SU370682A1 - VIBLIO:> &? N / -. - Google Patents
VIBLIO:> &? N / -.Info
- Publication number
- SU370682A1 SU370682A1 SU1648453A SU1648453A SU370682A1 SU 370682 A1 SU370682 A1 SU 370682A1 SU 1648453 A SU1648453 A SU 1648453A SU 1648453 A SU1648453 A SU 1648453A SU 370682 A1 SU370682 A1 SU 370682A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- hydrofluoric
- etching
- acid
- viblio
- potassium dichromate
- Prior art date
Links
Landscapes
- Weting (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
1one
Изобретение касаетс полупроводниковой электроники и может быть «сиользовано дл травлеин р-п переходов кремниевых - полупроводниковых .структур.The invention relates to semiconductor electronics and can be used for etching pn junctions of silicon - semiconductor structures.
Известны кислотные правители «а основе смесей плавиковой и азотной кислоты.Known acid rulers "and the basis of mixtures of hydrofluoric and nitric acid.
Известен также травитель, в котором вместо азотной кислоты в качестве окислител введен перманганат кали - КМпО.Also known is an etchant, in which potassium permanganate (KMPO) is introduced as an oxidizing agent instead of nitric acid.
Одиако такие травнтелн малопригодны при травлении ;конструкции, содержащей различные металлические элеме1 ты (контакты, припой, компенсаторы, кристаллодержатели и т. д.), так как в этом случае раствор ютс преимущественно 1металлы. При применении подобных травителей необходима защита металлических частей конструкции от разрушени , что 3(начительно усложн ет технологический процесс.Odiaco are not very suitable for etching; constructions containing various metal elements (contacts, solder, compensators, crystal holders, etc.), since in this case 1 metals are predominantly dissolved. When using such etchants, it is necessary to protect the metal parts of the structure from destruction, which 3 (the process becomes extremely complicated).
Цель изобретени - осуществление правлени без защиты металлических элементов конструкции .The purpose of the invention is to implement the board without protecting the metallic elements of the structure.
Дл этого в состав предложенного травител , содержащего плавиковую кислоту, введены серна кислота и бихромат кали . Компоненты травител вз ты в следующем соотнощеииИ , вес. %: For this purpose, sulfuric acid and potassium dichromate are added to the composition of the proposed etchant containing hydrofluoric acid. The components of the hermiter are taken in the following relation, weight. %:
Плавикова кислота14-25,2Hydrofluoric acid14-25,2
Серна кислота3,6-18Sulfuric acid3,6-18
Бих1ромат «али 0,034-0,17Dichromat "Ali 0.034-0.17
Оптимальный состав травител имеет следЗющие концентрации, в г-экв/л:The optimal composition of the hermit has the following concentrations, in g-eq / l:
Плавикова кислота21Hydrofluoric acid21
Серна кислота.. 9Sulfuric acid .. 9
Бихромат кали 0,136Potassium dichromate 0.136
Предложенный травитель опробован дл травлени поверхности фаски тиристоров, содержащих никелевые или алюминиевые контакты , вольфрамовые или молибденовые компенсаторы .The proposed etcher has been tested for etching the surface of chamfering thyristors containing nickel or aluminum contacts, tungsten or molybdenum compensators.
1515
Предмет изобретени Subject invention
Травитель дл кремниевых полупроводн ковых структур с металлическими элементами , содержащий плавиковую етгслоту и бихромат щелочного металла, отличающийс тем, что, с целью осуществлени травлени без защиты металлических элементов конструкции, он содержит серную кислоту, в качестве бихромата щелочного металла применен бихромат кали , а компоненты вз ты в следующем соотнощении, вес. %:An etchant for silicon semiconductor structures with metal elements containing a fluorine etxlot and an alkali metal bichromate, characterized in that, in order to carry out etching without protecting metal elements of the structure, it contains sulfuric acid, potassium dichromate is used as the alkali metal dichromate, and you in the following ratio, weight. %:
Плавикова кислота37,2-35,6Hydrofluoric acid37,2-35,6
Серна кислота62,6-62,9Sulfuric acid62,6-62,9
Бихромат кали 0,2-1,5Potassium dichromate 0.2-1.5
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1648453A SU370682A1 (en) | 1971-04-12 | 1971-04-12 | VIBLIO:> &? N / -. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1648453A SU370682A1 (en) | 1971-04-12 | 1971-04-12 | VIBLIO:> &? N / -. |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU370682A1 true SU370682A1 (en) | 1973-02-15 |
Family
ID=20472902
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU1648453A SU370682A1 (en) | 1971-04-12 | 1971-04-12 | VIBLIO:> &? N / -. |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU370682A1 (en) |
-
1971
- 1971-04-12 SU SU1648453A patent/SU370682A1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US2847287A (en) | Etching processes and solutions | |
US4230522A (en) | PNAF Etchant for aluminum and silicon | |
EP0159579A3 (en) | Soluble surfactant additives for ammonium fluoride/hydrofluoric acid oxide etchant solutions | |
SU544019A1 (en) | Etcher for semiconductor materials | |
CN103666478B (en) | A kind of acid ammonium fluoride etching solution of non-ionic type low surface tension | |
ES452521A1 (en) | Aluminum polishing compositions | |
US3107188A (en) | Process of etching semiconductors and etchant solutions used therefor | |
SU370682A1 (en) | VIBLIO:> &? N / -. | |
US3506509A (en) | Etchant for precision etching of semiconductors | |
SE8008375L (en) | ELECTROLYT SOLUTION FOR ELECTROPOLICATION | |
US2872302A (en) | Etchant | |
US3871931A (en) | Method for selectively etching silicon nitride | |
DE10230252B4 (en) | Process for the production of integrated microsystems | |
US3081211A (en) | Method of selective etching | |
GB1195944A (en) | Etching Silicon Oxide Material. | |
GB822251A (en) | A method of etching the surface of a semiconductor or an electric device comprising said semiconductor | |
JPS52122479A (en) | Etching solution of silicon | |
SU1682417A1 (en) | Etching solution for iron-yttrium garnet epitaxial films | |
SU439036A1 (en) | Composition for pickling gallium arsenide | |
JPS5519873A (en) | Forming method of metallic layer pattern for semiconductor | |
US3632513A (en) | Chemical lapping of yttrium aluminum | |
SU881158A1 (en) | Composition for etching single crystals of high-melting metals | |
SU151920A1 (en) | Pickling solution for high alloy steels | |
JPS5321570A (en) | Bonding method of semiconductor substrates | |
JPS6436023A (en) | Dry etching |