SU377876A1 - FERRITE STORAGE DEVICE WITH LINEAR - Google Patents

FERRITE STORAGE DEVICE WITH LINEAR

Info

Publication number
SU377876A1
SU377876A1 SU1627568A SU1627568A SU377876A1 SU 377876 A1 SU377876 A1 SU 377876A1 SU 1627568 A SU1627568 A SU 1627568A SU 1627568 A SU1627568 A SU 1627568A SU 377876 A1 SU377876 A1 SU 377876A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
address
cores
bus
output
signal
Prior art date
Application number
SU1627568A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Л. Кошелев В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to SU1627568A priority Critical patent/SU377876A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU377876A1 publication Critical patent/SU377876A1/en

Links

Landscapes

  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Description

1one

Предложенное устройство относитс  к области вычислительной техники и может быть использовано при построении цифровых вычислительных машии.The proposed device relates to the field of computer technology and can be used in the construction of digital computers.

Известны ферритовые ЗУ с линейной выборкой , содержащие п-разр дную матрицу, прошитую адресными и разр дными шинами, усилители воспроизведени  и устройство временного селектировав1и  выходных сигналов (селектор режнма).Line-sampled ferrite memories are known, containing a n-bit array stitched with address and bit buses, playback amplifiers, and a device for temporal selection of output signals (mode selector).

Основным недостатком известных ферритовых ЗУ  вл етс  их низка  помехоустойчивость ,  вл юила с  результатом того, что сигнал считанной «1 в стробируюш,ем разр де имеет небольшую амплитуду по сравнению с помехами, которые могут нревосходить его во много раз.The main disadvantage of the known ferrite memories is their low noise immunity, which is the result of the fact that the read signal "1 in the gate, the discharge has a small amplitude compared with the noise that can rise to it many times.

Целью предложенного изобретени   вл етс  иовышение помехоустойчнвости ферритовых ЗУ с линейной выборкой.The aim of the proposed invention is to improve the noise immunity of linear-sampled ferrite chargers.

Поставленна  цель достигаетс  путем того, что ферритовое ЗУ содержит дополнительную шину, прошитую через все сердечники матрицы и подключенную ко входу селектора режима , причем в каждом сердечиике дополнительна  шина прошита согласно соответствующей адресной шине.The goal is achieved by the fact that the ferrite memory contains an additional bus stitched through all the cores of the matrix and connected to the input of the mode selector, and in each card an additional bus is stitched according to the corresponding address bus.

Принципиальна  схема предложенного устройства изображена на чертеже.A schematic diagram of the proposed device is shown in the drawing.

Устройство содержит /г-разр дную матрицу / с двум  сердечниками на разр д, например сердечниками 2 и 3, 4 н 5 и т. д. Все сердечники матрицы прошиты адресными шинами 6, разр дными шинами 7 и дополнительной шиной 8, котора  проходит в каждом сердечнике согласно соответствующей адресной шине и подключена к селектору режима 9. Выход селектора режима 9 соединен с селектирующими входа.ми усилителей воспроизведени  10.The device contains an (G-bit matrix) with two cores per discharge, for example, cores 2 and 3, 4 n 5, etc. All matrix cores are stitched with address buses 6, bits buses 7 and an additional bus 8, which runs in each core according to the corresponding address bus and connected to the mode selector 9. The output of the mode selector 9 is connected to the selection inputs of the playback amplifiers 10.

Ра:бота предложенного устройства осуществл етс  следуюпадм образом.RA: The bot of the proposed device is implemented in the following manner.

В режиме записи единичного кода в первый разр д первого адреса ЗУ под действиемIn the recording mode of a single code in the first digit of the first memory address under the action

адресного тока записи /зш и разр дного тока /разр «1 перемагничиваетс  сердечник 2. При считывании этого кода иод действием адресного тока считывани  /CHI сердечиик 2 перемагннчиваетс  в исходное состо ние и наthe address current of the write / ssh and the discharge current / bit of the "1" core 2 is re-magnetized. When this code is read, the iodine by the action of the read current / CHI of the core 2 is re-switched to its original state and

незаземлецном выходе дополнительной шины возбуждаетс  сигнал отрицательной пол рности . При записи нулевого кода в этот разр д под действием тока записи /зп1 и разр дного тока /разр «О перемагничнваетс  сердечник 3. В режиме считывани  сердечинк 3 иеремагиичнваетс  в исходное состо ние и та выходе донолиительной шины возбуждаетс  сигнал отрицательной пол рности, так же как и при считывании единичного кода.the non-ground output of the auxiliary bus initiates a negative polarity signal. When writing a zero code in this bit, the core 3 is re-magnetized by the current of the / zp1 and the discharge current / bit. In the reading mode, the core 3 is idle and the output of the full bus excites a negative polarity signal, as well as and when reading a single code.

