SU429466A1 - STORAGE DEVICE - Google Patents

STORAGE DEVICE

Info

Publication number
SU429466A1
SU429466A1 SU1876708A SU1876708A SU429466A1 SU 429466 A1 SU429466 A1 SU 429466A1 SU 1876708 A SU1876708 A SU 1876708A SU 1876708 A SU1876708 A SU 1876708A SU 429466 A1 SU429466 A1 SU 429466A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
cycle
read
memory cell
additional
memory
Prior art date
Application number
SU1876708A
Other languages
Russian (ru)
Original Assignee
В. М. Гриць , А. Н. Пресн ков
Особое конструкторское бюро вычислительной техники занского радиотехнического института
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by В. М. Гриць , А. Н. Пресн ков, Особое конструкторское бюро вычислительной техники занского радиотехнического института filed Critical В. М. Гриць , А. Н. Пресн ков
Priority to SU1876708A priority Critical patent/SU429466A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU429466A1 publication Critical patent/SU429466A1/en

Links

Description

1one

Изобретение относитс  к области вычислительной техники и может быть использовано в запоминающих устройствах (ЗУ) цифровых вычислительных машин.The invention relates to the field of computer technology and can be used in the storage devices (memories) of digital computers.

В известных ЗУ дл  обращени  к  чейке пам ти необходимы два такта: такт считывани  (при записи информации в этом такте  чейка пам ти обнул етс ) и такт записи (При считывании информации из ЗУ в этом такте восстанавливаетс  содержимое  чейки пам ти). В некоторых случа х, например при использовании ЗУ в качестве буферного, восстановлени  считанной информации не требуетс  и поэтому дл  повышени  эффективного быстродействи  используетс  режим считьивани  без регенерации.In the known memory, two clock cycles are needed to access the memory cell: the read cycle (when writing information in this cycle, the memory cell is nullified) and the write cycle (reading the information from the memory in this cycle restores the contents of the memory cell). In some cases, for example, when using a memory device as a buffer, recovery of the read information is not required and, therefore, to increase the effective speed, the linking mode is used without regeneration.

Однако в таких ЗУ при записи информации в  чейку пам ти, из которой информаци  ранее была считана без регенерации, производитс  еще раз обнуление уже свободной  чейки.However, in such storage devices, when writing information to a memory cell, from which information was previously read without regeneration, the already free cell is reset once again.

Целью изобретени   вл етс  повышение эффективного быстродейсиви  ЗУ за счет исключени  такта считывани  при записи информации в свободную  чейку пам ти. Это достигаетс  путем добавлени  в накопитель ЗУ разр да, хран щего информацию о зан тости  чейки пам ти, и использовани  специального алгоритма обращени  к ЗУ. В режиме считывани  без регенерации в этот разр д записываетс  О, а нри любом другом обращении к ЗУ этот разр д хранит 1. Цикл записи начинаетс  с такта записи и, если в дополнительном разр де хранитс  О, состоит из одного такта записи. Если же в дополнительном разр де хранитс  1, то вслед за тактом записи выполн етс  такт коррекции, в котором производитс  считьшапие в тех разр дах , где производитс  запись 0.The aim of the invention is to increase the effective speed of memory by eliminating the read cycle when writing information to a free memory cell. This is achieved by adding to the storage unit a bit storage storing information on the memory cell occupancy and using a special memory accessing algorithm. In read mode without regeneration, this bit is written O, and on any other access to the memory, this bit stores 1. The write cycle begins with a write cycle and, if the additional bit stores O, consists of one write cycle. If, however, the extra bit is stored 1, then after the write cycle, a correction cycle is performed, in which the combination is made in those bits where the 0 record is made.

Предлагаемое устройство отличаетс  от известных тем, что оно содержит в накопителе дополнительный разр д, соединенный с входом усилител  воспроизведени  дополнительного разр да и выходом однопол рного формировател  тока запрета, причем выход усилител  воспроизведени  подключен к входуThe proposed device differs from the known ones in that it contains an additional bit in the accumulator connected to the input of the additional playback amplifier and the output of the unipolar inhibition current driver, with the output of the playback amplifier connected to the input

блока управлени , выход которого соединен с входом однопол рного формировател  тока запрета.a control unit, the output of which is connected to the input of a unipolar inhibition current driver.

На чертеже изображена структурна  схема предлагаемого устройства.The drawing shows a structural diagram of the proposed device.

