SU348132A1 - Способ присоединени монокристаллических пластин кремни к инородным подложкам - Google Patents

Description

Изобретение относитс  к области полупроводниковой технологии, в част ности к технологии изготовлени  моно кристаллических слоев полупроводнико на различных инородных подложках. В известных способах эпитаксиального наращивани  мЬнбкрйсталлических слоев на инородных монокристаллических подложках и- электроннолучевой перекристаллизации и реотаксиальнрго наращивани  на инородных поликристал лических подложках имеют место ограниченность выбора подложек и наличие в сло х больших механических напр жений вследствие значительного различи  в коэффициентах термического расширени , а также несоответстви  параметров решетки материалов сло  и подложки. Цель изобретени  - разработка спо соба присоединени  монокристаллических пластин к инородным подложкам, n которому не происходило бы заметного изменени  электрофизических и структурных свойств присоедин емых к подложкам монокристаллических пластин. риала, имеющего меньшую температуру ; плавлени ,- чем температура плавлени  материала пластины, н способного об- . разовывать с материалом пластины непрерывную систему равновесных твердых растворов. В результате прочно соедин ютс  подложка с промежуточным слоем при расплавлении последнего, а также промежуточный слой с монокристаллической пластиной при температурах, при которых материал пластины еще относительно мало химически активен, Примером реализации предлагаемого способа может служить присоединение пластины кремни  к подложке из муллитовой керамики посредством промежуточного сло  из германи . На пластину кремни  нанос т слой германи , сверху накладывают плоскую керамическую подложку и в вакууме мм.рт.ст. разогревают до 9371420 С , т.е. в диапазоне температур, соответствующих образованию равновесных pacTBOpQB системы германий-крем ний . Скорость нагрева составл ет не более 15 град/мин. При этом между пластиной кремни  и подложкой образуетс  жидкий слой равновесного раствора CHc-itMiiMiiiiiiijiM|iiMi H i . Затем

снижают температуру со скоростью не более 15 град/мин, в результате чего жидкий слой раствора германий-кремний кристаллизуетс  в внде монокристалла, а кремнева  пластинка оказываетс  прочно соединенной с инородно подложкой

Нанесение сло  гех лани производ т либо путем его напылени  в вакууме, либо наложением тонкой {30-40 мкм) пластинки германи  на пластину кремни .

Claims (1)

1. Формула изобретени  Способ присоединени  монокристаллическИх пластин кремни  к инородным подложкам посредством монокристаллических прослоек равновесных твердых растворов вещества присоедин емого кристалла, отличающийс  тем, что, с целью сохранени  свойств и структуры монокристаллических пластин в области их контакта с подложкой , в качестве прослойки используют ге рманий близкий по своим свойствам к присоедин емому кремнию.