Таким образом, независимо от значени  считываемого кода разр да на выходе дополнительной шины возбуждаетс  сигнал отрицательной пол рности. Аналогично дл  других разр дов выбра-вного адреса сигналы перемагничиваемых сердечников в режиме считывани  имеют отрицательную нол рность на выходе дополнительной шины.Thus, regardless of the value of the read bit code, a negative polarity signal is excited at the output of the additional bus. Similarly, for other bits of the selected address, the signals of the magnetizable cores in the read mode have a negative zero on the output of the additional bus.

Во второй адресной шине адресные токи имеют направлени , противоположные направлени д1 адресных токов в первой адреснюй шине. Поэтому при записи единичного кода в первый разр д этого адреса перемагничиваетс  сердечник 5, а при записи нулевого кода - сердечник 4. Легко проследить, что в режиме считывани  при перемагничивании любого из сердечников 4 или 5 на выходе дополнительной шины возбуждаетс  сигнал отрицательной пол рности. Таким образом, в режиме считывани  сигналы от перемагничиваемых сердечников на выходе дополнительной шины имеют одинаковую пол рность независимо от выбранного адреса и разр дов.In the second address bus, the address currents have directions opposite to the directions of the e1 address currents in the first address bus. Therefore, when writing a single code, the core 5 is re-magnetized by the core 5, and the core 4 is recorded when the zero code is written. It is easy to see that the signal of negative polarity is excited at the output of the additional bus during reading of any of the cores 4 or 5. Thus, in the read mode, the signals from the remagnetized cores at the output of the additional bus have the same polarity, regardless of the selected address and bits.

Поскольку сердечники выбранного адреса перемагничиваютс  одновременно во всех разр дах, а сигналы от перемагничиваемых сердечников имеют одинаковую пол рность, то сигнал в дополнительной шине равен сумме сигналов всех разр дов этого адреса.Since the cores of the selected address are re-magnetized at the same time in all bits, and the signals from the remagnetized cores have the same polarity, the signal in the additional bus is equal to the sum of the signals of all bits of this address.

В режиме считывани  сигнал с дополнительной шины проходит селектор режима 9, открытый сигналом «режима считывани , и в качестве стробирующего сигнала поступает на селектирующие входы усилителей воспроизведени  10, разреша  прохождение считанных сигналов на выходные шины ЗУ «Выход У,.. ., «Выход п.In the read mode, the signal from the additional bus passes the mode selector 9, opened by the read mode signal, and as a strobe signal goes to the selection inputs of the playback amplifiers 10, allowing the read signals to go to the output buses of the output O, ..., output .

В режиме записи сигнал «Режима считывани  отсутствует и прохождение сигнала с дополнительной шины через селектор режима блокируетс .In recording mode, the read mode signal is absent and the signal from the additional bus through the mode selector is blocked.

В режиме записи все сердечники разр да наход тс  под действием разр дного тока, который вызывает их обратимое перемагничивание . В результате этого процесса в разр дных шинах 7 возбуждаютс  помехи. Величина помехи на выходе разр дной шины (на входе усилител  воспроизведени  W) равна сумме сигналов помехи, возбуждаемых всеми сердечниками разр да. В дополнительной шине помехи от каждой пары сердечников невыбранных адресов компенсируютс . Например , при записи единичного кода по первому адресу сердечником 4 в дополнительной шине возбул даетс  помеха отрицательной: пол рности, а сердечником 5 - положительной пол рности, которые при суммировании взаимно вычитаютс . Таким образом, на выходе дополнительной шины отсутствуют помехи , возбуждаемые разр дным током.In the recording mode, all the discharge cores are under the action of the discharge current, which causes their reversible remagnetization. As a result of this process, noise is excited in the bit lines 7. The magnitude of the interference at the output of the discharge bus (at the input of the playback amplifier W) is equal to the sum of the interference signals excited by all of the discharge cores. In the additional bus, interference from each pair of cores of unselected addresses is compensated. For example, when writing a single code at the first address, the core 4 in the additional bus excites negative interference: polarity, and core 5 - positive polarity, which, when summed, are mutually subtracted. Thus, at the output of the additional bus there are no interferences induced by the discharge current.