Устройство включает накопитель 1 с дополнительным разр дом 2, усилители воспроизведени  3, усилитель воспроизведени  дополнительного разр да 4, двухпол рные формирователи тока запрета 5, однопол рный формирователь тока запрета ,6, блок управлени  7, регистр числа 8, щнну «Запрет считывани  из дополнительного разр да 9 и шину «Разрещение записи в один такт 10, адресныйThe device includes a storage device 1 with an additional bit 2, playback amplifiers 3, a playback amplifier additional bit 4, two-pole inhibitor current drivers 5, a single-pole inhibitor current driver 6, a control unit 7, the number 8 register, bit 9 and the bus "Decision recording in one measure 10, address

блок и, блок св зи 12, блок приема и выдачи кодов 13, числовую 14, адресную 15 и сигнальную 16 магистрали.unit and, communication unit 12, unit receiving and issuing codes 13, numeric 14, address 15 and signal line 16.

Устройство работает следующим образом.The device works as follows.

При записи информации в  чейку пам ти в первом такте - такте записи включены двухпол рные формирователи 5, запрещающие запись 1 в нулевых разр дах записываемого числа. ЕСЛИ  чейка пам ти свободна из-за считывани  без регенерации при предыдущем обращении, то запоминающий элемент (ЗЭ) дополнительного разр да 2, наход щийс  в нулевом состо нии, в такте записи перемагнититс  и перейдет в единичное состо ние. При этом на выходе усилител  воспроизведени  дополнительного разр да 4 возникает сигнал , который по шине «Разрешение записи в один такт 10 поступает в бло« управлени  7, в результате чего цикл записи заканчиваетс  после выполнени  первого такта, а ЗУ через числовую 14, адресную 15 и сигнальную 16 магистрали подключаетс  к другим устройствам . В  чейке пам ти после этого хранитс  записанное число, а ЗЭ дополнительного разр да 2 находитс  в единичном состо нии.When writing information to the memory cell in the first cycle - the recording cycle, two-pole shapers 5 are switched on, which prohibit recording 1 in the zero bits of the recorded number. If the memory cell is free due to reading without regeneration during the previous access, then the storage element (GD) of the additional bit 2, which is in the zero state, in the write cycle is re-magnetized and changes to the single state. In this case, at the output of the playback amplifier 4, a signal arises, which, via the "Recording resolution in one clock 10, enters the control unit 7, as a result of which the recording cycle ends after executing the first cycle, and the memory in numeric 14, address 15 and Signal line 16 is connected to other devices. After that, the recorded number is stored in the memory cell, and the additional digit 2 GE is in the unit state.

Если же  чейка пам ти «е была обнулена при предыдущем обращении, то ЗЭ дополнительного разр да 2 находитс  в единичном состо нии. При этом в некоторых разр дах  чейки пам ти могут хранитьс  1, хот  в них необходимо записать 0. В этом случае в результате выполнени  такта записи не произойдет перемагничивани  ЗЭ дополнительного разр да 2, что приведет к по влению нулевого сигнала на выходе усилител  воспроизведени  дополнительного разр да 4. В этом случае блок управлени  7 формирует вслед за тактом записи такт считывани , в котором двухпол1 рные формирователи 5 подают в разр дные обмотки накопител  1 токи запрета считывани  в тех разр дах, где необходимо записать 1. Одновременно блоком управлени  7 вырабатываетс  сигнал, который по шине «Запрет считывани  из дополнительного разр да 9 поступает на вход однопол рного формировател  тока запрета 6 и включает его. Включение формировател  6 запрещает перемагничивание ЗЭ дополнительного разр да 2 в нулевое состо ние, в результате этого в  чейке пам ти хранитс  необходимое число, а ЗЭ дополнительного разр да 2 находитс  в единичном состо нии.If, however, the memory cell was reset to zero in the previous access, then the additional digit 2 GE is in a single state. At the same time, in some bits of memory cells can be stored 1, although they must be written 0. In this case, as a result of the execution of the write cycle, the GE of the additional bit 2 will not re-magnify, which will lead to a zero signal at the output of the playback amplifier of the additional bit yes 4. In this case, the control unit 7 forms, following the write cycle, a read cycle, in which the two-pole shapers 5 are fed to the discharge windings of the storage device 1 read inhibit currents in those bits where it is necessary to write 1. O neous 7 generated control signal unit which the bus "read prohibition of additional discharge 9 is input unipolar current driver prohibition 6 and turns it on. Turning on the generator 6 prohibits the reversal of the extra-discharge ZE to the zero state, as a result, the required number is stored in the memory cell, and the additional discharge-2 GE is in the unit state.

