a high vacuum (- Hg, Art.) At 1400 s for 20 25 hours. The product is ground, samples 1 are pressed from it suitable for measuring resistance, which are subjected to re-annealing at 1450 ° C for 12-15 hours. The following is a specific example of how to obtain a resistive material of the proposed composition and its characteristics. Example 1. 6.21 g of cerium dioxide, 4.12 g of titanium dioxide T i and 0.25 g of acetylene black are pereirat, pelletized and calcined in a vacuum of mercury. when the carbon monoxide is completely stopped, and then in a vacuum of Hg, at 1400 ° C for 25 hours. The product is ground, samples are prepared in the form of a parallelepiped of mm size and subjected to additional annealing for 12 hours. Ceg-fiO- containing 59.2 wt.%, W, 0 wt.% T i 0, the rest. The resistivity p at 290 K is. I-id ohm-cm Example 2. 7.2 g of GeO, 3.4 TiOd and 0.5 g of acetylene black are treated as in Example 1. A material of composition Ce ggTiO containing 69.4%, 0.1 riO., Is obtained, the rest with the value of the specific resistance / at 290 K is equal to 9-10 ohm-cm. For example 3. 5.93 rPrgO, 4.11 g of T i 0 / J and 0.03 g of acetylene black are treated as in Example 1. A material of composition Pgr-d TUD containing 59.3%, 37, is obtained 0 ,, the rest. The resistivity P at 290 K is 210 ° Om-cm. Example 4. 6.96 g of Pr.jO, 3.38 g of T i and 0.25 g of acetylene black are treated as in Example 1. A material of the composition containing 69.5% Pr ,, 0.1 is obtained. tiO, the rest is T, 0h, with the value of the specific resistance f at 290 K equal to 1-10 Ohm-cm.

-3-3

9-109-10

,-ь,

IlOIlo

,-2, -2

1-101-10

СеТЮз Пример 5. 5,98 г Nd,j,0, 4,06 г TiOjL и 0,03 г ацетиленовой сажи обрабатывают, как в примере 1. Получают материал состава NdojTiO , содержащий 59,8% , 36,5% TiO,., остальное , с величиной при 290 К равной 8..см. Пример 6..7,0 г , 3,40 г ТiОд и 0,25 г ацетиленовой сажи обрабатывают, как в примере 1. Получают материал состава Nd TiO-j , содержащий 70,0% , 0,1% TiO , остальное TiaO, с величиной удельного сопротивлени  Я при 290 К равной 1- 10 Ъм-см . Пример 7. 6,0 г 5т/2рз, 3,97 г Т10, и 0,03 г ацетиленовой обрабатывают, как в примере 1. Получают материал состава NdqgeTiOs,. содержащий 64,5% ,, 22,2% , остальное ЛдО-з, с величиной Р при 290 К 1-10- Ом.-см. Пример 8. 7,08 г 5пп2.0а,, 3,24 г 0,245 г ацетиленовой са си обрабатывают, как в примере 1. Получают материал состава , содержащий 64,2% , 0,1%ЛО, остальное ,р при 290 К составл ет 1 Ом-см. В таблице приведены значени  удельного сопротивлени  предложенного резистивного материала состава при различных значени х X (О,7 X 1,0) и удельного сопротивлени  известного- резистивного материала состава LuTiO. Как следует из, таблицы, предложенные резистивные материалы на основе сложных оксидов титана и редкоземельных элементов состава Lu;(TiOg, где 0, 7 : X 1,0, обладают высокой электропроводностью металлического типа. Предлагаемый резистивный материал состава при 290 К имеет в 10-100 раз более высокую электропроводность , чем известный резистивный материал состава LuTiOj. Изменение содержани  в предлагаемом резистивном материале редкоземельного металла обеспечивает расширение диапазона удельного сопротивлени  при сохранении одного и того же редкоземельного элемента. Так, , путем изменени  X в Ns.TiOa от 1,00 до 0,8 получают материал с удельным сопротивлением при 290 К,, измен ющемс  в диапазоне 1, 2-10 ОмСМCETUS Example 5. 5.98 g of Nd, j, 0, 4.06 g of TiOjL and 0.03 g of acetylene black are treated as in Example 1. A material of composition NdojTiO is obtained, containing 59.8%, 36.5% of TiO, ., the rest, with a value at 290 K equal to 8 .. cm. Example 6..7.0 g, 3.40 g of TioD and 0.25 g of acetylene black are treated as in Example 1. A material of the composition Nd TiO-j containing 70.0%, 0.1% TiO is obtained, the rest is TiaO , with a resistivity value of H at 290 K equal to 1-10 cm-cm. Example 7. 6.0 g of 5t / 2rz, 3.97 g of T10, and 0.03 g of acetylene are treated as in Example 1. A material of composition NdqgeTiOs is obtained. containing 64.5%, 22.2%, the rest of LDO-s, with the value of Р at 290 К 1-10-Ohm-cm. Example 8. 7.08 g 5pp2.0a ,, 3.24 g 0.245 g of acetylene calcium are treated as in example 1. A material of the composition containing 64.2%, 0.1% LO, is obtained, the rest, p at 290 K is 1 ohm-cm. The table shows the values of the resistivity of the proposed resistive material of the composition at different values of X (0, 7 x 1.0) and the resistivity of the known resistive material of the composition LuTiO. As follows from the table, the proposed resistive materials based on complex titanium oxides and rare earth elements of the composition Lu; (TiOg, where 0, 7: X 1.0, have a high electrical conductivity of metallic type. The proposed resistive material of the composition at 290 K has 10 100 times higher electrical conductivity than the known resistive material of the composition LuTiOj. A change in the content of rare earth metal in the proposed resistive material provides an extension of the range of resistivity while maintaining the same rarely Gmina Jemielno element. Thus, by varying X in Ns.TiOa from 1.00 to 0.8 produced a material with a resistivity at 290 K ,, a varying in the range 1 2-10 PAR