Таким о.бразом, в предложенном устройстве стробирующий сигнал равен сумме сигналов всех одновременно перемагничиваемых сердечников выбранного адреса, число которых посто нно и равно числу разр дов, и этот сигнал свободен от помех, возбуждаемых разр дным током. Большое отношение амплитуды стробируюшего сигнала к помеховым сигналам повышает достоверность правильного селектировани  выходных сигналов , в результате чего повышаетс  надежность работы ЗУ.Thus, in the proposed device, the strobe signal is equal to the sum of the signals of all simultaneously simultaneously re-magnetized cores of the selected address, the number of which is constant and equal to the number of bits, and this signal is free from the noise excited by the discharge current. The large ratio of the amplitude of the gating signal to the interfering signals increases the reliability of the correct selection of the output signals, as a result of which the reliability of the memory device operation increases.

Предмет изобретени Subject invention

Ферритовое запоминаюш,ее устройство с линейной выборкой, содержащее ге-разр дную матрицу с двум  сердечниками на разр д, прошитыми адресными и разр дными шинамн , соединенными с усилител ми воспроизведени , и селектор режима, подключенный к селектирующим входам усилителей воспроизведени , отличающеес  тем, что, с целью повышени  помехоустойчивости, оно содержит дополнительную шину, прошитую через все сердечники матрицы и нодключенную ко входу селектора режима, причем в каждом сердечнике дополнительна  шина прошита согласно соответствующей адресной шине.A ferrite memory, its linear sampling device, containing a two-core split-matrix array per bit, stitched with address and bit buses connected to playback amplifiers, and a mode selector connected to selector inputs of playback amplifiers, characterized in that , in order to improve noise immunity, it contains an additional bus, stitched through all the cores of the matrix and connected to the mode selector input, and in each core an additional bus is stitched according to address bus.

Сигнал „peitdiMu счтпыбани Signal „peitdiMu with sptibani

SU1627568A 1971-02-01 1971-02-01 FERRITE STORAGE DEVICE WITH LINEAR SU377876A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1627568A SU377876A1 (en) 1971-02-01 1971-02-01 FERRITE STORAGE DEVICE WITH LINEAR

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1627568A SU377876A1 (en) 1971-02-01 1971-02-01 FERRITE STORAGE DEVICE WITH LINEAR

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU377876A1 true SU377876A1 (en) 1973-04-17

Family

ID=20467311

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1627568A SU377876A1 (en) 1971-02-01 1971-02-01 FERRITE STORAGE DEVICE WITH LINEAR

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU377876A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0016827B1 (en) High density memory system
GB1250109A (en)
KR920010624A (en) Semiconductor memory device
GB1078580A (en) Electronic data processing system
US3191163A (en) Magnetic memory noise reduction system
SU377876A1 (en) FERRITE STORAGE DEVICE WITH LINEAR
GB1119428A (en) Memory system
US3274570A (en) Time-limited switching for wordorganized memory
US3718917A (en) Driving system of magnetic thin film memory
US3465312A (en) Balanced bit-sense matrix
US3456246A (en) Plated wire memory
SU444241A1 (en) Memory device
US3484762A (en) Two element per bit memory having nondestructive read out and ternary storage capability
SU498647A1 (en) Magnetic Random Access Memory Storage Device
SU1619282A1 (en) Memory
SU384132A1 (en) SCHEME OF FORMATION OF POSITIONING IMPULSES FOR MAGNETIC STORING DEVICES
JP2531296B2 (en) Serial access memory
SU486376A1 (en) Memory cell
SU498648A1 (en) Memory device
SU407394A1 (en) Random access memory with simultaneous access to multiple memory cells
SU1022216A1 (en) Device for checking domain storage
US3462748A (en) Memory using sense amplifiers with gated feedback
JPS5758296A (en) Semiconductor memory
SU429466A1 (en) STORAGE DEVICE
SU385317A1 (en) PERMANENT STORAGE DEVICE WITH TWO MEMORY ELEMENTS FOR A DISCHARGE