SU1680650A1 - Стекло - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к технологии силикатов и предназначено дл  создани  толстопленочных диэлектрических элементов коммутационных плат на металлическом основании . С целью повышени  температурного коэффициента линейного расширени  и кристаллизационной способности, снижени  температуры обжига стекло имеет следующий химический состав, мас.%: SlOz 2.2-8,0; А120з 6,1-7,0; В20з 14,8-18,8; ВаО 58.1-63.0; СаО 5,4-6,3; SrO 0,3-1,0; МоОз 0,5-2,0. КТР стекла (105-108) 1/град. температура обжига 650°С, температура кристаллизации 640-650°С. 1 табл.

Description

Изобретение относитс  к технологии силикатов и предназначено дл  формировани  толстопленочных диэлектрических элементов коммутационных плат на металлическом основании, используемых в радиоэлектронной аппаратуре.

Цель изобретени  - повышение температурного коэффициента линейного расширени  и кристаллизационной способности , снижение температуры обжига.

Синтез стекла провод т в газовой пламенной печи при 1300°С с выдержкой при этой температуре 1 ч.

В качестве сырьевых материалов используют кварцевый песок, глинозем, борную кислоту, углекислый барий, углекислый кальций, углекислый стронций, оксиды хрома (III) и молибдена.

Пример. Состав стекла мас.%: SI02 5,6; AfeOs 7,0; ВгОз 16-8; ВаО 61,0; СиО 6.3; SrO 1,5; Сг20зО,3;МоОз1.5.

Сырьевые материалы взвешивают на технических весах и тщательно перемешивают . Шихту засыпают в сорундизовые тигли и помещают в газовую печь. Скорость подъема температуры в печи 200-250°С в 1 ч. Максимальна  температура варки 1300°С, выдержка при данной температуре 1 ч. Сваренную стекломассу выливают на воду дл  получени  гранул та. Гранул т высушивают и размалывают в планетарной мельнице до порошка с удельной поверхностью 6000-7000 см2/г./

Нанесение диэлектрических элементов на подложку провод т методом трафаретной печати из паст на основе порошка стекла . Подложки с нанесенными элементами сушат в муфельной печи при 100°С в течении 30 мин. Вжигание толстопленочных диэлектрических элементов производ т в конвейерной электропечи при 650°С, подъем температуры и охлаждение со скоростью 50°С/мин. В процессе обжига происходит кристаллизаци  стекла с выделением в качестве основных кристаллических фаза-цельзиана и бората бари .

Изготовление образцов дл  определени  физико-механических свойств стекол осуществл ют методом отливки в стальные формы с последующим отжигом при 490°С в течение 2 ч в электрической муфельной печи.

Синтез стекол остальных составов и формирование диэлектрических толстопленочных элементов на их основе проводитс  аналогично приведенному примеру,

Составы стекол и их физико-механические свойства приведены в таблице.

Использование предлагаемого стекла позвол ет создать совместимую систему элементов коммутационных плат на метал- лодиэлектрической подложке и повысить таким образом надежность интегральной

схемы, обеспечивает снижение энергоемкости производства, повышение степени интеграции коммутационных плат на ме- таллодиэлектрической подложке, следовательно , обеспечивает повышение степени надежности и улучшение массогабарит- ных характеристик радиоэлектронной аппаратуры .

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   Стекло, включающее S102, А120з, В20з, BaO, CaO, SrO, СгаОз, отличающеес  тем, что, с целью повышени  температурного коэффициента линейного расширени  и кристаллизационной способности, снижени  температуры обжига, оно дополнительно содержит МоОз при следующем соотношении компонентов, мас.%: 5102-2,2- 8; А12Оз-6,1-7; В2Оз-К8-18,8; ВаО-58,1-63; СзО-5,4-6,3; SrO-1.5-4; СпгОз-0,3-1:

   МоОз-0,5-2.