Считывание информации с регенерацией и без регенерации производит1с  также, как и вReading information with and without regeneration produces 1c as well as

известных устройствах. Считывание без регенерации осуществл етс  за один такт - такт считывани , после которого  чейка па-м; ти обнулена, а ЗЭ дополнительного разр да 2 находитс  в нулевом состо нии. Считываниеknown devices. A read without regeneration is carried out in one step — a read stroke, after which the cell is pa-m; These zeroes, and the extra digit 2 ZE is in the zero state. Reading

с регенерацией осуществл етс  за два такта. В первом такте--такте считывани  - считываетс  информаци , а во втором такте - такте записи производитс  регенераци  (запись ). В  чейке пам ти после этого хранитс regeneration takes two clocks. In the first cycle — the read cycle — information is read out, and in the second cycle — the write cycle — the regeneration (recording) is performed. The memory cell is then stored.

первоначальна  информаци , а ЗЭ дополнительного разр да 2 находитс  в единичном состо нии.the initial information, and the additional digit 2 GE is in a single state.

Предмет изобретени Subject invention

Запоминающее устройство, содержащее накопитель , соединенный с выходами двухпол рных формирователей тока запрета, с усилител ми воспроизведени  и адресным блоком , блок управлени , соединенный с двухпол рными формировател ми тока запрета, с усилител ми воопроизведени  и регистром числа, выход которого подключен к блоку приема и выдачи кодов, и блок св зи, соединенный с адресным блоком, отличающеес  тем, что, с целью повышени  быстродействи , оно содержит в накопителе дополнительный разр д, соединенный со входом усилител  воспроизведени  дополнительного разр да и выходом однопол рного формировател  тока запрета, причем выход усилител  воспроизведени  дополнительного разр да подключен к блоку управлени , выход которого соединен со входом однопол рного формировател  тока за1П1рета.A memory device containing a drive connected to the outputs of two-pole inhibition current formers, with playback amplifiers and an address unit, a control unit connected to the two-pole inhibition current formers, with audio amplifiers and a register of the number, the output of which is connected to the reception unit and issuing codes, and a communication unit connected to the address block, characterized in that, in order to increase speed, it contains an additional bit connected to the input of the playback amplifier in the storage device tim additional discharge outlet and unipolar current driver prohibition, the output of amplifier reproducing the additional discharge is connected to a control unit, whose output is connected to the input unipolar current driver za1P1reta.

SU1876708A 1973-01-05 1973-01-05 STORAGE DEVICE SU429466A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1876708A SU429466A1 (en) 1973-01-05 1973-01-05 STORAGE DEVICE

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1876708A SU429466A1 (en) 1973-01-05 1973-01-05 STORAGE DEVICE

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU429466A1 true SU429466A1 (en) 1974-05-25

Family

ID=20540624

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1876708A SU429466A1 (en) 1973-01-05 1973-01-05 STORAGE DEVICE

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU429466A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4016409A (en) Longitudinal parity generator for use with a memory
GB1526828A (en) Information processing system
SU429466A1 (en) STORAGE DEVICE
SU733020A1 (en) Memory device
SU489154A1 (en) Memory device
SU436389A1 (en) STORAGE DEVICE '^
SU964731A1 (en) Buffer storage device
SU1022216A1 (en) Device for checking domain storage
SU1222098A1 (en) Buffer storage
SU1465912A1 (en) Buffer storage
SU1587537A1 (en) Device for servicing messages
SU504247A1 (en) Permanent storage device
SU799001A1 (en) Storage
SU496604A1 (en) Memory device
SU809182A1 (en) Memory control device
SU743031A1 (en) Memory
SU980163A1 (en) Permanent storage
SU444241A1 (en) Memory device
SU378832A1 (en) DEVICE INPUT INFORMATION
SU1020863A1 (en) Control device or domain storage
SU507897A1 (en) Memory device
SU487417A1 (en) Memory device
SU410461A1 (en)
SU1524094A1 (en) Buffer storage
RU2032234C1 (en) Reprogrammable read-only storage