окисел редкоземельного элемента, двуокись титана и ацетиленовую сажу, отличающийс  тем, что, с целью повышени  электропроводности и расширени  диапазона удельного со-, противлени , он содержит исходные компоненты в следующих количествах, вёс.%:rare earth oxide, titanium dioxide and acetylene black, characterized in that, in order to increase electrical conductivity and expand the range of specific resistance, it contains initial components in the following amounts, weight:

Окисел редкоземельного элемента 58,72-66,99The oxide of the rare earth element 58,72-66,99

Продолжение таблицыTable continuation

Источники информации, прин тые во внимание при экспертизеSources of information taken into account in the examination

1.Патент Японии 47961, .кл. Н 01 В 1/00, 1972.1. Japanese Patent 47961, .kl. H 01 B 1/00, 1972.

2.Базуев Г.В., Швейкин Г.П, Извести  АН СССР. Неорганические материалы . 1978, т. 14, вып. 2, 267 (прототип).2.Bazuyev G.V., Shveikin G.P., Izves Academy of Sciences of the USSR. Inorganic materials. 1978, vol. 14, no. 2, 267 (prototype).

Claims (1)

Формула изобретенияClaim Резистивный материал, содержащий 20 окисел редкоземельного элемента, двуокись титана и ацетиленовую сажу, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения электропроводности и расширения диапазона удельного со-, противления, он содержит исходные компоненты в следующих количествах, вёс.%:Resistive material containing 20 rare-earth oxide, titanium dioxide and acetylene black, with the fact that, in order to increase electrical conductivity and expand the range of specific resistance, it contains the starting components in the following quantities, wt.%: Окисел редкоземельного элемента 58,72-66,99Rare Earth Oxide 58.72-66.99 Двуокись титана 30,69-40,78Titanium dioxide 30.69-40.78 Ацетиленовая сажа 0,3-4,53Acetylene carbon black 0.3-4.53
SU782688753A 1978-11-24 1978-11-24 Resistive material SU834777A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU782688753A SU834777A1 (en) 1978-11-24 1978-11-24 Resistive material

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU782688753A SU834777A1 (en) 1978-11-24 1978-11-24 Resistive material

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU834777A1 true SU834777A1 (en) 1981-05-30

Family

ID=20795305

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU782688753A SU834777A1 (en) 1978-11-24 1978-11-24 Resistive material

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU834777A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112371159A (en) * 2020-12-01 2021-02-19 中国科学院大连化学物理研究所 Oxynitride material SmTiO2N-nitride synthesis and application thereof in photocatalysis field

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112371159A (en) * 2020-12-01 2021-02-19 中国科学院大连化学物理研究所 Oxynitride material SmTiO2N-nitride synthesis and application thereof in photocatalysis field

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100412029C (en) Zinc oxide base high potential gradient pressure-sensitive ceramic material and its preparation method and uses
US4386022A (en) Voltage non-linear resistance ceramics
SU834777A1 (en) Resistive material
CA1065125A (en) Resistive element having voltage non-linearity and method of making same
JPH0142613B2 (en)
JPH0584641B2 (en)
US4725807A (en) Nonlinear voltage resistor
JP2623188B2 (en) Varistor and manufacturing method thereof
JPS5965406A (en) Voltage nonlinear resistor
SU1089631A1 (en) Process for manufacturing non-linear resistors
JP2540048B2 (en) Voltage nonlinear resistor porcelain composition
JPH0125205B2 (en)
JPS594105A (en) Voltage nonlinear resistor
JPS6214924B2 (en)
JPS6046004A (en) Voltage nonlinear resistor
JPS62290105A (en) Electrode material for voltage nonlinear resistance unit
JPS5913303A (en) Voltage nonlinear resistor
JPH1036169A (en) Voltage non-linear resistor and production thereof
JPS594104A (en) Voltage nonlinear resistor
JPS6046005A (en) Voltage nonlinear resistor
JPH0125202B2 (en)
JPS5818902A (en) Voltage nonlinear resistance porcelain
JPS5935863B2 (en) Thermistor composition
JPS6330761B2 (en)
JPH03278404A (en) Voltage non-linear resistor