SU370682A1 - VIBLIO:> &? N / -. - Google Patents

VIBLIO:> &? N / -.

Info

Publication number
SU370682A1
SU370682A1 SU1648453A SU1648453A SU370682A1 SU 370682 A1 SU370682 A1 SU 370682A1 SU 1648453 A SU1648453 A SU 1648453A SU 1648453 A SU1648453 A SU 1648453A SU 370682 A1 SU370682 A1 SU 370682A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
hydrofluoric
etching
acid
viblio
potassium dichromate
Prior art date
Application number
SU1648453A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Н. А. Иванова Г. С. Комаишко ЕССЮЗНЛУ А. Т. Андреев
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to SU1648453A priority Critical patent/SU370682A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU370682A1 publication Critical patent/SU370682A1/en

Links

Landscapes

  • Weting (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Description

1one

Изобретение касаетс  полупроводниковой электроники и может быть «сиользовано дл  травлеин  р-п переходов кремниевых - полупроводниковых .структур.The invention relates to semiconductor electronics and can be used for etching pn junctions of silicon - semiconductor structures.

Известны кислотные правители «а основе смесей плавиковой и азотной кислоты.Known acid rulers "and the basis of mixtures of hydrofluoric and nitric acid.

Известен также травитель, в котором вместо азотной кислоты в качестве окислител  введен перманганат кали  - КМпО.Also known is an etchant, in which potassium permanganate (KMPO) is introduced as an oxidizing agent instead of nitric acid.

Одиако такие травнтелн малопригодны при травлении ;конструкции, содержащей различные металлические элеме1 ты (контакты, припой, компенсаторы, кристаллодержатели и т. д.), так как в этом случае раствор ютс  преимущественно 1металлы. При применении подобных травителей необходима защита металлических частей конструкции от разрушени , что 3(начительно усложн ет технологический процесс.Odiaco are not very suitable for etching; constructions containing various metal elements (contacts, solder, compensators, crystal holders, etc.), since in this case 1 metals are predominantly dissolved. When using such etchants, it is necessary to protect the metal parts of the structure from destruction, which 3 (the process becomes extremely complicated).

Цель изобретени  - осуществление правлени  без защиты металлических элементов конструкции .The purpose of the invention is to implement the board without protecting the metallic elements of the structure.

Дл  этого в состав предложенного травител , содержащего плавиковую кислоту, введены серна  кислота и бихромат кали . Компоненты травител  вз ты в следующем соотнощеииИ , вес. %: For this purpose, sulfuric acid and potassium dichromate are added to the composition of the proposed etchant containing hydrofluoric acid. The components of the hermiter are taken in the following relation, weight. %:

Плавикова  кислота14-25,2Hydrofluoric acid14-25,2

Серна  кислота3,6-18Sulfuric acid3,6-18

Бих1ромат «али 0,034-0,17Dichromat "Ali 0.034-0.17

Оптимальный состав травител  имеет следЗющие концентрации, в г-экв/л:The optimal composition of the hermit has the following concentrations, in g-eq / l:

Плавикова  кислота21Hydrofluoric acid21

Серна  кислота.. 9Sulfuric acid .. 9

Бихромат кали 0,136Potassium dichromate 0.136

Предложенный травитель опробован дл  травлени  поверхности фаски тиристоров, содержащих никелевые или алюминиевые контакты , вольфрамовые или молибденовые компенсаторы .The proposed etcher has been tested for etching the surface of chamfering thyristors containing nickel or aluminum contacts, tungsten or molybdenum compensators.

1515

Предмет изобретени Subject invention

Травитель дл  кремниевых полупроводн ковых структур с металлическими элементами , содержащий плавиковую етгслоту и бихромат щелочного металла, отличающийс  тем, что, с целью осуществлени  травлени  без защиты металлических элементов конструкции, он содержит серную кислоту, в качестве бихромата щелочного металла применен бихромат кали , а компоненты вз ты в следующем соотнощении, вес. %:An etchant for silicon semiconductor structures with metal elements containing a fluorine etxlot and an alkali metal bichromate, characterized in that, in order to carry out etching without protecting metal elements of the structure, it contains sulfuric acid, potassium dichromate is used as the alkali metal dichromate, and you in the following ratio, weight. %:

Плавикова  кислота37,2-35,6Hydrofluoric acid37,2-35,6

Серна  кислота62,6-62,9Sulfuric acid62,6-62,9

Бихромат кали 0,2-1,5Potassium dichromate 0.2-1.5

SU1648453A 1971-04-12 1971-04-12 VIBLIO:> &? N / -. SU370682A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1648453A SU370682A1 (en) 1971-04-12 1971-04-12 VIBLIO:> &? N / -.

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1648453A SU370682A1 (en) 1971-04-12 1971-04-12 VIBLIO:> &? N / -.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU370682A1 true SU370682A1 (en) 1973-02-15

Family

ID=20472902

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1648453A SU370682A1 (en) 1971-04-12 1971-04-12 VIBLIO:> &? N / -.

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU370682A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4230522A (en) PNAF Etchant for aluminum and silicon
US3738881A (en) Anisotropic etching of silicon and germanium
EP0159579A3 (en) Soluble surfactant additives for ammonium fluoride/hydrofluoric acid oxide etchant solutions
SU544019A1 (en) Etcher for semiconductor materials
KR960009043A (en) Silicon Nitride Etching Method
KR20040047634A (en) Etchant compositions for metal thin films having as the major component silver
CN103666478B (en) A kind of acid ammonium fluoride etching solution of non-ionic type low surface tension
ES452521A1 (en) Aluminum polishing compositions
US3107188A (en) Process of etching semiconductors and etchant solutions used therefor
WO2018123166A1 (en) WET ETCHING COMPOSITION FOR SUBSTRATE HAVING SiN LAYER AND Si LAYER AND WET ETCHING METHOD USING SAME
SU370682A1 (en) VIBLIO:> &? N / -.
US6046117A (en) Process for etching semiconductor wafers
US2872302A (en) Etchant
US3607477A (en) Etchants,the treatment of moncrystalline semiconductor wafers therewith and semiconductor devices incorporating such wafers
JPS5784135A (en) Manufacture of semiconductor element
US3081211A (en) Method of selective etching
GB1195944A (en) Etching Silicon Oxide Material.
US3467599A (en) Etching solution
DE10230252A1 (en) Process for the production of integrated microsystems
GB822251A (en) A method of etching the surface of a semiconductor or an electric device comprising said semiconductor
JPS52122479A (en) Etching solution of silicon
SU1682417A1 (en) Etching solution for iron-yttrium garnet epitaxial films
GB1067811A (en) Purification of halothane
US3632513A (en) Chemical lapping of yttrium aluminum
JPS55134173A (en) Etching method for aluminum or aluminum base alloy